JP7740808B2 - 表示装置、発光装置および電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置、発光装置および電子機器に関する。

近年、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置（以下単に「表示装置」という。）は、広く普及している。この表示装置としては、種々の構成を有するものが提案されている。特許文献１では、複数の第１の電極と、第２の電極と、複数の第１の電極と第２の電極との間に設けられた有機層と、隣接する第１の電極の間に設けられた隔壁部（絶縁層）とを備える表示装置が開示されている。また、複数の第１の電極は、リソグラフィーとエッチング等による周知のパターニング技術を用いてＩＴＯ層等の透明導電材料層をパターニングすることにより形成されることが開示されている。

国際公開第２０２０／１０５４３３号パンフレット

しかしながら、第１の電極を構成するＩＴＯ等の透明導電材料は、エッチングが困難な材料（いわゆる難エッチング材料）であるため、特許文献１に記載の表示装置では、発光面積を確保しつつ、画素ピッチを微細化することは困難である。

本開示の目的は、発光面積を確保しつつ、画素ピッチを微細化することができる表示装置、発光装置および電子機器を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本開示の第１の態様に係る表示装置は、
第１の酸化物を含む複数の第１の電極、および第１の酸化物に不純物が添加された第２の酸化物を含む分離部を有する酸化物層と、
酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
酸化物層と第２の電極との間に設けられた有機発光層と
を備え、
分離部は、面内方向に隣接する第１の電極の間に設けられ、面内方向に隣接する第１の電極の間を電気的に分離する。
本開示の第２の態様に係る表示装置は、
第１の酸化物を含む複数の第１の電極、および第１の酸化物とは組成比が異なる第２の酸化物を含む分離部を有する酸化物層と、
酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
酸化物層と第２の電極との間に設けられた有機発光層と
を備え、
分離部は、面内方向に隣接する第１の電極の間に設けられ、面内方向に隣接する第１の電極の間を電気的に分離する。
本開示の第３の態様に係る表示装置は、
複数の第１の電極、および分離部を有する酸化物層と、
酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
酸化物層と第２の電極との間に設けられた有機発光層と
を備え、
第１の電極の結晶性は、分離部の結晶性に比べて高く、
分離部は、面内方向に隣接する第１の電極の間に設けられ、面内方向に隣接する第１の電極の間を電気的に分離する。

本開示の第４の態様に係る発光装置は、
第１の酸化物を含む複数の第１の電極、および第１の酸化物に不純物が添加された第２の酸化物を含む分離部を有する酸化物層と、
酸化物層に対向する第２の電極と、
酸化物層と第２の電極の間に設けられた有機発光層と
を備え、
分離部は、面内方向に隣接する第１の電極の間に設けられ、面内方向に隣接する第１の電極の間を電気的に分離する。
本開示の第５の態様に係る発光装置は、
第１の酸化物を含む複数の第１の電極、および第１の酸化物とは組成比が異なる第２の酸化物を含む分離部を有する酸化物層と、
酸化物層に対向する第２の電極と、
酸化物層と第２の電極の間に設けられた有機発光層と
を備え、
分離部は、面内方向に隣接する第１の電極の間に設けられ、面内方向に隣接する第１の電極の間を電気的に分離する。
本開示の第６の態様に係る発光装置は、
複数の第１の電極、および分離部を有する酸化物層と、
酸化物層に対向する第２の電極と、
酸化物層と第２の電極の間に設けられた有機発光層と
を備え、
第１の電極の結晶性は、分離部の結晶性に比べて高く、
分離部は、面内方向に隣接する第１の電極の間に設けられ、面内方向に隣接する第１の電極の間を電気的に分離する。

本開示の第７の態様に係る電子機器は、本開示の第１の態様に係る表示装置、本開示の第２の態様に係る表示装置または本開示の第３の態様に係る表示装置を備える。

図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図３は、酸化物層の構成の一例を示す平面図である。 図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄはそれぞれ、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃはそれぞれ、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図６は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃはそれぞれ、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図８Ａ、図８Ｂはそれぞれ、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図９は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃはそれぞれ、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃはそれぞれ、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図１２は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１３は、モジュールの概略構成の一例を表す平面図である。 図１４Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図１４Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図１５は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図１６は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１ 第１の実施形態
１．１ 表示装置の構成
１．２ 表示装置の製造方法
１．３ 作用効果
２ 第２の実施形態
２．１ 表示装置の構成
２．２ 表示装置の製造方法
２．３ 作用効果
３ 第３の実施形態
３．１ 表示装置の構成
３．２ 表示装置の製造方法
３．３ 作用効果
４ 変形例
５ 応用例

＜１ 第１の実施形態＞
［１．１ 表示装置の構成］
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の全体構成の一例を示す概略図である。表示装置１０は、表示領域１１０Ａと、表示領域１１０Ａの周縁に設けられた周辺領域１１０Ｂとを有している。表示領域１１０Ａ内には、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。サブ画素１００の画素ピッチは、表示装置１０の高精細化の観点から、１０μｍ以下であることが好ましい。

サブ画素１００Ｒは赤色を表示し、サブ画素１００Ｇは緑色を表示し、サブ画素１００Ｂは青色を表示する。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別しない場合には、サブ画素１００という。隣接するサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。図１では、行方向（水平方向）に並ぶ３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素を構成している例が示されている。

