JP7725286B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、係る電子写真感光体を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

電子写真感光体（以下、単に「感光体」ともいう）に関わる電子写真プロセスは、主に帯電・露光・現像・転写の４つのプロセスから成り、必要に応じてクリーニングや前露光などのプロセスが加わる。これらの中でも露光プロセスは、感光体の電荷分布を制御し、感光体表面を所望の電位分布にする、静電潜像形成の肝となるプロセスである。

この露光プロセスにおいて、電子写真装置の画像濃度を制御する方法としてアナログ諧調方式とデジタル諧調方式の２つの方式が存在する。アナログ諧調方式は、トナー非現像部（所謂白ベタ）からトナー最大現像部（所謂黒ベタ）までの濃度諧調を表現する方式である。アナログ諧調方式では、露光量を調節することで感光体表面の平均電位を、多段階的な値にし、現像プロセス時の感光体へのトナー現像量を制御する。他方デジタル諧調方式では、濃度諧調は黒ベタ１ドットの面積率を制御することで表現する。従って、デジタル諧調方式の場合は光照射された１ドット領域内は常に黒ベタであり、発光時の光量を常に最大に固定し、光照射部の感光体表面電位を最小にすることで、光照射部のトナー現像量を最大にする。

近年の電子写真装置で用いられる半導体レーザはスポット径が小さいため、デジタル諧調方式が主流である。一方、半導体レーザは、一般的に、そのスポット径－光量分布が釣り鐘型となる。そして、半導体レーザの１／ｅ^２直径は典型的には数十μｍ～百μｍであり、これは典型的な電子写真装置の解像度３００ｄｐｉ、６００ｄｐｉ、１２００ｄｐｉの像における、それぞれの場合の１ドット長８４μｍ、４２μｍ、２１μｍと同程度である。従って、最大の光量で照射した場合であっても、１ドット中に、１／ｅ^２直径から外れた低い光量で照射された箇所が生じる。そのため、デジタル諧調方式を採用しても、実際にはデジタル諧調とアナログ諧調の両方が混ざっており、両者の比重は画像形成時の線数に左右される。低線数であるほど画像周波数が低く相対的にスポット径が小さくなるためデジタル諧調に近づき、逆に高線数であるほど画像周波数が高く相対的にスポット径が大きくなるためアナログ諧調に近づく。

電子写真装置に用いられる電子写真感光体は、支持体上に感光層などの各種の層を形成してなるものが一般的である。また、電子写真感光体としては、低価格及び高生産性の観点から、支持体上に形成される層の主成分が樹脂である有機感光体が近年普及しており、中でも高感度及び材料設計の多様性の利点から、感光層が積層型感光層である有機感光体が主流である。積層型有機感光体は、光導電性染料や光導電性顔料などの電荷発生物質を含有する電荷発生層と、光導電性高分子や光導電性低分子などの電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とが積層されて構成される。

ところが、積層型有機感光体の電荷輸送層は樹脂を主成分とするが、一般に樹脂自体の電気抵抗が高いため、電荷輸送層が露光により発生した電荷をトラップしやすい。また電荷輸送層と電荷発生層の界面でも、両層のエネルギー準位の差異などに起因する障壁により、やはり発生電荷がトラップされやすい。このため、一般に、積層型有機感光体では、十分強い光を照射しても、残ってしまう表面電位（以下、「残電」と呼称する）が高いという問題がある。この問題は、感光体への照射露光量Ｉ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］とその時の表面電位の絶対値Ｖ_ｅｘｐ［Ｖ］の関係性を示すグラフ（以下、「ＥＶカーブ」と呼称する）において確認される。さらに、やはり上記トラップに起因して、積層型有機感光体では、帯電電位が半減するときの露光量Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］付近でのＥＶカーブの直線性が、損なわれやすいという問題がある。

残電が低く０［Ｖ］に近いほど、デジタル諧調における黒ベタ１ドットは高濃度で安定する。他方、ＥＶカーブの直線性が高いほど、露光量調節と表面平均電位の関係の線型性が高くなり、すなわち、トナー現像量と露光量との関係も線型に近づき、アナログ諧調が良化する。
従って、上記積層型有機感光体の問題、すなわち、残電の高さ、及びそのＥＶカーブの直線性の悪さは、それぞれ、デジタル諧調性、アナログ諧調性を損なう要因であったといえる。

また、近年、有機感光体の感度を高めるために、顔料分散系電荷発生層が用いられる。顔料分散系電荷発生層においては、樹脂中に分散された顔料と樹脂との界面がさらに、電荷をトラップするため、積層型有機感光体の上記の問題は、特に顕著である。したがって、積層型有機感光体では低残電特性、ＥＶカーブの直線性、及び、高感度特性の全て満足させることは困難であった。

以上述べたように、デジタル諧調とアナログ諧調が混ざっている上記電子写真装置で良好な濃度諧調特性や文字品位を得るためには、デジタル諧調とアナログ諧調を両立させるような露光光量を設定する必要がある。その際、上記積層型有機感光体のＥＶカーブ上で、上記３特性（感度・残電・直線性）が満足されないと、そのような露光光量を設定することは難しい。特に、電子写真装置の小型化及び低コスト化の要求に応えるために省スペースの光学系や廉価なレーザチップを用いると、露光スポットが大きくなるため、アナログ諧調性が強くなる。そのような場合、アナログ諧調性を維持しながら低線数ハーフトーンのデジタル諧調特性や文字品位を高めることは困難であり、積層型有機感光体の改善による解決が求められている。

特許文献１には、チタニルフタロシアニンを用いた電荷発生層を４００［ｎｍ］の膜厚で形成することで、高感度でありながら、湿度変化の影響を受けにくい感光体を得られたことを記載する。この感光体は、絶対値が７００［Ｖ］の電位に帯電された感光体に波長が７８０［ｎｍ］で強度が０．１５［ｍＷ／ｃｍ^２］の光を照射したときの半減露光量が小さく、かつ、湿度変化に対して露光電位の変化が小さいことが記載されている。

特許文献２には、ＥＶカーブ上の半減露光量付近での直線性と、半減露光量の２倍程度の露光量での表面電位の値、及び感光層膜厚に依存して帯電電位と像露光量を決定する画像形成方法及び画像形成装置が記載されている。半減露光量の２倍程度の露光量での表面電位は残電に近い。したがって、特許文献２はＥＶカーブの直線性と残電から、適切な像露光量を文献中の式（１）によって決定する方法と言える。これにより、長寿命化を目的として感光層の膜厚を厚くした場合であっても、使用開始時から長期に渡って高解像度かつ高精細再現性を保つ感光体が実現される。

特許文献３には、帯電電位の絶対値が６００［Ｖ］の場合に、ＥＶカーブ上の半減露光量付近での直線性が高い感光体が記載されている。これにより、デジタル潜像を形成するドット１つ１つを忠実に現像でき、解像度や諧調性に優れる高画質な画像を高速で出力できる。

特許文献４には、表面電位を－５０［Ｖ］とするのに必要な露光量Ｅ_５０で半減露光量Ｅ_１／２を除した値が０．２５以上である感光体が記載されている。残電が低いほどＥ_５０は小さく、直線性が高いほどＥ_１／２は大きいため、これはＥＶカーブ上で残電が低く、かつ直線性が高いことを意味している。これにより、良好な表面電位減衰特性が得られ、画像の諧調性が高まる。

特許文献５には、ＥＶカーブ上の半減露光量～１／５露光量の範囲の直線性が高い感光体が記載されている。これにより、１ドット画素の静電荷像が安定して再現できる。

特開２０１４－１９７２３７号公報 特開２００７－２０６３４９号公報 特開２００３－１９５５７７号公報 特開２００２－０７２５２２号公報 特開２００１－１８３８５２号公報

本発明者らの検討によると、特許文献１～５に記載の電子写真感光体及び画像形成方法は、いずれもＥＶカーブ上の感度・残電・直線性の３特性を満足するための最適化が行われていない。近年、電子写真装置の小型化・低コスト化の要求により、レーザのスポット径を小さく出来ない。そのような中、高生産性を達成するための高速プロセスにおいてもアナログ諧調性を維持しながら低線数ハーフトーンのデジタル諧調特性や文字品位を如何に高めるかという課題は解決されていなかった。

したがって本発明の目的は、高速プロセスにおけるアナログ諧調性を維持しながら、低線数ハーフトーンのデジタル諧調特性や高い文字品位を示す電子写真感光体を提供することである。また、本発明の目的は、該電子写真感光体を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。

上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明にかかる電子写真感光体は、
支持体、該支持体上の下引き層、該下引き層上の電荷発生層、及び該電荷発生層上の電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電子写真感光体は、有機感光体であり、
該下引き層が、表面をシラン処理した、結晶構造がルチル型またはアナターゼ型酸化チタン粒子を含み、
該電荷発生層が、
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有し、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有すヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶：
（上記式（Ａ１）中、Ｒ ^０ は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）、または、
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶
を含み、
該電荷発生層の平均膜厚が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
該電荷輸送層が、電荷輸送物質と樹脂とを含有し、該電荷輸送層中の該電荷輸送物質と該樹脂との含有量比（質量比）が、８：１０～１２：１０であり、
温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、帯電電位がＶ_ｄ＝５００［Ｖ］のときの下記＜ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定法＞に従って得られる横軸がＩ_ｅｘｐで縦軸がＶ_ｅｘｐのＩ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフにおいて、該グラフのＶ_ｅｘｐ＝２５０［Ｖ］となるときの光量をＩ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］とし、該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００～３．４１４・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における、Ｓ＝Ｉ_ｅｘｐ・Ｖ_ｅｘｐで計算されるＳ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］の最大値をＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］～０．１００・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線とＩ_ｅｘｐ＝（５・Ｉ_１／２－０．１００）［μＪ／ｃｍ^２］～５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線の交点をＱとして、点Ｑの光量値をＩ_ｉ［μＪ／ｃｍ^２］、点Ｑの電位値をＶ_ｉ［Ｖ］、Ｉ_ｉとＶ_ｉの積をＳ_ｉ＝Ｉ_ｉ・Ｖ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、Ｓ_ｉとＳ_ｍａｘの比をＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとし、Ｖ_ｉをＩ_ｉで除した値をＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉ［Ｖ・ｃｍ^２／μＪ］とした場合に、Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０であることを特徴とする。

また、本発明にかかる電子写真感光体は、上記Ｉ_１／２とＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉとがＩ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０であることを特徴とする。

＜ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定法＞
（１）：該電子写真感光体の表面電位を０［Ｖ］にし、
（２）：該電子写真感光体の表面電位の絶対値がＶ_０［Ｖ］となるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させ、
（３）：帯電開始から０．０２秒後から、露光量がＩ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］となるように波長が８０５［ｎｍ］で強度が２５［ｍＷ／ｃｍ^２］の光でｔ秒間連続して帯電後の該電子写真感光体を露光し、
（４）：帯電開始から０．０６秒後に、露光後の該電子写真感光体の表面電位の絶対値を測定してＶ_ｅｘｐ［Ｖ］とする。
（５）：（１）～（４）の操作を、ｔを変えることにより、Ｉ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から０．８５０［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行い、それぞれのＩ_ｅｘｐに対応したＶ_ｅｘｐを得る。
（６）：（３）の操作でｔ＝０、Ｉ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］とした場合のＶ_ｅｘｐ［Ｖ］を帯電電位Ｖ_ｄ［Ｖ］と呼び、該Ｖ_ｄの値が５００［Ｖ］となるよう（２）の操作を行う際のＶ_０［Ｖ］を設定する。

