JP7726682B2 - Molding device and molding method - Google Patents
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Description
本明細書は、振動子の成形装置および成型方法に関する。 This specification relates to a vibrator molding device and molding method.
特許文献1には、高精度化が可能であるジャイロとして、溶融シリカを振動子に用いたBird-bath Resonator Gyroscope (BRG)が開示されている。具体的には、表面に穴部が形成されている成形型に、穴部を塞ぐように石英板を配置する。穴部の内部を減圧しながら、石英板の上面をバーナで加熱する。穴部の内部に入り込むように石英板を溶融変形させることで、半球形状の振動子を作製することができる。 Patent Document 1 discloses a Bird-bath Resonator Gyroscope (BRG) that uses fused silica as an oscillator, making it possible to achieve high accuracy. Specifically, a quartz plate is placed in a mold with a hole formed in its surface so that it covers the hole. While reducing the pressure inside the hole, the top surface of the quartz plate is heated with a burner. By melting and deforming the quartz plate so that it fills the hole, a hemispherical oscillator can be created.
バーナ加熱では火炎の揺らぎがあるため、温度分布ばらつきや、ロット間の温度ばらつきが発生してしまう。同一形状の振動子を再現性良く安定に作製することが困難である。 When using burner heating, the flame fluctuates, resulting in variations in temperature distribution and between lots. This makes it difficult to reproducibly and stably manufacture oscillators of the same shape.
本明細書が開示する成形装置の一実施形態は、導体を高周波誘導加熱することが可能な加熱コイルを備える。成形装置は、チャンバを備える。成形装置は、チャンバ内に配置されている、非導電性のベースを備える。成形装置は、ベースに配置されている第1導体部を備える。第1導体部は、中心軸に対する軸回転対称形状を有するキャビティを上面に備える。成形装置は、キャビティの内部に配置されており、中心軸を中心とした円柱形状を有する導体製の支柱部を備える。成形装置は、キャビティを減圧することが可能な減圧機構を備える。 One embodiment of a molding device disclosed herein includes a heating coil capable of high-frequency induction heating a conductor. The molding device includes a chamber. The molding device includes a non-conductive base disposed within the chamber. The molding device includes a first conductor portion disposed on the base. The first conductor portion includes a cavity on its upper surface that has an axially rotationally symmetric shape with respect to a central axis. The molding device includes a conductive support portion disposed inside the cavity and having a cylindrical shape centered on the central axis. The molding device includes a pressure reduction mechanism capable of reducing the pressure in the cavity.
加熱コイルを用いた高周波誘導加熱により、第1導体部および支柱部を加熱することができる。バーナを用いた加熱に比して、火炎の揺らぎの影響を排除できるため、温度分布ばらつきやロット間の温度ばらつきを抑制することが可能となる。加工の精度や再現性を高めることが可能となる。 The first conductor and support can be heated by high-frequency induction heating using a heating coil. Compared to heating using a burner, this method eliminates the effects of flame fluctuations, making it possible to suppress variations in temperature distribution and between lots. This makes it possible to improve processing accuracy and reproducibility.
キャビティの軸回転対称形状は円柱形状であってもよい。 The axially symmetric shape of the cavity may be cylindrical.
キャビティと対向して配置されており、中心軸に沿って移動可能な第2導体部をさらに備えていてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。 It may further include a second conductor portion disposed opposite the cavity and movable along the central axis. Details of the effects will be explained in the examples.
第2導体部は、キャビティに対向している領域の中心軸に対応する位置に配置されている第1排気孔、および、キャビティに対向している領域の中心軸から等距離の回転対称位置に配置されている複数の第2排気孔の少なくとも一方を備えていてもよい。第1排気孔および複数の第2排気孔は、加熱された不活性ガスを噴出可能に構成されていてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。 The second conductor portion may have at least one of a first exhaust hole located at a position corresponding to the central axis of the region facing the cavity, and a plurality of second exhaust holes located at rotationally symmetric positions equidistant from the central axis of the region facing the cavity. The first exhaust hole and the plurality of second exhaust holes may be configured to be able to eject heated inert gas. Details of the effects will be explained in the examples.
第2導体部のキャビティに対向している領域には、中心軸に対する軸回転対称形状を有する突起部が形成されていてもよい。突起部の外周径は、キャビティの開口部の内周径よりも小さくてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。 A protrusion having an axially rotationally symmetric shape with respect to the central axis may be formed in the region of the second conductor facing the cavity. The outer diameter of the protrusion may be smaller than the inner diameter of the opening of the cavity. Details of the effect will be explained in the examples.
キャビティ内の減圧状態を監視可能な計測機構をさらに備えていてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。 It may also be equipped with a measuring mechanism that can monitor the reduced pressure state within the cavity. Details of the effects will be explained in the examples.
第1導体部は複数備えられていてもよい。第1導体部と加熱コイルとの距離は、複数の第1導体部の各々において等しくてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。 A plurality of first conductors may be provided. The distance between the first conductor and the heating coil may be equal for each of the plurality of first conductors. Details of the effects will be explained in the examples.
第1導体部は黒鉛を含んでいてもよい。 The first conductor portion may contain graphite.
