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JP7747533B2 - Grinding equipment - Google Patents
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JP7747533B2 - Grinding equipment - Google Patents

Grinding equipment

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JP7747533B2
JP7747533B2 JP2022005079A JP2022005079A JP7747533B2 JP 7747533 B2 JP7747533 B2 JP 7747533B2 JP 2022005079 A JP2022005079 A JP 2022005079A JP 2022005079 A JP2022005079 A JP 2022005079A JP 7747533 B2 JP7747533 B2 JP 7747533B2
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Description

本発明は、研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding device.

研削装置では、チャックテーブルのポーラス部材の保持面が吸引保持した板状物を、研削砥石で研削して、研削屑を排出している。そのため、保持面は、吸引保持した板状物の外周部分から、研削屑を吸引している。また、吸引された研削屑は、保持面の外周部分で吸引され、保持面の外周部分に留まり、保持面の外周部分の吸引力を低下させ、板状物の外周部分の厚みを薄くする。 In a grinding device, a plate-shaped object held by suction on the holding surface of the porous member of the chuck table is ground with a grinding wheel, and grinding chips are discharged. Therefore, the holding surface sucks in grinding chips from the outer periphery of the plate-shaped object held by suction. The sucked-in grinding chips are also sucked in by the outer periphery of the holding surface and remain on the outer periphery of the holding surface, reducing the suction force on the outer periphery of the holding surface and thinning the thickness of the outer periphery of the plate-shaped object.

このような保持面の吸引力の低下を防止するために、保持面を研削するセルフグラインドを定期的に実施して、保持面の外周部分の研削屑を除去している。しかし、セルフグラインドによって保持面を研削する際に発生した研削屑が、ポーラス部材内に進入し、セルフグラインド後に、保持面によって保持された板状物の下面と保持面との間に研削屑が介在することがある。このため、板状物に部分的に厚みが薄くなるところが発生したり、板状物に十字クラックが発生したりすることがある。 To prevent this decline in the suction force of the holding surface, self-grinding is performed periodically to grind the holding surface and remove grinding debris from the outer periphery of the holding surface. However, grinding debris generated when grinding the holding surface by self-grinding can enter the porous member, and after self-grinding, grinding debris can become trapped between the holding surface and the underside of the plate-like object being held by the holding surface. This can cause the plate-like object to become thin in parts or develop cross-shaped cracks.

そのため、特許文献1に開示の技術では、保持面を覆う面積のカバーを備え、カバーが保持面を覆った状態で、保持面から水とエアとの二流体を噴出させ、保持面および保持面を構成するポーラス部材から研削屑を除去している。 The technology disclosed in Patent Document 1 therefore includes a cover with an area that covers the holding surface, and while the cover is covering the holding surface, two fluids, water and air, are sprayed from the holding surface to remove grinding debris from the holding surface and the porous material that makes up the holding surface.

特開2015-060922号公報JP 2015-060922 A

しかし、特許文献1の技術では、保持面を覆うカバーと、カバーを移動させる移動機構を備えているので、装置が大きくなってしまう。 However, the technology in Patent Document 1 requires a cover that covers the holding surface and a mechanism for moving the cover, which makes the device larger.

したがって、本発明の目的は、装置を大きくすることなく、保持面および保持面を構成するポーラス部材から研削屑を排出することにより、保持面と板状物の下面との間に研削屑が介在することを抑制し、板状物を均一な厚みに研削することにある。 Therefore, the object of the present invention is to prevent grinding chips from getting between the holding surface and the underside of the plate-like object by discharging the grinding chips from the holding surface and the porous member that makes up the holding surface, without increasing the size of the device, and to grind the plate-like object to a uniform thickness.

本発明の研削装置(本研削装置)は、ポーラス部材の保持面によって板状物を吸引保持するチャックテーブルと、該保持面が吸引保持した板状物を研削砥石で研削する研削機構と、板状物を保持し該保持面に搬入する搬入機構と、板状物を保持し該保持面から搬出する搬出機構と、制御部と、を備える研削装置であって、該搬出機構または該搬入機構によって保持された板状物の下面を洗浄する下面洗浄機構をさらに備え、該制御部は、該保持面に板状物を吸引保持させることと、該搬出機構または該搬入機構によって、該保持面が吸引保持している該板状物を保持することと、該板状物が覆った状態の該保持面から、水とエアとを混合させた二流体を噴出させることと、該保持面から該二流体を噴出させた後、該保持面から離間させた該板状物の下面を、該下面洗浄機構によって洗浄し、再び該保持面を該板状物で覆い、該保持面から該二流体を噴出させることと、を制御し、該保持面から噴出した二流体が、該保持面と該板状物との間を該保持面の直径方向に外側に流れ、該ポーラス部材および該保持面から研削屑を除去する。 The grinding device of the present invention (the present grinding device) is a grinding device comprising: a chuck table that suction-holds a plate-like object with a holding surface of a porous member; a grinding mechanism that grinds the plate-like object suction-held by the holding surface with a grinding wheel; a carry-in mechanism that holds the plate-like object and carries it into the holding surface; a carry-out mechanism that holds the plate-like object and carries it out of the holding surface; and a control unit, and further comprises an underside cleaning mechanism that cleans the underside of the plate-like object held by the carry-out mechanism or the carry-in mechanism, and the control unit controls the suction-holding of the plate-like object on the holding surface and the carry-out mechanism or the carry-in mechanism to clean the underside of the plate-like object. The holding surface holds the plate-like object by suction, and two fluids, a mixture of water and air, are ejected from the holding surface while the plate-like object is covering it . After the two fluids are ejected from the holding surface, the underside of the plate-like object separated from the holding surface is cleaned by the underside cleaning mechanism, the holding surface is again covered with the plate-like object, and the two fluids are ejected from the holding surface. The two fluids ejected from the holding surface flow outward in the diameter direction of the holding surface between the holding surface and the plate-like object, removing grinding chips from the porous member and the holding surface.