本発明によれば、近年、電子写真装置の小型化・低コスト化の要求により、レーザのスポット径を小さく出来ず、デジタル諧調性とアナログ諧調性の両立が求められる中、高生産性を達成するための高速プロセスにおいてもアナログ諧調性を維持しながら低線数ハーフトーンのデジタル諧調特性や文字品位を高めた電子写真感光体、並びに、該電子写真感光体を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することができる。

従来の感光体のＥＶカーブにおけるアナログ諧調とデジタル諧調のバーター関係を示す概念図である。 本発明のＥＶカーブの規定を満たす感光体のＥＶカーブにおいてはアナログ諧調とデジタル諧調が両立可能であることを示す概念図である。 従来の感光体のＥＶカーブにおけるＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とＳ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］を示す概念図である。 本発明の感光体のＥＶカーブにおけるＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とＳ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］を示す概念図である。 アナログ諧調とデジタル諧調の説明と、１ドットのサイズと露光スポット径との大小関係によって実際の諧調におけるアナログ諧調とデジタル諧調の混ざり方の割合が変化することを説明する図である。 ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定に用いた装置の概略を示した図である。 本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。 電子写真感光体と帯電手段を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 本発明の評価に用いた諧調ディザパターンの例を示す図である。 本発明の感光体製造例１について、プロセススピード３００［ｍｍ／ｓ］で線数６００線の３２諧調ライン成長ディザパターンに関する面積率－規格化濃度グラフを測定した例を示す。 本発明の評価に用いた、面積率－規格化濃度グラフ上の「ハイライト諧調性」と「シャドウ諧調性」の算出方法を説明する図である。 本発明の評価に用いた１ドット４スペースのハーフトーンを示す図である。

以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。なお、本明細書中では、電圧は、絶対値で示す。
本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上の下引き層、該下引き層上の電荷発生層、及び該電荷発生層上の電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
該電子写真感光体は、有機感光体であり、
該下引き層が、表面をシラン処理した、結晶構造がルチル型またはアナターゼ型酸化チタン粒子を含み、該電荷発生層が、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有し、結晶中に前記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有すヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶：
（上記式（Ａ１）中、Ｒ ^０ は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）、または、
ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶
を含み、
該電荷発生層の平均膜厚が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
該電荷輸送層が、電荷輸送物質と樹脂とを含有し、該電荷輸送層中の該電荷輸送物質と該樹脂との含有量比（質量比）が、８：１０～１２：１０であり、温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、帯電電位がＶ_ｄ＝５００［Ｖ］のときの下記＜ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定法＞に従って得られる横軸がＩ_ｅｘｐで縦軸がＶ_ｅｘｐのＩ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフにおいて、該グラフのＶ_ｅｘｐ＝２５０［Ｖ］となるときの光量をＩ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］とし、該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００～３．４１４・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における、Ｓ＝Ｉ_ｅｘｐ・Ｖ_ｅｘｐで計算されるＳ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］の最大値をＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］～０．１００・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線とＩ_ｅｘｐ＝（５・Ｉ_１／２－０．１００）［μＪ／ｃｍ^２］～５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線の交点をＱとして、点Ｑの光量値をＩ_ｉ［μＪ／ｃｍ^２］、点Ｑの電位値をＶ_ｉ［Ｖ］、Ｉ_ｉとＶ_ｉの積をＳ_ｉ＝Ｉ_ｉ・Ｖ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、Ｓ_ｉとＳ_ｍａｘの比をＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとし、Ｖ_ｉをＩ_ｉで除した値をＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉ［Ｖ・ｃｍ^２／μＪ］とした場合に、Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０であることを特徴とする電子写真感光体に関する。

また、本発明にかかる電子写真感光体は、上記Ｉ_１／２とＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉとがＩ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０であることを特徴とする電子写真感光体に関する。

＜ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定法＞
（１）：該電子写真感光体の表面電位を０［Ｖ］にし、
（２）：該電子写真感光体の表面電位の絶対値がＶ_０［Ｖ］となるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させ、
（３）：帯電開始から０．０２秒後から、露光量がＩ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］となるように波長が８０５［ｎｍ］で強度が２５［ｍＷ／ｃｍ^２］の光でｔ秒間連続して帯電後の該電子写真感光体を露光し、
（４）：帯電開始から０．０６秒後に、露光後の該電子写真感光体の表面電位の絶対値を測定してＶ_ｅｘｐ［Ｖ］とする。
（５）：（１）～（４）の操作を、ｔを変えることにより、Ｉ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から０．８５０［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行い、それぞれのＩ_ｅｘｐに対応したＶ_ｅｘｐを得る。
（６）：（３）の操作でｔ＝０、Ｉ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］とした場合のＶ_ｅｘｐ［Ｖ］を帯電電位Ｖ_ｄ［Ｖ］と呼び、Ｖ_ｄの値が５００［Ｖ］となるよう（２）の操作を行う際のＶ_０［Ｖ］を設定する。

さらに本発明は、上記の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ、に関する。
さらに本発明は、上記の電子写真感光体と、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置、に関する。

本発明者らが検討したところ、従来技術の感光体は、ＥＶカーブ上で、感度・残電・直線性の３特性を高いレベルで満足していない。近年、電子写真装置の小型化・低コスト化の要求により、レーザのスポット径を小さく出来ない。そのような、高生産性を達成するための高速プロセスにおいてもアナログ諧調性を維持しながら低線数ハーフトーンのデジタル諧調特性や文字品位を高めることは達成されていなかった。
また、従来技術においては、上記の目的に照らすとＥＶカーブ上の感度・残電・直線性の３特性を高いレベルで満足させるための規定の仕方が不十分であった。さらにＥＶカーブを測定するための基礎特性評価手段も、近年及び将来予測される高速プロセスを達成するには、満足できるものではなかった。

そこで本発明者らは、ＥＶカーブ上の感度・残電・直線性の３特性について、最適なバランスを保って規定した。またそのためのＥＶカーブを適切に測定し、上記課題を解決するためには、感光体を以下のように規定及び測定し設計すればよいことを見出した。

＜感光体の設計＞
アナログ諧調とデジタル諧調の両立という目的を達成するために、感光体は、高感度・低残電・高直線性の３特性を、最適バランスを維持しながら高いレベルで達成することが必要であった。

（ＥＶカーブとアナログ諧調及びデジタル諧調の安定性との関係について）
図１に、従来感光体のＥＶカーブにおけるアナログ諧調とデジタル諧調のバーター関係について示す。アナログ諧調を良化させるためには、光量を振った場合の表面電位の変化を線型に近づけることが必要である。そのためには図１中のＥＶカーブにおいて、（ａ）低光量を像露光量に選べばよい。ＥＶカーブの（ａ）低光量を拡大して図１の（ａ）に示す。この拡大図から、ＥＶカーブを、一定の像露光量毎に分割（光量等分）すると、対応する表面電位も比較的等分に近く分割されることが分かる。従って、低光量ではアナログ諧調は比較的良化する。対して（ｂ）高光量を像露光量に選んだ場合の、ＥＶカーブを、拡大して、（ｂ）に示す。この拡大図から、ＥＶカーブを、光量等分すると、対応する表面電位は、等分から遠い分割となることが分かる。従って、高光量においては、アナログ諧調は悪化する。

他方、デジタル諧調を良化させるためには、１ドットが濃く安定していることが必要である。そのため、図１中のＥＶカーブにおいて（ｂ）高光量を像露光量に選べばよい。この場合、図１に示すようにＥＶカーブの傾きの絶対値が小さいため、光量振れに対して表面電位変化が安定し、結果として１ドットが安定する。対して（ａ）低光量を像露光量に選ぶと、図１に示すようにＥＶカーブの傾きの絶対値が大きいため、光量振れに対して表面電位が不安定化し、結果として１ドットが不安定となる。

以上で述べたように、ＥＶカーブ上の、どの光量を像露光量に選ぶかについて、アナログ諧調とデジタル諧調は一般にバーターの関係にある。

一方、図１の従来感光体のＥＶカーブでは、（ａ）低光量を像露光量とした場合の、光量と表面電位との線型性は十分ではなく、（ｂ）高光量を像露光量とした場合において、光量振れに対する表面電位の安定は十分ではなく、また、残電は高い。

次に図２には、本発明の感光体のＥＶカーブにおけるアナログ諧調とデジタル諧調の関係について示す。本発明の感光体は残電が低く直線性も高いため、低光量側から高光量側へＥＶカーブが変化する際の屈曲が急峻である。そのため、図１で示したアナログ諧調に有利な（ａ）低光量の領域とデジタル諧調に有利な（ｂ）高光量の領域とを接近させることができる。図２に示すように、両領域が接近したＥＶカーブでは、低光量の領域ではＥＶカーブの線型性が高いため、像露光量の変化を等分したときに対応する表面電位の変化も等分に近くなる。また同時に、高光量の領域において、光量振れに対する１ドットの安定性も高い。加えて残電が低いため、アナログ諧調に使える表面電位の上下限幅（以下、「潜像コントラスト」と呼称する）が大きくなり、これもアナログ諧調の良化に寄与する。さらに潜像コントラストが拡大し１ドット濃度が濃く安定するため、デジタル諧調良化にも寄与する。

後述するＮＥＳＡ－ＥＶカーブは感光体ごとに測定され、プロセスに依存しないが、レーザビームプリンタの中で測定されるＥＶカーブは、プロセスにも依存する。特にプロセススピードが速いと、感光体内の光発生キャリアの移動度が遅い場合にはＥＶカーブが悪化する。また、プロセススピードの高速化やレーザビームの複数化などによって像露光光の照射時間が短く、あるいは照射回数が少なくなると、感光体内の光発生キャリアの単位時間・単位体積当たりの密度が大きくなる。このため、層界面やバルク中のトラップが多い場合にはＥＶカーブが悪化する（これを感光体の「相反則不軌」特性と言う）。これらの問題を避けるためには、光発生キャリアの移動度が早く、かつ該トラップが少ない必要があり、高感度な感光体はこれら条件を満たす。したがって、近年及び将来の高速プロセスにおいてアナログ諧調とデジタル諧調を安定して両立させるには、本発明の感光体はＥＶカーブ上の低残電と高直線性に加えて高感度も満たす必要がある。

（ＥＶカーブの規定について）
本発明においては、ＥＶカーブとして、ＮＥＳＡ－ＥＶカーブが用いられる。ＮＥＳＡ－ＥＶカーブは、以下のＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定方法によって取得されるＩ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフである。本発明において、各特性値は以下のように定められる。帯電電位がＶ_ｄ＝５００［Ｖ］のときのＮＥＳＡ－ＥＶカーブにおいて、該グラフのＶ_ｅｘｐ＝２５０［Ｖ］となるときの光量をＩ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］とする。Ｓ＝Ｉ_ｅｘｐ・Ｖ_ｅｘｐと定める。該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００～３．４１４・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲におけるＳ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］の最大値をＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とする。該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］～０．１００・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線を求める。Ｉ_ｅｘｐ＝（５・Ｉ_１／２－０．１００）［μＪ／ｃｍ^２］～５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線を求める。これら２つの近似直線の交点をＱとする。点Ｑの光量値をＩ_ｉ［μＪ／ｃｍ^２］、点Ｑの電位値をＶ_ｉ［Ｖ］とし、Ｉ_ｉとＶ_ｉの積をＳ_ｉ＝Ｉ_ｉ・Ｖ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とする。ＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとし、ＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉ［Ｖ・ｃｍ^２／μＪ］と定める。

図３に、従来感光体のＥＶカーブにおけるＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とＳ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］を示した概念図を示す。