本明細書が開示する成型方法の一実施形態は、成形装置を用いた成型方法である。成形装置は、導体を高周波誘導加熱することが可能な加熱コイルを備える。成形装置は、チャンバを備える。成形装置は、チャンバ内に配置されている、非導電性のベースを備える。成形装置は、ベースに配置されている第1導体部であって、中心軸に対する軸回転対称形状を有するキャビティを上面に備える第1導体部を備える。成形装置は、キャビティの内部に配置されており、中心軸を中心とした円柱形状を有する導体製の支柱部を備える。成形装置は、キャビティを減圧することが可能な減圧機構を備える。成型方法は、キャビティを覆うように板状の被加工材料を第1導体部の上面に配置する配置工程を備える。成型方法は、キャビティの内部を減圧機構によって減圧しながら、第1導体部および支柱部を加熱コイルにより加熱して被加工材料を溶融変形させる加工工程を備える。効果の詳細は実施例で説明する。 One embodiment of the molding method disclosed herein is a molding method using a molding apparatus. The molding apparatus includes a heating coil capable of high-frequency induction heating a conductor. The molding apparatus includes a chamber. The molding apparatus includes a non-conductive base disposed within the chamber. The molding apparatus includes a first conductor portion disposed on the base, the first conductor portion having a cavity on its upper surface that has an axially rotationally symmetric shape about a central axis. The molding apparatus includes a conductive support portion disposed inside the cavity and having a cylindrical shape centered on the central axis. The molding apparatus includes a decompression mechanism capable of decompressing the cavity. The molding method includes a placement step of placing a plate-shaped workpiece material on the upper surface of the first conductor portion so as to cover the cavity. The molding method includes a processing step of heating the first conductor portion and the support portion with a heating coil to melt and deform the workpiece material while decompressing the interior of the cavity with the decompression mechanism. Details of the effects will be explained in the examples.
成型方法は、加工工程中にキャビティの減圧状態を監視する監視工程をさらに備えていてもよい。減圧状態の監視結果に基づいて加工工程の終点を検出してもよい。効果の詳細は実施例で説明する。 The molding method may further include a monitoring step of monitoring the reduced pressure state of the cavity during the processing step. The end point of the processing step may be detected based on the results of monitoring the reduced pressure state. Details of the effects will be explained in the examples.
成形装置は、キャビティと対向して配置されており、中心軸に沿って移動可能な第2導体部をさらに備えていてもよい。加工工程では、加熱コイルにより加熱された第2導体部を被加工材料に接触させてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。 The molding device may further include a second conductor portion disposed opposite the cavity and movable along the central axis. During the processing step, the second conductor portion heated by the heating coil may be brought into contact with the workpiece material. Details of the effects will be explained in the examples.
第2導体部は、キャビティに対向している領域の中心軸に対応する位置に配置されている第1排気孔、および、キャビティに対向している領域の中心軸から等距離の回転対称位置に配置されている複数の第2排気孔の少なくとも一方を備えていてもよい。加工工程では、第1排気孔および複数の第2排気孔から加熱された不活性ガスを噴出してもよい。効果の詳細は実施例で説明する。 The second conductor portion may have at least one of a first exhaust hole located at a position corresponding to the central axis of the region facing the cavity, and a plurality of second exhaust holes located at rotationally symmetric positions equidistant from the central axis of the region facing the cavity. During the processing step, heated inert gas may be ejected from the first exhaust hole and the plurality of second exhaust holes. Details of the effects will be explained in the examples.
図1および図2に、実施例1の成形装置1を示す。図1は断面図である。図2は、図1のII-II線の断面における上面図である。なお図2では、チャンバ10および加熱コイル11の記載を省略している。成形装置1は、チャンバ10、加熱コイル11、サセプタ13、減圧機構14、計測機構15、ベース型20、第1導体部21、支柱23、石英板30、を備える。 Figures 1 and 2 show the molding apparatus 1 of Example 1. Figure 1 is a cross-sectional view. Figure 2 is a top view of the cross section taken along line II-II in Figure 1. Note that the chamber 10 and heating coil 11 are omitted from Figure 2. The molding apparatus 1 includes the chamber 10, heating coil 11, susceptor 13, pressure reduction mechanism 14, measurement mechanism 15, base mold 20, first conductor 21, support 23, and quartz plate 30.
チャンバ10は、サセプタ13およびベース型20を格納する密閉容器である。チャンバ10の吸気孔10iからは、加熱した不活性ガス(例:窒素、アルゴン)が供給される。加熱コイル11は、導体である第1導体部21や支柱23を高周波誘導加熱するための部品である。加熱コイル11は、チャンバ10の周囲に配置されている。 The chamber 10 is a sealed container that houses the susceptor 13 and base mold 20. Heated inert gas (e.g., nitrogen or argon) is supplied through the intake holes 10i of the chamber 10. The heating coil 11 is a component used to high-frequency induction heat the first conductor portion 21 and support pillar 23, which are conductors. The heating coil 11 is arranged around the chamber 10.
サセプタ13は、ベース型20を設置するための円形の台である。サセプタ13の形状は図2に示す円形に限られない。例えば正方形でもよい。サセプタ13の材料には、高耐熱セラミックスを用いることができる。材料の一例としては、アルミナ、ジルコニア、SiC、Si3N4、BNなどが挙げられる。材料コストの観点から、アルミナが好ましい。サセプタ13は、底面13bの中央に排気管13eを備えている。排気管13eは、減圧機構14および計測機構15に接続している。減圧機構14は、真空ポンプなどの真空引きが可能な機構である。計測機構15は、圧力計などの減圧状態を監視することが可能な機構である。 The susceptor 13 is a circular platform on which the base mold 20 is placed. The shape of the susceptor 13 is not limited to the circular shape shown in FIG. 2 . For example, it may be square. The material of the susceptor 13 may be high-heat-resistant ceramics. Examples of materials include alumina, zirconia, SiC, Si 3 N 4 , and BN. From the viewpoint of material cost, alumina is preferable. The susceptor 13 has an exhaust pipe 13 e in the center of the bottom surface 13 b. The exhaust pipe 13 e is connected to a pressure reduction mechanism 14 and a measurement mechanism 15. The pressure reduction mechanism 14 is a mechanism capable of vacuuming, such as a vacuum pump. The measurement mechanism 15 is a mechanism capable of monitoring the reduced pressure state, such as a pressure gauge.