本研削装置では、板状物によって保持面を覆った状態で、ポーラス部材に二流体を流すことにより、保持面からポーラス部材内に進入した研削屑をポーラス部材および保持面から排出することができる。このため、研削機構による研削の際、保持面と被加工物との間に研削屑が介在することを抑制することができるので、被加工物を均一な厚みに研削することが可能である。 In this grinding device, by passing two fluids through the porous member while the holding surface is covered with a plate-like object, grinding chips that have entered the porous member from the holding surface can be expelled from the porous member and the holding surface. This prevents grinding chips from getting between the holding surface and the workpiece during grinding using the grinding mechanism, making it possible to grind the workpiece to a uniform thickness.

また、本研削装置では、ポーラス部材および保持面から研削屑を排出するために、既存の構成である搬出機構あるいは搬入機構を用いている。したがって、研削屑の排出のために追加される構成を少なくできるので、本研削装置の大型化を回避しながら、研削屑の排出を実施することが可能である。 In addition, this grinding device uses an existing discharge mechanism or load mechanism to discharge grinding chips from the porous member and holding surface. Therefore, the amount of additional components required for discharging grinding chips can be reduced, making it possible to discharge grinding chips without increasing the size of the grinding device.

研削装置の構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of a grinding device. 第1保持工程および第2保持工程を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a first holding step and a second holding step. 流体噴出工程を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a fluid jetting process. 下面洗浄工程を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a lower surface cleaning step. 搬出機構のパッドの変形例を示す説明図である。10A and 10B are explanatory diagrams showing modified examples of pads of the ejection mechanism.

図1に示すように、本実施形態にかかる研削装置1は、被加工物の一例であるウェーハ100を研削するための装置である。ウェーハ100は、たとえば円形の板状ワークであり、表面101および裏面102を有している。ウェーハ100の裏面102は、研削加工が施される被加工面となる。また、ウェーハ100は、ポーラス部材21および保持面22の研削屑を除去する際に用いられる板状物としても機能する。 As shown in FIG. 1, the grinding apparatus 1 according to this embodiment is an apparatus for grinding a wafer 100, which is an example of a workpiece. The wafer 100 is, for example, a circular, plate-shaped workpiece, and has a front surface 101 and a back surface 102. The back surface 102 of the wafer 100 is the surface to be ground. The wafer 100 also functions as a plate-shaped object used to remove grinding debris from the porous member 21 and the holding surface 22.

研削装置1は、第1の装置ベース10と、第1の装置ベース10の後方(+Y方向側)に配置された第2の装置ベース11とを有している。 The grinding device 1 has a first device base 10 and a second device base 11 located behind the first device base 10 (on the +Y direction side).

第1の装置ベース10の-Y方向側には、第1のカセットステージ160および第2のカセットステージ162が設けられている。第1のカセットステージ160には、加工前のウェーハ100が収容される第1のカセット161が載置されている。第2のカセットステージ162には、加工後のウェーハ100が収容される第2のカセット163が載置されている。 A first cassette stage 160 and a second cassette stage 162 are provided on the -Y direction side of the first equipment base 10. A first cassette 161 containing unprocessed wafers 100 is placed on the first cassette stage 160. A second cassette 163 containing processed wafers 100 is placed on the second cassette stage 162.

第1のカセット161および第2のカセット163は、内部に複数の棚を備えており、各棚に一枚ずつウェーハ100が収容されている。すなわち、第1のカセット161および第2のカセット163は、複数のウェーハ100を棚状に収容する。 The first cassette 161 and the second cassette 163 each have multiple shelves inside, with one wafer 100 stored on each shelf. In other words, the first cassette 161 and the second cassette 163 store multiple wafers 100 in a shelf-like manner.

第1のカセット161および第2のカセット163の開口(図示せず)は、+Y方向側を向いている。これらの開口の+Y方向側には、ロボット155が配設されている。ロボット155は、ウェーハ100を保持する保持面を備えている。ロボット155は、加工後のウェーハ100を第2のカセット163に搬入(収納)する。また、ロボット155は、第1のカセット161から加工前のウェーハ100を取り出して、仮置き機構152の仮置きテーブル154に載置する。 The openings (not shown) of the first cassette 161 and the second cassette 163 face in the +Y direction. A robot 155 is disposed on the +Y direction side of these openings. The robot 155 has a holding surface for holding the wafers 100. The robot 155 transports (stores) the processed wafers 100 into the second cassette 163. The robot 155 also removes the unprocessed wafers 100 from the first cassette 161 and places them on the temporary placement table 154 of the temporary placement mechanism 152.

