JP7704496B2 - 表示装置、表示装置の製造方法、並びに、表示装置を用いた電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置、表示装置の製造方法、並びに、表示装置を用いた電子機器に関する。本開示は、特に、有機層を有する発光素子を備えた表示装置、その表示装置の製造方法、並びに、その表示装置を用いた電子機器に関する。

発光層となる有機層と電極を備えた発光素子を複数形成している表示装置では、隣接する画素間での光漏れを抑制することが望まれている。

特許文献１の技術では、複数の発光素子と複数の発光素子を保護するための保護層とを含む表示装置が開示されている。この表示装置では、発光素子は、絶縁部で分離された複数の下部電極と、下部電極上に配された有機層と、有機層を覆う上部電極とを有している。また、隣り合う下部電極の間の上方側に対応した部分に保護層とは異なる屈折率を有する分離部が設けられている。

特開２０１８－９２８７３号公報

特許文献１の技術では、隣接する画素間での光漏れを抑制する点でさらなる改善の余地がある。

本開示は、上述した点に鑑みてなされたものであり、隣接する画素間での光漏れを抑制することの可能な表示装置、表示装置の製造方法、並びに、表示装置を用いた電子機器の提供を目的の一つとする。

本開示は、例えば、（１－１）基板上に下部電極と有機層と上部電極をこの順に積層した複数の発光素子と、
前記発光素子の上面側に積層され、前記上部電極を覆う上面保護層と、
隣り合う前記発光素子の間に配置され、前記発光素子の側端面側を覆う素子間分離壁と、
を備え、
前記素子間分離壁は、前記発光素子の厚み方向に沿って、前記発光素子から前記上面保護層に向かう方向に延び出ており、
前記上部電極は、前記有機層に対面する互いに分離された第１上部電極であり、
隣接する前記第１上部電極間を繋ぐ第２上部電極が設けられ、
前記第２上部電極は、前記素子間分離壁の表面に沿って配置され、
前記第２上部電極の反射率が、前記第１上部電極の反射率よりも大きい、
表示装置である。
本開示は、例えば、（１－２）基板上に下部電極と有機層と上部電極をこの順に積層した複数の発光素子と、
前記発光素子の上面側に積層され、前記上部電極を覆う上面保護層と、
隣り合う前記発光素子の間に配置され、前記発光素子の側端面側を覆う素子間分離壁と、
を備え、
前記素子間分離壁は、前記発光素子の厚み方向に沿って、前記発光素子から前記上面保護層に向かう方向に延び出ており、
前記上部電極は、前記有機層に対面する互いに分離された第１上部電極であり、
隣接する前記第１上部電極間を繋ぐ第２上部電極が設けられ、
前記第２上部電極は、前記素子間分離壁の表面に沿って配置され、
前記有機層の側端面と前記素子間分離壁との間に側壁保護膜が介在している、
表示装置である。

本開示は、（２）前記素子間分離壁内に低屈折率部が形成されている上記（１－１）または（１－２）に記載の表示装置でもよい。

本開示は、（３）前記上部電極は、前記有機層に対面する互いに分離された第１上部電極であり、
隣接する前記第１上部電極間を繋ぐ第２上部電極が設けられており、
前記第２上部電極は、前記素子間分離壁の表面に沿って配置されている
上記（１－１）または（１－２）に記載の表示装置でもよい。

また、本開示は、例えば、（４）基板上に下部電極と有機層と第１上部電極と上面保護層をこの順に積層した第１の積層体を形成する工程と、
前記第１の積層体において予め定められた位置に、前記上面保護層から所定の深さまで第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝内に素子間分離壁を形成することで第２の積層体を形成する工程と、
前記第２の積層体において前記素子間分離壁の周囲の所定領域に前記上面保護層から前記第１上部電極の位置まで第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝内に第２上部電極を形成する工程とを有する、
表示装置の製造方法である。

本開示は、例えば、（５）下部電極と有機層と第１上部電極と上面保護層をこの順に積層した積層体と補助層とを基板上に設けた第１の積層体を形成する工程と、
前記第１の積層体において画素のパターンに応じて定められた位置に、エッチング加工によって所定の深さまで第１の溝を形成し、且つ、前記エッチング加工にともない前記第１の溝の内壁に沿って前記補助層を基端とする側壁保護膜を形成する工程と、
前記第１の溝内に素子間分離壁を形成することで第２の積層体を形成する工程と、
前記第２の積層体において前記素子間分離壁の周囲の所定領域に前記上面保護層から前記第１上部電極の位置まで第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝内に第２上部電極を形成する工程とを有する、
表示装置の製造方法である。

本開示は、（６）上記（１－１）または（１－２）に記載の表示装置を備えた電子機器であってもよい。

図１は、第１の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略構成を示す断面図である。 図２Ａは、図１のＡ－Ａ線断面の状態を示す断面図である。 図２Ｂは、図１のＢ－Ｂ線断面の状態を示す断面図である。 図２Ｃは、図１のＣ－Ｃ線断面の状態を示す断面図である。 図２Ｄは、図１のＤ－Ｄ線断面の状態を示す断面図である。 図２Ｅは、図１のＥ－Ｅ線断面の状態を示す断面図である。 図３Ａは、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例の１つにおいて図１のＡ－Ａ線断面の状態に対応した断面図である。 図３Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例の１つにおいて図１のＢ－Ｂ線断面の状態に対応した断面図である。 図３Ｃは、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例の１つにおいて図１のＣ－Ｃ線断面の状態に対応した断面図である。 第１の実施形態にかかる表示装置の変形例の１つにおいて図３Ｄは、図１のＤ－Ｄ線断面の状態に対応した断面図である。 第１の実施形態にかかる表示装置の変形例の１つにおいて図３Ｅは、図１のＥ－Ｅ線断面の状態に対応した断面図である。 図４Ａは、第２の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略構成を示す断面図である。 図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線断面の状態を示す断面図である。 図５Ａは、図４ＡのＶ－Ｖ線断面の状態を示し、サブ画素のレイアウトの一実施例を説明するための図である。図５Ｂ、図５Ｃは、サブ画素の他のレイアウト例を説明するための図である。 図６Ａは、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図６Ｂは、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図７は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図８Ａ、図８Ｂは、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための平面図である。 図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄは、第２の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄは、第２の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための図である。 図１１は、第３の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略構成を示す断面図である。 図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃ、図１２Ｄは、第３の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための図である。 図１３Ａ、図１３Ｂは、第３の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図１４Ａ、図１４Ｂは、第３の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃ、図１５Ｄは、第３の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための図である。 図１６Ａ、図１６Ｂは、第３の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図１７Ａは、第４の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略構成を示す断面図である。図１７Ｂは、第４の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略構成を示す平面図である。 図１８Ａ、図１８Ｂは、第４の実施形態にかかる表示装置の一実施例の概略構成を示す断面図である。 図１９Ａ、図１９Ｂは、第４の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図２０は、第４の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図２１Ａ、図２１Ｂは、第４の実施形態にかかる表示装置の変形例の概略構成を示す断面図である。 図２２Ａ、図２２Ｂ、図２２Ｃは、第４の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための図である。 図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｃは、第４の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための図である。 図２４Ａ、図２４Ｂは、第４の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための図である。 図２５Ａ、図２５Ｂは、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。 図２６は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。 図２７は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。

以下、本開示にかかる一実施例等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態
４．第４の実施形態
５．応用例

以下の説明は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容は、これらの実施の形態等に限定されるものではない。また、以下の説明において、説明の便宜を考慮して前後、左右、上下等の方向を示すが、本開示の内容はこれらの方向に限定されるものではない。図１、図２Ａから図２Ｅの例では、Ｚ軸方向を上下方向（上側が＋Ｚ方向、下側が－Ｚ方向）、Ｘ軸方向を前後方向（前側が＋Ｘ方向、後ろ側が－Ｘ方向）、Ｙ軸方向を左右方向（右側が＋Ｙ方向、左側が－Ｙ方向）であるものとし、これに基づき説明を行う。これは、図３Ａから図３Ｅ、図４から図２４についても同様である。図１等の各図に示す各層の大きさや厚みの相対的な大小比率は便宜上の記載であり、実際の大小比率を限定するものではない。これらの方向に関する定めや大小比率については、図３から図２４までの各図についても同様である。

［１．第１の実施形態］
本開示の第１の実施形態にかかる表示装置について、表示装置が有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置である場合を例として以下に説明する。

［１－１． 表示装置の構成］
図１は、本開示の第１～第４の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置（以下、単に「表示装置１０Ａ」という。）の一構成例を示す断面図である。表示装置１０Ａは、基板１１と、絶縁層１２と、複数の発光素子１３と、絶縁層１４と、保護層１５と、保護層１６と、カラーフィルタ１７と、充填樹脂層１８と、対向基板１９とを備える。

表示装置１０Ａは、トップエミッション方式の表示装置である。基板１１が表示装置１０Ａの裏面側を構成し、対向基板１９が表示装置１０Ａの表示面側を構成している。対向基板１９側がトップ側となり、基板１１側がボトム側となる。以下の説明において、表示装置１０Ａを構成する各層において、表示装置１０Ａの表示面側となる面を第１の面といい、表示装置１０Ａの裏面側となる面を第２の面という。図１の例では、＋Ｚ方向を向いた面を第１の面と呼び、－Ｚ方向を向いた面を第２の面と呼ぶ。

表示装置１０Ａは、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置１０Ａは、各種の電子機器に用いられてもよい。表示装置１０Ａが用いられる電子機器としては、例えば、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）用、ＭＲ（Ｍｉｘｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）用もしくはＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）用の表示装置、電子ビューファインダ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｖｉｅｗ Ｆｉｎｄｅｒ：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等が挙げられる。なお、このことは、後述の表示装置１０Ｂから表示装置１０Ｄについても同じである。

（基板１１）
基板１１は、いわゆるバックプレーンであり、複数の発光素子１３を駆動する。基板１１の第１の面上には、複数の発光素子１３の駆動を制御するサンプリング用トランジスタと駆動用トランジスタを含む駆動回路及び複数の発光素子１３に電力を供給する電源回路（いずれも図示せず）が設けられている。