ベース型20は、サセプタ13上に載置されており、円板形状を有している。ベース型20の材料には、絶縁性が高く高耐熱性を有する材料を用いることができる。材料の一例としては、BN(窒化ホウ素)、アルミナ、ジルコニア、SiC、Si3N4などが挙げられる。加工の容易性から、BNが好ましい。 The base mold 20 is placed on the susceptor 13 and has a disk shape. A material having high insulating properties and high heat resistance can be used for the base mold 20. Examples of the material include BN (boron nitride), alumina, zirconia, SiC, and Si3N4 . BN is preferred because of its ease of processing.
ベース型20の表面20sには、中心軸CA1を中心とした円柱がくり抜かれた形状を有する、穴部20aが形成されている。穴部20aの内部には、第1導体部21および支柱23が配置されている。第1導体部21および支柱23の材料には、導電性を有し高融点の材料を用いることができる。材料の一例としては、等方性黒鉛や、Ta、Nb、Moなどの高融点金属が挙げられる。加工の容易性から、等方性黒鉛が好ましい。 A hole 20a is formed in the surface 20s of the base mold 20, shaped like a hollow cylinder centered on the central axis CA1. A first conductor 21 and a support 23 are disposed inside the hole 20a. The first conductor 21 and the support 23 can be made of a conductive material with a high melting point. Examples of such materials include isotropic graphite and high-melting-point metals such as Ta, Nb, and Mo. Isotropic graphite is preferred due to its ease of processing.
第1導体部21は、中心軸CA1を中心とした円筒形状を有する円筒部材である。穴部20aの内周面と第1導体部21の外周面とは、隙間なく嵌め合わされていてもよいし、一定の隙間が形成されていてもよい。第1導体部21の内部には、石英板30が溶融変形するための変形空間である、キャビティ21cが形成されている。換言すると、第1導体部21は、中心軸CA1に対する軸回転対称形状(円柱形状)を有するキャビティ21cを、上面に備えている。 The first conductor 21 is a cylindrical member having a cylindrical shape centered on the central axis CA1. The inner surface of the hole 20a and the outer surface of the first conductor 21 may be fitted together without any gap, or a certain gap may be formed. A cavity 21c is formed inside the first conductor 21, which is a deformation space for the quartz plate 30 to melt and deform. In other words, the first conductor 21 has a cavity 21c on its upper surface that has an axially rotationally symmetric shape (cylindrical shape) with respect to the central axis CA1.
支柱23は、中心軸CA1を中心とした円柱形状を有している。穴部20aの底面20bには、係合溝20tが形成されている。支柱23の下面は、係合溝20tに係合している。図1では、支柱23の上面のz方向位置は、表面20sのz方向位置よりも下側である。従って支柱23の上面は、石英板30の下面に接触していない。なお変形例として、支柱23の上面および表面20sのz方向位置が同等であり、支柱23の上面が石英板30の下面に接触していてもよい。 The support pillar 23 has a cylindrical shape centered on the central axis CA1. An engagement groove 20t is formed in the bottom surface 20b of the hole 20a. The lower surface of the support pillar 23 engages with the engagement groove 20t. In FIG. 1, the z-direction position of the upper surface of the support pillar 23 is lower than the z-direction position of the surface 20s. Therefore, the upper surface of the support pillar 23 does not contact the lower surface of the quartz plate 30. As a variant, the z-direction positions of the upper surface of the support pillar 23 and the surface 20s may be the same, and the upper surface of the support pillar 23 may contact the lower surface of the quartz plate 30.
ベース型20の裏面内周部20r1は、裏面外周部20r2に比して窪んでいる。裏面内周部20r1とサセプタ13の底面13bとの間には、空間20oが形成されている。空間20oは、排気管13eを介して減圧機構14に接続している。 The inner peripheral portion 20r1 of the back surface of the base mold 20 is recessed relative to the outer peripheral portion 20r2 of the back surface. A space 20o is formed between the inner peripheral portion 20r1 of the back surface and the bottom surface 13b of the susceptor 13. The space 20o is connected to the pressure reduction mechanism 14 via an exhaust pipe 13e.
ベース型20の底面20bには、裏面内周部20r1に貫通している排気口20e、吸気孔20v1および20v2を備えている。排気口20eは、キャビティ21cと空間20oとを連通している。キャビティ21cの上部が石英板30で塞がれている状態で、空間20oを真空引きすることにより、キャビティ21cを減圧状態にすることができる。吸気孔20v1の上端は、第1導体部21の裏面に接触している。吸気孔20v2の上端は、支柱23の裏面に接触している。これにより、空間20oを真空引きすることで、第1導体部21および支柱23をベース型20に吸着固定することができる。 The bottom surface 20b of the base mold 20 is provided with an exhaust port 20e and intake holes 20v1 and 20v2 that penetrate the inner periphery 20r1 of the back surface. The exhaust port 20e connects the cavity 21c to the space 20o. With the top of the cavity 21c blocked by the quartz plate 30, the cavity 21c can be placed in a reduced pressure state by evacuating the space 20o. The upper end of the intake hole 20v1 is in contact with the back surface of the first conductor 21. The upper end of the intake hole 20v2 is in contact with the back surface of the support 23. As a result, by evacuating the space 20o, the first conductor 21 and the support 23 can be adsorbed and fixed to the base mold 20.
表面20sには、穴部20hを覆うように、石英板30が配置されている。石英板30は、振動子を形成するための被加工材料である。石英板30の厚さは、例えば100μm以下である。本実施例では石英板30は正方形であるが、長方形や円形であってもよい。 A quartz plate 30 is placed on the surface 20s so as to cover the hole 20h. The quartz plate 30 is the material to be processed to form the vibrator. The thickness of the quartz plate 30 is, for example, 100 μm or less. In this embodiment, the quartz plate 30 is square, but it may also be rectangular or circular.