仮置き機構152は、第1のカセット161から取り出されたウェーハ100を仮置きするために用いられ、ロボット155に隣接する位置に設けられている。仮置き機構152は、仮置きテーブル154、および、位置合わせ部材153を有している。位置合わせ部材153は、仮置きテーブル154を囲むように外側に配置される複数の位置合わせピンと、位置合わせピンを仮置きテーブル154の径方向に移動させるスライダとを備えている。位置合わせ部材153では、位置合わせピンが仮置きテーブル154の径方向に中央に向かって移動されることにより、複数の位置合わせピンを結ぶ円が縮径される。これにより、仮置きテーブル154に載置されたウェーハ100が、仮置きテーブル154の中心とウェーハ100の中心とが一致した所定の位置に位置合わせ(センタリング)される。 The temporary placement mechanism 152 is used to temporarily place the wafers 100 removed from the first cassette 161, and is located adjacent to the robot 155. The temporary placement mechanism 152 has a temporary placement table 154 and an alignment member 153. The alignment member 153 has multiple alignment pins arranged on the outside to surround the temporary placement table 154, and a slider that moves the alignment pins in the radial direction of the temporary placement table 154. In the alignment member 153, the alignment pins are moved radially toward the center of the temporary placement table 154, thereby reducing the diameter of the circle connecting the multiple alignment pins. As a result, the wafer 100 placed on the temporary placement table 154 is aligned (centered) to a predetermined position where the center of the temporary placement table 154 and the center of the wafer 100 coincide.

仮置き機構152に隣接する位置には、搬入機構170が設けられている。搬入機構170は、仮置き機構152に仮置きされたウェーハ100を保持し、チャックテーブル20の保持面22に搬入して載置する。 A carry-in mechanism 170 is provided adjacent to the temporary placement mechanism 152. The carry-in mechanism 170 holds the wafer 100 temporarily placed on the temporary placement mechanism 152 and carries it onto the holding surface 22 of the chuck table 20 for placement.

チャックテーブル20は、ウェーハ100を保持する保持部材の一例であり、ウェーハ100を吸引保持する保持面22を備えている。保持面22は、吸引源47(図2参照)に連通されて、ウェーハ100を吸引保持することが可能である。チャックテーブル20は、保持面22によってウェーハ100を吸引保持した状態で、保持面22の中心を通りZ軸方向に延在する中心軸を中心として、回転可能である。 The chuck table 20 is an example of a holding member that holds the wafer 100, and has a holding surface 22 that holds the wafer 100 by suction. The holding surface 22 is connected to a suction source 47 (see Figure 2) and is capable of holding the wafer 100 by suction. With the wafer 100 held by the holding surface 22, the chuck table 20 can rotate around a central axis that passes through the center of the holding surface 22 and extends in the Z-axis direction.

本実施形態では、第2の装置ベース11上に配設されたターンテーブル6の上面に、2つのチャックテーブル20が、ターンテーブル6の中心を中心とする円上に配設されている。ターンテーブル6の中心には、ターンテーブル6を自転させるための図示しない回転軸が配設されている。ターンテーブル6は、この回転軸によって、Z軸方向に延びる軸心を中心に自転することができる。ターンテーブル6が自転することで、2つのチャックテーブル20が公転する。これにより、チャックテーブル20を、仮置き機構152の近傍、および、研削機構70の下方に位置付けることができる。 In this embodiment, two chuck tables 20 are arranged on a circle centered at the center of the turntable 6 on the upper surface of the turntable 6, which is arranged on the second device base 11. A rotation shaft (not shown) for rotating the turntable 6 is arranged at the center of the turntable 6. This rotation shaft allows the turntable 6 to rotate about an axis extending in the Z-axis direction. As the turntable 6 rotates, the two chuck tables 20 revolve. This allows the chuck tables 20 to be positioned near the temporary placement mechanism 152 and below the grinding mechanism 70.

また、第2の装置ベース11の+Y方向側には、コラム15が立設されている。コラム15の前面には、ウェーハ100を研削する研削機構70、および、研削送り機構60が設けられている。 In addition, a column 15 is erected on the +Y direction side of the second device base 11. A grinding mechanism 70 for grinding the wafer 100 and a grinding feed mechanism 60 are provided in front of the column 15.

研削送り機構60は、チャックテーブル20と研削機構70の研削砥石77とを、保持面22に垂直なZ軸方向(研削送り方向)に相対的に移動させる。本実施形態では、研削送り機構60は、チャックテーブル20に対して、研削砥石77をZ軸方向に移動させるように構成されている。 The grinding feed mechanism 60 moves the chuck table 20 and the grinding wheel 77 of the grinding mechanism 70 relative to each other in the Z-axis direction (grinding feed direction) perpendicular to the holding surface 22. In this embodiment, the grinding feed mechanism 60 is configured to move the grinding wheel 77 in the Z-axis direction relative to the chuck table 20.

研削送り機構60は、Z軸方向に平行な一対のZ軸ガイドレール61、このZ軸ガイドレール61上をスライドするZ軸移動テーブル63、Z軸ガイドレール61と平行なZ軸ボールネジ62、Z軸モータ64、および、Z軸移動テーブル63に取り付けられたホルダ66を備えている。ホルダ66は、研削機構70を支持している。 The grinding feed mechanism 60 includes a pair of Z-axis guide rails 61 parallel to the Z-axis direction, a Z-axis moving table 63 that slides on the Z-axis guide rails 61, a Z-axis ball screw 62 parallel to the Z-axis guide rails 61, a Z-axis motor 64, and a holder 66 attached to the Z-axis moving table 63. The holder 66 supports the grinding mechanism 70.

