JP7747490B2 - Grinding equipment - Google Patents
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Description
本発明は、チャックテーブルにおいて保持されたウェーハを研削する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding device that grinds wafers held on a chuck table.
ウェーハを研削する研削装置は、チャックテーブルの保持面においてウェーハを吸引保持し、研削水を供給しながら研削砥石によってウェーハを研削している(例えば特許文献1参照)。研削終了後は、チャックテーブルの保持面から水とエアとの混合流体を噴出することにより、ウェーハと保持面との間に進入した研削水の表面張力を破壊して保持面からウェーハを離間させている(例えば特許文献1参照)。保持面から噴出する混合流体は、ポーラス部材の内部を通るため、ポーラス部材内に進入した加工屑にエアと水とが衝撃を与えて保持面から噴出させるが、その加工屑は、ウェーハの下面側に付着する。そこで、ウェーハの下面全面を洗浄する洗浄機構が提案されている(例えば、特許文献2、3参照)。 A grinding device that grinds wafers holds the wafer by suction on the holding surface of a chuck table and grinds the wafer with a grinding wheel while supplying grinding water (see, for example, Patent Document 1). After grinding is complete, a mixture of water and air is ejected from the holding surface of the chuck table, breaking the surface tension of the grinding water that has entered between the wafer and the holding surface and separating the wafer from the holding surface (see, for example, Patent Document 1). The mixture ejected from the holding surface passes through the interior of a porous member, causing the air and water to impact processing debris that has entered the porous member and eject it from the holding surface. However, the processing debris adheres to the underside of the wafer. Therefore, a cleaning mechanism that cleans the entire underside of the wafer has been proposed (see, for example, Patent Documents 2 and 3).
また、チャックテーブルの保持面に保持されているウェーハの上面を保持パッドによって吸引保持して搬出する際に、保持面から噴出した加工屑がウェーハの上面側にも回り込んで保持パッドの吸引面に付着するという問題もある。そこで、研削後のウェーハを搬出する搬出機構に、吸引面の外側に環状に水を噴射するシャワーリングを備える構成も提案されている(例えば、特許文献4、5参照)。 Furthermore, when the upper surface of a wafer held on the holding surface of the chuck table is suction-held by a holding pad and transported, there is a problem in that processing debris ejected from the holding surface can find its way around to the upper surface of the wafer and adhere to the suction surface of the holding pad. To address this problem, a configuration has been proposed in which the transport mechanism used to transport the ground wafer is equipped with a shower ring that sprays water in a circular pattern around the outside of the suction surface (see, for example, Patent Documents 4 and 5).
しかし、吸引面がウェーハの上面全面を吸引保持するタイプの保持パッドの場合は、シャワーリングから水を噴出しても、研削後に研削痕により凹凸があるウェーハの上面と保持パッドの吸引面の平面との間の隙間に水が進入し、これによって吸引面及びウェーハの上面に加工屑が付着することがある。研削後のウェーハの上面を洗浄するスピンナー洗浄ユニットを備えている研削装置においても、吸引面及びウェーハの上面に付着した加工屑を除去することが困難であるという問題がある。 However, in the case of a holding pad whose suction surface holds the entire top surface of the wafer by suction, even if water is sprayed from the shower ring, water can seep into the gap between the top surface of the wafer, which has unevenness due to grinding marks after grinding, and the flat surface of the suction surface of the holding pad, causing processing debris to adhere to the suction surface and the top surface of the wafer. Even in grinding machines equipped with a spinner cleaning unit that cleans the top surface of the wafer after grinding, there is the problem that it is difficult to remove processing debris that has adhered to the suction surface and the top surface of the wafer.
本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、チャックテーブルの保持面に保持されたウェーハを研削する研削装置において、ウェーハを保持面から離間させる際に、ウェーハの上面に加工屑が付着するのを防ぐことを課題とする。 The present invention was developed in consideration of these problems, and aims to prevent processing debris from adhering to the top surface of a wafer when the wafer is released from the holding surface in a grinding device that grinds a wafer held on the holding surface of a chuck table.
本発明は、保持面においてウェーハを吸引保持するポーラス部材と該保持面を露出させ該ポーラス部材を収容する枠体とから構成されるチャックテーブルと、該チャックテーブルの下面を支持する支持面を備えるテーブル支持部と、該保持面が吸引保持したウェーハを研削砥石によって研削する研削機構と、制御部と、を備える研削装置であって、該ポーラス部材は、下面から該保持面に向けて起立し該保持面に至らない円環状のバリアを備え、
該枠体は、該ポーラス部材の下面中央に水を供給する供給孔と、該バリアの外側の該ポーラス部材に流体を供給する環状流体噴出部と、を備え、該テーブル支持部は、該供給孔に連通し該支持面の中央から水を噴出する水噴出部と、該環状流体噴出部に連通する流体噴出部と、を備え、該制御部は、該水噴出部及び該供給孔を介して該水を該保持面の中央部分から噴出させることと、該流体噴出部及び該環状流体噴出部を介して水を該保持面の外周部分から噴出させ、ウェーハを保持していない該保持面を洗浄することと、を行う。
上記研削装置は、該保持面が保持したウェーハを保持する保持パッドを備え、該保持面からウェーハを搬出する搬出機構を備え、該制御部は、ウェーハを保持させることと、該水噴出部によって該保持面の中央から水を噴出させることと、ウェーハを保持した該保持パッドを該保持面から離間させる方向に移動させることとを制御し、該保持面からウェーハを離間させることと、該環状流体噴出部によってウェーハを保持していない該保持面の外周部分から水を噴出させ、該保持面を洗浄することと、を行ってもよい。
The present invention provides a grinding device comprising: a chuck table including a porous member that suction-holds a wafer on a holding surface and a frame that exposes the holding surface and accommodates the porous member; a table support unit that has a support surface that supports the lower surface of the chuck table; a grinding mechanism that grinds the wafer suction-held by the holding surface with a grinding wheel; and a control unit, wherein the porous member has an annular barrier that rises from the lower surface toward the holding surface and does not reach the holding surface;
The frame body has a supply hole that supplies water to the center of the underside of the porous member and an annular fluid jetting portion that supplies fluid to the porous member outside the barrier, the table support portion has a water jetting portion that communicates with the supply hole and jets water from the center of the support surface, and a fluid jetting portion that communicates with the annular fluid jetting portion, and the control portion jets the water from the central portion of the holding surface via the water jetting portion and the supply hole, and jets water from the outer periphery of the holding surface via the fluid jetting portion and the annular fluid jetting portion, thereby cleaning the holding surface that is not holding a wafer .