(製造工程)
図1および図3を用いて、振動子の製造工程を説明する。ステップS1において、サセプタ13上にベース型20を設置する。ステップS2において、キャビティ21cを覆うように、ベース型20の表面20sに石英板30を配置する。ステップS3において、チャンバ10の吸気孔10iから1000℃以上に予熱した不活性ガスを供給する。チャンバ内雰囲気を不活性ガスで置換することにより、黒鉛製の部品(第1導体部21、支柱23)の酸化を防止することができる。また、減圧機構14によって、キャビティ21cを減圧状態とする。石英板30は、表面20sに吸着されることで固定される。これにより、図1に示す状態となる。
(manufacturing process)
The vibrator manufacturing process will be described with reference to Figures 1 and 3. In step S1, a base mold 20 is placed on a susceptor 13. In step S2, a quartz plate 30 is placed on the surface 20s of the base mold 20 so as to cover the cavity 21c. In step S3, an inert gas preheated to 1000°C or higher is supplied through the intake port 10i of the chamber 10. By replacing the atmosphere in the chamber with the inert gas, oxidation of the graphite components (first conductor 21, support 23) can be prevented. In addition, the cavity 21c is depressurized by the depressurization mechanism 14. The quartz plate 30 is fixed by adsorption to the surface 20s. This results in the state shown in Figure 1.
ステップS4において、計測機構15によってキャビティ21cの減圧状態を監視する監視工程が開始される。これにより、キャビティ21cの真空度を一定に制御することができる。 In step S4, a monitoring process is initiated in which the measurement mechanism 15 monitors the reduced pressure state of the cavity 21c. This allows the degree of vacuum in the cavity 21c to be controlled to a constant level.
ステップS5において、加工工程が開始される。具体的には、加熱コイル11により、第1導体部21および支柱23を高周波誘導加熱する。発熱する導体部がキャビティ21cを形成する部分のみに存在するため、キャビティ21c近傍の石英板30のみを選択的に加熱することができる。 In step S5, the processing process begins. Specifically, the first conductor 21 and the support 23 are heated by high-frequency induction using the heating coil 11. Because the heat-generating conductor is present only in the portion that forms the cavity 21c, it is possible to selectively heat only the quartz plate 30 near the cavity 21c.
ステップS6において、減圧状態の監視結果に基づいて加工工程の終点を検出する。具体的には、図3に示すように、石英板30が急激に溶融変形するため、キャビティ21cと石英板30とで形成されている空間の容積が急激に減少する。すると図4に示すように、計測機構15で監視している圧力に、スパイク状に圧力変動が発生する。この圧力変動の開始時間t0を起点として、一定時間pt経過後の時間t1を加工終点として決定することができる。石英板30に与えられる熱量を一定にすることができるため、加工形状のロット間ばらつきを抑制することが可能となる。 In step S6, the end point of the processing process is detected based on the results of monitoring the reduced pressure state. Specifically, as shown in Figure 3, the quartz plate 30 suddenly melts and deforms, causing a sudden decrease in the volume of the space formed by the cavity 21c and the quartz plate 30. This causes a spike-like pressure fluctuation in the pressure monitored by the measurement mechanism 15, as shown in Figure 4. The start time t0 of this pressure fluctuation is taken as the starting point, and time t1, after a certain time pt has elapsed, can be determined as the processing end point. Because the amount of heat applied to the quartz plate 30 can be kept constant, it is possible to suppress lot-to-lot variation in the processed shape.
ステップS7において、加工終点を検出することに応じて、高周波誘導加熱および導入する不活性ガスの予熱を終了する。石英板30が所望の温度になるまで冷却した後に、キャビティ21cを大気開放する。チャンバ10から溶融加工した石英板30を取り出す。なお、ステップS6およびS7は省略してもよい。この場合、加熱開始から所定時間が経過したことに応じて、加熱を終了してもよい。ステップS8において、石英板30の未成形領域UR(図3参照)をCMP法などによって除去することで、振動子が完成する。 In step S7, the high-frequency induction heating and preheating of the introduced inert gas are terminated upon detecting the end point of processing. After the quartz plate 30 has cooled to the desired temperature, the cavity 21c is opened to the atmosphere. The melt-processed quartz plate 30 is removed from the chamber 10. Note that steps S6 and S7 may be omitted. In this case, heating may be terminated upon the passage of a predetermined time from the start of heating. In step S8, the unformed region UR (see Figure 3) of the quartz plate 30 is removed by a method such as CMP, thereby completing the vibrator.
(効果)
従来技術のようにバーナで石英板を加熱する場合には、火炎の揺らぎがあるため、温度分布ばらつきやロット間の温度ばらつきが発生してしまう。均一な半球形状を有する振動子を作成することや、同一形状の振動子を再現性良く安定に作製することが困難である。本明細書の技術では、加熱コイル11を用いた高周波誘導加熱により、第1導体部21および支柱23を加熱することができる。バーナを用いた加熱に比して、火炎の揺らぎの影響を排除できるため、温度分布ばらつきやロット間の温度ばらつきを抑制することが可能となる。振動子の加工の精度や再現性を高めることが可能となる。
(effect)
When a quartz plate is heated with a burner as in conventional technology, flame fluctuations result in variations in temperature distribution and temperature variations between lots. It is difficult to create a vibrator with a uniform hemispherical shape or to reproducibly and stably manufacture vibrators of the same shape. The technology described herein allows the first conductor 21 and the support 23 to be heated by high-frequency induction heating using a heating coil 11. Compared to heating using a burner, the effect of flame fluctuations can be eliminated, making it possible to suppress variations in temperature distribution and temperature variations between lots. This makes it possible to improve the precision and reproducibility of vibrator processing.