Z軸移動テーブル63は、Z軸ガイドレール61にスライド可能に設置されている。Z軸移動テーブル63には、図示しないナット部が固定されている。このナット部には、Z軸ボールネジ62が螺合されている。Z軸モータ64は、Z軸ボールネジ62の一端部に連結されている。 The Z-axis moving table 63 is slidably mounted on the Z-axis guide rail 61. A nut (not shown) is fixed to the Z-axis moving table 63. A Z-axis ball screw 62 is threadedly engaged with this nut. The Z-axis motor 64 is connected to one end of the Z-axis ball screw 62.

研削送り機構60では、Z軸モータ64がZ軸ボールネジ62を回転させることにより、Z軸移動テーブル63が、Z軸ガイドレール61に沿って、Z軸方向に移動する。これにより、Z軸移動テーブル63に取り付けられたホルダ66、および、ホルダ66に支持された研削機構70も、Z軸移動テーブル63とともにZ軸方向に移動する。 In the grinding feed mechanism 60, the Z-axis motor 64 rotates the Z-axis ball screw 62, causing the Z-axis moving table 63 to move in the Z-axis direction along the Z-axis guide rail 61. As a result, the holder 66 attached to the Z-axis moving table 63 and the grinding mechanism 70 supported by the holder 66 also move in the Z-axis direction together with the Z-axis moving table 63.

研削機構70は、チャックテーブル20の保持面22が吸引保持したウェーハ100を研削砥石77によって研削する。研削機構70は、ホルダ66に固定されたスピンドルハウジング71、スピンドルハウジング71に回転可能に保持されたスピンドル72、スピンドル72を回転駆動するスピンドルモータ73、スピンドル72の下端に取り付けられたホイールマウント74、および、ホイールマウント74に支持された研削ホイール75を備えている。 The grinding mechanism 70 uses a grinding wheel 77 to grind the wafer 100 held by suction on the holding surface 22 of the chuck table 20. The grinding mechanism 70 includes a spindle housing 71 fixed to the holder 66, a spindle 72 rotatably held in the spindle housing 71, a spindle motor 73 that rotates the spindle 72, a wheel mount 74 attached to the lower end of the spindle 72, and a grinding wheel 75 supported by the wheel mount 74.

スピンドルハウジング71は、Z軸方向に延びるようにホルダ66に保持されている。スピンドル72は、チャックテーブル20の保持面22と直交するようにZ軸方向に延び、スピンドルハウジング71に回転可能に支持されている。 The spindle housing 71 is held by the holder 66 so as to extend in the Z-axis direction. The spindle 72 extends in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface 22 of the chuck table 20 and is rotatably supported by the spindle housing 71.

スピンドルモータ73は、スピンドル72の上端側に連結されている。このスピンドルモータ73により、スピンドル72は、Z軸方向に延びる回転軸を中心として回転する。 The spindle motor 73 is connected to the upper end of the spindle 72. This spindle motor 73 rotates the spindle 72 around a rotation axis extending in the Z-axis direction.

ホイールマウント74は、円板状に形成されており、スピンドル72の下端(先端)に固定されている。ホイールマウント74は、研削ホイール75を支持している。 The wheel mount 74 is disk-shaped and fixed to the lower end (tip) of the spindle 72. The wheel mount 74 supports the grinding wheel 75.

研削ホイール75は、外径がホイールマウント74の外径と略同径を有するように形成されている。研削ホイール75は、金属材料から形成された円環状のホイール基台76を含む。ホイール基台76の下面には、全周にわたって、環状に配列された複数の研削砥石77が固定されている。研削砥石77は、その中心を軸に、スピンドル72とともにスピンドルモータ73によって回転され、チャックテーブル20に保持されたウェーハ100の裏面102を研削する。 The grinding wheel 75 is formed so that its outer diameter is approximately the same as the outer diameter of the wheel mount 74. The grinding wheel 75 includes an annular wheel base 76 made of a metal material. A plurality of grinding stones 77 are fixed to the underside of the wheel base 76, arranged in an annular pattern, around the entire circumference. The grinding stones 77 are rotated around their center by the spindle motor 73 together with the spindle 72, and grind the back surface 102 of the wafer 100 held on the chuck table 20.

研削後のウェーハ100は、搬出機構172によって搬出される。搬出機構172は、チャックテーブル20の保持面22に保持されたウェーハ100を保持し、保持面22から搬出する。搬出機構172は、保持面22から搬出したウェーハ100を、枚葉式のスピンナ洗浄機構156のスピンナテーブル157に搬送する。なお、搬出機構172の構成については後述する。 After grinding, the wafer 100 is removed by the removal mechanism 172. The removal mechanism 172 holds the wafer 100 held on the holding surface 22 of the chuck table 20 and removes it from the holding surface 22. The removal mechanism 172 transports the wafer 100 removed from the holding surface 22 to the spinner table 157 of the single-wafer spinner cleaning mechanism 156. The configuration of the removal mechanism 172 will be described later.

スピンナ洗浄機構156は、ウェーハ100を洗浄するスピンナ洗浄ユニットである。スピンナ洗浄機構156は、ウェーハ100を保持するスピンナテーブル157、および、スピンナテーブル157に向けて洗浄水および乾燥エアを噴射するノズル158を備えている。 The spinner cleaning mechanism 156 is a spinner cleaning unit that cleans the wafer 100. The spinner cleaning mechanism 156 includes a spinner table 157 that holds the wafer 100, and a nozzle 158 that sprays cleaning water and dry air toward the spinner table 157.