The grinding device may include a holding pad that holds the wafer held by the holding surface, and a carrying-out mechanism that carries the wafer out of the holding surface, and the control unit may control the holding of the wafer, the water ejection unit to eject water from the center of the holding surface, and the holding pad holding the wafer to move in a direction away from the holding surface, thereby moving the wafer out of the holding surface, and the annular fluid ejection unit to eject water from the outer periphery of the holding surface that is not holding the wafer, thereby cleaning the holding surface .
本発明に係る研削装置は、水噴出部及び供給孔を介して水を保持面の中央部分から噴出させて保持面からウェーハを離間させるため、保持面の外周部分に進入した加工屑が飛び散ってウェーハの上面や保持パッドの保持面に付着するおそれを低減することができる。
また、水噴出部から噴出する水によってウェーハの下面側の中央部分に加工屑が付着するおそれが低減するため、研削後のウェーハの下面の中央部分を洗浄せずに済む。
The grinding device of the present invention sprays water from the central part of the holding surface through the water spray section and supply hole to separate the wafer from the holding surface, thereby reducing the risk of processing debris that has entered the outer periphery of the holding surface scattering and adhering to the top surface of the wafer or the holding surface of the holding pad.
Furthermore, the risk of processing debris adhering to the central portion of the underside of the wafer due to the water jetted from the water jetting portion is reduced, so there is no need to clean the central portion of the underside of the wafer after grinding.
図1に示す研削装置1は、チャックテーブル2において保持されたウェーハ10を研削機構3によって研削する装置である。 The grinding device 1 shown in Figure 1 is a device that grinds a wafer 10 held on a chuck table 2 using a grinding mechanism 3.
研削装置1の前部には、ウェーハ10を収容するカセット610、620が載置されるカセット載置領域61、62を備えている。カセット610には例えば研削前のウェーハ10が収容され、カセット620には例えば研削後のウェーハ10が収容される。 The front of the grinding apparatus 1 is provided with cassette placement areas 61 and 62 on which cassettes 610 and 620 containing wafers 10 are placed. Cassette 610 contains, for example, wafers 10 before grinding, and cassette 620 contains, for example, wafers 10 after grinding.
カセット載置領域の後方(+Y側)には、カセット610、620に対するウェーハ10の搬出入を行うロボット63が配設されている。ロボット63は、ウェーハ10を吸引保持するハンド631と、ハンド631の表裏を反転する反転駆動部632と、反転駆動部632に連結されハンド631を旋回及び昇降させるアーム部633とを備えている。 A robot 63 is disposed behind the cassette placement area (+Y side) to load and unload wafers 10 into and from cassettes 610 and 620. The robot 63 includes a hand 631 that holds the wafer 10 by suction, an inversion drive unit 632 that inverts the hand 631, and an arm unit 633 that is connected to the inversion drive unit 632 and rotates and raises and lowers the hand 631.
ハンド631の可動域には、研削前のウェーハ10が一時的に置かれる仮置き機構64が配設されている。仮置き機構64には、ウェーハ10が載置される載置テーブル641と、円弧状に配置され載置テーブル641の中心に向けて径方向に移動可能な複数の位置決めピン642とを備えており、載置テーブル641にウェーハ10が載置された状態で複数の位置決めピン642が互いに近づく方向に移動することにより、ウェーハ10を所定の位置に位置合わせすることができる。 A temporary placement mechanism 64 is provided within the range of motion of the hand 631, on which the wafer 10 is temporarily placed before grinding. The temporary placement mechanism 64 is equipped with a placement table 641 on which the wafer 10 is placed, and multiple positioning pins 642 arranged in an arc and movable radially toward the center of the placement table 641. With the wafer 10 placed on the placement table 641, the multiple positioning pins 642 move toward each other, allowing the wafer 10 to be aligned to a predetermined position.
ハンド631の可動域には、仮置き機構64とX軸方向に並ぶ位置に、研削後のウェーハ10を洗浄する洗浄機構65が配設されている。洗浄機構65は、研削後のウェーハ10を吸引保持するスピンナーテーブル651と、スピンナーテーブル651に保持されたウェーハ10に洗浄液を噴射する洗浄液ノズル652と、洗浄後のウェーハ10に高圧エアを噴射して乾燥するエアノズル653とを備えている。 A cleaning mechanism 65 for cleaning the ground wafer 10 is disposed within the range of motion of the hand 631, aligned in the X-axis direction with the temporary placement mechanism 64. The cleaning mechanism 65 includes a spinner table 651 that holds the ground wafer 10 by suction, a cleaning liquid nozzle 652 that sprays cleaning liquid onto the wafer 10 held on the spinner table 651, and an air nozzle 653 that sprays high-pressure air onto the cleaned wafer 10 to dry it.
チャックテーブル2は、表面に保持面210を有しウェーハ10を吸引保持するポーラス部材21と、ポーラス部材21を収容する枠体22とを備えており、枠体22の内周側からは保持面210が露出している。保持面210と枠体22の上面220とは面一に形成されている。 The chuck table 2 comprises a porous member 21 having a holding surface 210 on its surface that holds the wafer 10 by suction, and a frame 22 that houses the porous member 21, with the holding surface 210 exposed from the inner periphery of the frame 22. The holding surface 210 and the upper surface 220 of the frame 22 are formed flush with each other.
チャックテーブル2の下方にはチャックテーブル2の下面を支持する支持面230を有するテーブル支持部23を備えている。テーブル支持部23の下部には回転軸240が連結され、回転軸240は、支持板241によって回転可能に支持されている。支持板241は、3つの支持軸242(図1では2つのみ示す)によって少なくとも3箇所が支持されている。このうち、少なくとも2つの支持軸242には、チャックテーブル2の高さを調整して保持面210の傾きを調整する機能を有している。 Below the chuck table 2 is a table support section 23 having a support surface 230 that supports the underside of the chuck table 2. A rotating shaft 240 is connected to the lower part of the table support section 23, and the rotating shaft 240 is rotatably supported by a support plate 241. The support plate 241 is supported at least at three points by three support shafts 242 (only two are shown in Figure 1). Of these, at least two support shafts 242 have the function of adjusting the height of the chuck table 2 and thereby adjusting the inclination of the holding surface 210.