基板１１は、例えば、水分及び酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１１は、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート及びポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。

（絶縁層１２）
絶縁層１２は、基板１１の第１の面上に設けられ、駆動回路及び電源回路等を覆っている。絶縁層１２は、複数のコンタクトプラグ１２Ａおよび複数の配線（図示せず）を備える。コンタクトプラグ１２Ａは、発光素子１３を構成する下部電極１３Ａと駆動回路とを接続する。また、複数の配線は、基板１１の面内方向（ＸＹ平面方向）に隣接して配置されており、それぞれの配線は、コンタクトプラグ１２Ａなどで下部電極１３Ａおよび発光素子１３に電気的に接続される。

絶縁層１２は、例えば有機材料または無機材料により構成される。有機材料は、例えば、ポリイミド及びアクリル樹脂のうちの少なくとも１種を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン及び酸化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含む。

（発光素子１３）
複数の発光素子１３は、基板１１の第１の面側に設けられている。複数の発光素子１３は、例えば、マトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。発光素子１３は、白色光を発光可能に構成されている。発光素子１３は、例えば、白色ＯＬＥＤまたは白色Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）である。本実施形態では、表示装置１０Ａにおけるカラー化の方式としては、発光素子１３とカラーフィルタ１７とを用いる方式が用いられる。但し、カラー化の方式はこれに限定されるものではなく、ＲＧＢの塗り分け方式等を用いてもよい。また、カラーフィルタ１７に代えて、単色のフィルタを用いるようにしてよい。カラー化の方式は、後述の表示装置１０Ｂから表示装置１０Ｄについても同じである。

発光素子１３は、下部電極１３Ａと、有機層１３Ｂと、上部電極１３Ｃとを備える。下部電極１３Ａ、有機層１３Ｂ及び上部電極１３Ｃは、基板１１側から対向基板１９に向かって、この順序で積層されている。

（下部電極１３Ａ）
下部電極１３Ａは、絶縁層１２の第１の面上に設けられている。図２Ａに示すように、下部電極１３Ａは、サブ画素毎に電気的に分離されている。下部電極１３Ａは、アノードである。下部電極１３Ａは、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ反射率が高く、かつ仕事関数が大きい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。サブ画素は、画面を構成する区画単位となる画素をさらに分割した１種の色で構成される最小の表示区画単位を示すものとする。例えば、隣接する赤色の副画素と緑色の副画素と青色の副画素の組み合わせにより、一つの画素（ピクセル）が構成される。

下部電極１３Ａは、金属層及び金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、下部電極１３Ａは、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。下部電極１３Ａが積層膜により構成されている場合、金属酸化物層が有機層１３Ｂ側に設けられていてもよいし、金属層が有機層１３Ｂ側に設けられていてもよいが、高い仕事関数を有する層を有機層１３Ｂに隣接させる観点からすると、金属酸化物層が有機層１３Ｂ側に設けられていることが好ましい。

金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。

金属酸化物層は、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）及び酸化チタン（ＴｉＯ）のうちの少なくとも１種を含む。

（上部電極１３Ｃ）
上部電極１３Ｃは、下部電極１３Ａと対向して設けられている。上部電極１３Ｃは、後述する個々の有機層１３Ｂの直上に形成されており、隣り合う上部電極１３Ｃは、サブ画素毎に空間的に分離した状態に形成されており、図示しない電極接続部で互いに電気的に接続している。電極接続部は、上部電極１３Ｃと一体的でも別体でもよい。上部電極１３Ｃは、カソードである。上部電極１３Ｃは、有機層１３Ｂで発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射層も含まれるものとする。上部電極１３Ｃは、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光素子１３で生じた光の利用効率を高める上で好ましい。

上部電極１３Ｃは、金属層及び金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、上部電極１３Ｃは、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。上部電極１３Ｃが積層膜により構成されている場合、金属層が有機層１３Ｂ側に設けられてもよいし、金属酸化物層が有機層１３Ｂ側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層を有機層１３Ｂに隣接させる観点からすると、金属層が有機層１３Ｂ側に設けられていることが好ましい。

金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）及びナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。金属酸化物は、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうちの少なくとも１種を含む。

（有機層１３Ｂ）
有機層１３Ｂは、下部電極１３Ａと上部電極１３Ｃの間に設けられている。有機層１３Ｂは、サブ画素の配置に応じてパターン形成されている。有機層１３Ｂは、図２Ｂに示すように、サブ画素毎に分離した状態に形成されている。有機層１３Ｂは、白色光を発光可能に構成されている。

有機層１３Ｂは、下部電極１３Ａから上部電極１３Ｃに向かって正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層がこの順序で積層された構成を有する。なお、有機層１３Ｂの構成はこれに限定されるものではなく、発光層以外の層は必要に応じて設けられるものである。

正孔注入層は、発光層への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。発光層は、有機発光材料を含む有機発光層である。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層と上部電極１３Ｃとの間には、電子注入層を設けてもよい。この電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。

（絶縁層１４）
絶縁層１４は、絶縁層１２の第１の面上に設けられている。絶縁層１４は、各下部電極１３Ａを発光素子１３毎（すなわちサブ画素毎）に電気的に分離する。絶縁層１４は、複数の開口１４Ａを有し、分離された下部電極１３Ａの第１の面（上部電極１３Ｃとの対向面）が開口１４Ａから露出している。絶縁層１４が、分離された下部電極１３Ａの第１の面の周縁部から側面（端面）にかけて覆っていてもよい。本明細書において、第１の面の周縁部とは、第１の面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。

（保護層）
保護層１５は、発光素子１３の上面側の主面（＋Ｚ側の表面）を保護する上面保護層である。保護層１５は、上部電極１３Ｃの第１の面上に設けられ、上部電極１３Ｃを覆うことで発光素子１３を覆う。保護層１５は、発光素子１３の上面側からの発光素子１３と外気との接触を抑制し、外部環境から発光素子１３への水分浸入を抑制する。また、上部電極１３Ｃが金属層により構成されている場合には、保護層１５は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。

保護層１５は、例えば、無機材料により構成されている。保護層１５を構成する無機材料としては、吸湿性が低いものが好ましい。具体的には、保護層１５を構成する無機材料は、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）及び酸化アルミニウム（ＡｌＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。保護層１５は、単層構造であってもよいが、厚さを大きくする場合には多層構造としてもよい。保護層１５における内部応力を緩和するためである。

（保護層１６）
保護層１６は、保護層１５の直上に位置する第１保護部１６Ａと第１保護部１６Ａを除く部分で構成される第２保護部１６Ｂを有しており、第１保護部１６Ａと第２保護部１６Ｂは同一の材料で連続一体的に形成されている。第１保護部は、上面保護層となる保護層１５の表面を覆い、第２保護部１６Ｂとともに表面（＋Ｚ側の表面）の平滑面化をもたらし、また発光素子１３の劣化を抑制する。第２保護部１６Ｂは、隣り合う第１保護部１６Ａの間に形成されるとともに、隣り合う保護層１５から隣り合う発光素子１３の間にかけて入り込むように形成されている。この例では、第２保護部１６Ｂは、絶縁層１２内にも入り込んでいる。第２保護部１６Ｂは、発光素子１３の側端面１３０を覆う素子間分離壁となっている。素子間分離壁は、絶縁層１４と異なり、発光素子１３の各層（下部電極１３Ａ、有機層１３Ｂ、上部電極１３Ｃ）いずれかの第１の面上に乗り上げる方向とは異なる方向に延び出た壁構造部である。第２保護部１６Ｂは、発光素子１３の側端面１３０を覆うことで外気による発光素子１３の劣化を抑制することができる。第２保護部１６Ｂは、発光素子１３の側端面１３０に対面する位置を基準とすると、発光素子１３の厚み方向（Ｚ軸方向）に沿って、発光素子１３から保護層１５に向かう方向（＋Ｚ方向）に延び出ている。そして、図１の例では、第２保護部１６Ｂの上端（延び出し端）が第１保護部１６Ａの上面側に一致し、第１保護部１６Ａの表面と第２保護部１６Ｂの上端面が面一となっている。第２保護部１６Ｂの下端は、図１の例に示すように、発光素子１３の下部電極１３Ａよりも更に下方に位置していることが、発光素子１３よりも更に下方に位置にも後述する低屈折率部（図１の例では空隙部２０）を形成することができる観点から好ましい。

保護層１６を形成する材料（第１保護部１６Ａと第２保護部１６Ｂを形成する材料）は、保護層１６の状態での屈折率が、上面保護層をなす保護層１５の屈折率よりも屈折率の値が低いことが好ましい。また、保護層１６の屈折率が保護層１５の屈折率よりも小さい値となることで、より効果的に発光素子で生じた光を隣接するサブ画素側に漏れ出にくくすることができる。したがって、保護層１６を形成する材料が上記したような屈折率を満たすものであることで、より効果的に発光素子で生じた光を隣接するサブ画素側に漏れ出にくくすることができる。

また、保護層１６を形成する材料は、ステップカバレッジの値が１未満の材料から形成されていることが好ましい。また、保護層１６を形成する材料は、上面保護層となる保護層１５よりも透湿性が低い材料から形成されていることが好ましい。このような材料で保護層１６が形成されることで、より効率的に空隙部２０を形成できるようになる。

保護層１６を形成するための材料としては、例えば、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法等の方法で形成されたＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を挙げることができる。

（低屈折率部）
素子間分離壁をなす第２保護部１６Ｂの内部には、第２保護部１６Ｂよりも屈折率が低い低屈折率部が形成されている。低屈折率部は、図１の例では、発光素子の厚み方向（Ｚ軸方向）に延びた形状に形成されている。低屈折率部は、第２保護部１６Ｂの屈折率よりも低い屈折率を有する部分である。低屈折率部としては、窒素等といった特定の気体で充填された気体空間部、特定の液体で充填された液体部等を例示することができる。気体空間部としては、空気が充填された空隙部を例示することができる。なお、低屈折率部の屈折率及び第２保護部の屈折率は、表示装置における低屈折率部の屈折率及び第２保護部の屈折率である。空隙部２０の屈折率が第２保護部１６Ｂの屈折率がよりも小さい場合、保護層１６を形成する材料で構成された部分と空隙部２０との界面で光の全反射を生じさせることが容易となる。