周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２が設けられている。信号線駆動回路１１１は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１１１Ａを介して選択されたサブ画素１００に供給するものである。走査線駆動回路１１２は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路１１２は、各サブ画素１００への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１１２Ａに走査信号を順次供給するものである。

表示装置１０は、発光装置の一例である。表示装置１０は、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置１０は、ＶＲ（Virtual Reality）用、ＭＲ（Mixed Reality）用もしくはＡＲ（Augmented Reality）用の表示装置、電子ビューファインダ（Electronic View Finder：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等に用いて好適なものである。

図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。表示装置１０は、駆動基板１１Ａと、第１の絶縁層１２Ａと、複数の反射層１３と、絶縁部１３Ｃと、第２の絶縁層１２Ｂと、酸化物層１４と、有機層１５と、第２の電極１６と、保護層１７と、カラーフィルタ１８と、充填樹脂層１９と、対向基板１１Ｂとを備える。酸化物層１４は、複数の第１の電極１４Ａと、分離部１４Ｂとを備える。反射層１３と第２の電極１６が、共振器構造を構成していてもよい。

表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置である。対向基板１１Ｂ側がトップ側（表示面側）となり、駆動基板１１Ａ側がボトム側となる。以下の説明において、表示装置１０を構成する各層において、表示装置１０のトップ側となる面を第１の面といい、表示装置１０のボトム側となる面を第２の面という。

表示装置１０は、複数の発光素子１０Ａを備えている。発光素子１０Ａは、第１の電極１４Ａと有機層１５と第２の電極１６とにより構成されている。発光素子１０Ａは、白色ＯＬＥＤまたは白色Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）である。表示装置１０におけるカラー化の方式としては、白色ＯＬＥＤとカラーフィルタ１８とを用いる方式が用いられる。但し、カラー化の方式はこれに限定されるものではなく、ＲＧＢの塗り分け方式等を用いてもよい。

（駆動基板）
駆動基板１１Ａは、いわゆるバックプレーンであり、複数の発光素子１０Ａを駆動する。駆動基板１１Ａの第１の面上には、駆動回路および電源回路（いずれも図示せず）が設けられている。駆動回路は、複数の発光素子１０Ａの駆動を制御するサンプリング用トランジスタと駆動用トランジスタを含む。電源回路は、複数の発光素子１０Ａに電力を供給する。

駆動基板１１Ａは、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、駆動基板１１Ａは、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（第１の絶縁層）
第１の絶縁層１２Ａは、駆動基板１１Ａの第１の面上に設けられ、駆動回路および電源回路等を覆っている。第１の絶縁層１２Ａは、複数のコンタクトプラグ１２Ａ１を備える。各コンタクトプラグ１２Ａ１は、発光素子１０Ａと反射層１３とを接続する。第１の絶縁層１２Ａは、複数の配線（図示せず）をさらに備えていてもよい。

第１の絶縁層１２Ａは、例えば、有機材料または無機材料を含む。有機材料は、例えば、ポリイミドおよびアクリル樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウム等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（第２の絶縁層）
第２の絶縁層１２Ｂは、複数の反射層１３および絶縁部１３Ｃの第１の面上に設けられ、複数の反射層１３を覆っている。すなわち、第２の絶縁層１２Ｂは、酸化物層１４と複数の反射層１３との間に設けられている。第２の絶縁層１２Ｂは、複数のコンタクトプラグ１２Ｂ１を備える。各コンタクトプラグ１２Ｂ１は、発光素子１０Ａと反射層１３とを接続する。第２の絶縁層１２Ｂの構成材料としては、上述の第１の絶縁層１２Ａと同様の材料を例示することができる。

（反射層）
複数の反射層１３は、第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に設けられている。複数の反射層１３はそれぞれ、複数のサブ画素１００に対応する位置に設けられている。複数の反射層１３は、第２の絶縁層１２Ｂを間に挟んで酸化物層１４の第２の面（他方の面）に対向する。複数の反射層１３はそれぞれ、複数の第１の電極１４Ａに対向している。反射層１３は、有機層１５から出射された光を反射する。反射層１３は、第１の金属層１３Ａと、第２の金属層１３Ｂとを備える。但し、第１の金属層１３Ａは、必要に応じて備えられるものであり、備えられていなくてもよい。隣接する反射層１３の間には溝１３Ｄが設けられている。

（第１の金属層）
第１の金属層１３Ａは、第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に設けられている。第１の金属層１３Ａは、第２の金属層１３Ｂの成膜時に、第２の金属層１３Ｂの結晶配向性を向上するための下地層である。第２の金属層１３Ｂの結晶配向性の向上により、第２の金属層１３Ｂの表面（第１の面）の凹凸形状を低減することができる。第１の金属層１３Ａの第２の面は、第１の絶縁層１２Ａに備えられたコンタクトプラグ１２Ａ１に接続されている。

第１の金属層１３Ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。第１の金属層１３Ａは、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。

（第２の金属層）
第２の金属層１３Ｂは、第１の金属層１３Ａの第１の面上に設けられている。第２の金属層１３Ｂは、有機層１５から放射された光を反射する反射層としての機能を有する。第２の金属層１３Ｂの第１の面は、第２の絶縁層１２Ｂに備えられたコンタクトプラグ１２Ｂ１に接続されている。

第２の金属層１３Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。第２の金属層１３Ｂは、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。第２の金属層１３Ｂは、反射率の向上の観点から、上記金属元素のうちでも、アルミニウム（Ａｌ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。