チャックテーブル2は、水平移動機構4によって駆動されてY軸方向に移動可能となっている。水平移動機構4は、Y軸方向の回転軸を有するボールネジ40と、ボールネジ40を回転させるモータ41と、ボールネジ40と平行に配設された一対のガイドレール42と、底部がガイドレール42に摺接しボールネジ40に螺合する図示しないナットを内部に有するスライド板43とを備えている。スライド板43の上部には支持軸242を備えている。ボールネジ40が回転すると、スライド板43がガイドレール42にガイドされてY軸方向に移動し、スライド板43のY軸方向の移動にともない、チャックテーブル2もY軸方向に移動する構成となっている。 The chuck table 2 is driven by a horizontal movement mechanism 4 to move in the Y-axis direction. The horizontal movement mechanism 4 includes a ball screw 40 with a rotation axis in the Y-axis direction, a motor 41 that rotates the ball screw 40, a pair of guide rails 42 arranged parallel to the ball screw 40, and a slide plate 43 whose bottom makes sliding contact with the guide rails 42 and has an internal nut (not shown) that screws onto the ball screw 40. A support shaft 242 is provided on the top of the slide plate 43. When the ball screw 40 rotates, the slide plate 43 moves in the Y-axis direction, guided by the guide rails 42. As the slide plate 43 moves in the Y-axis direction, the chuck table 2 also moves in the Y-axis direction.
チャックテーブル2のY軸方向の移動経路の側方には、ウェーハ10の厚みを測定する厚み測定器66が配設されている。厚み測定器66は、チャックテーブル2の枠体22の上面220に接触してその上面220の高さを測定する第1測定部661と、保持面210に保持されたウェーハ10の上面100に接触してその上面100の高さを測定する第2測定部662とを備え、第1測定部661の測定値と第2測定部662の測定値との差によって、ウェーハ10の厚みを算出する。 A thickness gauge 66 for measuring the thickness of the wafer 10 is disposed to the side of the movement path of the chuck table 2 in the Y-axis direction. The thickness gauge 66 includes a first measuring unit 661 that contacts the upper surface 220 of the frame 22 of the chuck table 2 to measure the height of that upper surface 220, and a second measuring unit 662 that contacts the upper surface 100 of the wafer 10 held on the holding surface 210 to measure the height of that upper surface 100. The thickness of the wafer 10 is calculated from the difference between the measurement values of the first measuring unit 661 and the second measuring unit 662.
仮置き機構64の近傍には、ウェーハ10を載置テーブル641からチャックテーブル2に搬入する搬入機構71が配設されている。搬入機構71は、研削前のウェーハ10の上面100を吸引保持する保持部740と、保持部740が先端に連結されたアーム部731と、保持部740及びアーム部731を昇降させる昇降駆動部737と、保持部740及びアーム部731を旋回させる図示しない旋回駆動部とを備えている。 A carry-in mechanism 71 is disposed near the temporary placement mechanism 64, which carries the wafer 10 from the placement table 641 onto the chuck table 2. The carry-in mechanism 71 includes a holding unit 740 that suction-holds the top surface 100 of the wafer 10 before grinding, an arm unit 731 to the tip of which the holding unit 740 is connected, an elevation drive unit 737 that raises and lowers the holding unit 740 and the arm unit 731, and a rotation drive unit (not shown) that rotates the holding unit 740 and the arm unit 731.
洗浄機構65の近傍には、研削後のウェーハ10をチャックテーブル2からスピンナーテーブル651に搬出する搬出機構72が配設されている。搬出機構72は、研削後のウェーハ10の上面100を吸引保持する保持部740と、保持部740が先端に連結されたアーム部731と、保持部740及びアーム部731を昇降させる昇降駆動部737と、保持部740及びアーム部731を旋回させる図示しない旋回駆動部とを備えている。 A carry-out mechanism 72 is disposed near the cleaning mechanism 65, which carries the ground wafer 10 from the chuck table 2 to the spinner table 651. The carry-out mechanism 72 includes a holder 740 that holds the top surface 100 of the ground wafer 10 by suction, an arm 731 to the tip of which the holder 740 is connected, an elevation drive unit 737 that raises and lowers the holder 740 and arm 731, and a rotation drive unit (not shown) that rotates the holder 740 and arm 731.
研削機構3は、Z軸方向に延在する回転軸を有するスピンドル30と、スピンドル30を回転させるスピンドル回転機構31と、スピンドル30を回転可能に支持するスピンドルハウジング32と、スピンドル30の下端に連結されたマウント33と、マウント33に装着された研削ホイール34とを備えている。スピンドル回転機構31がスピンドル30を回転させると、研削ホイール34も回転する。研削ホイール34は、マウント33に固定される基台340と、基台340の下面に環状に固着された複数の研削砥石341とで構成されている。 The grinding mechanism 3 includes a spindle 30 having a rotation axis extending in the Z-axis direction, a spindle rotation mechanism 31 that rotates the spindle 30, a spindle housing 32 that rotatably supports the spindle 30, a mount 33 connected to the lower end of the spindle 30, and a grinding wheel 34 attached to the mount 33. When the spindle rotation mechanism 31 rotates the spindle 30, the grinding wheel 34 also rotates. The grinding wheel 34 is composed of a base 340 fixed to the mount 33 and multiple grinding stones 341 fixed in a ring shape to the underside of the base 340.
研削機構3は、研削送り機構5によって昇降可能に支持されている。研削送り機構5は、Z軸方向の回転軸を有するボールネジ50と、ボールネジ50を回転させるモータ51と、ボールネジ50と平行に配設された一対のガイドレール52と、側部がガイドレール52に摺接しボールネジ50に螺合する図示しないナットを内部に有する昇降板53と、昇降板53に連結されスピンドルハウジング32を支持するホルダ54とを備えている。ボールネジ50が回転すると、昇降板53がガイドレール52にガイドされてZ軸方向に移動し、これにともない研削機構3もZ軸方向に移動する。 The grinding mechanism 3 is supported by the grinding feed mechanism 5 so that it can be raised and lowered. The grinding feed mechanism 5 includes a ball screw 50 with a rotation axis in the Z-axis direction, a motor 51 that rotates the ball screw 50, a pair of guide rails 52 arranged parallel to the ball screw 50, a lift plate 53 whose sides are in sliding contact with the guide rails 52 and which has an internal nut (not shown) that screws onto the ball screw 50, and a holder 54 connected to the lift plate 53 and supports the spindle housing 32. When the ball screw 50 rotates, the lift plate 53 moves in the Z-axis direction, guided by the guide rails 52, and the grinding mechanism 3 also moves in the Z-axis direction.