（空隙部）
図１の表示装置１０Ａの例では、空隙部２０が、低屈折率部として形成されている。以下では、空隙部２０が低屈折率部として形成されている場合を例として説明を続ける。

空隙部２０についてその上下方向の長さと位置は、限定されるものではない。空隙部２０は、下部電極１３Ａ、有機層１３Ｂ、上部電極１３Ｃ、保護層１５の少なくともいずれか１つ以上の位置で形成されていればよく、その位置に応じた長さを有していればよい。図１、図２Ａから図２Ｅの例では、空隙部２０は、上下方向（Ｚ軸方向）の位置で、下部電極１３Ａ、有機層１３Ｂ、上部電極１３Ｃ、保護層１５のいずれの位置にも存在しており、さらに、Ｚ軸方向に、第１保護部１６Ａの中央近傍の高さ位置まで存在している。空隙部２０の例はこれに限定されず、例えば、有機層１３Ｂの位置で有機層１３Ｂの厚みに応じた長さで形成されてもよい。ただし、空隙部２０で隣接するサブ画素への光漏れをより的確に抑制する観点からは、空隙部２０の上端が、発光素子１３と保護層１５との界面よりも上側（＋Ｚ方向側）であることが好ましい。空隙部２０は、基板１１の第１の面近傍位置からカラーフィルタ１７の第２の面近傍位置まで形成されることが、有機層１３Ｂで生じた光を隣接するサブ画素側により確実に漏れ出にくくすることができる観点からはさらに好ましい。下部電極１３Ａの下方の絶縁層１２に配線を形成されている場合には、空隙部２０の下端は、第２保護部１６Ｂの下端と同様に、下部電極１３Ａの下方に位置していることが好ましく、絶縁層１２において隣接する配線間の位置又は隣接する配線間位置よりも下方位置であることがより好ましい。この場合、ＸＹ平面方向に隣り合う配線間に空隙部２０が配置されるようになるため、空隙部２０が存在しない場合に比べて、隣り合う配線で形成されるコンデンサの静電容量（寄生容量）を低減することが可能となる。

空隙部２０の断面形状は、図１の例では、底面部２０Ａとその底面部２０Ａと側壁部２０Ｂとを有している。空隙部２０は、光の取り出し効率を高める観点から、底面部２０Ａと側壁部２０Ｂとのなすテーパー角（図１中、角α）が９０°以下であることが好ましい。また、光の全反射を生じやすくして光漏れを抑制する観点で、テーパー角αが３０°以下の順テーパー状に形成されていることが、より好ましい。ただし、このことは、空隙部２０の形状が逆テーパー状であることを禁止するものではなく、空隙部２０の形状が逆テーパー状であってもよい。

空隙部２０の断面形状は、図１の例では、断面台形状であったが、これに限定されず三角形や、四角形以上の多角形であってもよく、曲面部を有してもよい。

なお、発光素子１３の有機層１３Ｂから生じて上下方向に対して斜め上方に進む光の反射を抑制する効果のみを重視すれば、空隙部２０は隣り合う保護層１５の間のみに形成されていてもよい。その場合、保護層１６における第２保護部１６Ｂは、隣り合う保護層１５の間の部分のみに形成されていてもよいし、隣り合う保護層１５の間と隣り合う発光素子１３の間の両方の部分にわたって形成されてもよい。第２保護部１６Ｂが隣り合う保護層１５の間の部分のみに形成されている場合、有機層１３Ｂと上部電極１３Ｃは、サブ画素毎に分離されず、サブ画素間で共有される。

（カラーフィルタ）
カラーフィルタ１７は、保護層１６上に設けられている。カラーフィルタ１７は、例えば、オンチップカラーフィルタ（Ｏｎ Ｃｈｉｐ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ１７は、例えば、赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを備える。赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタはそれぞれ、赤色サブ画素用の発光素子１３、緑色サブ画素用の発光素子１３、青色サブ画素用の発光素子１３に対向して設けられている。これにより、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素内の各発光素子１３から発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色のカラーフィルタ間、すなわちサブ画素間の領域には、遮光層（図示せず）が設けられていてもよい。なお、カラーフィルタ１７は、オンチップカラーフィルタに限定されるものではなく、対向基板１９の一主面に設けられたものであってもよい。

（充填樹脂層）
充填樹脂層１８は、カラーフィルタ１７と対向基板１９の間に設けられている。充填樹脂層１８は、カラーフィルタ１７と対向基板１９とを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層１８は、例えば、熱硬化型樹脂及び紫外線硬化型樹脂のうちの少なくとも１種を含む。

（対向基板）
対向基板１９は、基板１１に対向して設けられている。より具体的には、対向基板１９は、対向基板１９の第２の面と基板１１の第１の面とが対向するように設けられている。対向基板１９及び充填樹脂層１８は、発光素子１３及びカラーフィルタ１７等を封止する。対向基板１９は、カラーフィルタ１７からから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成される。

［１－２ 表示装置の製造方法］
以下、本開示の第1の実施形態にかかる表示装置１０Ａの製造方法の一例について説明する。

まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、基板１１の第１の面上に駆動回路及び電源回路等を形成する。次に、例えばＣＶＤ法により、駆動回路及び電源回路を覆うように絶縁層１２を基板１１の第１の面上に形成したのち、絶縁層１２に複数のコンタクトプラグ１２Ａを形成する。

次に、例えばスパッタリング法により、金属層と金属酸化物層の積層膜を基板１１の第１の面上に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて積層膜をパターニングすることにより、発光素子１３毎（すなわちサブ画素毎）に分離された下部電極１３Ａを形成する。

次に、例えばＣＶＤ法により、複数の下部電極１３Ａを覆うように絶縁層１４を絶縁層１２の第１の面上に形成したのち、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層１４をパターニングする。これにより、複数の開口１４Ａが絶縁層１４に形成される。なお、後述する溝を形成する加工（溝加工）によって下部電極１３Ａがダメージを受けにくい場合には、絶縁層１４は省略されてもよい。

次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を下部電極１３Ａの第１の面の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機層１３Ｂを形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、上部電極１３Ｃを有機層１３Ｂの第１の面上に形成する。これにより、絶縁層１２の第１の面上に複数の発光素子１３が形成される。

次に、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、保護層１５を上部電極１３Ｃの第１の面上に形成する。そして、発光素子及び保護層に対して、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、サブ画素のレイアウトに沿って溝加工が施される。図１の表示装置では、絶縁層１２の内部まで溝が形成される。さらに、ＰＥＣＶＤ法、スパッタリング法等の方法で保護層１５の表面と溝の内部に保護層１６を形成する。このとき、溝のアスペクト比、溝の底面と側面のテーパー角、素子間分離壁としての第２保護部１６Ｂの厚みやカバレッジ等を調製することで、第２保護部１６Ｂに空隙部２０が形成される。

保護層１６が形成された後、例えばフォトリソグラフィにより、保護層１５の第１の面上にカラーフィルタ１７を形成する。次に、例えばＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）方式を用いて、充填樹脂層１８によりカラーフィルタ１７を覆った後、対向基板１９を充填樹脂層１８上に載置する。次に、例えば充填樹脂層１８に熱を加えるか、または充填樹脂層１８に紫外線を照射し、充填樹脂層１８を硬化させることにより、充填樹脂層１８を介して基板１１と対向基板１９とを貼り合せる。これにより、表示装置１０Ａが封止される。以上により、図１に示す表示装置１０Ａが得られる。

［１－３ 作用効果］
第１の実施形態にかかる表示装置においては、図１に示すように、隣接するサブ画素間に、発光素子１３の側端面１３０に向かい合うように素子間分離壁となる第２保護部１６Ｂを形成し、第２保護部１６Ｂ内部に低屈折率部が形成されている。これにより、発光素子１３で生じた光Ｕが低屈折率部で反射するようになり、有機層１３Ｂで生じた光が隣接するサブ画素側に漏れ出ることを抑制することができるようになる。

また、第１の実施形態にかかる表示装置においては、低屈折率部が空隙部２０である場合であり、且つ、空隙部２０が下部電極１３Ａよりも下側位置として絶縁層１２の隣り合う配線間の位置の深さまで形成されている場合には、配線間容量（寄生容量）を低減することができるようになる。

［１－４ 変形例］
上記の表示装置１０Ａの説明では、サブ画素の形状は、矩形状であったが、これに限定されず、図３Ａから図３Ｅに示すような六角形状に形成されていてもよい。また、サブ画素の配置は、マトリクス状に限定されず、図３Ａから図３Ｅに示すようなハニカム状であってもよい。このような場合においても、上記作用効果で述べたのと同様に、隣接するサブ画素に光が漏れることを抑制することができるようになる。

［２ 第２の実施形態］
本開示の第２の実施形態にかかる表示装置について、第１の実施形態と同様に表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合を例として以下に説明する。

［２－１ 表示装置の構成］
図４Ａは、第２の実施形態の一例にかかる有機ＥＬ表示装置（表示装置１０Ｂ）の一構成例を示す断面図である。図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線断面の状態を説明する図である。表示装置１０Ｂは、トップエミッション方式の表示装置である。表示装置１０Ｂは、基板１１と、絶縁層１２と、複数の発光素子１３と、上面保護層としての保護層１５と、素子間分離壁としての分離膜２１と、カラーフィルタ１７と、充填樹脂層１８と、対向基板１９とを備える。

基板１１、絶縁層１２、保護層１５、カラーフィルタ１７、充填樹脂層１８、及び対向基板１９は、第１の実施形態と同様である。なお、第２の実施形態の表示装置１０Ｂでは、第１の実施形態における絶縁層１４の構成を設けなくてもよい。

（発光素子１３）
複数の発光素子１３は、第１の実施形態と同様に、基板１１の第１の面上に設けられており、下部電極１３Ａと有機層１３Ｂとを備え、有機層１３Ｂに積層される上部電極として第１上部電極１３Ｄを備える。下部電極１３Ａと有機層１３Ｂについては、第１の実施形態と同様であり、サブ画素ごとに互いに分離形成されている。