Ｓ_ｍａｘは、露光量がＩ_ｅｘｐ＝０．０００～３．４１４・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における、Ｓ＝Ｉ_ｅｘｐ・Ｖ_ｅｘｐで計算されるＳ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］の最大値を意味する。このとき、Ｉ_１／２は半減露光量であり、Ｖ_ｅｘｐはＩ_ｅｘｐの光量で露光したときの表面電位の絶対値である。「３．４１４」は、次のように説明される。下凸の二次関数上の、任意の点（ｘ、ｙ）と頂点（ｘ_０、ｙ_０）及びそれら２点のｙ座標値の中間値を取る点（ｘ_１、ｙ_１＝（ｙ＋ｙ_０）／２）を考える。この場合の、（ｘ、０）から（ｘ_１、０）までの距離（半減露光量に対応する）と（ｘ、０）から（ｘ_０、０）までの距離（残電露光量に対応する）の比が３．４１４である。どのような下凸の二次関数についても常に（ｘ_０－ｘ）／（ｘ_１－ｘ）＝２／（２－√２）≒３．４１４となる。従って、Ｉ_ｅｘｐ＝０．０００～３．４１４・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲において、Ｓ_ｍａｘは低感度かつ高直線性かつ低残電であるほど大きい。

他方Ｓ_ｉは、次のように定義される。Ｉ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］～０．１００・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線とＩ_ｅｘｐ＝（５・Ｉ_１／２－０．１００）［μＪ／ｃｍ^２］～５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線の交点をＱとする。点Ｑの光量値をＩ_ｉ［μＪ／ｃｍ^２］、点Ｑの電位値をＶ_ｉ［Ｖ］とした場合のＩ_ｉとＶ_ｉの積がＳ_ｉである。この定義から、Ｓ_ｉは高感度かつ低残電であるほど小さい。

このようにして定義されるＳ_ｍａｘとＳ_ｉの比：ＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘを考える。感度は、Ｓ_ｉとＳ_ｍａｘに、逆方向の影響を及ぼす。そのため、感度はＡＲの大小にはあまり影響を与えない。よって、ＡＲは低残電あるいは高直線性であるほど小さく、感度からの影響は比較的小さい。また、Ｓ_ｉの縦と横の比：ＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉを考えると、その定義からＬＲ_ｉは低感度かつ高直線性かつ低残電であるほど小さいが、特に低残電であることが強く影響する。

本発明者らは、以上に述べたＩ_１／２とＡＲとＬＲ_ｉとが以下の規定、
（Ａ）Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０を満たすか、あるいは
（Ｂ）Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０を満たすことが、高感度・低残電・高直線性の３特性を、アナログ諧調とデジタル諧調の両立という目的に対して最適バランスを維持しながら高いレベルで達成するために最適であることを見出した。本発明の感光体のＥＶカーブであって、この規定を満たすＥＶカーブの概念図を図４に示す。図４から明らかな様に、低残電かつ高直線性を満たせばＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉは共に小さくなる。また、特に低残電の影響が大きいことも分かる。

（Ａ）のＩ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０という規定は、低残電よりも高直線性への寄与が（Ｂ）のＩ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０という規定よりも大きい。すなわち、（Ａ）または（Ｂ）に示すように低残電と高直線性が互いを補いながら高感度とバランスを保てば、本発明の目的が達成されることを意味している。

近年の電子写真装置の小型化・低コスト化の要求により、レーザのスポット径を小さく出来ない状況においては、図５に示すようにアナログ諧調性が強くなる。図５中（ａ）（ｂ）（ｃ）は、１ドットが４２μｍ×４２μｍ、６００ｄｐｉのパターンを示す。（ａ）はアナログ諧調（マクロな平均電位で制御した場合）、（ｂ）はデジタル諧調（ミクロな面積率で制御した場合）、（ｃ）はレーザのスポット径を十分制御できない場合に得られるパターンの例を示す。（ｄ）はレーザのスポット径‐光量分布の模式図である。スポット径が大きい場合は、アナログ諧調性が高く、スポット径が小さい場合は、デジタル諧調性が高い。その場合、低残電性をより反映するＬＲ_ｉの規定はアナログ諧調性を維持しながら低線数ハーフトーンのデジタル諧調特性や文字品位を高めるために特に重要となる。

（ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定方法）
ＮＥＳＡ－ＥＶカーブは、次の測定方法によって取得される。なお、当技術分野において、ＥＶカーブは特定のプロセス条件のレーザビームプリンタの中で測定されることが比較的一般的である。一方、ＮＥＳＡ－ＥＶカーブは、プリンタ中で測定するのではなく、以下に説明するように、感光体のみについて特定の条件で測定を行うものであり、感光体ごとに定められる。

ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定は、温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、帯電電位をＶ_ｄ＝５００［Ｖ］として、下記のように行う。
（１）：電子写真感光体の表面電位を０［Ｖ］にし、
（２）：該電子写真感光体の表面電位の絶対値がＶ_０［Ｖ］となるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させ、
（３）：帯電開始から０．０２秒後から、露光量がＩ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］となるように波長が８０５［ｎｍ］で強度が２５［ｍＷ／ｃｍ^２］の光でｔ秒間連続して帯電後の該電子写真感光体を露光し、
（４）：帯電開始から０．０６秒後に、露光後の該電子写真感光体の表面電位の絶対値を測定してＶ_ｅｘｐ［Ｖ］とする。
（５）：（１）～（４）の操作を、ｔを変えることにより、Ｉ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から０．８５０［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行い、それぞれのＩ_ｅｘｐに対応したＶ_ｅｘｐを得る。
（６）：（３）の操作でｔ＝０、Ｉ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］とした場合のＶ_ｅｘｐ［Ｖ］を帯電電位Ｖ_ｄ［Ｖ］と呼び、Ｖ_ｄの値が５００［Ｖ］となるよう（２）の操作を行う際のＶ_０［Ｖ］を設定する。

ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定系の、具体的な例を説明する。ただし、ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定方法が実行できれば、必ずしも、以下の方法に限定されない。

表面を１，０００［Ω／ｓｑ］以下のシート抵抗となるように透明ＩＴＯ電極で蒸着した、全面光学研磨の透明石英ガラスを用意する（以下、「ＮＥＳＡガラス」と呼称する）。図６に示すように、表面を透明ＩＴＯ電極２０４で蒸着したＮＥＳＡガラス２０２に感光体２０１の表面を密着させる。この際、確実に密着するよう、ＮＥＳＡガラス２０２と感光体２０１の間にグリセリンを介在させる。なお、感光体が平板形状であれば平滑ＮＥＳＡガラスを用い、感光体が円筒形状であれば図６に示すような湾曲ＮＥＳＡガラスを用いる。この状態でＮＥＳＡガラスに高圧電源２０５によって電圧を印加することで感光体表面を帯電させることができる。また、ＮＥＳＡガラスの下面から波長が８０５［ｎｍ］で強度が２５［ｍＷ／ｃｍ^２］の平面光を照射することで感光体表面を露光２０３して表面電位を光減衰させることができる。

上記の測定系を用いることで、２５［ｍＷ／ｃｍ^２］の光を、短時間かつ１回のみ感光体に照射しつつ、同時に近年あるいは将来予想される電子写真装置のプロセススピードよりも速いサイクルで帯電や露光を繰り返すことが可能となる。２５［ｍＷ／ｃｍ^２］の光とは、近年あるいは将来予想される電子写真装置で感光体に照射される露光光よりも強い。これにより、０．００１［μＪ／ｃｍ^２］刻みの光量の大量のデータを安定的に、かつ簡便に取得して本発明の感光体のＮＥＳＡ－ＥＶカーブと、そこから計算される特性値を得ることができる。また同時に、この測定系を用いて実現される上記測定方法によって、近年あるいは将来に渡り、プロセススピードが高速化し、露光照射時間が短時間した場合にも感光体特性の評価が可能である。さらに、現在主流のレーザ走査光学系からＬＥＤアレイへと露光方法が変化したときの露光回数の減少にも対応して、感光体特性を評価できる。特に強度が２５［ｍＷ／ｃｍ^２］での短時間かつ１回露光という光照射条件は、感光体の相反則不軌特性を鑑みても、将来に渡り十分に厳しいＥＶカーブ測定方法である。

［電子写真感光体］
本発明の電子写真感光体は、支持体、支持体の電荷発生層、及び該電荷発生層上の電荷輸送層を有する有機感光体である。電荷発生層は電荷発生物質を含み、電荷輸送層は電荷輸送物質を含む。有機感光体とは、支持体上に形成される層の主成分が樹脂である感光体を指す。図７は、電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。図７中、１０１は支持体であり、１０２は下引き層であり、１０３は電荷発生層であり、１０４は電荷輸送層であり、１０５は感光層である。本発明において、１０２の下引き層は無くてもよい。

また、本発明の感光体は、温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、帯電電位がＶ_ｄ＝５００［Ｖ］のときの上記＜ＥＶカーブの測定法＞に従って得られる横軸がＩ_ｅｘｐで縦軸がＶ_ｅｘｐのＩ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフにおいて、
該グラフのＶ_ｅｘｐ＝２５０［Ｖ］となるときの光量をＩ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］とし、
該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００～３．４１４・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における、Ｓ＝Ｉ_ｅｘｐ・Ｖ_ｅｘｐで計算されるＳ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］の最大値をＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、
該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］～０．１００・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線とＩ_ｅｘｐ＝（５・Ｉ_１／２－０．１００）［μＪ／ｃｍ^２］～５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線の交点をＱとして、点Ｑの光量値をＩ_ｉ［μＪ／ｃｍ^２］、点Ｑの電位値をＶ_ｉ［Ｖ］、Ｉ_ｉとＶ_ｉの積をＳ_ｉ＝Ｉ_ｉ・Ｖ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、
Ｓ_ｉとＳ_ｍａｘの比をＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとし、
Ｖ_ｉをＩ_ｉで除した値をＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉ［Ｖ・ｃｍ^２／μＪ］とした場合に、
（Ａ）Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０となるか、または
（Ｂ）Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０となる
ことが必要である。

また、ドット面積率の小さいハイライト側の画像とドット面積率の大きいシャドウ側の画像の両方を良化させる観点から、上記（Ａ）と（Ｂ）を両方満たすようＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０となっていることが好ましい。ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０であると、レーザのスポット径が８０μｍで印刷スピードが１００ｐｐｍ（５００ｍｍ／ｓｅｃ）相当の高速プロセスでも低残電と高直線性のバランスがさらに良くなる。その結果、ハイライト側とシャドウ側の諧調性が共に良化する。

さらに、高線数のシャドウ側の画像をさらに良化させて小フォントサイズ白抜き文字の再現性を上げる観点から、前記ＡＲ≦０．１００を満たすことがより好ましい。ＡＲ≦０．１００であると、レーザのスポット径が８０μｍで印刷スピードが１００ｐｐｍ（５００ｍｍ／ｓｅｃ）相当の高速プロセスでもシャドウ側の６ｐｔの白抜き文字の視認性が向上する。

他方、低線数のハイライト側の画像をさらに良化させて通常の小フォントサイズ文字の再現性を上げる観点から、前記ＬＲ_ｉ≦６０を満たすことがより好ましい。ＬＲ_ｉ≦６０であると、レーザのスポット径が８０μｍで印刷スピードが１００ｐｐｍ（５００ｍｍ／ｓｅｃ）相当の高速プロセスでもハイライト側の３ｐｔの白抜き文字の視認性が向上する。

また、省エネルギー化などの目的で帯電電位を低く設定した場合の孤立１ドットの再現性を上げる観点から、前記Ｉ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフ上のＩ_ｅｘｐ＝５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］におけるＶ_ｅｘｐの値Ｖ_ｒ［Ｖ］がＶ_ｒ≦７０であることが好ましい。さらにはＶ_ｒ≦１０であることがより好ましい。Ｖ_ｒ≦７０であると、レーザのスポット径８０μｍで印刷スピードが１００ｐｐｍ（５００ｍｍ／ｓｅｃ）相当の高速プロセスでもＶ_ｄ＝４５０［Ｖ］での孤立１ドットの再現性が上がり、Ｖ_ｒ≦１０であると孤立１ドットパターンの濃度がさらに濃くなる。