研削装置1には、チャックテーブル2、研削機構3、水平移動機構4、研削送り機構5、ロボット63、洗浄機構65、厚み測定器66、搬入機構71、搬出機構72等を制御する制御部8を備えている。 The grinding device 1 is equipped with a control unit 8 that controls the chuck table 2, grinding mechanism 3, horizontal movement mechanism 4, grinding feed mechanism 5, robot 63, cleaning mechanism 65, thickness measuring device 66, carry-in mechanism 71, carry-out mechanism 72, etc.
図2に示すように、回転軸240の下端は、軸支持部(ロータリージョイント)243によって回転可能に支持されている。回転軸240の周囲には従動プーリ244が配設され、従動プーリ244の側方には駆動プーリ245が配設されている。駆動プーリ245はモータ246によって駆動される。駆動プーリ245及び従動プーリ244にはベルト247が巻回されており、モータ246によって駆動されて駆動プーリ245が回転すると、ベルト247によってその回転力が従動プーリ244に伝達され、回転軸240が回転し、チャックテーブル2が回転する。 As shown in FIG. 2, the lower end of the rotating shaft 240 is rotatably supported by a shaft support portion (rotary joint) 243. A driven pulley 244 is disposed around the rotating shaft 240, and a drive pulley 245 is disposed to the side of the driven pulley 244. The drive pulley 245 is driven by a motor 246. A belt 247 is wound around the drive pulley 245 and the driven pulley 244. When the drive pulley 245 is driven by the motor 246 and rotates, the rotational force is transmitted to the driven pulley 244 by the belt 247, causing the rotating shaft 240 to rotate, and the chuck table 2 to rotate.
枠体22、テーブル支持部23、回転軸240、軸支持部243には、流体を通すための第1流路251及び第2流路252が貫通して形成されている。第1流路251の上端は、枠体22の凹部222の中心に形成された供給孔223において開口している。供給孔223は、その上方のポーラス部材21に連通しており、ポーラス部材21の下面中央に水を供給する。また、第1流路251の途中には、テーブル支持部23の支持面230の中心において水噴出部231が形成されている。第1流路251の下部は、軸支持部243を通って中央用バルブ253に接続されている。中央用バルブ253は、バルブ254、255、256を介して吸引源261、エア供給源262、水供給源263に接続されている。 A first flow path 251 and a second flow path 252 for passing fluid are formed through the frame 22, table support 23, rotation shaft 240, and shaft support 243. The upper end of the first flow path 251 opens to a supply hole 223 formed in the center of the recess 222 of the frame 22. The supply hole 223 is connected to the porous member 21 above it and supplies water to the center of the underside of the porous member 21. A water jet 231 is formed midway along the first flow path 251 at the center of the support surface 230 of the table support 23. The lower part of the first flow path 251 is connected to a central valve 253 through the shaft support 243. The central valve 253 is connected to a suction source 261, an air supply source 262, and a water supply source 263 via valves 254, 255, and 256.
第2流路252の上端は、枠体22の凹部222の外周部に形成された環状流体噴出部224において開口している。第2流路252の途中には、水噴出部231の外周側において流体噴出部232が形成されている。第2流路252の下部は、軸支持部243を通って環状用バルブ257に接続されている。環状用バルブ257は、バルブ254、255、256を介して吸引源261、エア供給源262、水供給源263に接続されている。すなわち、第1流路251と第2流路252とは、中央用バルブ253及び環状用バルブ257の先の共通流路258において合流している。共通流路258には、共通流路258内の圧力を測定する圧力計259が接続されている。 The upper end of the second flow path 252 opens at an annular fluid ejection section 224 formed on the outer periphery of the recess 222 of the frame 22. A fluid ejection section 232 is formed midway along the second flow path 252, on the outer periphery of the water ejection section 231. The lower part of the second flow path 252 is connected to an annular valve 257 through the shaft support section 243. The annular valve 257 is connected to a suction source 261, an air supply source 262, and a water supply source 263 via valves 254, 255, and 256. That is, the first flow path 251 and the second flow path 252 converge at a common flow path 258 beyond the central valve 253 and the annular valve 257. A pressure gauge 259 is connected to the common flow path 258 to measure the pressure within the common flow path 258.
ポーラス部材21の内部には、ポーラス部材21の下面から保持面210側に向けて起立し保持面210にまでは至らない円環状のバリア225が設けられている。バリア225は、ポーラス部材21を中央領域226と環状領域227とに仕切っている。なお、バリア225は、保持面210にまで至るように形成してもよい。 A ring-shaped barrier 225 is provided inside the porous member 21, rising from the underside of the porous member 21 toward the holding surface 210 but not reaching the holding surface 210. The barrier 225 divides the porous member 21 into a central region 226 and an annular region 227. The barrier 225 may also be formed to reach the holding surface 210.
図3に示すように、搬入機構71及び搬出機構72は、同様に構成されるため、同一の符号を付して説明する。搬入機構71及び搬出機構72は、アーム部731と、アーム部731を昇降させる昇降駆動部737と、アーム部731に固定された環状支持部材733と、拡径する頭部734を有し環状支持部材733に形成された貫通孔735に遊嵌する少なくとも3つのピン736と、ピン736の下端に連結された保持部740とを備えている。ピン736は、拡径した頭部734が環状支持部材733の上面に支持された状態で垂下している。
保持部740は、ピン736が連結された枠体741と、枠体741によって上方及び側方から保持された保持パッド742とを備えている。保持パッド742は、例えばポーラス部材によって形成され、その下面は、ウェーハ10の上面100を吸引保持する吸引面743となっている。
また、保持パッド742は、ウェーハ10の外周を支持するエッジクランプでもよい。
3, the carry-in mechanism 71 and the carry-out mechanism 72 are configured in the same manner and will be described using the same reference numerals. The carry-in mechanism 71 and the carry-out mechanism 72 each include an arm 731, an elevation drive unit 737 that raises and lowers the arm 731, an annular support member 733 fixed to the arm 731, at least three pins 736 that have enlarged heads 734 and that fit loosely into through holes 735 formed in the annular support member 733, and a holder 740 connected to the lower ends of the pins 736. The pins 736 hang down with their enlarged heads 734 supported on the upper surface of the annular support member 733.
The holding part 740 includes a frame 741 to which the pins 736 are connected, and a holding pad 742 that is held from above and the sides by the frame 741. The holding pad 742 is formed of, for example, a porous material, and its lower surface serves as a suction surface 743 that suction-holds the upper surface 100 of the wafer 10.
The holding pad 742 may also be an edge clamp that supports the outer periphery of the wafer 10 .