（上部電極（第１上部電極））
有機層１３Ｂに積層される上部電極は、第１上部電極１３Ｄであり、サブ画素ごとに互いに分離形成されている。第１上部電極１３Ｄは、下部電極１３Ａに対向しており、第１上部電極１３Ｄは、保護層１５と対面する。

（第２上部電極）
第２上部電極１３Ｅは、隣接する第１上部電極１３Ｄ間を互いに電気的に繋ぐ。第２上部電極１３Ｅは、第１上部電極１３Ｄと分離膜２１の対面位置を基端として分離膜２１の延び出し端２１Ａまで分離膜２１の表面に沿って延出している。図４Ａの例では、分離膜２１の表面上に第２上部電極１３Ｅを形成した状態で第２上部電極１３Ｅの上端部の位置と保護層１５の表面の位置が揃えられている。

また、図４Ａ、図４Ｂの例では、第２上部電極１３Ｅは、分離膜２１のうち第１上部電極１３Ｄよりも上側に延び出た部分の全体を被覆するように形成されている。この場合、さらに第２上部電極１３Ｅが後述するように反射性材料で形成されていると、発光素子１３で生じた光のうち斜めに進行する光を第２上部電極１３Ｅにて効果的に反射させることができ、光の利用効率を高めることができる。図４Ｂの例では、サブ画素のレイアウトにあわせて第２上部電極１３Ｅが格子状に形成されており、個々の第１上部電極１３Ｄは矩形状に形成され、マトリクス状に配置されている。

第１上部電極１３Ｄ、第２上部電極１３Ｅは、カソードである。第１上部電極１３Ｄは、有機層１３Ｂで発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射層も含まれるものとする。第１上部電極１３Ｄは、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。

第２上部電極１３Ｅの反射率は、第１上部電極１３Ｄの反射率よりも大きいことが好ましい。第２上部電極１３Ｅの反射率及び第１上部電極１３Ｄの反射率は、表示装置１０Ｂの状態での第２上部電極１３Ｅの反射率及び第１上部電極１３Ｄの反射率である。また、この観点から、第２上部電極１３Ｅの材料としては、第１上部電極１３Ｄと同様の材料を使用することができるだけでなく、そのほかにも、反射性材料を用いることができる。反射性材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）等を挙げることができる。

（分離膜）
表示装置１０Ｂには、素子間分離壁として、発光素子１３の側端面１３０側を覆う分離膜２１が形成されている。分離膜２１は、隣り合う発光素子１３の間に配置されており、発光素子１３を形成する下部電極１３Ａ、有機層１３Ｂ及び第１上部電極１３Ｄをサブ画素ごとに分離する。

分離膜２１の上端側の部分は、発光素子１３の厚み方向（Ｚ軸方向）に沿って、発光素子１３から保護層１５に向かう方向に延び出ている。分離膜２１が、発光素子１３の面方向（ＸＹ平面方向）ではなく、発光素子１３から保護層１５に向かう方向（Ｚ軸方向）に延び出た形状となっていることにより、分離膜２１が発光素子の発光領域を被覆しにくくなり、発光領域をより広く確保することができる。

分離膜２１は、絶縁体で形成されている。分離膜２１としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を挙げることができる。無機絶縁膜としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等を挙げることができる。有機絶縁膜としては、ポリイミド等を挙げることができる。

分離膜２１の上下方向（Ｚ軸方向）の長さは、下部電極１３Ａの厚みと有機層１３Ｂの厚みと第１上部電極１３Ｄの厚みの合計よりも大きいことが、分離膜２１に第１上部電極１３Ｄよりも上方に延び出ている部分を形成させやすくする観点からは好ましい。

分離膜２１の下端は、図４Ａの例では、下部電極１３Ａの下端よりも下側の絶縁層１２近傍に位置しており、分離膜２１が、下部電極１３Ａをサブ画素ごとに分離する。なお、分離膜２１が下部電極１３Ａの下端に位置していてもよい。分離膜２１は、下部電極１３Ａをサブ画素ごとに分離していればよい。

分離膜２１の上端は、図４Ａの例では、保護層１５の表面の位置よりやや下側に位置し、分離膜２１の表面上に第２上部電極１３Ｅを形成した状態で第２上部電極１３Ｅの延び出し端部の位置と保護層１５の表面の位置が揃えられる。

（屈折率）
分離膜２１の屈折率が、第２上部電極１３Ｅの屈折率よりも小さいことが好ましい。この場合、発光素子１３で生じた光のうち斜めに進行する光を第２上部電極１３Ｅと分離膜２１の界面にて全反射させることができ、光の利用効率を高めることができる。なお、分離膜２１の屈折率及び第２上部電極１３Ｅの屈折率は、表示装置１０Ｂの状態での分離膜２１の屈折率及び第２上部電極１３Ｅの屈折率である。

［２－２ 表示装置の製造方法］
第２の実施形態にかかる表示装置の製造方法は、例えば、図９Ａから図９Ｄ、図１０Ａから図１０Ｄを参照しつつ、次に説明するように実施することができる。図９Ａから図９Ｄ、図１０Ａから図１０Ｄは、第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂの製造方法を説明するための図である。

絶縁層１２を形成した基板１１上に下部電極１３Ａと有機層１３Ｂと第１上部電極１３Ｄと保護層１５をこの順に積層した第１の積層体を形成する工程が次に示すように実施される。

例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、基板１１の第１の面上に駆動回路及び電源回路等を形成する。次に、例えばＣＶＤ法により、駆動回路及び電源回路を覆うように絶縁層１２を基板１１の第１の面上に形成したのち、絶縁層１２に複数のコンタクトプラグ１２Ａを形成する。

例えばスパッタリング法により、金属層と金属酸化物層の積層膜（下部電極）を基板１１の第１の面上に形成する。次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を下部電極１３Ａの第１の面の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機層１３Ｂを形成する。さらに例えば蒸着法またはスパッタリング法により、第１上部電極１３Ｄを有機層１３Ｂの第１の面上に形成する。これにより、基板１１の上（絶縁層１２の第１の面上）に複数の発光素子１３が形成される。その後、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、保護層１５を第１上部電極１３Ｄの第１の面上に形成する。これにより、図９Ａに示すように、第１の積層体４０が形成される。

次に、第１の積層体４０においてサブ画素のレイアウトに応じて予め定められた位置に、図９Ｂに示すように、保護層１５から所定の深さまで第１の溝を形成する工程（第１の溝加工工程）が行われる。第１の溝加工工程は、サブ画素のレイアウトに沿って発光素子１３及び保護層１５に対して、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等により溝加工を施す工程である。図４Ａの表示装置では、保護層１５、第１上部電極１３Ｄ、有機層１３Ｂ、下部電極１３Ａ、及び絶縁層１２に対して一括した溝加工が施されることで第１の溝２２が形成される。

そして、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法等の方法で第１の溝２２内に分離膜２１を形成する工程が実施される。このとき、保護層１５の表面上等といった第１の溝２２の外側にも分離膜２１を形成する材料が積層されることで、図９Ｃに示すように、第１の溝２２の外側積層部が形成されるが、その第１の溝２２の外側積層部は、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法やエッチバック法等で除去される。これにより、図９Ｄのように、第２の積層体４１が形成される。なお、ＣＶＤ法では、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁膜を形成することができる。塗布法では、例えば、ポリイミド等の有機絶縁膜を形成することができる。

第２の積層体４１において分離膜２１の周囲の所定領域に保護層１５から第１上部電極１３Ｄの位置まで第２の溝２３を形成する工程（第２の溝加工工程）が実施される。第２の溝加工工程は、図１０Ａ、図１０Ｂのように、上記した第１の溝と同様に例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により溝加工が施される工程である。第２の溝２３の深さは、第１上部電極１３Ｄに到達する深さとなっており、第２の溝２３の底面に第１上部電極１３Ｄが露出している。なお、図１０Ａにおける符号５０は、第２の溝２３を形成するためのレジストである。

そして、第２の溝２３内に第２上部電極１３Ｅを形成する工程を実施する。このとき、保護膜の表面上等といった第２の溝の外側にも第２上部電極を形成する材料が積層されることで、図１０Ｃに示すように、第２の溝２３の外側積層部が形成されるが、第１の溝の外側積層部の場合と同様に、第２の溝の外側積層部は、ＣＭＰ法やエッチバック法等で除去される。これにより、図１０Ｄに示すように、第３の積層体４２が形成される。なお、第２の溝２３の外側積層部は、第２の実施形態の後述する変形例３の場合においては除去されずに残される。

第２上部電極１３Ｅが形成された後、例えばフォトリソグラフィにより、第３の積層体４２の第１の面上にカラーフィルタ１７を形成する。次に、例えばＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）方式を用いて、充填樹脂層１８によりカラーフィルタ１７を覆った後、対向基板１９を充填樹脂層１８上に載置する。次に、例えば充填樹脂層１８に熱を加えるか、または充填樹脂層１８に紫外線を照射し、充填樹脂層１８を硬化させることにより、充填樹脂層１８を介して基板１１と対向基板１９とを貼り合せる。これにより、表示装置１０Ｂが封止される。以上により、表示装置１０Ｂが得られる。

［２－３ 作用効果］
第２の実施形態にかかる表示装置によれば、分離膜２１によって発光素子１３を形成する下部電極１３Ａ、有機層１３Ｂ、及び第１上部電極１３Ｄが、サブ画素ごとに分離される。これにより、サブ画素の周辺部での電流リークに伴う意図しない発光を抑制することができる。また、図４Ｂに示すように有機層１３Ｂの周囲が分離膜２１で囲まれてサブ画素ごとに分離されているため、隣接するサブ画素に横方向の光が漏れることを抑制できる。また、分離膜２１が上下方向に延び出ているため、サブ画素ごとにパターニング形成された第１の電極の周縁部上に乗り上げるように絶縁膜を形成してサブ画素ごとに分離した場合に比べて、発光素子の発光領域がより広く確保されやすくなる。

第２の実施形態にかかる表示装置によれば、さらに第２上部電極１３Ｅのほうが第１上部電極１３Ｄよりも反射率が高いことで、発光素子１３で生じた光が第２上部電極１３Ｅで反射するようになり、発光素子１３で生じた光が隣接するサブ画素側に漏れ出ることを抑制することができるようになる。