本発明の電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。

以下、支持体及び各層について説明する。
＜支持体＞
本発明において、電子写真感光体は、支持体を有する。支持体は導電性を有する導電性の支持体であることが好ましい。また、支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、シート状などが挙げられ、中でも、円筒状の支持体であることが好ましい。また、支持体の表面は、ブラスト処理、切削処理などを施されてもよい。
支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラスなどが好ましい。
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金などが挙げられ、中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製の支持体であることが好ましい。
また、材質が樹脂やガラスである場合は、導電性材料を混合又は被覆するなどの処理によって、導電性を付与してもよい。

本発明の支持体は、酸化剤を含む酸性液体中において支持体の表面を陽極酸化して用いても良い。この場合、陽極酸化処理には、例えば、硫酸、クロム酸などの無機酸やシュウ酸、スルホン酸などの有機酸を電解液として用いることができる。印加電圧、電流密度、処理温度、時間などの条件は、上記電解液の種類や膜厚に応じて選択できる。また、本発明の電子写真感光体に用いられる陽極酸化された表面は電解処理した後、封孔処理が施されてもよい。封孔処理としては熱水処理、水蒸気処理、酢酸ニッケルやフッ化ニッケルなどの各種封孔剤を用いた処理でもよいが、効率よく微細孔を封孔処理できる酢酸ニッケルを用いた処理が好ましい。

＜導電層＞
本発明において、支持体の上に導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる。
導電層は、導電性粒子と樹脂とを含有することが好ましい。

導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウムなどの元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。ドープする元素やその酸化物としては、リン、アルミニウム、ニオブ、タンタルなどが挙げられる。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズ、酸化チタンなどの金属酸化物が挙げられる。
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒子径が、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などをさらに含有してもよい。

導電層の平均膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。

導電層は、上記の各材料及び溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を下層あるいは支持体上に形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。

＜下引き層＞
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。
下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。
重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物構造、炭素－炭素二重結合などが挙げられる。

また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などをさらに含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが好ましい。
特に、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子、及び樹脂の選択、それらの配合比などの制御が重要である。これらの適切な選択と制御と、かつ、下引き層の上の感光層の適切な選択により、電荷発生層で発生した光キャリアをスムーズに支持体側へ流し、本発明のＥＶカーブの規定を満たす感光体を得られる。
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。電子輸送物質として、重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上記重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミなどが挙げられる。中でも、表面をシラン処理した、結晶構造がルチル型またはアナターゼ型酸化チタン粒子が、本発明の電荷発生層で発生した光キャリアをスムーズに支持体側へ流す観点から好ましい。表面のシラン処理は、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン及びビニルメチルジメトキシシランから選択される少なくとも１種の化合物が用いられることが好ましい。シラン処理して疎水性を付与することで水分吸着によるキャリア移動阻害を抑制でき、ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン粒子とすることでキャリアトラップを抑制できる。また、キャリア移動阻害をさらに抑制する観点から、該酸化チタン粒子は光触媒活性の弱いルチル型であることがより好ましく、さらにルチル化率９０％以上であることが好ましい。加えて、酸化チタン粒子の導電性が結着樹脂により阻害されないようにする観点から、酸化チタン粒子と結着樹脂の体積比（結着樹脂の体積に対する酸化チタン粒子の体積）は、０．２以上であることが好ましい。０．２未満であると光キャリアのスムーズな移動が結着樹脂により阻害される場合がある。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。

下引き層の平均膜厚は、０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、０．３μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

下引き層は、上記の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を下層あるいは支持体上に形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

＜電荷発生層＞
電荷発生層は、電荷発生物質と樹脂とを含有することが必要である。
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられる。これらの中でも、本発明に必要な高い感度を得られやすいという観点から、フタロシアニン顔料が好ましい。

電荷発生物質としてフタロシアニン顔料とアゾ顔料と比較すると、アゾ顔料はその電荷発生位置が電荷発生層と電荷輸送層の界面にある界面型であるのに対し、フタロシアニン顔料はその電荷発生位置が電荷発生層のバルクにあるバルク型である（参考文献：梅田実『積層有機感光体におけるＥｘｔｒｉｎｓｉｃ型の光キャリア発生過程とその速度論』日本化学会誌，１９９６，Ｎｏ．１１，ｐｐ．９３２－９３７）。したがって電荷発生物質としてフタロシアニン顔料を使うと、アゾ顔料に比べて電荷発生層膜厚を厚くすることで、光発生キャリア量を稼ぎやすい。その結果、フタロシアニン顔料を電荷発生物質として使うと、本発明の高感度の高感光体が得られやすい。

フタロシアニン顔料の中でも、安定して高い光感度が得られることから、チタニルフタロシアニン顔料、あるいはヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましい。また、特開２０００－１３７３４０号公報に記載の、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、または、特開２０００－１３７３４０号公報に記載の、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶がより好ましい。これらの中でも特に、特開２０１８－１８９６９２号公報の実施例に記載の、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。
（上記式（Ａ１）中、Ｒ^０は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）
これは、感度を高めつつ、樹脂中に分散された顔料と樹脂との界面が電荷トラップとなることを防いで残電を低くする観点に基づく。

上述の結晶中に上記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、結晶粒子のサイズが電荷発生層膜厚程度の大きさに揃っている。この理由についても特開２０１８－１８９６９２号公報に記載される。このため、特開２０１８－１８９６９２号公報に記載のオンサーガーの式で決まる量子効率、及び、ランベルト・ベールの式で決まる光吸収率を、高い値に両立させることが出来る。従って、感度を上げるために電荷発生層膜厚を厚くしすぎる必要が無く、厚膜化時に増加する傾向にある電荷発生物質（結晶粒子）と樹脂との界面トラップ量を抑制し、残電を低くすることが出来る。

電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。
また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤をさらに含有してもよい。添加剤として、具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。

電荷発生層の平均膜厚は、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以上０．３ｍ以下であることがより好ましい。

電荷発生層は、上記の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を下層または支持体上に形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。

＜電荷輸送層＞
電荷輸送層は、電荷輸送物質と樹脂とを含有することが必要である。

電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。

樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。

電荷輸送層は、電荷発生層で発生した光キャリアが電荷輸送層にスムーズに受け渡されるようにする観点から、イオン化ポテンシャルが電荷発生層と近いことが好ましい。特に電荷発生物質としてチタニルフタロシアニンやヒドロキシフタロシアニンを用いる場合、電荷輸送層のイオン化ポテンシャルは５．２ｅＶ以上５．５ｅＶ以下であることが好ましく、５．３ｅＶ以上５．４ｅＶ以下であることがより好ましい。イオン化ポテンシャルは５．２ｅＶ以上５．５ｅＶ以下であると、電荷発生層と電荷輸送層の界面にトラップが発生しにくく、残電が低くなる。イオン化ポテンシャルが５．２ｅＶより小さいとメモリ現象が悪化する場合があり、５．５ｅＶより大きいと残電が上がる場合があった。

また電荷輸送層は、発生した光キャリアを電荷輸送層内で素早く移動させる観点から、移動度が速いことが好ましい。このため、電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、６：１０～２０：１０が好ましく、８：１０～１２：１０がより好ましい。電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）が８：１０～１２：１０であると、電荷輸送層のバルクにトラップが発生しにくく、残電が低くなる。これよりも電荷輸送物質の含有量比を上げると、感光体の耐久性や製造安定性が低下する場合がある。

また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。添加剤として、具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。

電荷輸送層の平均膜厚は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上２３μｍ以下であることがより好ましく、１４μｍ以上２０μｍ以下であることが特に好ましい。

電荷輸送層は、上記の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を下層の上に形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。

＜保護層＞
本発明において、感光層の上に保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。

また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の重合反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーの重合性官能基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。

保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。添加剤として、具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。

保護層の平均膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。

保護層は、上記の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を下層の上に形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。

＜Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０を満たす電子感光体の各層の構成例＞
電子写真感光体が、Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０を満たすためには電子感光体の各層は以下の構成とすることが好ましい。すなわち、電子写真感光体は、特開２０１８－１８９６９２号公報の実施例に記載の、結晶中に前記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、または、特開２０００－１３７３４０号公報に記載の、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶を含む電荷発生層を有することが好ましい。中でも、特開２０１８－１８９６９２号公報の実施例に記載の、結晶中に前記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含む電荷発生層を有することが好ましい。また、電子写真感光体は、イオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．５ｅＶ以下である電荷輸送層を有することが好ましく、さらには、イオン化ポテンシャルが５．３ｅＶ以上５．４ｅＶ以下である電荷輸送層を有することが好ましい。
さらには、上述の電荷発生層と、電荷輸送層を合わせて有することが特に好ましい。
これは、樹脂中に分散された顔料と樹脂との界面が電荷トラップとなることを防ぐ電荷発生層と、電荷発生層と電荷輸送層の界面トラップを発生しにくくする電荷輸送層とを組み合わせることで、顔料で発生した光キャリアを電荷輸送層までスムーズに流れるようにする観点に基づく。
好ましい構成の一例として、特開２０１８－１８９６９２号公報の実施例に記載の、結晶中に前記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶と、イオン化ポテンシャルが５．３ｅＶ以上５．４ｅＶ以下である電荷輸送層を有する電子感光体を挙げられる。
ただし、以上で述べた構成例は例示であり、本発明の電子感光体は、Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０を満たせば、上記構成例に限定されない。

＜Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０を満たす電子感光体の各層の構成例＞
また、電子写真感光体が、Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０を満たすためには電子感光体の各層は以下の構成とすることが好ましい。電子写真感光体は、表面をシラン処理した、結晶構造がルチル型またはアナターゼ型酸化チタン粒子を含む下引き層を含むことが好ましい。中でも、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン及びビニルメチルジメトキシシランから選択される少なくとも１種の化合物で表面をシラン処理した、ルチル化率９０％以上のルチル型酸化チタン粒子を含み、酸化チタン粒子と結着樹脂の体積比（結着樹脂の体積に対する酸化チタン粒子の体積）が０．２以上である下引き層とを含むことが好ましい。また、電子感光体は、特開２０１８－１８９６９２号公報の実施例に記載の、結晶中に前記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、または、特開２０００－１３７３４０号公報に記載の、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶を含む電荷発生層を含むことが好ましい。中でも、特開２０１８－１８９６９２号公報の実施例に記載の、結晶中に前記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶含む電荷発生層を含むことが好ましい。また、電子写真感光体は、イオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．５ｅＶ以下である電荷輸送層を有することが好ましく、さらには、イオン化ポテンシャルが５．３ｅＶ以上５．４ｅＶ以下である電荷輸送層を有することが好ましい。
さらには、上述の下引き層と、電荷発生層と、電荷輸送層とのすべてを有することが特に好ましい。
これは、電荷発生層で発生した光キャリアをスムーズに支持体側へ流す下引き層と、樹脂中に分散された顔料と樹脂との界面が電荷トラップとなることを防ぐ電荷発生層と、電荷発生層と電荷輸送層の界面トラップを発生しにくくする電荷輸送層とを組み合わせることで、顔料で発生した正負の光キャリアの片方を電荷輸送層までスムーズに流れるにするとともに、それとは逆極性の光キャリアも支持体までスムーズに流れるようにする観点に基づく。
好ましい構成の一例として、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン及びビニルメチルジメトキシシランから選択される少なくとも１種の化合物で表面をシラン処理した、ルチル化率９０％以上のルチル型酸化チタン粒子を含み、酸化チタン粒子と結着樹脂の体積比（結着樹脂の体積に対する酸化チタン粒子の体積）が０．２以上である下引き層と、特開２０１８－１８９６９２号公報の実施例に記載の、結晶中に前記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含む電荷発生層と、イオン化ポテンシャルが５．３ｅＶ以上５．４ｅＶ以下である電荷輸送層を有する電子感光体を挙げられる。ただし、以上で述べた構成例は例示であり、本発明の電子感光体は、Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０を満たせば、上記構成例に限定されない。