環状支持部材733及び枠体741を貫通して、エア流路751が形成されており、エア流路751は、その上部が2つの経路に分岐し、一方にはバルブ752を介して吸引源753が接続され、他方にはバルブ754を介してエア供給源755が接続されている。 An air flow path 751 is formed through the annular support member 733 and the frame body 741. The upper part of the air flow path 751 branches into two paths, one of which is connected to a suction source 753 via a valve 752, and the other to an air supply source 755 via a valve 754.
次に、図1に示す研削装置1においてウェーハ10の上面100を研削する場合の研削装置1の動作について説明する。ウェーハ10は、図1に示すカセット610の内部に複数収容される。そして、アーム部633の旋回及び昇降によってロボット63のハンド631がカセット610の内部に進入して1枚のウェーハ10を吸引保持し、その後、ハンド631がカセット610の外に退避し、仮置き機構64の載置テーブル641に載置する。そして、位置決めピン642が互いに近づく方向に移動し、ウェーハ10が所定の位置に位置合わせされる。 Next, the operation of the grinding apparatus 1 shown in Figure 1 when grinding the top surface 100 of a wafer 10 will be described. Multiple wafers 10 are stored inside the cassette 610 shown in Figure 1. Then, by rotating and raising and lowering the arm unit 633, the hand 631 of the robot 63 enters the inside of the cassette 610 and suction-holds one wafer 10. The hand 631 then retracts outside the cassette 610 and places the wafer 10 on the placement table 641 of the temporary placement mechanism 64. The positioning pins 642 then move toward each other, and the wafer 10 is aligned in a predetermined position.
次に、搬入機構71のアーム部731が旋回して載置テーブル641に載置されたウェーハ10の上方に保持部740を移動させる。そして、昇降駆動部737が保持部740を下降させ、図3に示したバルブ752を開放して保持パッド742の吸引面743に吸引力を作用させ、ウェーハ10の上面100を吸引保持する。次に、昇降駆動部737が保持部740を上昇させた後、旋回駆動部がアーム部731を旋回させ、あらかじめ-Y方向側に位置させたチャックテーブル2の上方にウェーハ10を移動させる。そして、昇降駆動部737が保持部740を下降させ、ウェーハ10をチャックテーブル2の保持面210に載置する。チャックテーブル2においては、中央用バルブ253、環状用バルブ257及びバルブ254を開放することにより、第1流路251及び第2流路252を吸引源261に連通させ、保持面210に吸引力を作用させてウェーハ10の下面101を保持面210において吸引保持する。次に、バルブ752を閉止して吸引面743の吸引力を解除した後、昇降駆動部737が保持部740を上昇させることにより、吸引面743をウェーハ10の上面100から離間させる。 Next, the arm unit 731 of the loading mechanism 71 pivots to move the holding unit 740 above the wafer 10 placed on the loading table 641. The lifting/lowering drive unit 737 then lowers the holding unit 740 and opens the valve 752 shown in FIG. 3 to apply suction force to the suction surface 743 of the holding pad 742, thereby suction-holding the upper surface 100 of the wafer 10. Next, the lifting/lowering drive unit 737 raises the holding unit 740, and then the swivel drive unit pivots the arm unit 731 to move the wafer 10 above the chuck table 2, which has been positioned in advance in the -Y direction. The lifting/lowering drive unit 737 then lowers the holding unit 740, and the wafer 10 is placed on the holding surface 210 of the chuck table 2. In the chuck table 2, by opening the central valve 253, the annular valve 257, and the valve 254, the first flow path 251 and the second flow path 252 are connected to the suction source 261, and a suction force is applied to the holding surface 210, sucking and holding the lower surface 101 of the wafer 10 on the holding surface 210. Next, the valve 752 is closed to release the suction force of the suction surface 743, and then the lifting and lowering drive unit 737 raises the holding unit 740, thereby separating the suction surface 743 from the upper surface 100 of the wafer 10.
次に、水平移動機構4がチャックテーブル2を+Y方向に移動させ、ウェーハ10を研削機構3の下方に位置させる。そして、モータ246によって駆動されてチャックテーブル2が回転するとともに、図1に示したスピンドル回転機構31がスピンドル30を回転させて研削砥石341を回転させ、さらに研削送り機構5が研削機構3を下降させることにより、回転する研削砥石341をウェーハ10の上面100に接触させる。そうすると、ウェーハ10の上面100が研削される。研削中は、厚み測定器66の第1測定部661の先端を枠体22の上面220に接触させるとともに、厚み測定器66の第2測定部662の先端をウェーハ10の上面100に接触させ、第1測定部661の測定値と第2測定部662の測定値との差によってウェーハ10の厚みを算出する。そして、その算出値が所定の厚み値になると、研削送り機構5が研削機構3を上昇させて研削を終了する。 Next, the horizontal movement mechanism 4 moves the chuck table 2 in the +Y direction to position the wafer 10 below the grinding mechanism 3. Then, the chuck table 2 rotates, driven by the motor 246. The spindle rotation mechanism 31 shown in FIG. 1 rotates the spindle 30 to rotate the grinding wheel 341. The grinding feed mechanism 5 then lowers the grinding mechanism 3, bringing the rotating grinding wheel 341 into contact with the top surface 100 of the wafer 10. This causes the top surface 100 of the wafer 10 to be ground. During grinding, the tip of the first measuring part 661 of the thickness gauge 66 is brought into contact with the top surface 220 of the frame 22, and the tip of the second measuring part 662 of the thickness gauge 66 is brought into contact with the top surface 100 of the wafer 10. The thickness of the wafer 10 is calculated from the difference between the measurements of the first measuring part 661 and the second measuring part 662. When the calculated thickness reaches the specified value, the grinding feed mechanism 5 raises the grinding mechanism 3, ending grinding.
次に、水平移動機構4がチャックテーブル2を-Y方向に移動させる。そして、制御部8による制御の下で搬出機構72のアーム部731を旋回させて、保持部740をチャックテーブル2に保持されたウェーハ10の上方に移動させる。そして、図3に示すように、制御部8による制御の下で昇降駆動部737が保持部740を下降させ、吸引面743をウェーハ10の研削された上面100に接近させていく。そして、吸引面743が上面100に接触すると、制御部8による制御の下でバルブ752を開放して吸引面743においてウェーハ10の上面100を吸引保持する。なお、図3に示した例ではウェーハ10の下面101には保護テープ11が貼着されているが、保護テープ11が貼着されていない場合もある。 Next, the horizontal movement mechanism 4 moves the chuck table 2 in the -Y direction. Then, under the control of the control unit 8, the arm unit 731 of the carry-out mechanism 72 is rotated to move the holding unit 740 above the wafer 10 held on the chuck table 2. Then, as shown in FIG. 3, under the control of the control unit 8, the lifting drive unit 737 lowers the holding unit 740, bringing the suction surface 743 closer to the ground upper surface 100 of the wafer 10. Then, when the suction surface 743 comes into contact with the upper surface 100, the valve 752 is opened under the control of the control unit 8, and the upper surface 100 of the wafer 10 is suction-held on the suction surface 743. Note that, although protective tape 11 is attached to the lower surface 101 of the wafer 10 in the example shown in FIG. 3, there are cases in which protective tape 11 is not attached.