スピンナ洗浄機構156では、ウェーハ100を保持したスピンナテーブル157が回転するとともに、ウェーハ100に向けて洗浄水が噴射されて、ウェーハ100がスピンナ洗浄される。その後、ウェーハ100に乾燥エアが吹き付けられて、ウェーハ100が乾燥される。 In the spinner cleaning mechanism 156, the spinner table 157 holding the wafer 100 rotates while cleaning water is sprayed toward the wafer 100, thereby spin-cleaning the wafer 100. Dry air is then blown onto the wafer 100 to dry it.

スピンナ洗浄機構156によって洗浄されたウェーハ100は、ロボット155により、第2のカセットステージ162上の第2のカセット163に搬入される。 The wafer 100 cleaned by the spinner cleaning mechanism 156 is transferred by the robot 155 to the second cassette 163 on the second cassette stage 162.

また、ターンテーブル6とスピンナ洗浄機構156との間には、下面洗浄機構180が配設されている。下面洗浄機構180は、搬出機構172によってチャックテーブル20からスピンナ洗浄機構156に搬送されるウェーハ100の下面である表面101を洗浄するために用いられる。すなわち、下面洗浄機構180は、搬出機構172が保持したウェーハ100の表面101を洗浄する。 In addition, a lower surface cleaning mechanism 180 is disposed between the turntable 6 and the spinner cleaning mechanism 156. The lower surface cleaning mechanism 180 is used to clean the front surface 101, which is the lower surface of the wafer 100 that is transported from the chuck table 20 to the spinner cleaning mechanism 156 by the unloading mechanism 172. In other words, the lower surface cleaning mechanism 180 cleans the front surface 101 of the wafer 100 held by the unloading mechanism 172.

ここで、チャックテーブル20の構成について説明する。
図2に示すように、チャックテーブル20は、ウェーハ100を保持するための円形板状のテーブルである。チャックテーブル20は、円形板状のポーラス部材21、および、ポーラス部材21を支持する枠体23を備えている。ポーラス部材21は、吸引源47に連通されることが可能である。吸引源47からの吸引力が、ポーラス部材21の上面である保持面22に伝達されることで、チャックテーブル20は、ポーラス部材21の保持面22によってウェーハ100を吸引保持することができる。
Here, the configuration of the chuck table 20 will be described.
2 , the chuck table 20 is a circular plate-shaped table for holding the wafer 100. The chuck table 20 includes a circular plate-shaped porous member 21 and a frame 23 that supports the porous member 21. The porous member 21 can be connected to a suction source 47. The suction force from the suction source 47 is transmitted to a holding surface 22, which is the upper surface of the porous member 21, so that the chuck table 20 can suction-hold the wafer 100 using the holding surface 22 of the porous member 21.

また、チャックテーブル20は、回転機構30によって回転可能となっている。回転機構30は、たとえばプーリ機構であり、駆動源となるモータ31、モータ31のシャフトに取り付けられた主動プーリ32、主動プーリ32に対して無端ベルト33を介して接続されている従動プーリ34、および、従動プーリ34を支持する回転軸35を備えている。 The chuck table 20 is also rotatable by a rotation mechanism 30. The rotation mechanism 30 is, for example, a pulley mechanism, and includes a motor 31 as a drive source, a driving pulley 32 attached to the shaft of the motor 31, a driven pulley 34 connected to the driving pulley 32 via an endless belt 33, and a rotation shaft 35 that supports the driven pulley 34.

回転軸35は、チャックテーブル20の下面における保持面22の中心の直下に接続されており、チャックテーブル20の保持面22に対して垂直に延在している。モータ31が主動プーリ32を回転駆動することで、主動プーリ32の回転に伴って無端ベルト33が回動する。無端ベルト33が回動することで、従動プーリ34および回転軸35が回転する。これにより、チャックテーブル20が、保持面22の中心を軸に回転される。 The rotating shaft 35 is connected to the underside of the chuck table 20 directly below the center of the holding surface 22 and extends perpendicular to the holding surface 22 of the chuck table 20. The motor 31 drives the driving pulley 32 to rotate, causing the endless belt 33 to rotate in conjunction with the rotation of the driving pulley 32. The rotation of the endless belt 33 causes the driven pulley 34 and the rotating shaft 35 to rotate. This causes the chuck table 20 to rotate around the center of the holding surface 22.

また、研削装置1は、流体流通機構40を備えている。流体流通機構40は、チャックテーブル20の保持面22に対して、流体であるエアあるいは水を供給する、あるいは、保持面22に吸引力を付与するための機構である。 The grinding device 1 also includes a fluid flow mechanism 40. The fluid flow mechanism 40 is a mechanism for supplying a fluid such as air or water to the holding surface 22 of the chuck table 20, or for applying suction force to the holding surface 22.

流体流通機構40は、吸引溝403、吸引溝403に連通されている吸引流路470、回転軸35に接続するロータリージョイント460、および、吸引流路470に連通されている吸引配管471を備えている。 The fluid flow mechanism 40 includes a suction groove 403, a suction flow path 470 connected to the suction groove 403, a rotary joint 460 connected to the rotary shaft 35, and a suction pipe 471 connected to the suction flow path 470.

吸引溝403は、ポーラス部材21の下面に接するように、チャックテーブル20における枠体23の凹部の底面に設けられている。吸引溝403は、チャックテーブル20の中心を中心として、同心円状に形成されている。 The suction groove 403 is provided on the bottom surface of the recess in the frame 23 of the chuck table 20 so as to contact the underside of the porous member 21. The suction groove 403 is formed concentrically around the center of the chuck table 20.