図5に、実施例2の成形装置201の断面図を示す。実施例2は、第2導体部22をさらに備えている点が、実施例1と異なっている。実施例1の成形装置1と共通する部位には同一符号を付すことで、説明を省略する。なお図5では、チャンバ10およびサセプタ13の記載を省略している。 Figure 5 shows a cross-sectional view of the molding apparatus 201 of Example 2. Example 2 differs from Example 1 in that it further includes a second conductor portion 22. Components common to the molding apparatus 1 of Example 1 are given the same reference numerals and will not be described again. Note that the chamber 10 and susceptor 13 are not shown in Figure 5.
第2導体部22は、円筒形状を有する部材である。第2導体部22は、キャビティ21cと対向して配置されており、中心軸CA1に沿って上下方向に移動可能とされている。第2導体部22の材料には、第1導体部21と同様にして、導電性を有し高融点の材料を用いることができる。本実施例では、第2導体部22の材料は、等方性黒鉛である。第2導体部22の直径D1は、キャビティ21cの開口部の内周径D2よりも大きいことが好ましい。また、「D2≦D1≦1.5×D2」の関係を満たすことが好ましい。 The second conductor portion 22 is a cylindrical member. The second conductor portion 22 is disposed opposite the cavity 21c and is movable up and down along the central axis CA1. As with the first conductor portion 21, the second conductor portion 22 can be made of a conductive, high-melting-point material. In this embodiment, the material of the second conductor portion 22 is isotropic graphite. It is preferable that the diameter D1 of the second conductor portion 22 is larger than the inner diameter D2 of the opening of the cavity 21c. It is also preferable that the relationship "D2≦D1≦1.5×D2" is satisfied.
第2導体部22のキャビティ21cに対向している領域には、中心軸CA1を頂点としてドーム形状に突出している突起部22pが形成されている。すなわち突起部22pは、中心軸CA1に対する軸回転対称形状を有している。突起部22pの外周径D3は、キャビティ21cの内周径D2以下である。また、「0.8×D2≦D3≦D2」の関係を満たすことが好ましい。第2導体部22の下面22rからの突起部22pの高さをH1とする。第1導体部21の表面21sから支柱23の上面23tまでの距離をR1とする。高さH1は、距離R1以下である。また、「0.8×R1≦H1≦R1」の関係を満たすことが好ましい。このような大小関係を有することにより、突起部22pがキャビティ21c内に侵入可能とされている。すなわち、突起部22pとキャビティ21cとが係合可能である。 A dome-shaped protrusion 22p is formed in the region of the second conductor 22 facing the cavity 21c, with the central axis CA1 as its apex. That is, the protrusion 22p has an axially rotationally symmetric shape with respect to the central axis CA1. The outer diameter D3 of the protrusion 22p is equal to or less than the inner diameter D2 of the cavity 21c. It is preferable that the relationship "0.8 × D2 ≦ D3 ≦ D2" be satisfied. The height H1 of the protrusion 22p from the lower surface 22r of the second conductor 22 is set to H1. The distance R1 is set to the surface 21s of the first conductor 21 to the upper surface 23t of the support 23. The height H1 is equal to or less than the distance R1. It is also preferable that the relationship "0.8 × R1 ≦ H1 ≦ R1" be satisfied. This size relationship allows the protrusion 22p to enter the cavity 21c. That is, the protrusion 22p and the cavity 21c can engage with each other.
第2導体部22のキャビティに対向している領域の中心軸CA1に対応する位置に、第1排気孔22e1が配置されている。第1排気孔22e1は、加熱された不活性ガスを噴出可能な孔部である。また、第1排気孔22e1の径は、支柱23の直径D4よりも小さいことが好ましい。 A first exhaust hole 22e1 is disposed at a position corresponding to the central axis CA1 of the region of the second conductor 22 facing the cavity. The first exhaust hole 22e1 is a hole capable of ejecting heated inert gas. Furthermore, it is preferable that the diameter of the first exhaust hole 22e1 be smaller than the diameter D4 of the support 23.
なお、距離R1はゼロでもよい。この場合、突起部22pを配置せず、高さH1をゼロとしてもよい。(すなわち、第2導体部22のキャビティ21cに対向している領域を平面にしてもよい。) Note that the distance R1 may be zero. In this case, the protrusion 22p may not be provided, and the height H1 may be zero. (In other words, the area of the second conductor 22 facing the cavity 21c may be flat.)
(製造工程)
実施例1の製造工程と異なる点のみを説明する。ステップS5の加工工程において、加熱コイル11により、第2導体部22を高周波誘導加熱する。そして加熱された第2導体部22を中心軸CA1に沿って下方に移動させる。これにより、突起部22pを石英板30に接触させる。また第1排気孔22e1から、1000℃以上に加熱された不活性ガスを噴出する。
(manufacturing process)
Only the differences from the manufacturing process of Example 1 will be described. In the processing step of step S5, the second conductor 22 is high-frequency induction heated by the heating coil 11. The heated second conductor 22 is then moved downward along the central axis CA1. This brings the protrusion 22p into contact with the quartz plate 30. In addition, an inert gas heated to 1000°C or higher is ejected from the first exhaust hole 22e1.
(効果)
第1導体部21および支柱23によって石英板30の下面から加熱することに加えて、第2導体部22によって石英板30の上面から加熱することができる。加熱効率を高めることができるため、加工時間を短縮することが可能となる。
(effect)
In addition to heating the quartz plate 30 from the bottom surface by the first conductors 21 and the supports 23, the quartz plate 30 can be heated from the top surface by the second conductors 22. This increases the heating efficiency, thereby shortening the processing time.