（絶縁部）
絶縁部１３Ｃは、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄに設けられ、溝１３Ｄを埋めている。絶縁部１３Ｃは、隣接する反射層１３の間を電気的に分離すると共に、空間的に離隔する。絶縁部１３Ｃの構成材料としては、上述の第１の絶縁層１２Ａと同様の材料を例示することができる。

（酸化物層）
図３は、酸化物層１４の構成の一例を示す平面図である。酸化物層１４は、第２の絶縁層１２Ｂの第１の面上に設けられている。酸化物層１４は、金属酸化物を含む。金属酸化物は、例えば、インジウムを含む酸化物、錫を含む酸化物および亜鉛を含む酸化物からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。酸化物層１４は、上述のように、複数の第１の電極１４Ａと、分離部１４Ｂとを備える。

（第１の電極）
複数の第１の電極１４Ａは、第２の絶縁層１２Ｂの第１の面上にマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。各第１の電極１４Ａは、サブ画素１００に対応する部分に設けられている。第１の電極１４Ａは、アノードである。第１の電極１４Ａと第２の電極１６の間に電圧が加えられると、第１の電極１４Ａから有機層１５にホールが注入される。第１の電極１４Ａは、透明電極であり、有機層１５から出射された光を透過する。第１の電極１４Ａの第２の面は、第２の絶縁層１２Ｂに備えられたコンタクトプラグ１２Ｂ１に接続されている。第１の電極１４Ａは、仕事関数が高く、かつ、透過率の高い材料で構成されていることが、発光効率を高める上で好ましい。

第１の電極１４Ａは、第１の酸化物を含む。第１の酸化物は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）である。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物（以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。）、錫を含む透明導電性酸化物（以下「錫系透明導電性酸化物」という。）および亜鉛を含む透明導電性酸化物（以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）または酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が特に好ましい。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、仕事関数的に有機層１５へのホール注入障壁が特に低いため、表示装置１０の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）を含む。

（分離部）
分離部１４Ｂは、面内方向に隣接する第１の電極１４Ａの間に設けられている。分離部１４Ｂは、第１の電極１４Ａの全周囲を取り囲んでいる。分離部１４Ｂは、例えば、格子状を有している。各分離部１４Ｂは、面内方向に隣接する第１の電極１４Ａの間を電気的に分離する。本明細書において面内方向とは、表示装置１０の第１の面（表示面）または駆動基板１１Ａの第１の面に沿った方向を意味する。分離部１４Ｂの電気抵抗は、第１の電極１４Ａの電気抵抗に比べて高い。分離部１４Ｂは、絶縁部であることが好ましい。

分離部１４Ｂは、絶縁材料である第２の酸化物を含む。第２の酸化物は、絶縁性酸化物である。絶縁性酸化物は、例えば、インジウムを含む絶縁性酸化物（以下「インジウム系絶縁性酸化物」という。）、錫を含む絶縁性酸化物（以下「錫系絶縁性酸化物」という。）および亜鉛を含む絶縁性酸化物（以下「亜鉛系絶縁性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第２の酸化物は、第１の酸化物に対して不純物（イオン）が添加された絶縁性酸化物であってもよい。不純物は、添加により透明導電性酸化物を絶縁性酸化物に変化可能なものである。具体的には例えば、不純物は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

第１の電極１４Ａに含まれる第１の酸化物と分離部１４Ｂに含まれる第２の酸化物との構成材料（構成元素）が同一であり、第１の酸化物と第２の酸化物との組成比が異なっていてもよい。あるいは、第１の電極１４Ａに含まれる第１の酸化物と分離部１４Ｂに含まれる第２の酸化物との構成材料の一部は同一であり、残りが異なっていてもよい。第１の電極１４Ａの電気抵抗を分離部１４Ｂの電気抵抗に比べて低くするためには、第１の電極１４Ａの結晶性は、分離部１４Ｂの結晶性に比べて高いことが好ましい。第１の電極１４Ａと分離部１４Ｂとは、透過率等の光学特性が異なっていてもよい。

（第２の電極）
第２の電極１６は、有機層１５を間に挟んで酸化物層１４の第１の面に対応する。第２の電極１６は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の電極として設けられている。第２の電極１６は、カソードである。第１の電極１４Ａと第２の電極１６の間に電圧が加えられると、第２の電極１６から有機層１５に電子が注入される。第２の電極１６は、有機層１５で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射層も含まれるものとする。第２の電極１６は、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。

第２の電極１６は、例えば、金属層および透明電極のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２の電極１６は、金属層もしくは透明電極の単層膜、または金属層と透明電極の積層膜により構成されている。第２の電極１６が積層膜により構成されている場合、金属層が有機層１５側に設けられてもよいし、透明電極が有機層１５側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層を有機層１５に隣接させる観点からすると、金属層が有機層１５側に設けられていることが好ましい。

金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。透明電極は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物としては、上述の第１の電極１４Ａと同様の材料を例示することができる。

（有機層）
有機層１５は、酸化物層１４と第２の電極１６の間に設けられている。有機層１５は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の有機層として設けられている。有機層１５は、白色光を発光可能に構成されている。

有機層１５は、酸化物層１４から第２の電極１６に向かって正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層がこの順序で積層された構成を有する。なお、有機層１５の構成はこれに限定されるものではなく、発光層以外の層は必要に応じて設けられるものである。