［プロセスカートリッジ及び電子写真装置］
図８に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。図８において、１は円筒状（ドラム状）の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から像露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。像露光光４は、例えば、スリット露光やレーザビーム走査露光などの露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像（正規現像又は反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写される。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材７が紙である場合、転写材７は給紙部（不図示）から取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に電子写真感光体１の回転と同期して給送される。

電子写真感光体１からトナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離された後、定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。転写材７にトナー像を転写した後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９により、残存するトナー（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。近年開発されているクリーナレスシステムにより、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段３が帯電ローラなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成することができる。さらに、このプロセスカートリッジは電子写真装置の本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９から選択される少なくとも１つを電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化することができる。さらに、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。像露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンタである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。又は、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザビームの走査、ＬＥＤアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。

本発明の電子写真感光体１は、レーザビームプリンタ、ＣＲＴプリンタ、ＬＥＤプリンタ、ＦＡＸ、液晶プリンタ及びレーザ製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。

以下、実施例及び比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。
実施例及び比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、電荷発生層を除き、渦電流式膜厚計（Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ（商標）、フィッシャーインスツルメント製）を用いる方法、又は、単位面積当たりの質量から比重換算する方法で求めた。電荷発生層の膜厚は、次のように求められた。すなわち、感光体の表面に分光濃度計（商品名：Ｘ－Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ－Ｒｉｔｅ製）を押し当ててマクベス濃度値を測定した。マクベス濃度値と断面ＳＥＭ画像観察による膜厚測定値から予め取得した校正曲線を用いて、測定されたマクベス濃度値から膜厚を算出した。

＜導電層用塗布液の調製＞
［酸化チタン粒子の製造例］
基体として、一次粒径の平均が２００ｎｍのアナターゼ型酸化チタンを使用し、チタンをＴｉＯ_２換算で３３．７部、ニオブをＮｂ_２Ｏ_５換算で２．９部含有するチタンニオブ硫酸溶液を調製した。基体１００部を純水に分散して１０００部の懸濁液とし、６０℃に加温した。チタンニオブ硫酸溶液と１０ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウムとを懸濁液のｐＨが２～３になるよう３時間かけて同時に滴下した。全量滴下後、ｐＨを中性付近に調整し、ポリアクリルアミド系凝集剤を添加して固形分を沈降させた。上澄みを除去し、ろ過及び洗浄し、１１０℃で乾燥し、凝集剤由来の有機物をＣ換算で０．１ｗｔ％含有する中間体を得た。この中間体を窒素中７５０℃で１時間焼成を行った後、空気中４５０℃で焼成して、酸化チタン粒子を作製した。得られた粒子は前述の走査電子顕微鏡を用いた粒径測定方法において、平均粒径（平均一次粒径）２２０ｎｍであった。

［導電層用塗布液１の調製］
結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ－３２５、ＤＩＣ製、樹脂固形分：６０％、硬化後の密度：１．３ｇ／ｃｍ^２）５０部を、溶剤としての１－メトキシ－２－プロパノール３５部に溶解させて溶液を得た。
この溶液に酸化チタン粒子の製造例で得られた酸化チタン粒子を７５部加え、これを分散媒体とした。これを平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズ１２０部を用いた縦型サンドミルに入れ、分散液温度２３±３℃、回転数１５００ｒｐｍ（周速５．５ｍ／ｓ）の条件で４時間分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液に、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ ＰＡＩＮＴ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、東レ・ダウコーニング製）０．０１部、及び、表面粗さ付与材としてシリコーン樹脂粒子（商品名：ＫＭＰ－５９０、信越化学工業製、平均粒径：２μｍ、密度：１．３ｇ／ｃｍ^３）８部を添加して攪拌し、ＰＴＦＥ濾紙（商品名：ＰＦ０６０、アドバンテック東洋製）を用いて加圧ろ過することによって、導電層用塗布液１を調製した。

［導電層用塗布液２の調製］
酸化スズで被覆されている硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ－３２５、ＤＩＣ製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング製）０．０１５部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル・ジャパン製）３．６部、２－メトキシ－１－プロパノール５０部、及び、メタノール５０部をボールミルに入れ、２０時間分散処理して、導電層用塗布液２を調製した。

［導電層用塗布液３の調製］
酸化亜鉛粒子（平均一次粒子径：５０ｎｍ、比表面積：１９ｍ^２／ｇ、粉体抵抗：１．０×１０^７Ω・ｃｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部に攪拌しながら混合した。これに表面処理剤としてＮ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ－６０２、信越化学製）０．７５部を添加し、２時間攪拌しながら混合した。その後、トルエンを減圧留去して、３時間１２０℃で乾燥させることによって、表面処理された酸化亜鉛粒子を得た。
次に、酸化チタン粒子（商品名：ＪＲ－４０５、平均一次粒子径：２１０ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン０．７５部を添加し、２時間攪拌した。その後、トルエンを減圧留去して、３時間１２０℃で乾燥させることによって、表面処理された酸化チタン粒子を得た。
続いて、上記表面処理された酸化亜鉛粒子１００部、上記表面処理された酸化チタン１２部、下記式（Ａ２）
で示されるブロック化されたイソシアネート化合物（商品名：スミジュール３１７５、固形分：７５質量％、住化バイエルウレタン製）３０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ－１、積水化学工業製）１５部、２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン（東京化成工業製）１部を、メチルエチルケトン７０部とシクロヘキサノン７０部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。
この分散液を、平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて２３℃雰囲気下、回転数１，５００ｒｐｍで３時間分散処理した。分散処理後、得られた分散液からメッシュでガラスビーズを取り除き、架橋ポリメタクリル酸メチル粒子（商品名：ＳＳＸ－１０３、平均粒径：３μｍ、積水化学工業製）７部と、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング製）０．０１部を添加して攪拌することで、導電層用塗布液３を調製した。

［導電層用塗布液４の調製］
酸化亜鉛（平均一次粒子径：７０ｎｍ、比表面積：１５ｍ^２／ｇ、テイカ製試作品）１００部をトルエン５００部に攪拌しながら混合した。これに表面処理剤としてシランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ６０３、信越化学製）１．２５部を添加し、２時間撹拌しながら混合した。その後、トルエンを減圧留去して、２時間１５０℃で乾燥させることによって、表面処理された酸化亜鉛粒子を得た。
続いて、上記表面処理された酸化亜鉛粒子６０部、上記式（Ａ２）で示されるブロック化されたイソシアネート化合物（商品名：スミジュール３１７５、固形分：７５質量％、住化バイエルウレタン製）１３．５部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ－１、積水化学工業製）１５部を、メチルエチルケトン８５部に加えて分散液を調製した。
この分散液を、平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて２３℃雰囲気下、回転数１，５００ｒｐｍで２時間分散処理した。分散処理後、得られた分散液からメッシュでガラスビーズを取り除き、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５部、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１３０、ＧＥ東芝シリコーン製）３．４部を添加し、導電層用塗布液４を得た。

［導電層用塗布液５の調製］
１０％の酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部、及び、シリコーンオイル（ポリジメチルシロキサン・ポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量３，０００）０．００２部を、平均粒径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて２３℃雰囲気下、回転数１，５００ｒｐｍで２時間分散処理した。分散処理後、得られた分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いて導電層用塗布液５を調製した。

＜下引き層用塗布液の調製＞
［下引き層用塗布液１の調製］
ルチル型酸化チタン粒子（商品名：ＭＴ－６００Ｂ、平均一次粒径：５０ｎｍ、テイカ製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、ビニルトリメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ－１００３、信越化学製）５．０部を添加し、８時間攪拌した。その後、トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間乾燥させることによって、ビニルトリメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子を得た。
続いて、上記ビニルトリメトキシシランで表面処理済みのルチル型酸化チタン粒子１８部、Ｎ－メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）４．５部、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミラン（商標）ＣＭ８０００、東レ製）１．５部を、メタノール９０部と１－ブタノール６０部の混合溶剤に加えて分散液を調製した。この分散液を、直径１．０ｍｍのガラスビーズを用いて縦型サンドミルにて５時間分散処理することにより、下引き層用塗布液１を調製した。

［下引き層用塗布液２の調製］
Ｎ－メトキシメチル化ナイロン６（商品名：トレジンＥＦ－３０Ｔ、ナガセケムテックス製）２５部をメタノール／ｎ－ブタノール＝２／１混合溶液４８０部に溶解（６５℃での加熱溶解）させてなる溶液を冷却した。その後、溶液をメンブランフィルター（商品名：ＦＰ－０２２、孔径：０．２２μｍ、住友電気工業製）で濾過して、下引き層用塗布液２を調製した。

［下引き層用塗布液３の調製］
下記式（Ａ３）
で示される化合物１質量部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＫＳ５、積水化学工業製）０．２質量部、ジオクチルスズラウリレート０．０００５質量部を、メトキシプロパノール１５質量部とテトラヒドロフラン１５質量部の混合溶媒に溶解した。この溶液に、固形分１．３質量部相当のブロックイソシアネート樹脂（商品名：デュラネートＳＢＮ－７０Ｄ、旭化成製）を加え、下引き層用塗布液３を調製した。

［下引き層用塗布液４の調製］
下記式（Ａ４）
で示される化合物１質量部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＫＳ５、積水化学工業製）０．２質量部、ジオクチルスズラウリレート０．０００５質量部を、メトキシプロパノール１５質量部とテトラヒドロフラン１５質量部の混合溶媒に溶解した。この溶液に、固形分１．３質量部相当のブロックイソシアネート樹脂（商品名：デュラネートＳＢＮ－７０Ｄ、旭化成製）を加え、下引き層用塗布液４を調製した。

［下引き層用塗布液５の調製］
６－６６－６１０－１２四元系ポリアミド共重合体５部をメタノール／ｎ－ブタノール＝１４／５混合溶液９５部に溶解（６５℃での加熱溶解）させてなる溶液を冷却した。その後、溶液をメンブランフィルター（商品名：ＦＰ－０２２、孔径：０．２２μｍ、住友電気工業製）で濾過して、下引き層用塗布液５を調製した。

［下引き層用塗布液６の調製］
チタンキレート化合物（商品名：ＴＣ－７５０、松本製薬製）３０部、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ－５０３、信越化学製）１７部を２－プロパノール１１７部に溶解し、下引き層用塗布液６を調製した。

＜電荷発生層用塗布液の調製＞
［合成例１］
窒素フローの雰囲気下、オルトフタロニトリル５．４６部及びα－クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させ、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分濃度は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を収率７１％で得た。

［合成例２］
上記合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて減圧濾過した。このときフィルターとして、Ｎｏ．５Ｃ（アドバンテック社製）を用いた。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で３０分間分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過することを３回繰り返した。最後にフリーズドライ（凍結乾燥）を行い、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を収率９７％で得た。