次に、制御部8による制御の下で、バルブ254を閉止してチャックテーブル2の保持面210の吸引力を解除し、環状用バルブ257も閉止し、中央用バルブ253及びバルブ256を開放する。そうすると、水供給源263の水が共通流路258を通って第1流路251を上昇し、水噴出部231を通って供給孔223から水が噴出され、その水がポーラス部材21の内部を通り、保持面210の中央部から噴出される。これにより、ウェーハ10が保持面210から若干浮き上がる。ポーラス部材21にはバリア225が形成されているため、ポーラス部材21の内部において水が外周側に流れるのを阻止することができる。 Next, under the control of the control unit 8, the valve 254 is closed to release the suction force on the holding surface 210 of the chuck table 2, the annular valve 257 is also closed, and the central valve 253 and valve 256 are opened. This causes water from the water supply source 263 to pass through the common flow path 258 and rise up the first flow path 251, pass through the water ejection unit 231, and be ejected from the supply hole 223. The water then passes through the interior of the porous member 21 and is ejected from the center of the holding surface 210. This causes the wafer 10 to float slightly above the holding surface 210. Because a barrier 225 is formed in the porous member 21, it is possible to prevent water from flowing toward the periphery within the porous member 21.
このように、保持面210の中央部から水が噴出されることにより、保護テープ11側が保持面210から離間する。そして、図4に示すように、制御部8による制御の下でウェーハ10の上面100を吸引面743において吸引保持した保持部740を昇降駆動部737が上昇させることにより、ウェーハ10がチャックテーブル2から搬出される。
また、供給孔223から噴出する水によってウェーハ10の下面側の保護テープ11に加工屑が付着するおそれが低減するため、研削後の保護テープ11の下面の中央部分を洗浄せずに済む。
In this way, water is ejected from the center of the holding surface 210, causing the protective tape 11 side to separate from the holding surface 210. Then, as shown in Fig. 4, the lifting and lowering drive unit 737 lifts the holding unit 740, which suction-holds the upper surface 100 of the wafer 10 on the suction surface 743 under the control of the control unit 8, and the wafer 10 is carried out from the chuck table 2.
Furthermore, the risk of processing debris adhering to the protective tape 11 on the underside of the wafer 10 due to the water jetted from the supply holes 223 is reduced, so there is no need to clean the central portion of the underside of the protective tape 11 after grinding.
ウェーハ10の上面100を研削することによって生じる研削屑は、ウェーハ10の外周側から保持面210と保護テープ11との間の隙間に進入するため、当該隙間の外周側に研削屑が溜まるが、研削装置1では、中央部分からのみ水を噴出する供給孔223を設け、ウェーハ10を保持面210から離間させるための水は保持面210の中央部から噴出することとしたため、その水によって研削屑が飛び散って上面100側に回り込むのを回避することができる。したがって、研削屑がウェーハ10の上面100に付着するおそれが低減される。
なお、保持面210から水を噴出したことによって保持面210からウェーハ10を離間させ、保持面210とウェーハ10の保護テープ11の下面との間に水層が形成される。この水層による表面張力を破壊するために、水層の形成によって浮き上がった保持部740を旋回駆動部で旋回して、水層の水をチャックテーブル2の保持面210の外周から垂れ流して、水の表面張力を破壊した後、保持部740を昇降駆動部737が上昇させてチャックテーブル2からウェーハ10を搬出するようにしてもよい。
Grinding debris generated by grinding the top surface 100 of the wafer 10 enters the gap between the holding surface 210 and the protective tape 11 from the outer periphery of the wafer 10, and accumulates on the outer periphery of the gap, but the grinding device 1 is provided with supply holes 223 that spray water only from the center, and the water used to separate the wafer 10 from the holding surface 210 is sprayed from the center of the holding surface 210, so it is possible to prevent the water from scattering the grinding debris and causing it to wrap around to the top surface 100. This reduces the risk of grinding debris adhering to the top surface 100 of the wafer 10.
Note that the water sprayed from the holding surface 210 separates the wafer 10 from the holding surface 210, and a water layer is formed between the holding surface 210 and the underside of the protective tape 11 on the wafer 10. In order to break the surface tension caused by this water layer, the holding part 740 that has been raised by the formation of the water layer may be rotated by the rotation drive part, and the water in the water layer may be caused to drip from the outer periphery of the holding surface 210 of the chuck table 2, thereby breaking the surface tension of the water, and then the lift drive part 737 may lift the holding part 740 and carry the wafer 10 out of the chuck table 2.
こうして保持面210から離間したウェーハ10は、アーム部731の旋回によって洗浄機構65のスピンナーテーブル651の上方に移動する。そして、昇降駆動部737が保持部740を下降させて保護テープ11側をスピンナーテーブル651に載置し、スピンナーテーブルにおいて吸引力を作用させた後、昇降駆動部737が保持部740を上昇させてウェーハ10から離間する。その後、スピンナーテーブル651が回転するとともに、洗浄液ノズル652からウェーハ10の上面100に向けて洗浄液が噴射されて上面100が洗浄される。上面100が洗浄された後、スピンナーテーブル651を回転させながらエアノズル653からウェーハ10の上面100に向けて高圧エアを噴射することにより、上面100の乾燥処理を行う。 The wafer 10, now separated from the holding surface 210, is moved above the spinner table 651 of the cleaning mechanism 65 by the rotation of the arm unit 731. The lifting/lowering drive unit 737 then lowers the holding unit 740 to place the protective tape 11 side on the spinner table 651. After applying suction force on the spinner table, the lifting/lowering drive unit 737 raises the holding unit 740 to separate it from the wafer 10. The spinner table 651 then rotates, and cleaning liquid is sprayed from the cleaning liquid nozzle 652 toward the upper surface 100 of the wafer 10, thereby cleaning the upper surface 100. After the upper surface 100 has been cleaned, the upper surface 100 is dried by spraying high-pressure air from the air nozzle 653 toward the upper surface 100 of the wafer 10 while the spinner table 651 is rotating.