正孔注入層は、発光層への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。発光層は、有機発光材料を含む有機発光層である。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層と第２の電極１６との間には、電子注入層を設けてもよい。この電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。

（保護層）
保護層１７は、第２の電極１６の第１の面上に設けられ、複数の発光素子１０Ａを覆う。保護層１７は、発光素子１０Ａを外気と遮断し、外部環境から発光素子１０Ａ内部への水分浸入を抑制する。また、第２の電極１６が金属層により構成されている場合には、保護層１７は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。

保護層１７は、例えば、吸湿性が低い無機材料を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ）のうちの少なくとも１種を含む。保護層１７は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。多層構造の場合、保護層１７における内部応力を緩和することができる。保護層１７が、高分子樹脂により構成されていてもよい。高分子樹脂は、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（カラーフィルタ）
カラーフィルタ１８は、保護層１７の第１の面上に設けられている。カラーフィルタ１８は、例えば、オンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ１８は、例えば、赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタを備える。赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタはそれぞれ、赤色のサブ画素１００Ｒ用の発光素子１０Ａ、緑色のサブ画素１００Ｇ用の発光素子１０Ａ、青色のサブ画素１００Ｂ用の発光素子１０Ａに対向して設けられている。これにより、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが構成されている。

サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ内の各発光素子１０Ａから発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色のカラーフィルタ間、すなわちサブ画素間の領域には、遮光層（図示せず）が設けられていてもよい。なお、カラーフィルタ１８は、オンチップカラーフィルタに限定されるものではなく、対向基板１１Ｂの一主面に設けられたものであってもよい。

（充填樹脂層）
充填樹脂層１９は、カラーフィルタ１８と対向基板１１Ｂの間に設けられている。充填樹脂層１９は、カラーフィルタ１８と対向基板１１Ｂとを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層１９は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（対向基板）
対向基板１１Ｂは、駆動基板１１Ａに対向して設けられている。より具体的には、対向基板１１Ｂは、対向基板１１Ｂの第２の面と駆動基板１１Ａの第１の面とが対向するように設けられている。対向基板１１Ｂおよび充填樹脂層１９は、発光素子１０Ａおよびカラーフィルタ１８等を封止する。対向基板１１Ｂは、カラーフィルタ１８からから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成される。

［１．２ 表示装置の製造方法］
以下、図４Ａ～図４Ｄ、図５Ａ～図５Ｃを参照して、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法の一例について説明する。

まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を用いて、駆動基板１１Ａの第１の面上に駆動回路および電源回路等を形成する。次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、駆動回路および電源回路等を覆うように第１の絶縁層１２Ａを駆動基板１１Ａの第１の面上に形成する。この際、第１の絶縁層１２Ａに複数のコンタクトプラグ１２Ａ１を形成する。

次に、例えばスパッタリング法により、第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に第１の金属層１３Ａを形成する。続いて、例えばスパッタリング法により、第１の金属層１３Ａの第１の面上に第２の金属層１３Ｂを形成する（図４Ａ参照）。次に、第２の金属層１３Ｂの第１の面上に所定のパターンのレジストマスクを形成した後、レジストマスクを介して第１の金属層１３Ａおよび第２の金属層１３Ｂをドライエッチングする。これにより、溝１３Ｄにより分断された複数の反射層１３が第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に形成される（図４Ｂ参照）。

次に、例えばＣＶＤ法により、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内、および複数の反射層１３の第１の面上に絶縁層を形成する。次に、例えばエッチバック法またはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により、各反射層１３の第１の面上に形成された絶縁層を除去する。これにより、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内に絶縁部１３Ｃが形成される。次に、例えばＣＶＤ法により、複数の反射層１３および絶縁部１３Ｃの第１の面上に第２の絶縁層１２Ｂを形成する。この際、第２の絶縁層１２Ｂに複数のコンタクトプラグ１２Ｂ１を形成する。

次に、例えばスパッタリング法により、第２の絶縁層１２Ｂの第１の面上に、透明導電性酸化物層１４Ｃを形成する（図４Ｃ参照）。次に、所定パターンのレジストマスク５１を透明導電性酸化物層１４Ｃの第１の面上に形成する（図４Ｄ参照）。レジストマスク５１としては、隣接するサブ画素１００の間に対応する部分に開口５１Ａを有するものが用いられる。次に、レジストマスク５１の開口５１Ａを介して透明導電性酸化物層１４Ｃにイオンを注入する。透明導電性酸化物層１４Ｃのうちイオンが注入された部分は高抵抗化する。これにより、複数の第１の電極１４Ａおよび分離部１４Ｂを有する酸化物層１４が形成される（図５Ａ参照）。注入するイオンとしては、例えば酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。次に、レジストマスク５１を酸化物層１４の第１の面上から除去する。

次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を酸化物層１４の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機層１５を形成する（図５Ｂ参照）。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、第２の電極１６を有機層１５の第１の面上に形成する。これにより、第２の絶縁層１２Ｂの第１の面上に複数の発光素子１０Ａが形成される（図５Ｃ参照）。

次に、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、保護層１７を第２の電極１６の第１の面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィにより、保護層１７の第１の面上にカラーフィルタ１８を形成する。なお、保護層１７の段差やカラーフィルタ１８自体の膜厚差による段差を平坦化するために、カラーフィルタ１８の上、下または上下両方に平坦化層を形成してもよい。次に、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）方式を用いて、充填樹脂層１９によりカラーフィルタ１８を覆った後、対向基板１１Ｂを充填樹脂層１９上に載置する。次に、例えば充填樹脂層１９に熱を加えるか、または充填樹脂層１９に紫外線を照射し、充填樹脂層１９を硬化させることにより、充填樹脂層１９を介して駆動基板１１Ａと対向基板１１Ｂとを貼り合せる。これにより、表示装置１０が封止される。以上により、図１、図２に示す表示装置１０が得られる。