［合成例３］
前記上記合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ－０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン製）を用いて以下のように乾燥させた。
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスから取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフにし、乾燥機の内壁の温度が５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０～１０．０ｋＰａに調整した。
先ず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０～１０．０ｋＰａ）に調整した。その後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程をさらに１回繰り返した（すなわち計２回本工程を行った）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。さらに第３工程として、第２工程でのマイクロ波の出力を１．２ｋＷから０．８ｋＷに変更した以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程をさらに１回繰り返した（すなわち計２回本工程を行った）。さらに第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を上記設定値内（４．０～１０．０ｋＰａ）に復圧した。その後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦オフにしてリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程をさらに７回繰り返した（すなわち計８回本工程を行った）。以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（結晶）を１．５２ｋｇ得た。

［合成例４］
α－クロロナフタレン１００ｇ中、ｏ－フタロジニトリル５．０ｇ、四塩化チタン２．０ｇを２００℃にて３時間加熱攪拌した後、５０℃まで冷却して、析出した結晶を濾別してジクロロチタニウムフタロシアニンのペーストを得た。次にこれを１００℃に加熱したＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１００ｍＬで攪拌洗浄し、次いで６０℃のメタノール１００ｍＬで２回洗浄を繰り返し濾別した。さらに得られたペーストを脱イオン水１００ｍＬ中８０℃で１時間攪拌し、濾別して青色のチタニルフタロシアニン顔料を４．３ｇ得た。

［ミリング例１］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１部、Ｎ－メチルホルムアミド（製品コード：Ｆ００５９、東京化成工業製）９部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で７０時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に４００回転する条件で行った。こうして処理した液を、フィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ－メチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有した。^１Ｈ－ＮＭＲ測定により見積もられたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶粒子内における上記式（Ａ１）で示されるアミド化合物（Ｎ－メチルホルムアミド）の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの含有量に対して０．８質量％であった。

［ミリング例２］
合成例４で得られたチタニルフタロシアニン顔料０．５部、テトラヒドロフラン１０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を冷却水温度１８℃下で４８時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いてミリング処理した。この際、ディスクが１分間に５００回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にテトラヒドロフランを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をメタノールと水で十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、チタニルフタロシアニン顔料を０．４５部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有した。

［ミリング例３］
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料０．５部、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（製品コード：Ｄ０７２２、東京化成工業製）９．５部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ１５部を室温（２３℃）下で１００時間、ボールミルでミリング処理した。この際、容器は規格びん（商品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に６０回転する条件で行った。こうして処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除いた。この液にＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを３０部添加した後、濾過し、濾過器上の濾取物をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。そして、洗浄された濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を０．４８部得た。得られた顔料はＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°にピークを有した。

［電荷発生層用塗布液１の調製］
ミリング例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。ガラスビーズ除去後、この分散液にシクロヘキサノン４４４部及び酢酸エチル６３４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液１を調製した。

［電荷発生層用塗布液２の調製］
ミリング例２で得られたチタニルフタロシアニン顔料１２部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１５８部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４０２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。ガラスビーズ除去後、この分散液にシクロヘキサノン３６９部及び酢酸エチル５２７部を加えることによって、電荷発生層用塗布液２を調製した。

［電荷発生層用塗布液３の調製］
ミリング例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業製）１０部、シクロヘキサノン１９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ４８２部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。ガラスビーズ除去後、この分散液にシクロヘキサノン４４４部及び酢酸エチル６３４部を加えることによって、電荷発生層用塗布液３を調製した。

［電荷発生層用塗布液４の調製］
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－２００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）０．４５部、ミリング例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料２．４部、テトラヒドロフラン５６部、直径３．２ｍｍのステンレス鋼球３００部を、室温（２３℃）下で２４時間、規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用い、容器が１分間に１２０回転する条件のボールミルでミリング処理した。ステンレス鋼球除去後、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－２００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）２．２５部をテトラヒドロフラン４６．１部に溶解し、これを上述のヒドロキシガリウムフタロシアニンスラリーに加えた。次いで、このスラリー３００部と直径０．９ｍｍのガラスビーズ４５０部を、冷却水温度１８℃下で１０分間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１８００回転する条件で行った。この分散液からガラスビーズを取り除くことで、電荷発生層用塗布液４を調製した。

［電荷発生層用塗布液５の調製］
下記式（ＣＧＭ－１）
で表されるトリスアゾ顔料１０部、フェノキシ樹脂（商品名：ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド製）５部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ－１；積水化学製）５部、シクロヘキサノン１００部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ２００部を冷却水温度１８℃下で２４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。ガラスビーズ除去後、この分散液に１，４ジオキサン２００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液５を調製した。

［電荷発生層用塗布液６の調製］
ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの９．６±０．２°、２４．０±０．２°、及び２７．２±０．２°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン９部、ポリビニルブチラール（商品名：ＢＸ－５５、積水化学工業製）１１部、２－ブタノンとシクロヘキサノンの混合溶媒９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ２００部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。分散処理後、分散液からガラスビーズを除去することによって、電荷発生層用塗布液６を調製した。

［電荷発生層用塗布液７の調製］
ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの９．６±０．２°、２４．０±０．２°、及び２７．２±０．２°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン６部、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの７．６±０．２°、２５．３±０．２°、及び２８．６±０．２°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン３部、ポリビニルブチラール（商品名：ＢＸ－５５、積水化学工業製）１１部、２－ブタノンとシクロヘキサノンの混合溶媒９０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ２００部を冷却水温度１８℃下で４時間、サンドミル（Ｋ－８００、五十嵐機械製造（現アイメックス）製、ディスク径７０ｍｍ、ディスク枚数５枚）を用いて分散処理した。この際、ディスクが１分間に１，８００回転する条件で行った。分散処理後、分散液からガラスビーズを除去することによって、電荷発生層用塗布液７を調製した。

［電荷輸送層用塗布液１の調製］
電荷輸送物質として、下記式（Ａ５）
で示されるイオン化ポテンシャルが５．４ｅＶの電荷輸送物質４０部、
下記式（Ａ６）
で示されるイオン化ポテンシャルが５．３ｅＶの電荷輸送物質６０部、
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１００部をオルトキシレン２２５部／安息香酸メチル３７５部／ジメトキシメタン１５０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液１を調製した。

［電荷輸送層用塗布液２の調製］
電荷輸送物質として、下記式（Ａ７）
で示されるイオン化ポテンシャルが５．５ｅＶの電荷輸送物質１００部、
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１００部をオルトキシレン２２５部／安息香酸メチル３７５部／ジメトキシメタン１５０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液２を調製した。

［電荷輸送層用塗布液３の調製］
電荷輸送物質として、下記式（Ａ８）
で示されるイオン化ポテンシャルが５．５ｅＶの電荷輸送物質１００部、
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１００部をオルトキシレン２２５部／安息香酸メチル３７５部／ジメトキシメタン１５０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液３を調製した。

［電荷輸送層用塗布液４の調製］
電荷輸送物質として、下記式（Ａ９）
で示されるイオン化ポテンシャルが５．５ｅＶの電荷輸送物質１００部、
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１００部をオルトキシレン２２５部／安息香酸メチル３７５部／ジメトキシメタン１５０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液４を調製した。

［電荷輸送層用塗布液５の調製］
電荷輸送物質として、下記式（Ａ１０）
で示されるイオン化ポテンシャルが５．３５ｅＶの電荷輸送物質９０部、
下記式（Ａ１１）
で示される構造単位と、
下記式（Ａ１２）
で示される構造単位とを、５／５の割合で有し、重量平均分子量が１００，０００であるポリアリレート樹脂１００部を、ジメトキシメタン３００部及びクロロベンゼン７００部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液５を調製した。

［電荷輸送層用塗布液６の調製］
電荷輸送物質として、前記式（Ａ１０）で示されるトリアリールアミン化合物７０部、
下記式（Ａ１３）
で示されるトリアリールアミン化合物１０部、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－２００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１００部をモノクロロベンゼン６３０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液６を調製した。

［電荷輸送層用塗布液７の調製］
電荷輸送物質として、下記式（Ａ１４）で示される電荷輸送物質５０部、
下記式（Ａ１５）
で示される構造単位と、
下記式（Ａ１６）
で示される構造単位とを、繰り返し単位５１モル％／４９モル％の割合で有し、ｐ－ｔ－
ブチルフェノールに由来する末端構造式を有するポリカーボネート樹脂１００部、
２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール８部、
シリコーンオイル（商品名：ＫＦ９６、信越化学工業（株）製）０．０３部をテトラヒドロフラン／トルエン（重量比８／２）混合溶媒６４０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液７を調製した。

［電荷輸送層用塗布液８の調製］
電荷輸送物質として、前記式（Ａ６）で示される電荷輸送物質２５部、
下記式（Ａ１７）
で示される電荷輸送物質２５部、
前記式（Ａ１５）で示される構造単位と、前記式（Ａ１６）で示される構造単位とを、繰り返し単位５１モル％／４９モル％の割合で有し、ｐ－ｔ－ブチルフェノールに由来する末端構造式を有するポリカーボネート樹脂１００部、
シリコーンオイル（商品名：ＫＦ９６、信越化学工業（株）製）０．０５部をテトラヒドロフラン／トルエン（重量比８／２）混合溶媒６４０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液８を調製した。

［電荷輸送層用塗布液９の調製］
電荷輸送物質として、前記式（Ａ６）で示される電荷輸送物質１０部、
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１０部をテトラヒドロフラン３９部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液９を調製した。

［電荷輸送層用塗布液１０の調製］
電荷輸送物質として、（４－メトキシ－４′－（４－メチル－α－フェニルスチリル）トリフェニルアミン）３０部、
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－３００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）３０部、
酸化錫微粒子１部をジオキソラン２００部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液１０を調製した。

［電荷輸送層用塗布液１１の調製］
下記式（Ａ１８）
で示される電荷輸送物質５０部、
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）５０部、
下記式（Ａ１９）
で表されるジシアノ化合物１．５部をジ－ter－ブチルヒドロキシトルエン４部及びジクロルメタンに溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液１１を調製した。

［電荷輸送層用塗布液１２の調製］
ＤＥＨ（ｐ－（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン）２７．０部、
ビスフェノール－Ａ（バイヤーエージー）３７．９部、
アセトゾルイエロー０．４８部をテトラハイドロフランと１，４－ジオキサンの混合溶媒に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液１２を調製した。

［単層感光層用塗布液１の調製］
無金属フタロシアニン５部、
下記式（Ａ２０）
で示される電荷輸送物質（正孔輸送物質）１０部、
下記式（Ａ２１）
で示される電荷輸送物質（電子輸送物質）３部、
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ－４００、三菱エンジニアリングプラスチックス製）１０部、テトラヒドロフラン８０部、直径０．９ｍｍのガラスビーズ２５０部を室温（２３℃）下で１０時間、ペイントシェーカ（東洋精機製作所製）を用いてミリング処理した。この際、容器は規格びん（製品名：ＰＳ－６、柏洋硝子製）を用いた。こうしてミリング処理した液をフィルター（品番：Ｎ－ＮＯ．１２５Ｔ、孔径：１３３μｍ、ＮＢＣメッシュテック製）で濾過してガラスビーズを取り除き、単層感光層用塗布液１を調製した。

＜電子写真感光体の製造＞
（感光体製造例１）
押し出し工程及び引き抜き工程を含む製造方法により、長さ２６０．５ｍｍ、直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ－Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体として得た。
この支持体上に導電層用塗布液１を浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１５０℃で２０分間加熱乾燥させることにより、膜厚が１９μｍの導電層を形成した。
次に、下引き層用塗布液１を上記の導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させることにより、膜厚が２．２μｍの下引き層を形成した。
次に、電荷発生層用塗布液１を上記の下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させることにより、膜厚が１４０ｎｍの電荷発生層を形成した。
次に、電荷輸送層用塗布液１を上記の電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、塗膜を温度１２０℃で６０分間加熱乾燥することにより、膜厚が１７μｍの電荷輸送層を形成した。
各層の塗膜の加熱処理は、各温度に設定されたオーブンを用いて行った。以上のようにして、円筒状（ドラム状）の感光体１を製造した。