吸引流路470は、吸引溝403の底面から、枠体23、回転軸35およびロータリージョイント460を通過するように延びている。 The suction channel 470 extends from the bottom surface of the suction groove 403, passing through the frame 23, the rotary shaft 35, and the rotary joint 460.

吸引流路470は、ロータリージョイント460の外部で、吸引配管471に接続されている。吸引配管471の一端側は、吸引流路470に連通されている。吸引配管471の他端側には、吸引源47が接続されている。この吸引源47は、たとえば、エジェクター機構あるいは真空発生装置等を備え、チャックテーブル20のポーラス部材21に連通されて、その上面である保持面22に吸引力を与えるために用いられる。 The suction flow path 470 is connected to a suction pipe 471 outside the rotary joint 460. One end of the suction pipe 471 is connected to the suction flow path 470. The other end of the suction pipe 471 is connected to a suction source 47. This suction source 47 includes, for example, an ejector mechanism or a vacuum generator, and is connected to the porous member 21 of the chuck table 20 to apply suction force to the holding surface 22, which is the upper surface of the porous member 21.

また、吸引配管471には、吸引源47から吸引流路470側に向かって順に、吸引開閉弁475および吸引流量調整部473が配設されている。吸引開閉弁475は、吸引配管471と吸引源47との連通状態を切り換える。吸引流量調整部473は、たとえば比例制御弁であり、吸引開閉弁475が開いているときに、内部のオリフィス径を変更して、吸引源47からポーラス部材21の保持面22に伝達される吸引力を調整するために用いられる。
なお、吸引流量調整部473は、手動でオリフィス径を調整するニードルバルブ、ゲートバルブでもよい。
Furthermore, a suction on-off valve 475 and a suction flow rate adjuster 473 are disposed in the suction pipe 471, in this order from the suction source 47 toward the suction flow path 470. The suction on-off valve 475 switches the communication state between the suction pipe 471 and the suction source 47. The suction flow rate adjuster 473 is, for example, a proportional control valve, and is used to change the internal orifice diameter when the suction on-off valve 475 is open to adjust the suction force transmitted from the suction source 47 to the holding surface 22 of the porous member 21.
The suction flow rate adjusting unit 473 may be a needle valve or a gate valve that manually adjusts the orifice diameter.

さらに、吸引配管471には、エア配管481が連通されている。エア配管481は、チャックテーブル20の保持面22とエア供給源48とを連通するための配管である。 Furthermore, the suction pipe 471 is connected to an air pipe 481. The air pipe 481 is a pipe that connects the holding surface 22 of the chuck table 20 to the air supply source 48.

エア配管481の一端側は、吸引配管471を介して、吸引流路470に連通されている。エア配管481の他端側には、エア供給源48が接続されている。エア供給源48は、コンプレッサー等を備え、チャックテーブル20の保持面22にエアを供給するために用いられる。 One end of the air pipe 481 is connected to the suction flow path 470 via the suction pipe 471. The other end of the air pipe 481 is connected to the air supply source 48. The air supply source 48 includes a compressor or the like and is used to supply air to the holding surface 22 of the chuck table 20.

また、エア配管481には、エア供給源48から吸引流路470側に向かって順に、エア供給開閉弁485およびエア調整部483が配設されている。エア供給開閉弁485は、エア配管481とエア供給源48との連通状態を切り換える。エア調整部483は、たとえば比例制御弁であり、エア供給開閉弁485が開いているときに、内部のオリフィス径を変更して、エア供給源48から保持面22に送られるエアの流量を調整するために用いられる。
なお、エア調整部483は、手動でオリフィス径を調整するニードルバルブ、ゲートバルブでもよい。
Furthermore, an air supply on-off valve 485 and an air adjustment unit 483 are disposed in this order in the air pipe 481 from the air supply source 48 toward the suction flow path 470. The air supply on-off valve 485 switches the communication state between the air pipe 481 and the air supply source 48. The air adjustment unit 483 is, for example, a proportional control valve, and is used to change the internal orifice diameter to adjust the flow rate of air sent from the air supply source 48 to the holding surface 22 when the air supply on-off valve 485 is open.
The air adjusting unit 483 may be a needle valve or a gate valve that manually adjusts the orifice diameter.

また、エア配管481には、圧力センサ487が設けられている。圧力センサ487は、このエア配管481の圧力値を検出することにより、保持面22の吸引力を検知する。 The air pipe 481 is also provided with a pressure sensor 487. The pressure sensor 487 detects the pressure value of this air pipe 481, thereby detecting the suction force of the holding surface 22.

また、エア配管481には、水配管491が連通されている。水配管491は、チャックテーブル20の保持面22と水供給源49とを連通するための配管である。 The air pipe 481 is also connected to a water pipe 491. The water pipe 491 is a pipe that connects the holding surface 22 of the chuck table 20 to the water supply source 49.

水配管491の一端側は、エア配管481および吸引配管471を介して、吸引流路470に連通されている。水配管491の他端側には、水供給源49が接続されている。水供給源49は、ポンプ等を備え、チャックテーブル20の保持面22に水を供給するために用いられる。 One end of the water pipe 491 is connected to the suction flow path 470 via the air pipe 481 and the suction pipe 471. The other end of the water pipe 491 is connected to the water supply source 49. The water supply source 49 includes a pump or the like and is used to supply water to the holding surface 22 of the chuck table 20.