［１．３ 作用効果］
上述したように、第１の実施形態に係る表示装置１０は、酸化物層１４を備え、当該酸化物層１４は、複数の第１の電極１４Ａと、隣接する第１の電極１４Ａの間を電気的に分離する分離部１４Ｂとを備える。分離部１４Ｂは、透明導電性酸化物層１４Ｃにレジストマスク越しにイオンを注入することにより形成することが可能である。このため、難エッチング材料である透明導電性酸化物をエッチング加工せずに、隣接する第１の電極１４Ａの間を電気的に分離することができる。したがって、発光面積を確保しつつ、画素ピッチを微細化（例えば１０μｍ以下に微細化）することができる。

従来の表示装置では、隣接する第１の電極の間に隔壁部（絶縁層）が設けられていたのに対して、第１の実施形態に係る表示装置１０では、上記隔壁部（絶縁層）に代えて分離部１４Ｂが設けられている。したがって、第１の実施形態に係る表示装置１０では、サブ画素１００を微細化することが可能である。また、上記隔壁部に起因する特性劣化（例えばエッジリーク、焼き付き、耐熱性）を解消することができる。

透明導電性酸化物は難エッチング材料であるため、レジスト解像度の限界のサイズで透明導電性酸化物層をエッチング加工し、第１の電極を作製しようとすると、隣接する第１の電極の間でショートが発生する虞がある。このため、従来の表示装置では、レジスト解像度の限界よりも大きいサイズで透明導電性酸化物層をエッチング加工する必要があった。これに対して、第１の実施形態に係る表示装置１０では、透明導電性酸化物層１４Ｃにレジストマスク越しにイオンを注入することにより、隣接する第１の電極１４Ａ間を分離することができる。このため、レジスト解像度の限界のサイズで透明導電性酸化物層１４Ｃを加工することができる。すなわち、レジスト解像度の限界のサイズの分離部１４Ｂを形成することができる。

＜２ 第２の実施形態＞
［２．１ 表示装置の構成］
図６は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置２０の構成の一例を示す断面図である。表示装置２０は、酸化物層１４（図２参照）に代えて、酸化物層２４を備える。複数の反射層１３はそれぞれ、複数の第１の電極１４Ａの第２の面に隣接している。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（酸化物層）
酸化物層２４は、溝１３Ｄの形状に倣うように、複数の反射層１３の第１の面上に設けられている。酸化物層２４は、分離部１４Ｂ（図２参照）に代えて、分離部２４Ｂを備える。

（分離部）
分離部２４Ｂは、凹部２４Ｂ１と被覆部２４Ｂ２とを有する。但し、分離部２４Ｂの構成はこれに限定されるものではなく、分離部２４Ｂが被覆部２４Ｂ２を有していなくてもよい。凹部２４Ｂ１は、第１の電極１４Ａの第１の面に対して凹状を有する。第２の実施形態においては、反射層１３の第１の面（主面）は、第１の電極１４Ａを間に挟んで有機層１５と対向する。凹部２４Ｂ１は、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内に設けられている。凹部２４Ｂ１は、溝１３Ｄの形状に倣っていてもよい。凹部２４Ｂ１内には、絶縁部１３Ｃが設けられている。

被覆部２４Ｂ２は、反射層１３の第１の面（主面）の周縁部を覆う。ここで、反射層１３の第１の面の周縁部とは、反射層１３の第１の面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。分離部２４Ｂが被覆部２４Ｂ２を有する場合には、サブ画素１００間の絶縁性をさらに向上することができる。溝１３Ｄは、サブ画素１００間の絶縁性の向上の観点から、反射層１３の厚さ以上の深さを有していることが好ましい。

分離部２４Ｂは、上記以外の点においては、第１の実施形態における分離部１４Ｂと同様である。

［２．２ 表示装置の製造方法］
以下、図４Ｂ、図７Ａ～図７Ｃ、図８Ａ、図８Ｂを参照して、本開示の第２の実施形態に係る表示装置２０の製造方法の一例について説明する。

まず、第１の金属層１３Ａおよび第２の金属層１３Ｂのパターニングまでの工程を第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法と同様に実施する。これにより、溝１３Ｄにより分断された複数の反射層１３が第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に形成される（図４Ｂ参照）。

次に、例えばスパッタリング法により、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄの形状に倣うように、複数の反射層１３の第１の面上に透明導電性酸化物層２４Ｃを形成する（図７Ａ参照）。次に、所定パターンのレジストマスク６１を透明導電性酸化物層２４Ｃの第１の面上に形成する（図７Ｂ参照）。レジストマスク６１としては、溝１３Ｄの部分に開口６１Ａを有するものが用いられる。開口６１Ａの幅Ｗ_１は、溝１３Ｄの幅Ｗ_２と同一であってもよいし、溝１３Ｄの幅Ｗ_２よりも広くてもよい。開口６１Ａの幅Ｗ_１が溝１３Ｄの幅Ｗ_２よりも広い場合には、後の工程であるイオン注入工程において、被覆部２４Ｂ２を有する分離部２４Ｂが形成される。一方、開口６１Ａの幅Ｗ_１が溝１３Ｄの幅Ｗ_２と等しい場合には、後の工程であるイオン注入工程において、被覆部２４Ｂ２を有していない分離部２４Ｂが形成される。