このとき得られた感光体の特性値であるＩ_１／２［μＪ・ｃｍ^２］、ＡＲ、ＬＲ_ｉ、及びＶ_ｒを前述の方法で求めた。その結果を、感光体製造例１の構成と共に表１に示す。

なお、表１、２中「ＣＰＬ」は「導電層」を意味し、ＣＰＬ塗布液Ｎｏ．の「１」、「２」、「３」、「４」、「５」はそれぞれ「導電層用塗布液１」、「導電層用塗布液２」、「導電層用塗布液３」、「導電層用塗布液４」、「導電層用塗布液５」を意味する。さらに、「ＵＣＬ」は「下引き層」を意味し、ＵＣＬ塗布液Ｎｏ．の「１」、「２」、「３」、「４」、「５」、「６」はそれぞれ「下引き層用塗布液１」、「下引き層用塗布液２」、「下引き層用塗布液３」、「下引き層用塗布液４」、「下引き層用塗布液５」、「下引き層用塗布液６」を意味する。「ＣＧＬ」は「電荷発生層」を意味し、ＣＧＬ塗布液Ｎｏ．の「１」、「２」、「３」、「４」、「５」、「６」、「７」はそれぞれ「電荷発生層用塗布液１」、「電荷発生層用塗布液２」、「電荷発生層用塗布液３」、「電荷発生層用塗布液４」、「電荷発生層用塗布液５」、「電荷発生層用塗布液６」、「電荷発生層用塗布液７」を意味する。「ＣＴＬ」は「電荷輸送層」を意味する。ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．の「１」、「２」、「３」、「４」、「５」、「６」、「７」、「８」、「９」、「１０」、「１１」、「１２」は「電荷輸送層用塗布液１」、「電荷輸送層用塗布液２」、「電荷輸送層用塗布液３」、「電荷輸送層用塗布液４」、「電荷輸送層用塗布液５」、「電荷輸送層用塗布液６」、「電荷輸送層用塗布液７」、「電荷輸送層用塗布液８」、「電荷輸送層用塗布液９」、「電荷輸送層用塗布液１０」、「電荷輸送層用塗布液１１」、「電荷輸送層用塗布液１２」を意味する。「単層感光層用塗布液１を使って膜厚３８μｍを形成」は、「単層感光層用塗布液１」を前記アルミニウムシリンダー上に３８μｍの膜厚で形成したことを意味する。

また、表１、２におけるＣＰＬ塗布液Ｎｏ．１～５を浸漬塗布した際の乾燥温度と乾燥時間は以下の通りであった。
・ＣＰＬ塗布液Ｎｏ．１：乾燥温度１５０℃、乾燥時間２０分間
・ＣＰＬ塗布液Ｎｏ．２：乾燥温度１４５℃、乾燥時間６０分間
・ＣＰＬ塗布液Ｎｏ．３：乾燥温度１７０℃、乾燥時間２０分間
・ＣＰＬ塗布液Ｎｏ．４：乾燥温度１７０℃、乾燥時間４０分間
・ＣＰＬ塗布液Ｎｏ．５：乾燥温度１４０℃、乾燥時間３０分間

また、表１、２におけるＵＣＬ塗布液Ｎｏ．１～６を浸漬塗布した際の乾燥温度と乾燥時間は以下の通りであった。
・ＵＣＬ塗布液Ｎｏ．１：乾燥温度１００℃、乾燥時間１０分間
・ＵＣＬ塗布液Ｎｏ．２：乾燥温度１００℃、乾燥時間１０分間
・ＵＣＬ塗布液Ｎｏ．３：乾燥温度１６０℃、乾燥時間３０分間
・ＵＣＬ塗布液Ｎｏ．４：乾燥温度１６０℃、乾燥時間３０分間
・ＵＣＬ塗布液Ｎｏ．５：乾燥温度１００℃、乾燥時間１０分間
・ＵＣＬ塗布液Ｎｏ．６：乾燥温度１２０℃、乾燥時間３０分間

また、表１、２におけるＣＧＬ塗布液Ｎｏ．１～７を浸漬塗布した際の乾燥温度と乾燥時間は以下の通りであった。
・ＣＧＬ塗布液Ｎｏ．１：乾燥温度１００℃、乾燥時間１０分間
・ＣＧＬ塗布液Ｎｏ．２：乾燥温度１００℃、乾燥時間１０分間
・ＣＧＬ塗布液Ｎｏ．３：乾燥温度１００℃、乾燥時間１０分間
・ＣＧＬ塗布液Ｎｏ．４：乾燥温度１２５℃、乾燥時間２分間
・ＣＧＬ塗布液Ｎｏ．５：乾燥温度１００℃、乾燥時間１０分間
・ＣＧＬ塗布液Ｎｏ．６：乾燥温度１００℃、乾燥時間１５分間
・ＣＧＬ塗布液Ｎｏ．７：乾燥温度１００℃、乾燥時間１５分間

また、表１、２におけるＣＴＬ塗布液Ｎｏ．１～１２を浸漬塗布した際の乾燥温度と乾燥時間は以下の通りであった。
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．１：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．２：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．３：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．４：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．５：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．６：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．７：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．８：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．９：乾燥温度１２０℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．１０：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．１１：乾燥温度１２５℃、乾燥時間３０分間
・ＣＴＬ塗布液Ｎｏ．１２：乾燥温度１００℃、乾燥時間６０分間

また、表２の感光体製造例７９における「単層乾燥用塗布液１」を浸漬塗布した際の乾燥温度と乾燥時間は以下の通りであった。
・乾燥温度１３０℃、乾燥時間３０分間
さらに、表１、２における「－」は、該当する層を形成しなかったことを意味する。

（感光体製造例２～８３）
感光体製造例１において、導電層、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を表１、２に示すように変更したこと以外は感光体製造例１と同様にして、感光体２～８３を製造した。ただし、導電層、下引き層、電荷発生層及び電荷輸送層の塗膜の加熱処理は、上記の通り、各温度に設定されたオーブンを用いて、各時間で行った。

また、感光体製造例１と同様にして、感光体２～８３の特性値であるＩ_１／２［μＪ・ｃｍ^２］、ＡＲ、ＬＲ_ｉ、及びＶ_ｒを求めた。その結果を、感光体製造例２～８３の構成と共に表１、２に示す。

［評価］
上記感光体製造例１～８３を用いて、実施例１～５０及び比較例１～３３の評価を行った。評価は以下のようにした。その結果を表３、４に示す。

＜評価装置＞
評価用の電子写真装置として、ヒューレットパッカード社製のレーザビームプリンタ（商品名：Ｌａｓｅｒ Ｊｅｔ Ｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅ Ｍ６０９ｄｎ）を用意し、プロセススピード、帯電ローラへの印加電圧、像露光量、及び、現像ローラへの印加電圧を調節及び測定できるよう改造した。
画像の出力に際しては、上記感光体製造例１～８３のドラムを上記レーザビームプリンタのプロセスカートリッジに取り付け、モノクロ画像を出力した。

＜アナログ諧調性が維持できているかの確認＞
暗部電位を４５０［Ｖ］となるように設定し、露光後の表面電位が２２５［Ｖ］となるような露光量を求めた。その１０倍光量を照射した場合の表面電位と暗部電位４５０［Ｖ］との差分の絶対値をΔＶと定めた。ＥＶカーブ上のアナログ諧調性を揃えるために、露光後の表面電位が４５０－０．９９ΔＶとなるような露光量を像露光量として設定した。電位設定の際の感光体表面電位の測定には、プロセスカートリッジの現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ－８、トレック・ジャパン製）を装着したものを用い、表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン製）を使用して測定した。
次に、評価用のディザパターンを用意した。図９は、６００［ｄｐｉ］の解像度における線数１５０線のライン成長ディザパターンの内、面積率（ａ）０［％］、（ｂ）２５［％］、（ｃ）５０［％］、（ｄ）７５［％］、（ｅ）１００［％］の場合の例である。実際の測定では、面積率を等分に３２分割した３２諧調（面積率０［％］の白ベタも含めると３３パターン）の画出しを行った。この際、パルス幅変調（Ｐｕｌｓｅ ｗｉｔｈ ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ、ＰＷＭ）を用いた１画素未満への段差補間を行った。同様の３２諧調ライン成長ディザパターンを、線数１５０線とは別に線数６００線についても用意した。
上記の方法で設定した像露光量を固定した場合に、暗部電位と現像電位との差分の絶対値Ｖ_ｂａｃｋ［Ｖ］と現像電位と露光電位との差分の絶対値Ｖ_ｃｏｎｔ［Ｖ］が、それぞれＶ_ｂａｃｋ＝２００［Ｖ］及びＶ_ｂａｃｋ＝２００［Ｖ］となるよう帯電ローラ及び現像ローラへの印加電圧を調節し、上記の線数６００線の３２諧調ライン成長ディザパターンを画像出力した。この出力画像の各諧調のトナー濃度を反射濃度計（商品名：ＲＤ－９１８、マクベス社製）で測定した。測定値は全諧調の濃度データから面積率０［％］の白ベタ部の濃度を減じた上で面積率１００［％］の濃度で規格化したものを縦軸、面積率を横軸にグラフ化した。図１０には、例として上記感光体製造例１についてプロセススピード３００［ｍｍ／ｓ］で測定した場合のグラフを示した。このグラフ上で、面積率６０［％］の場合の規格化濃度が０．８±０．０５に入っている場合、アナログ諧調性が維持できていると判断した。ここで、０．８５よりも上に外れた場合には、像露光量を１０［％］程度下げて面積率―規格化濃度グラフを測定しなおす。他方、０．７５よりも下に外れた場合には、像露光量を１０［％］程度上げて面積率―規格化濃度グラフを測定しなおす。以上を、面積率６０［％］の場合の規格化濃度が０．８±０．０５に入るまで繰り返して、最終的な像露光量を決定した。

＜デジタル諧調性の評価＞
プロセススピードを２００［ｍｍ／ｓ］、暗部電位を４５０［Ｖ］、現像電位を２５０［Ｖ］に設定し、前記＜アナログ諧調性が維持できているかの確認＞の方法で決定した像露光量で、ベタパターンを画像出力した。この出力画像の濃度を、評価する感光体製造例毎に決まる濃度規格化用の最大濃度値とする。
次に、プロセススピードを３００［ｍｍ／ｓ］、４００［ｍｍ／ｓ］、または５００［ｍｍ／ｓ］に設定し、暗部電位を４５０［Ｖ］、現像電位を２５０［Ｖ］に設定し、上記の方法で決定した像露光量で、上記の線数１５０線の３２諧調ライン成長ディザパターンを画像出力した。この出力画像の各諧調のトナー濃度を反射濃度計（商品名：ＲＤ－９１８、マクベス社製）で測定した。測定値は全諧調の濃度データから面積率０［％］の白ベタ部の濃度を減じた上で上記濃度規格化用の最大濃度値で規格化したものを縦軸、面積率を横軸にグラフ化し、以下の２つの数値を計算した。
（ｉ）図１１に示すような面積率－規格化濃度グラフにおいて、面積率０［％］と５０［％］の２点を直線でつなぎ、面積率０～５０［％］の範囲の１６諧調分のデータとの差分をとった上で平均して「ハイライト諧調性」とした。この値が０に近いほど、ハイライト部の諧調性が優れていることを示している。
（ｉｉ）図１１に示すような面積率－規格化濃度グラフにおいて、面積率５０［％］と１００［％］の２点を直線でつなぎ、面積率５０～１００［％］の範囲の１６諧調分のデータとの差分をとった上で平均して「シャドウ諧調性」とした。この値が０に近いほど、シャドウ部の諧調性が優れていることを示している。