第２の実施形態にかかる表示装置によれば、分離膜２１のほうが第２上部電極１３Ｅよりも屈折率が小さいことで、発光素子１３で生じた光が第２上部電極１３Ｅと分離膜２１との界面で全反射しやすくなり、発光素子１３で生じた光が隣接するサブ画素側に漏れ出ることを抑制する（隣接する画素間の光漏れを抑制する）ことができるようになる。

そして、第２の実施形態にかかる表示装置によれば、このように発光素子１３で生じた光が隣接するサブ画素に漏れることが抑制されることにより、混色を抑制することができ、視野角の劣化を抑制することができる。

［２－４ 変形例］
（変形例１）
上記の表示装置１０Ｂの説明では、サブ画素の形状は、図４Ｂや図５Ａに示すように、矩形状に形成され、複数のサブ画素がマトリクス状に互いに分離して配置されている。第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂにおいては、サブ画素の形状は、これに限定されず、図５Ｂ、図５Ｃに示すような六角形状やストライプ状であってもよい。また、サブ画素の配置は、マトリクス状に限定されず、図５Ｂに示すようなハニカム状であってもよい。このような場合においても、上記作用効果で述べたのと同様に、電流リークに伴う意図しない発光が抑制される。また、隣接するサブ画素に光が漏れることを抑制することができるようになる。

（変形例２）
第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂについて、上記では分離膜２１の表面上に第２上部電極１３Ｅを形成した状態で第２上部電極１３Ｅの延び出し端部の位置と保護層１５の表面の位置が揃えられている場合を例とした。第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂはこの例に限定されず、第２上部電極１３Ｅの延び出し端部が、図６Ａに示すように、保護層１５の表面の位置を超えてさらに上側（＋Ｚ方向）に位置してカラーフィルタ１７に入り込んでもよいし、図６Ｂに示すように、保護層１５の表面の位置に到達していなくてもよい。

（変形例３）
第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂについて、上記では第２上部電極１３Ｅは、分離膜２１の表面を被覆するように分離膜２１の表面に沿って形成される。第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂはこの例に限定されない。図７の例に示すように、第２上部電極１３Ｅが、分離膜２１の延び出し端まで分離膜２１の面に沿って形成されているのみならず、さらに分離膜２１の延び出し端から保護層１５の表面に沿って拡がっていてもよい。第２上部電極１３Ｅのうち、保護層１５の表面に沿って拡がっている部分を延在電極部２４と呼ぶ。延在電極部２４は、保護層１５の表面全体を被覆していることが好ましい。また、この場合、発光素子１３から生じた光が延在電極部２４を通過して効率的に外部に取り出されるようにする観点からは、第２上部電極１３Ｅは、透明電極又は半透明電極で形成されていることが好適である。

第２上部電極１３Ｅが半透明電極で形成されている場合には、第２上部電極１３Ｅが延在電極部を有し、且つ、有機層１３Ｂの発光面と延在電極部２４との離間距離を調整することで、光の共振効果に伴う光の取り出し効果の向上をもたらすことができ、輝度に優れた表示装置１０Ｂを得ることが可能となる。

（変形例４）
第２上部電極１３Ｅは、分離膜２１のうち第１上部電極１３Ｄから上側に延び出た部分の表面全体を被覆するように形成されていたが、第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂはこの例に限定されず、図８Ａ、図８Ｂに示すように、分離膜２１のうち第１上部電極から上側に延び出た部分の一部を被覆するように形成されてもよい。

例えば、図８Ａの例に示すように、第２上部電極１３Ｅが、分離膜２１のうち第１上部電極１３Ｄから上側に延び出た部分のうち、隣接するサブ画素の頂点部分に対応した部分を被覆するように形成されてよい。また、図８Ｂの例に示すように、第２上部電極１３Ｅが、分離膜２１のうち第１上部電極１３Ｄから上側に延び出た部分のうち、隣接するサブ画素の辺部分に対応した部分を被覆するように形成されてよい。

［３ 第３の実施形態］
上記第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂにおいて、有機層１３Ｂの側端面と分離膜２１との間に側壁保護膜が介在していてもよい（第３の実施形態）。

本開示の第３の実施形態にかかる表示装置について、第２の実施形態と同様に表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合を例として、図１１等を参照して以下に説明する。図１１は、第３の実施形態の一例にかかる有機ＥＬ表示装置（表示装置１０Ｃ）の一構成例を示す断面図である。

［３－１ 表示装置の構成］
表示装置１０Ｃは、第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂの各構成に加えて、側壁保護膜を有している。図１１の例に示すように、表示装置１０Ｃは、基板１１と、絶縁層１２と、複数の発光素子１３と、保護層１５と、側壁保護膜２５と、素子間分離壁としての分離膜２１と、カラーフィルタ１７と、充填樹脂層１８と、対向基板１９とを備える。

（側壁保護膜）
側壁保護膜２５は、有機層１３Ｂの側端面と分離膜２１との間に介在している。図１１に示すように、側壁保護膜２５は、有機層１３Ｂの側端面に接しつつ、有機層１３Ｂの側端全域を被覆していることが好ましい。

側壁保護膜２５は、絶縁性の膜であり、エッチング加工で生じる副生成物（デポ）を含む加工副生成物膜である。側壁保護膜２５は、有機層１３Ｂを外部環境下に露出することを規制しつつ分離膜２１の形成を行うことを補助する。なお、ここにいうエッチング加工は、後述する第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃの製造方法の説明に示す第１の溝加工工程におけるエッチング法による加工を示す。エッチング加工としては、ドライエッチング法とウェットエッチング法のいずれも実施可能であるが、デポをより確実に実現する観点からは、エッチング加工は、ドライエッチング法であることが好ましい。

なお、図１１に示す側壁保護膜２５は、その厚みが均一であるように形成されているが、このことは、側壁保護膜２５の厚みが均一である場合に限定するものではない。例えば、図１６Ａに示すように、側壁保護膜２５は、後述する補助層２６の近傍から離れるにつれて徐々に厚みが薄くなるように形成されていてもよい。

（補助層）
エッチング加工時にデポをより確実に形成しやすくする観点から、下部電極１３Ａと基板１１との間又は第１上部電極１３Ｄと保護層１５との間に補助層２６が介在していることが好適である。図１１の例では、補助層２６は、下部電極１３Ａの下側で下部電極１３Ａと基板１１との間に形成されている。なお、図１１の例では、補助層２６にもコンタクトプラグ１２Ａが形成されており、基板１１側の駆動回路との電気的接続は確保されている。

補助層２６は、エッチング加工時にデポを生じやすい材料で形成されたデポ生成膜である。補助層２６の材料となる、エッチング加工時に副生成物（デポ）を形成しやすい材質のものとしては、例えば、金属ハロゲン化合物の揮発性がより低くさらに金属酸素間結合がより強い難エッチング材料が好適に用いられる。具体的には、補助層２６の材料としては、Ａｌ_２Ｏ_３等の遷移金属酸化物等が用いられることが好ましい。ただし、このことは、補助層２６の材料が遷移金属酸化物に限定するものはない。補助層２６の材料は、有機層１３Ｂの側端面に絶縁性の膜を形成することができるような材料であればよい。

補助層２６を有する場合には、側壁保護膜２５は、補助層２６を基端として発光素子１３の側端面１３０に沿って補助層２６から延び出るように形成される。そして、この場合、側壁保護膜２５には、補助層２６を形成する元素が少なくとも１つ含まれる。そして、側壁保護膜２５の膜組成は、分離膜２１の膜組成とは異なっている。

［３－２ 表示装置の製造方法］
第３の実施形態にかかる表示装置の製造方法は、図１２Ａから図１２Ｄを参照して、例えば次に説明するように実施することができる。

図１２Ａに示すように、絶縁層１２を形成した基板１１上に補助層２６と下部電極１３Ａと有機層１３Ｂと第１上部電極１３Ｄと保護層１５をこの順に積層して第１の積層体４３を形成する。また、図１２Ｂに示すように第１の積層体４３にレジスト５１を設け、図１２Ｃに示すように予め定められた位置に保護層１５に第１の溝２７を形成する。このような第１の溝２７を形成した保護層１５をハードマスクとして、発光素子１３を形成する各層のエッチング加工が行われる（溝加工工程）。溝加工工程時には、第１の溝２７はさらに下方に向かって形成され、発光素子１３を形成する下部電極１３Ａと有機層１３Ｂと第１上部電極１３Ｄとともに、補助層２６もエッチング加工される。補助層２６のエッチング加工の際に、デポが生じ、下部電極１３Ａと有機層１３Ｂと第１上部電極１３Ｄの側端面に付着して、側壁保護膜２５が形成される（図１２Ｄ）。こうして第１の溝２７の内壁に沿って側壁保護膜２５を形成した状態が形成される。

溝加工工程の後は、第２の実施形態にかかる表示装置の製造方法と同様の工程が実施される。すなわち、第１の溝２７内に分離膜２１を形成する工程と、分離膜２１の周囲の所定領域に保護層１５から第１上部電極１３Ｄの位置まで第２の溝２３を形成する工程と、第２の溝２３内に第２上部電極１３Ｅを形成する工程が実施される。第２上部電極１３Ｅが形成された後、カラーフィルタ１７、充填樹脂層１８、対向基板１９が積層される。これにより第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃが得られる。

［３－３ 作用効果］
第３の実施形態にかかる表示装置によれば、有機層の側端面を覆うように側壁保護膜が形成される。側壁保護膜は、分離膜の形成前の工程（第１の溝加工工程）時のエッチング加工時に形成されるデポ生成膜である。このため、第１の溝加工工程の後に実施される分離膜の形成時においても有機層の側端面が外部環境下（低真空環境下）に露出することが抑制されるようになり、有機層の特性を向上させることができる。

［３－４ 変形例］
（変形例１）
図１２Ａから図１２Ｄの例では、溝加工工程時に、第１の溝２７内部に補助層２６が残っていない場合の表示装置について示されている。すなわち、この場合に得られる図１１に示す表示装置１０Ｃにおいては、分離膜２１の下端面に側壁保護膜２５が設けられていない。第３の実施形態にかかる表示装置はこれに限定されず、図１４Ａに示すように、分離膜２１の下端面に側壁保護膜２５が設けられていてもよい。これは、第１の溝加工工程時に、第１の溝２７内に補助層２６が残されていることで実現できる。