ウェーハ10の洗浄および乾燥が終了した後、ロボット63のアーム部633を旋回及び昇降させてハンド631によってウェーハ10の上面100を吸引保持する。そして、ハンド631を旋回及び昇降させてカセット620内の所定のスロットに進入させ、ハンド631における吸引保持を解除することにより、研削後のウェーハ10がカセット620に収容される。 After the wafer 10 has been cleaned and dried, the arm 633 of the robot 63 is rotated and raised and lowered to suction-hold the top surface 100 of the wafer 10 with the hand 631. The hand 631 is then rotated and raised and lowered to enter a predetermined slot in the cassette 620, and the suction hold by the hand 631 is released, thereby storing the ground wafer 10 in the cassette 620.
なお、ウェーハ10がチャックテーブル2の保持面210から離間しスピンナーテーブル651に搬送された後、中央用バルブ253を閉止するとともに環状用バルブ257を開放し、第2流路252を介して環状流体噴出部224から水を噴出させることにより、保持面210を洗浄してもよい。 In addition, after the wafer 10 is separated from the holding surface 210 of the chuck table 2 and transported to the spinner table 651, the holding surface 210 may be cleaned by closing the central valve 253 and opening the annular valve 257 to spray water from the annular fluid jetting portion 224 through the second flow path 252.
図5に示すように、搬出機構72の保持部740の可動域に、ウェーハ10の下面101に貼着された保護テープ11及び保持パッド742の吸引面743を洗浄する下面洗浄機構9を配設してもよい。この下面洗浄機構9は、第1洗浄部材91と第2洗浄部材92とが水平方向に交差しており、その交差部分の下部に軸部93が接続され。軸部93がモータ94によって駆動される構成となっている。第1洗浄部材91は、第2洗浄部材92に対して独立して昇降可能となっている。また、第1洗浄部材91と平行にノズル95が配設され、ノズル95の長手方向に整列して複数の噴出口951が上方にむけて開口して形成されている。第1洗浄部材91は、例えば洗浄砥石によって構成され、第2洗浄部材92は、例えばナイロン素材からなるブラシによって構成される。なお、第2洗浄部材92には、スポンジを用いてもよい。 As shown in FIG. 5, a bottom cleaning mechanism 9 may be disposed within the movable range of the holding portion 740 of the unloading mechanism 72. The bottom cleaning mechanism 9 cleans the protective tape 11 attached to the bottom surface 101 of the wafer 10 and the suction surface 743 of the holding pad 742. This bottom cleaning mechanism 9 includes a first cleaning member 91 and a second cleaning member 92 that intersect horizontally. A shaft 93 is connected to the bottom of the intersection. The shaft 93 is driven by a motor 94. The first cleaning member 91 can be raised and lowered independently of the second cleaning member 92. A nozzle 95 is disposed parallel to the first cleaning member 91, and multiple nozzles 951 are aligned longitudinally of the nozzle 95 and open upward. The first cleaning member 91 is formed, for example, by a cleaning grindstone, and the second cleaning member 92 is formed, for example, by a brush made of nylon material. The second cleaning member 92 may also be a sponge.
保持パッド742の吸引面743を洗浄する際は、ウェーハ10を保持していない吸引面743の中心が軸部93の上方に位置するように保持部740を位置づける。そして、第1洗浄部材91の上面を第2洗浄部材92のブラシの毛先よりも高い位置に位置させた状態で、モータ94が第1洗浄部材91及び第2洗浄部材92を回転させる。また、ノズル95に洗浄液を供給し、噴出口951から洗浄液を噴出させる。そして、保持部740を下降させて保持パッド742の吸引面743を回転する第1洗浄部材91に接触させることにより、吸引面743に付着した加工屑をそぎ落としながら除去していく。 When cleaning the suction surface 743 of the holding pad 742, the holding part 740 is positioned so that the center of the suction surface 743, which is not holding the wafer 10, is located above the shaft part 93. Then, with the top surface of the first cleaning member 91 positioned higher than the bristles of the brush of the second cleaning member 92, the motor 94 rotates the first cleaning member 91 and the second cleaning member 92. Cleaning liquid is also supplied to the nozzle 95, and the cleaning liquid is sprayed from the spray outlet 951. The holding part 740 is then lowered to bring the suction surface 743 of the holding pad 742 into contact with the rotating first cleaning member 91, thereby scraping off and removing any processing debris adhering to the suction surface 743.
一方、ウェーハ10の下面101に貼着された保護テープ11を洗浄する際は、第1洗浄部材91を下降させ、第2洗浄部材92のブラシの毛先を第1洗浄部材91の上面よりも高い位置に位置させる。そして、吸引面743に吸引保持されたウェーハ10の中心が軸部93の上方に位置するように保持部740を位置づけた状態で、モータ94が第1洗浄部材91及び第2洗浄部材92を回転させる。また、ノズル95に洗浄液を供給し、噴出口951から洗浄液を噴出させる。そして、保持部740を下降させて保護テープ11を回転する第2洗浄部材92に接触させることにより、第2洗浄部材92によって吸引面743が洗浄され、加工屑が除去される。 On the other hand, when cleaning the protective tape 11 attached to the underside 101 of the wafer 10, the first cleaning member 91 is lowered and the bristles of the brush of the second cleaning member 92 are positioned higher than the upper surface of the first cleaning member 91. Then, with the holding unit 740 positioned so that the center of the wafer 10 held by suction on the suction surface 743 is positioned above the shaft 93, the motor 94 rotates the first cleaning member 91 and the second cleaning member 92. Furthermore, cleaning liquid is supplied to the nozzle 95 and ejected from the ejection port 951. The holding unit 740 is then lowered to bring the protective tape 11 into contact with the rotating second cleaning member 92, which cleans the suction surface 743 and removes processing debris.
なお、図2-4に示した枠体22は、有底の凹部222を備える構成としたが、この枠体22に代えて、底のない筒状の枠体を用いることもできる。その場合の枠体は、ポーラス部材21の側面を支持するよう環状に形成される。 Note that the frame 22 shown in Figure 2-4 is configured with a bottomed recess 222, but a bottomless cylindrical frame can also be used instead of this frame 22. In this case, the frame is formed in an annular shape to support the side of the porous member 21.