第2導体部22を接触させることによる熱伝導により、石英板30を加熱することができる。不活性ガスを介した熱伝導に比して熱伝導率を高めることができるため、温度分布ばらつきを抑制できる。加工精度や加工再現性を高めることが可能となる。 The quartz plate 30 can be heated by thermal conduction caused by contact with the second conductor 22. Because thermal conductivity can be increased compared to thermal conduction via inert gas, variations in temperature distribution can be suppressed. This makes it possible to improve processing accuracy and processing reproducibility.
図3に示すように、石英板30が溶融変形して突起部22pから離反した後においても、第1排気孔22e1から噴出される不活性ガスにより、石英板30を加熱することができる。石英板30の仕上げ加工を効率よく行うことが可能となる。 As shown in Figure 3, even after the quartz plate 30 has melted and deformed and separated from the protrusion 22p, the quartz plate 30 can be heated by the inert gas ejected from the first exhaust hole 22e1. This allows for efficient finishing of the quartz plate 30.
図6に、実施例3の成形装置301の断面図を示す。実施例3は、第2導体部22の突起部の形状が、実施例2と異なっている。実施例2と共通する部位には同一符号を付すことで、説明を省略する。 Figure 6 shows a cross-sectional view of the molding device 301 of Example 3. In Example 3, the shape of the protrusion of the second conductor portion 22 differs from that of Example 2. Parts that are common to Example 2 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.
第2導体部22のキャビティ21cに対向している領域には、中心軸CA1を頂点としてドーナツ形状に突出している突起部322pが形成されている。すなわち突起部322pは、中心軸CA1に対して同心円の軸回転対称形状を有している。突起部322pの外周径D5は、キャビティ21cの内周径D2以下である。「0.8×D2≦D5≦D2」の関係を満たすことが好ましい。また、突起部322pの内周径D6は、支柱23の直径D4よりも大きいことが好ましい。このような大小関係を有することにより、突起部322pがキャビティ21c内に侵入可能とされている。 A protrusion 322p is formed in the region of the second conductor 22 facing the cavity 21c, protruding in a doughnut shape with the central axis CA1 as its apex. That is, the protrusion 322p has a concentric, rotationally symmetric shape about the central axis CA1. The outer diameter D5 of the protrusion 322p is equal to or smaller than the inner diameter D2 of the cavity 21c. It is preferable to satisfy the relationship "0.8 × D2 ≦ D5 ≦ D2". It is also preferable that the inner diameter D6 of the protrusion 322p is larger than the diameter D4 of the support 23. This size relationship allows the protrusion 322p to enter the cavity 21c.
(効果)
図3に示すように、溶融変形後の石英板30は、支柱23の上面23tと第1導体部21の表面21sとの間の領域の変形量が最大となる。そして突起部322pは、この変形が最大になる領域に対応して、同心円状の突起を備えている。これにより、突起部322pを接触させることで、石英板30の溶融変形をより効率的に行うことが可能となる。
(effect)
3, after melting and deforming, the quartz plate 30 has the greatest amount of deformation in the region between the upper surface 23t of the support 23 and the surface 21s of the first conductor 21. The protrusions 322p have concentric protrusions corresponding to the region where the deformation is greatest. As a result, by bringing the protrusions 322p into contact, the melting and deformation of the quartz plate 30 can be carried out more efficiently.
図7および図8に、実施例4の成形装置401を示す。図7は断面図である。図8は、図7のVIII-VIII線の断面における上面図である。なお、図8では、石英板430の記載を省略している。実施例4は、実施例2の第1導体部21および第2導体部22を、複数備えた構造である。実施例2の成形装置201と共通する部位には同一符号を付すことで、説明を省略する。 Figures 7 and 8 show the molding device 401 of Example 4. Figure 7 is a cross-sectional view. Figure 8 is a top view of the cross section taken along line VIII-VIII in Figure 7. Note that the quartz plate 430 is not shown in Figure 8. Example 4 has a structure that includes multiple first conductor portions 21 and second conductor portions 22 of Example 2. Parts that are common to the molding device 201 of Example 2 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.
チャンバ10は、中心軸CA2を中心とした円筒形状を有している。加熱コイル11は、中心軸CA2を中心として、チャンバ10の周囲に同心円状に配置されている。サセプタ13およびベース型420は円板形状であり、その中心は中心軸CA2と一致している。ベース型420は、複数の第1導体部21を備えている。複数の第1導体部21の中心軸CA1は、中心軸CA2を中心とした円CC上に位置している。すなわち、複数の第1導体部21は、中心軸CA2から等距離に配置されている。従って、第1導体部21と加熱コイル11との距離CDは、複数の第1導体部21の各々において等しい。これにより、複数の第1導体部21の間における温度ばらつきを低減できる。振動子の間の形状ばらつきを抑制できるため、歩留まりを向上させることが可能となる。 The chamber 10 has a cylindrical shape centered on the central axis CA2. The heating coil 11 is arranged concentrically around the chamber 10, centered on the central axis CA2. The susceptor 13 and base mold 420 are disk-shaped, with their centers coinciding with the central axis CA2. The base mold 420 includes a plurality of first conductors 21. The central axes CA1 of the plurality of first conductors 21 are located on a circle CC centered on the central axis CA2. That is, the plurality of first conductors 21 are arranged equidistant from the central axis CA2. Therefore, the distance CD between the first conductors 21 and the heating coil 11 is equal for each of the plurality of first conductors 21. This reduces temperature variation among the plurality of first conductors 21. Shape variation among the vibrators can be suppressed, thereby improving yield.