次に、レジストマスクの開口６１Ａを介して透明導電性酸化物層２４Ｃにイオンを注入する（図７Ｂ参照）。透明導電性酸化物層１４Ｃのうちイオンが注入された部分は高抵抗化する。これにより、複数の第１の電極１４Ａおよび分離部２４Ｂを有する酸化物層２４が形成される（図７Ｃ参照）。注入するイオンとしては、例えば酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。次に、レジストマスク６１を酸化物層２４の第１の面上から除去する。

次に、例えばＣＶＤ法により、隣接する反射層１３の間の凹部２４Ｂ１内、および複数の反射層１３の第１の面上に絶縁層を形成する。次に、例えばエッチバック法またはＣＭＰ法により、各反射層１３の第１の面上に形成された絶縁層を除去する。これにより、隣接する反射層１３の間の凹部２４Ｂ１内に絶縁部１３Ｃが形成される（図８Ａ参照）。次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を酸化物層２４の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機層１５を形成する（図８Ｂ参照）。

これ以降の工程を第１の実施形態の表示装置１０の製造方法と同様に実施する。以上により、図６に示す表示装置２０が得られる。

［２．３ 作用効果］
上述したように、第２の実施形態に係る表示装置２０は、酸化物層２４を備え、当該酸化物層２４は、複数の第１の電極１４Ａと分離部２４Ｂとを備える。したがって、第１の実施形態に係る表示装置１０と同様の作用効果を得ることができる。

分離部２４Ｂは凹部２４Ｂ１と被覆部２４Ｂ２とを有する。凹部２４Ｂ１は溝１３Ｄ内に設けられ、被覆部２４Ｂ２は反射層１３の第１の面の周縁部を覆っている。これにより、凹部２４Ｂ１およびその周辺を高抵抗化することが可能となる。

透明導電性酸化物のドライエッチング加工が不要となるため、下地のエッチング掘れ量を低減することができる。したがって、サブ画素１００間の段差を低減することができ、有機層１５を介した第１の電極１４Ａと第２の電極１６の間のリークを抑制することができる。

＜３ 第３の実施形態＞
［３．１ 表示装置の構成］
図９は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置３０の構成の一例を示す断面図である。
表示装置３０は、酸化物層２４（図２参照）に代えて、酸化物層３４を備える。なお、第３の実施形態において、第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（酸化物層）
酸化物層３４は、溝１３Ｄの形状に倣うように、複数の反射層１３の第１の面上に設けられている。酸化物層３４は、第１の電極３４Ａと分離部３４Ｂとを備える。

第１の電極３４Ａは、第３の酸化物を含む。第３の酸化物は、第１の酸化物に対して第１の不純物（第１のイオン）および第２の不純物（第２のイオン）が添加された透明導電性酸化物であってもよい。第１の不純物は、添加により透明導電性酸化物を高抵抗化し、透明導電性酸化物を絶縁性酸化物に変化可能なものである。具体的には例えば、第１の不純物は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第２の不純物は、添加により絶縁性酸化物を低抵抗化し、絶縁性酸化物を透明導電性酸化物に変化可能なものである。具体的には例えば、第２の不純物は、水素（Ｈ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）およびセシウム（Ｃｓ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第１の電極３４Ａは、上記以外の点においては、第１の実施形態における第１の電極１４Ａと同様である。

分離部３４Ｂは、凹部である。当該凹部は、第２の実施形態における分離部２４Ｂの凹部２４Ｂ１と同様である。

［３．２ 表示装置の製造方法］
以下、図７Ａ、図１０Ａ～図１０Ｃ、図１１Ａ～図１１Ｃを参照して、本開示の第３の実施形態に係る表示装置３０の製造方法の一例について説明する。

まず、透明導電性酸化物層２４Ｃの形成までの工程を第２の実施形態に係る表示装置２０の製造方法と同様に実施する。これにより、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄの形状に倣うように、複数の反射層１３の第１の面上に透明導電性酸化物層２４Ｃが形成される（図７Ａ参照）。

次に、透明導電性酸化物層２４Ｃにイオンを注入する（図１０Ａ参照）。これにより、透明導電性酸化物層２４Ｃが高抵抗化し、絶縁性酸化物層３４Ｃとなる（図１０Ｂ参照）。注入する第１のイオンとしては、例えば酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。

次に、例えばＣＶＤ法により、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内、および複数の反射層１３の第１の面上に絶縁層を形成する。次に、例えばエッチバック法またはＣＭＰ法により、各反射層１３の第１の面上に形成された絶縁層を除去する。これにより、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内に絶縁部１３Ｃが形成される（図１０Ｃ参照）。

次に、上述のようにして得られた積層体の第１の面（絶縁性酸化物層３４Ｃおよび絶縁部１３Ｃが形成されている側の面）にイオンを注入する（図１１Ａ参照）。これにより、絶縁性酸化物層３４Ｃのうち、各第１の電極３４Ａの第１の面を覆っている第１の部分にはイオンが注入され、当該第１の部分は低抵抗化され、透明導電性酸化物層となる。一方、絶縁性酸化物層３４Ｃのうち、溝１３Ｄ内に設けられている第２の部分にはイオンされず、当該第２の部分は絶縁性酸化物層３４Ｃから変化しない。したがって、複数の第１の電極３４Ａと分離部３４Ｂとを備える酸化物層３４が形成される（図１１Ｂ参照）。注入する第２のイオンとしては、例えば水素（Ｈ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）およびセシウム（Ｃｓ）からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。