また、水配管491には、水供給源49から吸引流路470側に向かって順に、水供給開閉弁495および水調整部493が配設されている。水供給開閉弁495は、水配管491と水供給源49との連通状態を切り換える。水調整部493は、たとえば比例制御弁であり、水供給開閉弁495が開いているときに、内部のオリフィス径を変更して、水供給源49から保持面22に送られる水の流量を調整するために用いられる。
なお、水調整部493は、手動でオリフィス径を調整するニードルバルブ、ゲートバルブでもよい。
Furthermore, a water supply on-off valve 495 and a water adjustment unit 493 are disposed in the water piping 491, in this order from the water supply source 49 toward the suction flow path 470. The water supply on-off valve 495 switches the communication state between the water piping 491 and the water supply source 49. The water adjustment unit 493 is, for example, a proportional control valve, and is used to change the internal orifice diameter to adjust the flow rate of water sent from the water supply source 49 to the holding surface 22 when the water supply on-off valve 495 is open.
The water adjusting unit 493 may be a needle valve or a gate valve that manually adjusts the orifice diameter.

次に、搬入機構170および搬出機構172の構成について説明する。なお、本実施形態では、搬入機構170と搬出機構172とは、互いに同一の構成を有している。このため、以下では、搬出機構172の構成について説明する。 Next, the configurations of the loading mechanism 170 and the unloading mechanism 172 will be described. Note that in this embodiment, the loading mechanism 170 and the unloading mechanism 172 have the same configuration. Therefore, the following description will focus on the configuration of the unloading mechanism 172.

搬出機構172は、図2に示すように、円板状のパッド80、および、パッド80を上下自在に吊持するアーム81を備えている。アーム81の一方の端部は、第1の装置ベース10(図1参照)からZ軸方向に延びる回動柱部82の上端に連結されている。なお、回動柱部82は、回動柱部82をアーム81とともに回動させるモータ94、および、回動柱部82をアーム81とともに上下方向に移動させる上下移動機構95に接続されている。 As shown in Figure 2, the discharge mechanism 172 includes a disk-shaped pad 80 and an arm 81 that suspends the pad 80 so that it can move up and down freely. One end of the arm 81 is connected to the upper end of a rotating column 82 that extends in the Z-axis direction from the first device base 10 (see Figure 1). The rotating column 82 is connected to a motor 94 that rotates the rotating column 82 together with the arm 81, and to a vertical movement mechanism 95 that moves the rotating column 82 together with the arm 81 in the vertical direction.

アーム81の他方の端部には、支柱83を介して、円板部材84が連結されている。円板部材84には、複数(たとえば3つ)の貫通孔85が、円周上に等間隔に貫通形成されている。そして、貫通孔85には、パッド80に連結されたボルト86が挿入されている。 A disk member 84 is connected to the other end of the arm 81 via a support 83. Multiple (e.g., three) through-holes 85 are formed through the disk member 84 at equal intervals around its circumference. Bolts 86 connected to the pad 80 are inserted into the through-holes 85.

ボルト86は、貫通孔85よりも僅かに小さな径を有する軸部87と、軸部87の上端に形成された頭部88とを備えている。
軸部87は、貫通孔85を貫通して遊嵌されている。軸部87の下端は、パッド80の枠体91の上面に連結されている。頭部88は、貫通孔85よりも大径に形成されており、ボルト86の下降範囲を制限している。
また、ボルト86は、軸部87の周囲に、衝撃吸収部材としてのスプリング860を有している。スプリング860の上端は円板部材84の下面に接触している一方、スプリング860の下端は、パッド80の枠体91の上面に接触している。スプリング860は、円板部材84とパッド80とを、互いに遠ざかる方向に付勢している。
The bolt 86 has a shaft portion 87 having a diameter slightly smaller than that of the through-hole 85 and a head portion 88 formed at the upper end of the shaft portion 87 .
The shaft portion 87 is loosely fitted through the through-hole 85. The lower end of the shaft portion 87 is connected to the upper surface of the frame body 91 of the pad 80. The head portion 88 has a diameter larger than the through-hole 85, and limits the downward range of the bolt 86.
The bolt 86 also has a spring 860 as a shock absorbing member around the shaft 87. The upper end of the spring 860 contacts the lower surface of the disk member 84, while the lower end of the spring 860 contacts the upper surface of the frame 91 of the pad 80. The spring 860 biases the disk member 84 and the pad 80 in directions away from each other.

アーム81は、このような構成の円板部材84およびボルト86を介して、パッド80に加えられる衝撃を吸収しながら、パッド80を吊持することが可能となっている。 The arm 81 is able to suspend the pad 80 while absorbing impacts applied to the pad 80 via the disc member 84 and bolt 86 configured in this way.

円板状のパッド80は、たとえば、ウェーハ100の面積よりもわずかに大きい面積を有しており、ポーラス材からなるパッド保持部90と、パッド保持部90を支持する枠体91とを備えている。パッド保持部90の下面は、ウェーハ100の上面である裏面102を吸引保持するパッド保持面92となっている。 The disc-shaped pad 80 has an area slightly larger than that of the wafer 100, for example, and includes a pad holding portion 90 made of a porous material and a frame 91 that supports the pad holding portion 90. The underside of the pad holding portion 90 forms a pad holding surface 92 that suction-holds the backside 102, which is the upper surface of the wafer 100.