またチャンバ10の内部には、治具24および複数の第2導体部22が配置されている。治具24は、複数の第2導体部22を保持するための部品である。治具24は円板形状であり、その中心は中心軸CA2と一致している。治具24は、中心軸CA2に沿って上下方向に移動可能とされている。治具24の材料には、絶縁性が高く高耐熱性を有する材料を用いることができる。本実施例では、治具24の材料はアルミナである。治具24の下面には、複数の第1導体部21に対応して、複数の第2導体部22が固定されている。第1導体部21および第2導体部22の構造は、実施例2と同様であるため、説明を省略する。ベース型420の表面420sには、複数のキャビティ21cを覆うように、1枚の円形の石英板430が配置されている。 Also, a jig 24 and multiple second conductors 22 are arranged inside the chamber 10. The jig 24 is a component for holding the multiple second conductors 22. The jig 24 is disk-shaped, and its center coincides with the central axis CA2. The jig 24 is movable up and down along the central axis CA2. The jig 24 can be made of a material with high insulating properties and high heat resistance. In this embodiment, the jig 24 is made of alumina. A plurality of second conductors 22 are fixed to the underside of the jig 24 in correspondence with the multiple first conductors 21. The structures of the first conductors 21 and second conductors 22 are the same as in Example 2, so a description thereof will be omitted. A circular quartz plate 430 is arranged on the surface 420s of the base mold 420 so as to cover the multiple cavities 21c.
(効果)
一度の加工工程で複数個の振動子を同時に作製することができる。振動子の生産効率を大幅に向上させることが可能となる。
(effect)
It is possible to simultaneously manufacture multiple vibrators in a single processing step, greatly improving vibrator production efficiency.
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。 Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and variations of the specific examples given above.
(変形例)
実施例4において、複数の第2導体部22を備えない構成としてもよい。
(Modification)
In the fourth embodiment, the plurality of second conductors 22 may not be provided.
実施例4において、第2導体部22が備える排気孔の位置や数は、様々であって良い。例えば、図9の変形例の成形装置501に示すように、複数の第2排気孔22e2を備えていてもよい。図9(A)は、第2導体部22の下面を-z方向から見た図である。図9(B)は、成形装置501の断面図である。第2導体部22のキャビティ21cに対向している領域において、中心軸CA1から等距離の回転対称位置に、4つの第2排気孔22e2が配置されている。4つの第2排気孔22e2から噴出される加熱された不活性ガスにより、石英板30をより効率よく加熱することが可能となる。なお第2排気孔22e2の数は4つに限られず、任意の数とすることができる。また第2排気孔22e2を形成する領域の形状は、図9の突起部22pの形状に限られず、様々であってよい。例えば、成形装置301(図6)に示す突起部322pに、第2排気孔22e2を形成してもよい。また第1排気孔22e1(図5、図6)と第2排気孔22e2(図9)の両方を備える構成であってもよい。 In Example 4, the position and number of exhaust holes provided in the second conductor portion 22 may vary. For example, as shown in a modified molding apparatus 501 in Figure 9, multiple second exhaust holes 22e2 may be provided. Figure 9(A) is a view of the underside of the second conductor portion 22 from the -z direction. Figure 9(B) is a cross-sectional view of the molding apparatus 501. In the region of the second conductor portion 22 facing the cavity 21c, four second exhaust holes 22e2 are arranged at rotationally symmetric positions equidistant from the central axis CA1. The heated inert gas ejected from the four second exhaust holes 22e2 enables more efficient heating of the quartz plate 30. Note that the number of second exhaust holes 22e2 is not limited to four and can be any number. Furthermore, the shape of the region where the second exhaust holes 22e2 are formed is not limited to the shape of the protrusion 22p in Figure 9 and may vary. For example, the second exhaust hole 22e2 may be formed in the protrusion 322p shown in the molding device 301 (Figure 6). Alternatively, the device may be configured to include both the first exhaust hole 22e1 (Figures 5 and 6) and the second exhaust hole 22e2 (Figure 9).
支柱23は導体に限られず、非導体で形成されていてもよい。 The support pillars 23 are not limited to being conductive and may be made of non-conductive material.
振動子の材料は、石英板30に限られない。溶融変形する誘電体であれば、何れの材料であってもよい。 The material of the vibrator is not limited to the quartz plate 30. Any dielectric material that melts and deforms can be used.
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。 Furthermore, the technical elements described in this specification or drawings may exhibit technical utility either alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. Furthermore, the technologies illustrated in this specification or drawings may achieve multiple objectives simultaneously, and achieving any one of those objectives is itself technically useful.
1、201、301、401:成形装置 10:チャンバ 11:加熱コイル 14:減圧機構 15:計測機構 20:ベース型 21:第1導体部 21c:キャビティ 22:第2導体部 22e:排気孔 22p:突起部 23:支柱 1, 201, 301, 401: Molding device 10: Chamber 11: Heating coil 14: Pressure reduction mechanism 15: Measuring mechanism 20: Base mold 21: First conductor 21c: Cavity 22: Second conductor 22e: Exhaust hole 22p: Protrusion 23: Support
Claims (9)
チャンバと、
前記チャンバ内に配置されている、非導電性のベースと、
前記ベースに配置されている第1導体部であって、中心軸に対する軸回転対称形状を有するキャビティを上面に備える前記第1導体部と、
前記キャビティの内部に配置されており、前記中心軸を中心とした円柱形状を有する導体製の支柱部と、
前記キャビティを減圧することが可能な減圧機構と、
前記キャビティと対向して配置されており、前記中心軸に沿って移動可能な第2導体部と、
を備える、成形装置。 a heating coil capable of high-frequency induction heating a conductor;
a chamber;
a non-conductive base disposed within the chamber;
a first conductor disposed on the base, the first conductor having a cavity on its upper surface that has an axial rotation symmetric shape with respect to a central axis;
a conductive support portion that is disposed inside the cavity and has a cylindrical shape centered on the central axis;
a pressure reducing mechanism capable of reducing the pressure in the cavity;
a second conductor portion disposed opposite the cavity and movable along the central axis;
A molding device comprising:
前記第1排気孔および前記複数の第2排気孔は、加熱された不活性ガスを噴出可能に構成されている、請求項1に記載の成形装置。 the second conductor portion includes at least one of a first exhaust hole arranged at a position corresponding to the central axis of the region facing the cavity, and a plurality of second exhaust holes arranged at rotationally symmetric positions equidistant from the central axis of the region facing the cavity,
The molding apparatus according to claim 1 , wherein the first exhaust hole and the plurality of second exhaust holes are configured to be able to eject heated inert gas.