次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を酸化物層３４の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機層１５を形成する（図１１Ｃ参照）。

これ以降の工程を第１の実施形態の表示装置１０の製造方法と同様に実施する。以上により、図９に示す表示装置３０が得られる。

［３．３ 作用効果］
上述したように、第３の実施形態に係る表示装置３０は、酸化物層３４を備え、当該酸化物層３４は、複数の第１の電極１４Ａと分離部３４Ｂとを備える。したがって、第１の実施形態に係る表示装置１０と同様の作用効果を得ることができる。

＜４ 変形例＞
（変形例１）
第２の実施形態では、酸化物層２４が有する凹部２４Ｂ１内に絶縁部１３Ｃが設けられている例（図６参照）について説明したが、図１２に示すように、凹部２４Ｂ１内に絶縁部１３Ｃが設けられていなくてもよい。この場合、有機層１５および第２の電極１６が凹部２４Ｂ１の形状に倣うように設けられ、保護層１７が凹部２４Ｂ１を埋めていてもよい。あるいは、有機層１５が凹部２４Ｂ１の形状に倣うように設けられ、第２の電極１６が凹部２４Ｂ１を埋めていてもよい。

第３の実施形態においても同様に、凹部である分離部３４Ｂ内に絶縁部１３Ｃが設けられていなくてもよい。この場合、有機層１５および第２の電極１６が分離部３４Ｂの形状に倣うように設けられ、保護層１７が分離部３４Ｂを埋めていてもよい。あるいは、有機層１５が分離部３４Ｂの形状に倣うように設けられ、第２の電極１６が分離部３４Ｂを埋めていてもよい。

（変形例２）
第１～第３の実施形態では、本開示を表示装置に適用した例について説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、表示装置以外の発光装置に適用することは可能である。表示装置以外の発光装置の例としては、照明装置が挙げられるが、これに限定されるものではない。この場合、照明装置等の発光装置が備える発光素子の数は、複数であってもよいし、単数であってもよい。

＜ ５ 応用例＞
（電子機器）
上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例に係る表示装置１０、２０、３０は、各種の電子機器に用いることが可能である。表示装置１０、２０、３０は、例えば、図１３に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、駆動基板１１Ａの一方の短辺側に、対向基板１１Ｂ等により覆われず露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）２２０が接続されていてもよい。

（具体例１）
図１４Ａ、図１４Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。

カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、表示装置１０、２０、３０のいずれかを用いることができる。

（具体例２）
図１５は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、表示装置１０、２０、３０のいずれかを用いることができる。

（具体例３）
図１６は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、表示装置１０、２０、３０のいずれかにより構成されている。

以上、本開示の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。

上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
複数の第１の電極と、隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、
前記酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
前記酸化物層と前記第２の電極との間に設けられた有機発光層と
を備える表示装置。
（２）
前記酸化物層の他方の面に対向する複数の反射層をさらに備え、
複数の前記反射層はそれぞれ、複数の前記第１の電極に対向している（１）に記載の表示装置。
（３）
複数の前記反射層はそれぞれ、複数の前記第１の電極に隣接している（２）に記載の表示装置。
（４）
前記反射層は、前記第１の電極を間に挟んで前記有機発光層と対向する主面を有し、
前記分離部は、前記主面に対して凹状の凹部を有し、
隣接する前記反射層の間に溝が設けられ、前記凹部は前記溝内に設けられている（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）
前記分離部は、前記主面の周縁部を覆う被覆部をさらに有する（４）に記載の表示装置。
（６）
前記溝は、前記反射層の厚さ以上の深さを有する（４）または（５）に記載の表示装置。
（７）
前記凹部内に設けられた絶縁部をさらに備える（４）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）
前記有機発光層は、前記凹部に倣っている（４）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
前記酸化物層と複数の前記反射層との間に設けられた絶縁層をさらに備える（２）に記載の表示装置。
（１０）
前記分離部の電気抵抗は、前記第１の電極の電気抵抗に比べて高い（１）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
前記分離部は、絶縁部である（１）から（１０）のいずれかに記載の表示装置。
（１２）
前記第１の電極は、透明導電性酸化物を含む（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）
前記透明導電性酸化物は、インジウムを含む透明導電性酸化物、錫を含む透明導電性酸化物および亜鉛を含む透明導電性酸化物からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む（１２）に記載の表示装置。
（１４）
前記第１の電極は、透明電極である（１）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）
前記第１の電極は、透明導電性酸化物を含み、
前記分離部は、絶縁性酸化物を含む（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１６）
前記第１の電極は、第１の酸化物を含み、
前記分離部は、前記第１の酸化物に不純物が添加された第２の酸化物を含む（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１７）
前記第１の電極は、第１の酸化物を含み、
前記分離部は、第２の酸化物を含み、
前記第１の酸化物と前記第２の酸化物との組成比が異なる（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）
前記第１の電極の結晶性は、前記分離部の結晶性に比べて高い（１）から（１７）のいずれかに記載の表示装置。
（１９）
複数の第１の電極と、隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、
前記酸化物層に対向する第２の電極と、
前記酸化物層と前記第２の電極の間に設けられた有機発光層と
を備える発光装置。
（２０）
（１）から（１９）のいずれかに記載の表示装置を備える電子機器。