1:研削装置
2:チャックテーブル
21:ポーラス部材 210:保持面
22:枠体 220:上面 222:凹部 223:供給孔 224:環状流体噴出部
225:バリア 226:中央領域 227:環状領域
23:テーブル支持部 230:支持面 231:水噴出部 232:流体噴出部
240:回転軸 241:支持板 242:支持軸 243:軸支持部
244:従動プーリ 245:駆動プーリ 246:モータ 247:ベルト
251:第1流路、252:第2流路 253:中央用バルブ
254、255、256:バルブ 257:環状用バルブ 258:共通流路
259:圧力計
261:吸引源 262:エア供給源 263:水供給源
3:研削機構
30:スピンドル 31:スピンドル回転機構 32:スピンドルハウジング
33:マウント 34:研削ホイール 340:基台 341:研削砥石
4:水平移動機構
40:ボールネジ 41:モータ 42:ガイドレール 43:スライド板
5:研削送り機構
50:ボールネジ 51:モータ 52:ガイドレール 53:昇降板 54:ホルダ
61、62:カセット載置領域 610、620:カセット
63:ロボット 631:ハンド 632:反転駆動部 633:アーム部
64:仮置き機構 641:載置テーブル 642:位置決めピン
65:洗浄機構 651:スピンナーテーブル 652:洗浄液ノズル
653:エアノズル
66:厚み測定器 661:第1測定部 662:第2測定部
71:搬入機構 72:搬出機構
721:保持パッド 722:アーム部
731:アーム部 733:環状支持部材 734:頭部 735:貫通孔
736:ピン 737:昇降駆動部
740:保持部 741:枠体 742:保持パッド 743:吸引面
751:エア流路 752:バルブ 753:吸引源 754:バルブ
755:エア供給源
8:制御部
9:下面洗浄機構
91:第1洗浄部材 92:第2洗浄部材 93:軸部 94:モータ
95:ノズル 951:噴出口
10:ウェーハ 100:上面 101:下面
11:保護テープ
1: Grinding device 2: Chuck table 21: Porous member 210: Holding surface 22: Frame 220: Upper surface 222: Recess 223: Supply hole 224: Annular fluid jetting portion 225: Barrier 226: Central region 227: Annular region 23: Table support portion 230: Support surface 231: Water jetting portion 232: Fluid jetting portion 240: Rotating shaft 241: Support plate 242: Support shaft 243: Shaft support portion 244: Driven pulley 245: Drive pulley 246: Motor 247: Belt 251: First flow path, 252: Second flow path 253: Central valve 254, 255, 256: Valve 257: Annular valve 258: Common flow path 259: Pressure gauge 261: Suction source 262: Air supply source 263: Water supply source 3: Grinding mechanism 30: Spindle 31: Spindle rotation mechanism 32: Spindle housing 33: Mount 34: Grinding wheel 340: Base 341: Grinding wheel 4: Horizontal movement mechanism 40: Ball screw 41: Motor 42: Guide rail 43: Slide plate 5: Grinding feed mechanism 50: Ball screw 51: Motor 52: Guide rail 53: Lift plate 54: Holder 61, 62: Cassette placement area 610, 620: Cassette 63: Robot 631: Hand 632: Reversal drive unit 633: Arm unit 64: Temporary placement mechanism 641: Placement table 642: Positioning pin 65: Cleaning mechanism 651: Spinner table 652: Cleaning liquid nozzle 653: Air nozzle 66: Thickness measuring device 661: First measurement unit 662: Second measuring unit 71: Carry-in mechanism 72: Carry-out mechanism 721: Holding pad 722: Arm unit 731: Arm unit 733: Annular support member 734: Head 735: Through hole 736: Pin 737: Lifting drive unit 740: Holding unit 741: Frame 742: Holding pad 743: Suction surface 751: Air flow path 752: Valve 753: Suction source 754: Valve 755: Air supply source 8: Control unit 9: Lower surface cleaning mechanism 91: First cleaning member 92: Second cleaning member 93: Shaft 94: Motor 95: Nozzle 951: Spout 10: Wafer 100: Upper surface 101: Lower surface 11: Protective tape
Claims (2)
該ポーラス部材は、下面から該保持面に向けて起立し該保持面に至らない円環状のバリアを備え、
該枠体は、該ポーラス部材の下面中央に水を供給する供給孔と、該バリアの外側の該ポーラス部材に流体を供給する環状流体噴出部と、を備え、
該テーブル支持部は、該供給孔に連通し該支持面の中央から水を噴出する水噴出部と、該環状流体噴出部に連通する流体噴出部と、を備え、
該制御部は、該水噴出部及び該供給孔を介して水を該保持面の中央部分から噴出させ、該保持面からウェーハを離間させることと、該流体噴出部及び該環状流体噴出部を介して水を該保持面の外周部分から噴出させ、ウェーハを保持していない該保持面を洗浄することと、を行う
研削装置。 A grinding device comprising: a chuck table including a porous member that suction-holds a wafer on a holding surface and a frame that exposes the holding surface and houses the porous member; a table support unit that includes a support surface that supports a lower surface of the chuck table; a grinding mechanism that grinds the wafer suction-held by the holding surface with a grinding wheel; and a control unit,
the porous member includes an annular barrier that rises from a lower surface toward the holding surface and does not reach the holding surface;
the frame includes a supply hole for supplying water to the center of the lower surface of the porous member, and an annular fluid jetting portion for supplying fluid to the porous member outside the barrier;
the table support portion includes a water jetting portion that communicates with the supply hole and jets water from the center of the support surface, and a fluid jetting portion that communicates with the annular fluid jetting portion ;
The control unit causes water to be ejected from the central portion of the holding surface via the water ejection unit and the supply hole to separate the wafer from the holding surface, and causes water to be ejected from the outer periphery of the holding surface via the fluid ejection unit and the annular fluid ejection unit to clean the holding surface that is not holding a wafer.
Grinding equipment.
該制御部は、該保持パッドでウェーハの保持させることと、該水噴出部によって該保持面の中央から水を噴出させることと、ウェーハを保持した該保持パッドを該保持面から離間させる方向に移動させることとを制御し、該保持面からウェーハを離間させることと、該環状流体噴出部によってウェーハを保持していない該保持面の外周部分から水を噴出させ、該保持面を洗浄することと、を行う請求項1記載の研削装置。 a holding pad for holding a wafer held by the holding surface, and a carrying-out mechanism for carrying out the wafer from the holding surface;
2. The grinding device of claim 1, wherein the control unit controls the holding pad to hold the wafer, the water jetting unit to jet water from the center of the holding surface, and the holding pad holding the wafer in a direction to move it away from the holding surface, thereby separating the wafer from the holding surface, and the annular fluid jetting unit to jet water from the outer periphery of the holding surface where the wafer is not being held, thereby cleaning the holding surface .
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