前記突起部の外周径は、前記キャビティの開口部の内周径よりも小さい、請求項1または2に記載の成形装置。 a protrusion having an axial rotation symmetric shape with respect to the central axis is formed in a region of the second conductor facing the cavity,
The molding apparatus according to claim 1 or 2 , wherein an outer diameter of the protrusion is smaller than an inner diameter of the opening of the cavity.
前記第1導体部と前記加熱コイルとの距離は、複数の前記第1導体部の各々において等しい、請求項1~4の何れか1項に記載の成形装置。 a plurality of the first conductor portions are provided,
The molding device according to claim 1 , wherein the distance between the first conductor and the heating coil is equal for each of the plurality of first conductors.
チャンバと、
前記チャンバ内に配置されている、非導電性のベースと、
前記ベースに配置されている第1導体部であって、中心軸に対する軸回転対称形状を有するキャビティを上面に備える前記第1導体部と、
前記キャビティの内部に配置されており、前記中心軸を中心とした円柱形状を有する導体製の支柱部と、
前記キャビティを減圧することが可能な減圧機構と、
前記キャビティと対向して配置されており、前記中心軸に沿って移動可能な第2導体部と、
を備える成形装置を用いた成型方法であって、
前記キャビティを覆うように板状の被加工材料を前記第1導体部の上面に配置する配置工程と、
前記キャビティの内部を前記減圧機構によって減圧しながら、前記第1導体部および前記支柱部を前記加熱コイルにより加熱して前記被加工材料を溶融変形させる加工工程と、
を備え、
前記加工工程では、前記加熱コイルにより加熱された前記第2導体部を前記被加工材料に接触させる、
成型方法。 a heating coil capable of high-frequency induction heating a conductor;
a chamber;
a non-conductive base disposed within the chamber;
a first conductor disposed on the base, the first conductor having a cavity on its upper surface that has an axial rotation symmetric shape with respect to a central axis;
a conductive support portion that is disposed inside the cavity and has a cylindrical shape centered on the central axis;
a pressure reducing mechanism capable of reducing the pressure in the cavity;
a second conductor portion disposed opposite the cavity and movable along the central axis;
A molding method using a molding apparatus comprising:
a placement step of placing a plate-shaped workpiece on the upper surface of the first conductor portion so as to cover the cavity;
a processing step of heating the first conductor portion and the support portion with the heating coil while reducing the pressure inside the cavity with the pressure reducing mechanism to melt and deform the workpiece material;
Equipped with
In the processing step, the second conductor portion heated by the heating coil is brought into contact with the workpiece.
Molding method.
前記減圧状態の監視結果に基づいて前記加工工程の終点を検出する、請求項7に記載の成型方法。 a monitoring step of monitoring a reduced pressure state of the cavity during the processing step,
The molding method according to claim 7 , further comprising detecting an end point of the processing step based on a result of monitoring the reduced pressure state.
前記加工工程では、前記第1排気孔および前記複数の第2排気孔から加熱された不活性ガスを噴出する、請求項7に記載の成型方法。 the second conductor portion includes at least one of a first exhaust hole arranged at a position corresponding to the central axis of the region facing the cavity, and a plurality of second exhaust holes arranged at rotationally symmetric positions equidistant from the central axis of the region facing the cavity,
The molding method according to claim 7 , wherein in the processing step, heated inert gas is ejected from the first exhaust hole and the plurality of second exhaust holes.
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002053330A (en) | 2000-08-10 | 2002-02-19 | Nikon Corp | Forming method of synthetic quartz glass and synthetic quartz glass |
| JP2006160529A (en) | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Glass lens molding equipment |
| JP2007169079A (en) | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Toshiba Mach Co Ltd | Molding equipment |
| JP2015120619A (en) | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 信越石英株式会社 | Mold, mold method for quartz glass ingot, and quartz glass |
| US20160194200A1 (en) | 2014-12-31 | 2016-07-07 | The Regents Of The University Of Michigan | Three Dimensional Microstructures And Fabrication Process |
| US20180079129A1 (en) | 2016-09-21 | 2018-03-22 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermal Control Mold For Making Three-Dimensional Microstructures |
| JP2018509374A (en) | 2015-03-24 | 2018-04-05 | ロックツール | Glass forming apparatus and method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0742124B2 (en) * | 1985-08-13 | 1995-05-10 | 旭硝子株式会社 | Method for forming quartz glass plate |
| JPS62256631A (en) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Manufacture of decorating molded product |
-
2021
- 2021-06-29 JP JP2021107974A patent/JP7726682B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002053330A (en) | 2000-08-10 | 2002-02-19 | Nikon Corp | Forming method of synthetic quartz glass and synthetic quartz glass |
| JP2006160529A (en) | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Glass lens molding equipment |
| JP2007169079A (en) | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Toshiba Mach Co Ltd | Molding equipment |
| JP2015120619A (en) | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 信越石英株式会社 | Mold, mold method for quartz glass ingot, and quartz glass |
| US20160194200A1 (en) | 2014-12-31 | 2016-07-07 | The Regents Of The University Of Michigan | Three Dimensional Microstructures And Fabrication Process |
| JP2018509374A (en) | 2015-03-24 | 2018-04-05 | ロックツール | Glass forming apparatus and method |
| US20180079129A1 (en) | 2016-09-21 | 2018-03-22 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermal Control Mold For Making Three-Dimensional Microstructures |
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