１０、２０、３０ 表示装置（発光装置）
１０Ａ 発光素子
１１Ａ 駆動基板
１１Ｂ 対向基板
１２Ａ 第１の絶縁層
１２Ａ 第２の絶縁層
１３ 反射層
１３Ａ 第１の金属層
１３Ｂ 第２の金属層
１３Ｃ 絶縁部
１３Ｄ 溝
１４、２４、３４ 酸化物層
１４Ａ、３４Ａ 第１の電極
１４Ｂ、２４Ｂ、３４Ｂ 分離部
２４Ｂ１ 凹部
２４Ｂ２ 被覆部
１５ 有機層
１６ 第２の電極
１７ 保護層
１８ カラーフィルタ
１９ 充填樹脂層
１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ サブ画素
１１０Ａ 表示領域
１１０Ｂ 周辺領域
１１１ 信号線駆動回路
１１１Ａ 信号線
１１２ 走査線駆動回路
１１２Ａ 走査線
３１０ デジタルスチルカメラ（電子機器）
３２０ ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
３３０ テレビジョン装置（電子機器）

Claims (20)

1. 第１の酸化物を含む複数の第１の電極、および前記第１の酸化物に不純物が添加された第２の酸化物を含む分離部を有する酸化物層と、
   前記酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
   前記酸化物層と前記第２の電極との間に設けられた有機発光層と
   を備え、
   前記分離部は、面内方向に隣接する前記第１の電極の間に設けられ、前記面内方向に隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する表示装置。
2. 第１の酸化物を含む複数の第１の電極、および前記第１の酸化物とは組成比が異なる第２の酸化物を含む分離部を有する酸化物層と、
   前記酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
   前記酸化物層と前記第２の電極との間に設けられた有機発光層と
   を備え、
   前記分離部は、面内方向に隣接する前記第１の電極の間に設けられ、前記面内方向に隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する表示装置。
3. 複数の第１の電極、および分離部を有する酸化物層と、
   前記酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
   前記酸化物層と前記第２の電極との間に設けられた有機発光層と
   を備え、
   前記第１の電極の結晶性は、前記分離部の結晶性に比べて高く、
   前記分離部は、面内方向に隣接する前記第１の電極の間に設けられ、前記面内方向に隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する表示装置。
4. 前記酸化物層の他方の面に対向する複数の反射層をさらに備え、
   複数の前記反射層はそれぞれ、複数の前記第１の電極に対向している請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 複数の前記反射層はそれぞれ、複数の前記第１の電極に隣接している請求項４に記載の表示装置。
6. 前記反射層は、前記第１の電極を間に挟んで前記有機発光層と対向する主面を有し、
   前記分離部は、前記主面に対して凹状の凹部を有し、
   隣接する前記反射層の間に溝が設けられ、前記凹部は前記溝内に設けられている請求項４に記載の表示装置。
7. 前記分離部は、前記主面の周縁部を覆う被覆部をさらに有する請求項６に記載の表示装置。
8. 前記溝は、前記反射層の厚さ以上の深さを有する請求項６に記載の表示装置。
9. 前記凹部内に設けられた絶縁部をさらに備える請求項６に記載の表示装置。
10. 前記酸化物層と複数の前記反射層との間に設けられた絶縁層をさらに備える請求項４に記載の表示装置。
11. 前記分離部の電気抵抗は、前記第１の電極の電気抵抗に比べて高い請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記分離部は、絶縁部である請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第１の酸化物は、透明導電性酸化物である請求項１または２に記載の表示装置。
14. 前記透明導電性酸化物は、インジウムを含む透明導電性酸化物、錫を含む透明導電性酸化物および亜鉛を含む透明導電性酸化物からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記第１の電極は、透明電極である請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 前記第１の酸化物は、透明導電性酸化物であり、
    前記第２の酸化物は、絶縁性酸化物である請求項１または２に記載の表示装置。
17. 第１の酸化物を含む複数の第１の電極、および前記第１の酸化物に不純物が添加された第２の酸化物を含む分離部を有する酸化物層と、
    前記酸化物層に対向する第２の電極と、
    前記酸化物層と前記第２の電極の間に設けられた有機発光層と
    を備え、
    前記分離部は、面内方向に隣接する前記第１の電極の間に設けられ、前記面内方向に隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する発光装置。
18. 第１の酸化物を含む複数の第１の電極、および前記第１の酸化物とは組成比が異なる第２の酸化物を含む分離部を有する酸化物層と、
    前記酸化物層に対向する第２の電極と、
    前記酸化物層と前記第２の電極の間に設けられた有機発光層と
    を備え、
    前記分離部は、面内方向に隣接する前記第１の電極の間に設けられ、前記面内方向に隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する発光装置。
19. 複数の第１の電極、および分離部を有する酸化物層と、
    前記酸化物層に対向する第２の電極と、
    前記酸化物層と前記第２の電極の間に設けられた有機発光層と
    を備え、
    前記第１の電極の結晶性は、前記分離部の結晶性に比べて高く、
    前記分離部は、面内方向に隣接する前記第１の電極の間に設けられ、前記面内方向に隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する発光装置。
20. 請求項１から１６のいずれか１項に記載の表示装置を備える電子機器。