（変形例２）
図１１の例では、補助層２６が下部電極１３Ａの下側に一面に形成されている場合について説明したが、図１３Ａの例に示すように、補助層２６は、サブ画素間の所定領域に限定して形成されていてもよい。図１３Ａの例では、発光素子１３の厚み方向を視線方向とする場合における発光素子１３の側端面１３０に対応した位置にあって、且つ下部電極１３Ａの下側の位置に、補助層２６が形成されている。また、側壁保護膜２５は、補助層２６から上方向に向かって延び出ている。

（変形例３）
図１１の例では、補助層２６が下部電極１３Ａの下側に形成されている場合について説明したが、図１３Ｂの例に示すように、補助層２６は、上下方向に下部電極１３Ａと同じ位置に形成されていてもよい。この場合、図１３Ｂの例では、下部電極１３Ａの側端面は補助層２６の端面と対面しており、補助層２６の端縁部から上方向に向かって側壁保護膜２５が延び出ており、有機層１３Ｂの側端面が側壁保護膜２５で覆われている。

（変形例４）
第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃにおいては、図１４Ｂに示すように、補助層２６は、第１上部電極１３Ｄと保護層１５との間に介在していてもよい。

このような表示装置１０Ｃについては、例えば次のように製造することができる。

まず、第２の実施形態にかかる表示装置の製造方法と同様にして、基板１１面上に、下部電極１３Ａ、有機層１３Ｂ及び第１上部電極１３Ｄが形成される。次いで、第１上部電極１３Ｄの上に補助層２６が形成される（図１５Ａ）。さらに、補助層２６上にレジスト５２を設け（図１５Ｂ）、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、サブ画素等の画素レイアウトに対応して所定位置に補助層２６に第１の溝２７を形成する。このとき、第１の溝２７の内壁部には、デポが付着している（図１５Ｃ）。第１の溝２７を形成した補助層２６をハードマスクとして、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術等による溝加工工程が実施される。この溝加工工程では、発光素子１３を形成する下部電極１３Ａと有機層１３Ｂと第１上部電極１３Ｄがエッチング加工され、第１の溝２７はさらに下方に向かって形成される。第１の溝２７の深さが深くなるとともに、補助層２６に由来するデポが下部電極１３Ａと有機層１３Ｂと第１上部電極１３Ｄのそれぞれの側端面にも付着して、側壁保護膜２５が形成される（図１５Ｄ）。こうして第１の溝２７に側壁保護膜２５を形成した状態が形成される。

次に、ＣＶＤ法、塗布法等の方法で第１の溝２７の内部に分離膜２１を形成する。分離膜を形成するための材料が第１の溝２７の外側に積層される場合、第１の溝２７の外側に積層されたその材料は、ＣＭＰ法やエッチバック法で除去される。

さらに補助層２６の表面側に、保護層１５が一面形成される。保護層１５に対して第１の溝２７に対応した位置に、保護層１５に溝を形成する工程が行われる。そして、さらに、ＣＶＤ法、塗布法等の方法で保護層１５に形成された溝の内部に分離膜２１を形成する。これにより、発光素子１３の厚み方向に沿って保護層１５の表面位置から下部電極１３Ａの位置までにかけて分離膜２１が形成される。これ以降については上記した第２の実施形態にかかる表示装置の製造方法と同様にして、表示装置を得ることができる。すなわち、分離膜２１の周囲の所定領域に保護層１５から第１上部電極１３Ｄの位置まで第２の溝２３を形成する工程と、第２の溝２３内に第２上部電極１３Ｅを形成する工程が実施される。第２上部電極１３Ｅが形成された後、カラーフィルタ１７、充填樹脂層１８、対向基板１９が積層される。これにより表示装置１０Ｃが得られる。

なお、図１４Ｂに示す側壁保護膜２５は、その厚みが均一であるように形成されているが、このことは、側壁保護膜２５の厚みが均一である場合に限定するものではない。例えば、図１６Ｂに示すように、側壁保護膜２５は、後述する補助層２６の近傍から離れるにつれて徐々に厚みが薄くなるように形成されていてもよい。

［４ 第４の実施形態］
本開示の第４の実施形態にかかる表示装置について、第１の実施形態と同様に表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合を例として以下に説明する。

［４－１ 表示装置の構成］
図１７Ａ、図１７Ｂは、第４の実施形態の一例にかかる有機ＥＬ表示装置（表示装置１０Ｄ）の一構成例を示す断面図である。表示装置１０Ｄは、トップエミッション方式の表示装置である。表示装置１０Ｄは、基板１１と、絶縁層１２と、複数の発光素子１３と、保護層１５と、光吸収層２８と、カラーフィルタ１７とを備える。図１７に示す第４の実施形態にかかる表示装置の例では、説明の便宜上、第１の実施形態における絶縁層１４に対応する絶縁層の記載が省略されている。このことは、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９Ａ、図１９Ｂ、図２０、図２１Ａ、図２１Ｂ、図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｂ、図２４Ａ、図２４Ｂについても同様である。図１８Ｂに示すように、光吸収層２８によって隣り合う発光素子１３の分離が行われる場合には、絶縁層１４に対応する絶縁層は、第１の実施形態における絶縁層１４の場合と同様に省略されてよい。

基板１１、絶縁層１２、上面保護層となる保護層１５、カラーフィルタ１７は、第１の実施形態と同様である。第１の実施形態でも説明したように、カラーフィルタ１７は、サブ画素の種類に応じて複数設けられている。第４の実施形態にかかる表示装置の一例についての以下の説明では、図１７等にも示すように、表示装置１０Ｄが、カラーフィルタ１７として、赤色フィルタ１７Ｒ、緑色フィルタ１７Ｇ及び青色フィルタ１７Ｂを備える場合について説明する。赤色フィルタ１７Ｒ、緑色フィルタ１７Ｇ、青色フィルタ１７Ｂはそれぞれ、赤色サブ画素用の発光素子１３、緑色サブ画素用の発光素子１３、青色サブ画素用の発光素子１３に対向して設けられており、表示装置１０Ｄの平面視上（発光素子の平面視上）、隣接するカラーフィルタ１７の隙間又は境界が、隣り合う発光素子１３の隙間に位置している。

（光吸収層）
光吸収層２８は、図１７Ｂに示すように、表示装置１０Ｄの平面視上（発光素子１３の平面視上）、隣接するカラーフィルタ１７の隙間又は境界の位置に形成されている。図１７Ｂは、カラーフィルタ１７と光吸収層２８の位置関係を説明する図である。また、光吸収層２８は、発光素子１３の厚み方向に、カラーフィルタ１７と下部電極１３Ａとの間の位置に形成されている。光吸収層２８は、カラーフィルタ１７から基板１１に向かう方向（下向き）に延びた形状となっており、カラーフィルタ１７の面内方向（ＸＹ平面方向）に沿った方向の幅長Ｗ（幅Ｗ）よりもカラーフィルタ１７の深さ方向に沿った方向の長さＨの方が長くなるような形状（Ｈ＞Ｗ）に形成されている。

図１７Ａの例では、光吸収層２８の下端は、発光素子１３の上側に位置している。この場合、斜めに入射した外光の入射光Ｌがサブ画素を跨いで伝搬することを抑制することができる。

光吸収層２８としては、黒色カラーフィルタ、補色カラーフィルタ、非隣接色カラーフィルタ、吸収膜等を用いることができる。黒色カラーフィルタは、炭素やチタンブラック等を色材として用いたカラーフィルタを例示することができる。補色カラーフィルタは、光吸収層２８の基端となるカラーフィルタの色に対する補色の色材を用いたカラーフィルタを例示することができる。非隣接色カラーフィルタは、光吸収層２８の基端となる隣り合うカラーフィルタの色種が異なる場合に、その色種以外の色種に対応したカラーフィルタを例示することができる。具体的には、例えば、カラーフィルタ１７が赤色フィルタ１７Ｒ、緑色フィルタ１７Ｇ及び青色フィルタ１７Ｂを備える場合にあって、光吸収層２８が緑色フィルタ１７Ｇと赤色フィルタ１７Ｒの境界に位置している場合には、光吸収層２８として、青色フィルタ１７Ｂが用いられてよい。

また、吸収膜としては、有機材料膜、無機材料膜等を例示することができる。有機材料膜としては、黒色顔料（例えばカーボンブラック）を含む樹脂膜が好ましい。無機材膜としては、金属酸化物膜、メタル単体膜等が好ましく、光吸収性に優れる観点から、特に金属酸化物膜が好ましい。

［４－２ 表示装置の製造方法］
第４の実施形態にかかる表示装置の製造方法は、例えば次に説明するように実施することができる。なお、図１７Ａ、図１７Ｂに示す表示装置を製造する場合を例として説明する。

まず、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法と同様にして、絶縁層１２を形成した基板１１の第１の面上に、絶縁層１２、下部電極１３Ａ、有機層１３Ｂ、上部電極１３Ｃ、保護層１５を積層して第１の積層体４４を形成する（図２３Ａ）。下部電極１３Ａをサブ画素ごとに分離する絶縁層が設けられている場合には、その絶縁層も形成する。

次に、第１の積層体４４には、サブ画素のレイアウトに沿って、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により溝加工が施されて、所定の深さの溝２９が形成される（図２３Ｂ）。図２３Ｂに示す例では、溝２９は、保護層１５内の所定位置までの深さで形成される。

そして、例えばＣＶＤ法、塗布法等の方法で溝２９内に光吸収層２８を形成する工程が実施される。

光吸収層２８が形成された後、例えばフォトリソグラフィにより、保護層１５の表面側にカラーフィルタ１７を形成する（図２４Ａ）。このため、カラーフィルタ１７はオンチップタイプである。カラーフィルタ１７面上には、レンズ３０が形成されてもよい（図２４Ｂ）。レンズ３０は、溶融法やエッチバック法等を用いたオンチップマイクロレンズ（ＯＣＬ）形成方法を適用することで形成することができる。以上により、図１７Ａ、図１７Ｂに示す表示装置１０Ｄが得られる。