＜６ｐｔ白抜き文字の視認性評価＞
プロセススピードを３００［ｍｍ／ｓ］、４００［ｍｍ／ｓ］、または５００［ｍｍ／ｓ］に設定し、暗部電位を４５０［Ｖ］、現像電位を２５０［Ｖ］に設定し、前記＜アナログ諧調性が維持できているかの確認＞で決定した像露光量で、フォントサイズ６ｐｔのＭＳ明朝体の白抜き「電驚」文字を画像出力した。この出力画像を目視で観察し、下記の基準で６ｐｔ白抜き文字視認性を評価した。
・ランクＡ：白抜き「電驚」文字が明瞭に読める。
・ランクＢ：白抜き「電驚」文字にかすれが認められる。
・ランクＣ：白抜き「電驚」文字がつぶれかけている。
・ランクＸ：白抜き「電驚」文字の黒ベタ部が薄くなっている。
上記評価の中で、ランクＡ及びＢは６ｐｔ白抜き文字視認性良好と判断した。

＜３ｐｔ文字の視認性評価＞
プロセススピードを３００［ｍｍ／ｓ］、４００［ｍｍ／ｓ］、または５００［ｍｍ／ｓ］に設定し、暗部電位を４５０［Ｖ］、現像電位を２５０［Ｖ］に設定し、前記＜アナログ諧調性が維持できているかの確認＞で決定した像露光量で、フォントサイズ３ｐｔのＭＳ明朝体の「電驚」文字を画像出力した。この出力画像を目視で観察し、下記の基準で３ｐｔ文字視認性を評価した。
・ランクＡ：「電驚」文字が明瞭に読める。
・ランクＢ：「電驚」文字にかすれが認められる。
・ランクＣ：「電驚」文字が薄くなっている。
上記評価の中で、ランクＡ及びＢは３ｐｔ文字視認性良好と判断した。

＜孤立１ドット再現性評価＞
プロセススピードを３００［ｍｍ／ｓ］、４００［ｍｍ／ｓ］、または５００［ｍｍ／ｓ］に設定し、暗部電位を４５０［Ｖ］、現像電位を２５０［Ｖ］に設定し、前記＜アナログ諧調性が維持できているかの確認＞で決定した像露光量で、図１２に示す１ドット４スペースのハーフトーンを画像出力した。この出力画像のトナー濃度を反射濃度計（商品名：ＲＤ－９１８、マクベス社製）で測定し、下記の基準で孤立１ドット再現性を評価した。
・ランクＡ：トナー濃度０．０８４以上。
・ランクＢ：トナー濃度０．０７６以上０．０８４未満。
・ランクＣ：トナー濃度０．０５９以上０．０７６未満。
・ランクＤ：トナー濃度０．０５９未満。
上記評価の中で、ランクＡ及びＢは孤立１ドット再現性良好と判断した。

１０１：支持体
１０２：下引き層
１０３：電荷発生層
１０４：電荷輸送層
１０５：感光層
１：電子写真感光体
２：軸
３：帯電手段
４：像露光光
５：現像手段
６：転写手段
７：転写材
８：像定着手段
９：クリーニング手段
１０：前露光光
１１：プロセスカートリッジ
１２：案内手段
２０１：感光体
２０２：ＮＥＳＡガラス
２０３：露光
２０４：透明ＩＴＯ電極
２０５：高圧電源

Claims (9)

1. 支持体、該支持体上の下引き層、該下引き層上の電荷発生層、及び該電荷発生層上の電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
   該電子写真感光体は、有機感光体であり、
   該下引き層が、表面をシラン処理した、結晶構造がルチル型またはアナターゼ型酸化チタン粒子を含み、
   該電荷発生層が、
   ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有し、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有すヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶：
   （上記式（Ａ１）中、Ｒ ^０ は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）、または、
   ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶
   を含み、
   該電荷発生層の平均膜厚が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
   該電荷輸送層が、電荷輸送物質と樹脂とを含有し、該電荷輸送層中の該電荷輸送物質と該樹脂との含有量比（質量比）が、８：１０～１２：１０であり、
   温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、帯電電位がＶ_ｄ＝５００［Ｖ］のときの下記＜ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定法＞に従って得られる横軸がＩ_ｅｘｐで縦軸がＶ_ｅｘｐのＩ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフにおいて、
   該グラフのＶ_ｅｘｐ＝２５０［Ｖ］となるときの光量をＩ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］とし、
   該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００～３．４１４・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における、Ｓ＝Ｉ_ｅｘｐ・Ｖ_ｅｘｐで計算されるＳ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］の最大値をＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、
   該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］～０．１００・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線とＩ_ｅｘｐ＝（５・Ｉ_１／２－０．１００）［μＪ／ｃｍ^２］～５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線の交点をＱとして、点Ｑの光量値をＩ_ｉ［μＪ／ｃｍ^２］、点Ｑの電位値をＶ_ｉ［Ｖ］、Ｉ_ｉとＶ_ｉの積をＳ_ｉ＝Ｉ_ｉ・Ｖ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、
   Ｓ_ｉとＳ_ｍａｘの比をＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとし、
   Ｖ_ｉをＩ_ｉで除した値をＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉ［Ｖ・ｃｍ^２／μＪ］とした場合に、
   Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦７８０である、
   ことを特徴とする電子写真感光体。
   ＜ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定法＞
   （１）：該電子写真感光体の表面電位を０［Ｖ］にし、
   （２）：該電子写真感光体の表面電位の絶対値がＶ_０［Ｖ］となるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させ、
   （３）：帯電開始から０．０２秒後から、露光量がＩ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］となるように波長が８０５［ｎｍ］で強度が２５［ｍＷ／ｃｍ^２］の光でｔ秒間連続して帯電後の該電子写真感光体を露光し、
   （４）：帯電開始から０．０６秒後に、露光後の該電子写真感光体の表面電位の絶対値を測定してＶ_ｅｘｐ［Ｖ］とする。
   （５）：（１）～（４）の操作を、ｔを変えることにより、Ｉ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から０．８５０［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行い、それぞれのＩ_ｅｘｐに対応したＶ_ｅｘｐを得る。
   （６）：（３）の操作でｔ＝０、Ｉ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］とした場合のＶ_ｅｘｐ［Ｖ］を帯電電位Ｖ_ｄ［Ｖ］と呼び、Ｖ_ｄの値が５００［Ｖ］となるよう（２）の操作を行う際のＶ_０［Ｖ］を設定する。
2. 支持体、該支持体上の下引き層、該下引き層上の電荷発生層、及び該電荷発生層上の電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、
   該電子写真感光体は、有機感光体であり、
   該下引き層が、表面をシラン処理した、結晶構造がルチル型またはアナターゼ型酸化チタン粒子を含み、
   該電荷発生層が、
   ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有し、結晶中に下記式（Ａ１）に示す構造の化合物を０．４質量％以上３．０質量％以下含有すヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶：
   （上記式（Ａ１）中、Ｒ ^０ は、メチル基、プロピル基、又はビニル基を示す。）、または、
   ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの２７．２°±０．３°に強いピークを有するチタニルフタロシアニン結晶
   を含み、
   該電荷発生層の平均膜厚が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
   該電荷輸送層が、電荷輸送物質と樹脂とを含有し、該電荷輸送層中の該電荷輸送物質と該樹脂との含有量比（質量比）が、８：１０～１２：１０であり、
   温度２３．５［℃］及び相対湿度５０［％ＲＨ］において、帯電電位がＶ_ｄ＝５００［Ｖ］のときの下記＜ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定法＞に従って得られる横軸がＩ_ｅｘｐで縦軸がＶ_ｅｘｐのＩ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフにおいて、
   該グラフのＶ_ｅｘｐ＝２５０［Ｖ］となるときの光量をＩ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］とし、
   該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００～３．４１４・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における、Ｓ＝Ｉ_ｅｘｐ・Ｖ_ｅｘｐで計算されるＳ［Ｖ・μＪ／ｃｍ２］の最大値をＳ_ｍａｘ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、
   該グラフのＩ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］～０．１００・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線とＩ_ｅｘｐ＝（５・Ｉ_１／２－０．１００）［μＪ／ｃｍ^２］～５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］の範囲における近似直線の交点をＱとして、点Ｑの光量値をＩ_ｉ［μＪ／ｃｍ^２］、点Ｑの電位値をＶ_ｉ［Ｖ］、Ｉ_ｉとＶ_ｉの積をＳ_ｉ＝Ｉ_ｉ・Ｖ_ｉ［Ｖ・μＪ／ｃｍ^２］とし、
   Ｓ_ｉとＳ_ｍａｘの比をＡＲ＝Ｓ_ｉ／Ｓ_ｍａｘとし、
   Ｖ_ｉをＩ_ｉで除した値をＬＲ_ｉ＝Ｖ_ｉ／Ｉ_ｉ［Ｖ・ｃｍ^２／μＪ］とした場合に、
   Ｉ_１／２≦０．１７０、かつ、ＡＲ≦０．５００、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０である
   ことを特徴とする電子写真感光体。
   ＜ＮＥＳＡ－ＥＶカーブの測定法＞
   （１）：該電子写真感光体の表面電位を０［Ｖ］にし、
   （２）：該電子写真感光体の表面電位の絶対値がＶ_０［Ｖ］となるように該電子写真感光体を０．００５秒間帯電させ、
   （３）：帯電開始から０．０２秒後から、露光量がＩ_ｅｘｐ［μＪ／ｃｍ^２］となるように波長が８０５［ｎｍ］で強度が２５［ｍＷ／ｃｍ^２］の光でｔ秒間連続して帯電後の該電子写真感光体を露光し、
   （４）：帯電開始から０．０６秒後に、露光後の該電子写真感光体の表面電位の絶対値を測定してＶ_ｅｘｐ［Ｖ］とする。
   （５）：（１）～（４）の操作を、ｔを変えることにより、Ｉ_ｅｘｐを０．０００［μＪ／ｃｍ^２］から０．８５０［μＪ／ｃｍ^２］まで０．００１［μＪ／ｃｍ^２］の間隔で変化させながら繰り返し行い、それぞれのＩ_ｅｘｐに対応したＶ_ｅｘｐを得る。
   （６）：（３）の操作でｔ＝０、Ｉ_ｅｘｐ＝０．０００［μＪ／ｃｍ^２］とした場合のＶ_ｅｘｐ［Ｖ］を帯電電位Ｖ_ｄ［Ｖ］と呼び、Ｖ_ｄの値が５００［Ｖ］となるよう（２）の操作を行う際のＶ_０［Ｖ］を設定する。
3. 前記ＡＲと前記ＬＲ_ｉが、ＡＲ≦０．３７０、かつ、ＬＲ_ｉ≦５２０である、請求項１または２に記載の電子写真感光体。
4. 前記ＡＲが、ＡＲ≦０．１００である、請求項１～３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. 前記ＬＲ_ｉが、ＬＲ_ｉ≦６０である、請求項１～４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
6. 前記Ｉ_ｅｘｐ－Ｖ_ｅｘｐグラフ上のＩ_ｅｘｐ＝５・Ｉ_１／２［μＪ／ｃｍ^２］におけるＶ_ｅｘｐの値Ｖｒ［Ｖ］が、Ｖｒ≦７０である、請求項１～５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
7. 前記Ｖｒが、Ｖｒ≦１０である、請求項６に記載の電子写真感光体。
8. 請求項１～７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在である、ことを特徴とするプロセスカートリッジ。
9. 請求項１～７のいずれか１項に記載の電子写真感光体、並びに、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する、ことを特徴とする電子写真装置。