［４－３ 作用効果］
表示装置においては、外光が斜めから入射し、下部電極で反射して反射光が形成され、その反射光が外部へ出力されることがある。この場合に、斜めに入射した外光の入射光や反射光がサブ画素を跨いで伝搬して、入射時に通過したサブ画素と電極層で反射した後に通過するサブ画素が異なると、入射光や反射光の通過するサブ画素で光の混色や混合を生じて表示装置のコントラストが低下することがある。

この点、第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄによれば、図１７Ａに示すように、カラーフィルタ１７から光吸収層２８が保護層１５側に向けて延び出ているため、斜めに入射した外光の入射光Ｌが光吸収層２８で吸収されるようになり、隣接するサブ画素に光が漏れることを抑制することができるようになる。したがって、斜めに入射した外光の入射光や反射光がサブ画素を跨いで伝搬することが生じにくくなり、コントラストに優れた表示装置を得ることができる。

また、第４の実施形態にかかる表示装置によれば、発光素子からの光Ｕについても、斜めに入射した外光の入射光Ｌと同様に、隣接するサブ画素への光漏れが抑制されるようになり、サブ画素間での光の混色や混合を抑制することができる。

［４－４ 変形例］
（変形例１）
光吸収層２８の上下方向の長さは、図１７Ａの例に限定されない。図１８Ｂに示すように、光吸収層２８は、隣り合うカラーフィルタ１７の境界の位置を基端として、隣り合う発光素子１３の間まで延び出ていてもよい。また、その場合に、光吸収層２８の先端が絶縁層１２まで入り込んでもよい。図１８Ｂの例では、光吸収層２８は、隣接する発光素子１３を分離するようになるため、素子間分離壁として機能できるようになる。

（変形例２）
光吸収層２８は、図１７Ａの例に限定されず、例えば、図１８Ａに示すように、光吸収層２８の上端がカラーフィルタ１７の内部に入り込んだ位置となるように形成されていてもよい。この場合、光吸収層２８がカラーフィルタ１７内部にまで広がるため、発光素子１３からの光がカラーフィルタ１７の位置で隣接するサブ画素への漏れ出ることが抑制されるようになり、光の混色・混合を抑制することができるようになる。

（変形例３）
図１９Ｂに示すように、光吸収層２８の表面には、密着層３１が形成されていてもよい。また、図２０に示すように、密着層３１は、保護層１５とカラーフィルタ１７の間に形成されていてもよい。さらに、図１９Ａに示すように、密着層３１は、保護層１５とカラーフィルタ１７の間及び光吸収層２８の表面に形成されてもよい。

密着層３１は、有機樹脂等を例示することができる。有機樹脂としては、アクリル系樹脂等を例示することができる。第４の実施形態にかかる表示装置において密着層３１が形成されていることで、斜めに入射した外光の入射光や反射光を密着層３１でも吸収させることができ、サブ画素を跨いで伝搬する光量を低減することができる。

（変形例４）
カラーフィルタ１７の厚み方向を視線方向とした場合における異なる位置に形成された光吸収層２８の幅Ｗについて、幅Ｗの異なる光吸収層２８の組合せが少なくとも１組存在してもよい。例えば、図２１Ａのように隣り合う光吸収層２８の組合せについて、光吸収層２８の幅Ｗが異なっていてもよい。光吸収層２８の幅を多様化することで、斜めに入射した外光の入射光や反射光の吸収効率をサブ画素に応じた値とすることができる。

（変形例５）
カラーフィルタ１７の厚み方向を視線方向とした場合における異なる位置に形成された光吸収層２８の長さＨについて、長さの異なる光吸収層２８の組合せが少なくとも１組存在してもよい。例えば、図２１Ｂのように隣り合う光吸収層２８の組合せについて、光吸収層２８の長さが異なっていてもよい。光吸収層２８の長さを多様化することで、斜めに入射した外光の入射光や反射光の吸収効率をサブ画素に応じた値とすることができる。

（変形例６）
カラーフィルタ１７の厚み方向を視線方向とした場合における光吸収層の配設領域について、図１７Ｂの例では、隣り合うカラーフィルタ１７間の領域又は隣り合うカラーフィルタ１７の境界全体にわたって光吸収層２８が配置されていた。第４の実施形態にかかる表示装置は、これに限定されず、図２２Ａ、図２２Ｂ、図２２Ｃに示すように、隣り合うカラーフィルタ１７間の領域又は隣り合うカラーフィルタ１７の境界の一部に光吸収層２８が配置されていてもよい。図２２Ａ、図２２Ｂ、図２２Ｃは、カラーフィルタ１７と光吸収層２８の位置関係を説明するための図である。図２２Ａは、Ｘ方向に隣り合うカラーフィルタ１７の間（青色フィルタ１７Ｂと緑色フィルタ１７Ｇとの間、及び赤色フィルタ１７Ｒと青色フィルタ１７Ｂの間）に光吸収層が配置されている例を示す。図２２Ｂは、Ｙ方向に隣り合うカラーフィルタ１７の間（赤色フィルタ１７Ｒと青色フィルタ１７Ｂとの間、及び青色フィルタ１７Ｂと緑色フィルタ１７Ｇの間）に光吸収層が配置されている例を示す。図２２Ｃは、図２２Ａにおいて光吸収層２８の配置されている領域の半分の領域に対して光吸収層２８が配置されている例を示す。

次に、表示装置の応用例として、第１の実施形態から第４の実施形態のいずれかにかかる表示装置を用いた電子機器の例について説明する。

［５ 応用例］
（電子機器）
上述の各実施形態にかかる表示装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄは、種々の電子機器に備えられてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。

（具体例１）
図２５Ａは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す正面図である。図２５Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。

カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の第１～第４の実施形態及び変形例にかかる表示装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄのいずれかを用いることができる。

（具体例２）
図２６は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す斜視図である。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の第１～第４の実施形態及び変形例にかかる表示装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄのいずれかを用いることができる。

（具体例３）
図２７は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す斜視図である。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２及びフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上述の第１～第４の実施形態及び変形例にかかる表示装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄのいずれかにより構成される。

以上、本開示の第１～第４の実施形態及びそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１～第４の実施形態及びそれらの変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の第１～第４の実施形態及びそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料及び数値等を用いてもよい。

上述の第１～第４の実施形態及びそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料及び数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

上述の第１～第４の実施形態及びそれらの変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）基板上に下部電極と有機層と上部電極をこの順に積層した複数の発光素子と、
前記発光素子の上面側に積層され、前記上部電極を覆う上面保護層と、
隣り合う前記発光素子の間に配置され、前記発光素子の側端面側を覆う素子間分離壁と、
を備え、
前記素子間分離壁は、前記発光素子の厚み方向に沿って、前記発光素子から前記上面保護層に向かう方向に延び出ている、表示装置。
（２）前記素子間分離壁内に、前記素子間分離壁よりも屈折率の値が低い低屈折率部が形成されている、
上記（１）に記載の表示装置。
（３）前記基板と前記複数の発光素子の間に複数の配線を含む絶縁層を備え、
複数の前記配線は、前記基板の面内方向に隣接して配置されており、
前記低屈折率部の下端が、隣接する前記配線間または隣接する前記配線間の下側に位置しており、
前記低屈折率部の上端が、前記発光素子と前記上面保護層との界面よりも上側に位置している、
上記（２）に記載の表示装置。
（４）記素子間分離壁は、ステップカバレッジの値が１未満の材料からから形成されている、
上記（２）又は（３）に記載の表示装置。
（５）前記素子間分離壁は、前記上面保護層よりも屈折率の値が低い、
上記（２）から（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）前記低屈折率部の断面形状は、多角形である、
上記（２）から（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記低屈折率部は、底面部と前記底面部から立ちあがる側壁部とを有しており、
前記底面部と前記側壁部とのなすテーパー角が９０°以下である、
上記（２）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）前記上部電極は、前記有機層に対面する互いに分離された第１上部電極であり、
隣接する前記第１上部電極間を繋ぐ第２上部電極が設けられており、
前記第２上部電極は、前記素子間分離壁の表面に沿って配置されている
上記（１）に記載の表示装置。
（９）前記素子間分離壁は、前記第１上部電極よりも上側に向かって延び出ている、
上記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記第２上部電極は、前記第１上部電極と前記素子間分離壁の対面位置を基端として前記素子間分離壁の延び出し端まで延出しており、且つ、前記素子間分離壁の延び出し端から前記上面保護層の表面に沿って拡がっている、
上記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記素子間分離壁の下端は、前記下部電極の下端又は前記下部電極よりも下側に位置している、
上記（８）から（１０）のいずれかに記載の表示装置。
（１２）前記発光素子の厚み方向に沿った前記素子間分離壁の長さは、前記下部電極の厚みと前記有機層の厚みと前記第１上部電極の厚みの合計よりも厚い、
上記（８）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）前記第２上部電極の反射率が、前記第１上部電極の反射率よりも大きい、
上記（８）から（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）前記素子間分離壁の屈折率は、前記第２上部電極の屈折率よりも小さい、
上記（８）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）前記有機層の側端面と素子間分離壁との間に側壁保護膜が介在している、
上記（８）から（１４）のいずれかに記載の表示装置。
（１６）前記側壁保護膜は、エッチング加工で生じる副生成物を含む、
上記（１５）に記載の表示装置。
（１７）前記下部電極と前記基板との間又は前記上部電極と前記上面保護層との間に補助層が介在しており、
該補助層を基端として前記側壁保護膜が延び出ており、
前記側壁保護膜は、前記補助層を形成する元素を少なくとも１つ含む、
上記（１５）または（１６）に記載の表示装置。
（１８）下部電極と有機層と上部電極をこの順に基板上に積層した発光素子を複数備え、
前記発光素子の上面側には、前記上部電極を覆う上面保護層が積層され、
隣り合う前記発光素子の間と隣り合う前記上面保護層の間の少なくともいずれか一方に素子間分離壁が形成されており、
前記素子間分離壁内に低屈折率部が形成されている、
表示装置。
（１９）下部電極と有機層と第１上部電極をこの順に基板上に積層した発光素子をサブ画素ごとに分離された状態で複数備え、
隣り合う前記発光素子の間には、前記発光素子の側端面側を覆う素子間分離壁が形成されており、
前記素子間分離壁は、前記発光素子の厚み方向に沿って、前記発光素子から前記上面保護層に向かう方向に、前記第１上部電極よりも上方側に延び出ており、
隣接する前記第１上部電極間を繋ぐ第２上部電極が前記素子間分離壁の表面に沿って形成されている、
表示装置。
（２０）前記素子間分離壁のうち前記第１上部電極よりも上側に向かって延び出ている部分の表面が、前記第２上部電極で覆われている、
上記（１９）に記載の表示装置。
（２１）前記有機層の側端面と素子間分離壁との間に側壁保護膜が介在している、
上記（１９）または（２０）に記載の表示装置。
（２２）下部電極と有機層と上部電極をこの順に基板上に積層した発光素子を複数備え、
それぞれの前記発光素子の上面側にカラーフィルタを有し、
カラーフィルタと下部電極との間に光吸収層が設けられており、
前記光吸収層は、カラーフィルタの面内方向に沿った方向の前記光吸収層の幅よりもカラーフィルタの厚み方向に沿った方向の前記光吸収層の長さの方が長い、
表示装置。
（２３）前記光吸収層は、黒色カラーフィルタである、
上記（２２）に記載の表示装置。
（２４）前記光吸収層は、該光吸収層の基端に位置する前記カラーフィルタの補色に対応した補色カラーフィルタである、
上記（２２）又は（２３）に記載の表示装置。
（２５）前記光吸収層は、該光吸収層の基端に位置する前記カラーフィルタとは異なる色に対応した非隣接カラーフィルタである、
上記（２２）又は（２３）に記載の表示装置。
（２６）前記光吸収層は、無機材料膜である、
上記（２２）又は（２３）に記載の表示装置。
（２７）前記光吸収層の一部が、前記カラーフィルタの内部に入り込んでいる、
上記（２２）から（２６）のいずれかに記載の表示装置。
（２８）前記光吸収層及び前記カラーフィルタの少なくともいずれか一方には、樹脂材料から形成された密着層が設けられている、
上記（２２）から（２７）のいずれかに記載の表示装置。
（２９）前記カラーフィルタの厚み方向を視線方向として異なる位置に形成された前記光吸収層の幅を比較した場合に、幅の異なる前記光吸収層の組合せが少なくとも１組存在する
上記（２２）から（２８）のいずれかに記載の表示装置。
（３０）前記カラーフィルタの厚み方向を視線方向として異なる位置に形成された前記光吸収層の長さを比較した場合に、長さの異なる前記光吸収層の組合せが少なくとも１組存在する
上記（２２）から（２９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（３１）上記（１）から（３０）のいずれか１つに記載の表示装置を備えた、電子機器。
（３２）基板上に下部電極と有機層と第１上部電極と上面保護層をこの順に積層した第１の積層体を形成する工程と、
前記第１の積層体において予め定められた位置に、前記上面保護層から所定の深さまで第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝内に素子間分離壁を形成することで第２の積層体を形成する工程と、
前記第２の積層体において前記素子間分離壁の周囲の所定領域に前記上面保護層から前記第１上部電極の位置まで第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝内に第２上部電極を形成する工程とを有する、
表示装置の製造方法。
（３３）下部電極と有機層と第１上部電極と上面保護層をこの順に積層した積層体と補助層とを基板上に設けた第１の積層体を形成する工程と、
前記第１の積層体において予め定められた位置に、エッチング加工によって所定の深さまで第１の溝を形成し、且つ、前記エッチング加工にともない前記第１の溝の内壁に沿って前記補助層を基端とする側壁保護膜を形成する工程と、
前記第１の溝内に素子間分離壁を形成することで第２の積層体を形成する工程と、
前記第２の積層体において前記素子間分離壁の周囲の所定領域に前記上面保護層から前記第１上部電極の位置まで第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝内に第２上部電極を形成する工程とを有する、
表示装置の製造方法。

１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ 表示装置
１１ 基板
１２ 絶縁層
１３Ａ 下部電極
１３Ｂ 有機層
１３Ｃ 上部電極
１３Ｄ 第１上部電極
１３Ｅ 第２上部電極
１４ 絶縁層
１５ 保護層
１６ 保護層
１６Ａ 第１保護部
１６Ｂ 第２保護部
１７ カラーフィルタ
１８ 充填樹脂層
１９ 対向基板
２０ 空隙部
２１ 分離膜
２５ 側壁保護膜
２８ 光吸収層
３１０ デジタルスチルカメラ（電子機器）
３２０ ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
３３０ テレビジョン装置（電子機器）

Claims (18)

1. 基板上に下部電極と有機層と上部電極をこの順に積層した複数の発光素子と、
   前記発光素子の上面側に積層され、前記上部電極を覆う上面保護層と、
   隣り合う前記発光素子の間に配置され、前記発光素子の側端面側を覆う素子間分離壁と、
   を備え、
   前記素子間分離壁は、前記発光素子の厚み方向に沿って、前記発光素子から前記上面保護層に向かう方向に延び出ており、
   前記上部電極は、前記有機層に対面する互いに分離された第１上部電極であり、
   隣接する前記第１上部電極間を繋ぐ第２上部電極が設けられ、
   前記第２上部電極は、前記素子間分離壁の表面に沿って配置され、
   前記第２上部電極の反射率が、前記第１上部電極の反射率よりも大きい、
   表示装置。
2. 基板上に下部電極と有機層と上部電極をこの順に積層した複数の発光素子と、
   前記発光素子の上面側に積層され、前記上部電極を覆う上面保護層と、
   隣り合う前記発光素子の間に配置され、前記発光素子の側端面側を覆う素子間分離壁と、
   を備え、
   前記素子間分離壁は、前記発光素子の厚み方向に沿って、前記発光素子から前記上面保護層に向かう方向に延び出ており、
   前記上部電極は、前記有機層に対面する互いに分離された第１上部電極であり、
   隣接する前記第１上部電極間を繋ぐ第２上部電極が設けられ、
   前記第２上部電極は、前記素子間分離壁の表面に沿って配置され、
   前記有機層の側端面と前記素子間分離壁との間に側壁保護膜が介在している、
   表示装置。
3. 前記素子間分離壁内に、前記素子間分離壁よりも屈折率の値が低い低屈折率部が形成されている、
   請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記基板と前記複数の発光素子の間に複数の配線を含む絶縁層を備え、
   複数の前記配線は、前記基板の面内方向に隣接して配置されており、
   前記低屈折率部の下端が、隣接する前記配線間または隣接する前記配線間の下側に位置しており、
   前記低屈折率部の上端が、前記発光素子と前記上面保護層との界面よりも上側に位置している、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記素子間分離壁は、ステップカバレッジの値が１未満の材料から形成されている、
   請求項３に記載の表示装置。
6. 前記素子間分離壁は、前記上面保護層よりも屈折率の値が低い、
   請求項３に記載の表示装置。
7. 前記低屈折率部の断面形状は、多角形である、
   請求項３に記載の表示装置。
8. 前記低屈折率部は、底面部と前記底面部から立ちあがる側壁部とを有しており、
   前記底面部と前記側壁部とのなすテーパー角が９０°以下である、
   請求項３に記載の表示装置。
9. 前記素子間分離壁は、前記第１上部電極よりも上側に向かって延び出ている、
   請求項１または２に記載の表示装置。
10. 前記第２上部電極は、前記第１上部電極と前記素子間分離壁の対面位置を基端として前記素子間分離壁の延び出し端まで延出しており、且つ、前記素子間分離壁の延び出し端から前記上面保護層の表面に沿って拡がっている、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記素子間分離壁の下端は、前記下部電極の下端又は前記下部電極よりも下側に位置している、
    請求項１または２に記載の表示装置。
12. 前記発光素子の厚み方向に沿った前記素子間分離壁の長さは、前記下部電極の厚みと前記有機層の厚みと前記第１上部電極の厚みの合計よりも厚い、
    請求項１または２に記載の表示装置。
13. 前記素子間分離壁の屈折率は、前記第２上部電極の屈折率よりも小さい、
    請求項１または２に記載の表示装置。
14. 前記側壁保護膜は、エッチング加工で生じる副生成物を含む、
    請求項２に記載の表示装置。
15. 前記下部電極と前記基板との間又は前記上部電極と前記上面保護層との間に補助層が介在しており、
    該補助層を基端として前記側壁保護膜が延び出ており、
    前記側壁保護膜は、前記補助層を形成する元素を少なくとも１つ含む、
    請求項２に記載の表示装置。
16. 請求項１または２に記載の表示装置を備えた、
    電子機器。
17. 基板上に下部電極と有機層と第１上部電極と上面保護層をこの順に積層した第１の積層体を形成する工程と、
    前記第１の積層体において予め定められた位置に、前記上面保護層から所定の深さまで第１の溝を形成する工程と、
    前記第１の溝内に素子間分離壁を形成することで第２の積層体を形成する工程と、
    前記第２の積層体において前記素子間分離壁の周囲の所定領域に前記上面保護層から前記第１上部電極の位置まで第２の溝を形成する工程と、
    前記第２の溝内に第２上部電極を形成する工程とを有する、
    表示装置の製造方法。
18. 下部電極と有機層と第１上部電極と上面保護層をこの順に積層した積層体と補助層とを基板上に設けた第１の積層体を形成する工程と、
    前記第１の積層体において画素のパターンに応じて定められた位置に、エッチング加工によって所定の深さまで第１の溝を形成し、且つ、前記エッチング加工にともない前記第１の溝の内壁に沿って前記補助層を基端とする側壁保護膜を形成する工程と、
    前記第１の溝内に素子間分離壁を形成することで第２の積層体を形成する工程と、
    前記第２の積層体において前記素子間分離壁の周囲の所定領域に前記上面保護層から前記第１上部電極の位置まで第２の溝を形成する工程と、
    前記第２の溝内に第２上部電極を形成する工程とを有する、
    表示装置の製造方法。

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