また、搬出機構172は、吸引路89を備えている。吸引路89は、アーム81、支柱83、円板部材84、およびパッド80の枠体91を貫通するように延びており、その下端が、パッド保持部90の上面に接続されている。また、吸引路89の上端は、吸引源99に接続されている。 The discharge mechanism 172 also includes a suction path 89. The suction path 89 extends through the arm 81, the support 83, the disc member 84, and the frame 91 of the pad 80, and its lower end is connected to the upper surface of the pad holding portion 90. The upper end of the suction path 89 is connected to a suction source 99.

したがって、搬出機構172では、チャックテーブル20の保持面22に保持されているウェーハ100にパッド保持面92が接触している状態で、吸引源99を吸引路89に連通させることにより、吸引源99の吸引力がパッド保持面92に伝達されて、パッド保持面92によってウェーハ100を吸引保持することが可能となる。 Therefore, in the unloading mechanism 172, when the pad holding surface 92 is in contact with the wafer 100 held on the holding surface 22 of the chuck table 20, the suction force of the suction source 99 is transmitted to the pad holding surface 92 by connecting the suction source 99 to the suction path 89, allowing the pad holding surface 92 to hold the wafer 100 by suction.

そして、モータ94および上下移動機構95によって回動柱部82およびアーム81を旋回および昇降させることにより、ウェーハ100を保持しているパッド80を旋回および昇降させて、ウェーハ100をチャックテーブル20から搬出することができる。 The motor 94 and vertical movement mechanism 95 rotate and raise and lower the rotating column 82 and arm 81, thereby rotating and raising and lowering the pad 80 holding the wafer 100, and removing the wafer 100 from the chuck table 20.

また、研削装置1は、図1に示すように、その内部に、研削装置1の制御のための制御部7を有している。制御部7は、制御プログラムに従って演算処理を行うCPU、および、メモリ等の記憶媒体等を備えている。制御部7は、各種の処理を実行し、研削装置1の各構成要素を統括制御する。 As shown in FIG. 1, the grinding device 1 also includes a control unit 7 for controlling the grinding device 1. The control unit 7 includes a CPU that performs calculations according to a control program, and storage media such as memory. The control unit 7 executes various processes and provides overall control of each component of the grinding device 1.

たとえば、制御部7は、研削装置1の上述した各部材を制御して、ウェーハ100に対する研削処理を実行する。 For example, the control unit 7 controls the above-mentioned components of the grinding device 1 to perform the grinding process on the wafer 100.

また、制御部7は、チャックテーブル20におけるポーラス部材21の表面である保持面22の吸引力の低下を防止するために、研削機構70の研削砥石77によって保持面22を研削するセルフグラインドを定期的に実施して、保持面22の外周部分の研削屑を除去する。
なお、保持面22を研削する際に、保持面22から流体を噴出させても、噴出させなくてもどちらでもよい。
In addition, in order to prevent a decrease in the suction force of the holding surface 22, which is the surface of the porous member 21 on the chuck table 20, the control unit 7 periodically performs self-grinding to grind the holding surface 22 using the grinding wheel 77 of the grinding mechanism 70, thereby removing grinding debris from the outer periphery of the holding surface 22.
When grinding the holding surface 22, a fluid may or may not be ejected from the holding surface 22.

なお、このセルフグラインドでは、保持面22の研削によって発生したポーラス部材21が研削された屑と、保持面22の外周部分に留まったウェーハ100を研削した時の研削屑と、保持面22を研削する研削砥石77から脱落した砥粒とを含む研削屑が、ポーラス部材21の内部に進入することがある。そこで、制御部7は、ポーラス部材21および保持面22の研削屑を除去するための洗浄処理を実施する。
以下に、本実施形態における洗浄処理について説明する。
In this self-grinding, grinding debris, including chips generated by grinding the porous member 21 due to grinding of the holding surface 22, grinding debris generated when grinding the wafer 100 remaining on the outer periphery of the holding surface 22, and abrasive grains that have fallen off the grinding wheel 77 that grinds the holding surface 22, may enter the interior of the porous member 21. Therefore, the control unit 7 performs a cleaning process to remove grinding debris from the porous member 21 and the holding surface 22.
The cleaning process in this embodiment will be described below.

[第1保持工程]
洗浄処理では、制御部7は、まず、ロボット155によって第1のカセット161から加工前のウェーハ100を取り出して、仮置き機構152の仮置きテーブル154に載置し、ウェーハ100を、所定の位置に位置合わせする。
[First holding step]
In the cleaning process, the control unit 7 first causes the robot 155 to take out the unprocessed wafer 100 from the first cassette 161, place it on the temporary placement table 154 of the temporary placement mechanism 152, and align the wafer 100 at a predetermined position.

さらに、制御部7は、搬入機構170を制御して、仮置き機構152上のウェーハ100を保持する。すなわち、制御部7は、図2に示した搬入機構170のモータ94および上下移動機構95によってパッド80を旋回および昇降させることにより、仮置き機構152上のウェーハ100に、パッド保持面92を接触させる。この状態で、吸引源99を吸引路89に連通させることにより、搬入機構170が、パッド80のパッド保持面92によってウェーハ100を吸引保持する。 Furthermore, the control unit 7 controls the carry-in mechanism 170 to hold the wafer 100 on the temporary placement mechanism 152. That is, the control unit 7 rotates and raises and lowers the pad 80 using the motor 94 and vertical movement mechanism 95 of the carry-in mechanism 170 shown in FIG. 2, thereby bringing the pad holding surface 92 into contact with the wafer 100 on the temporary placement mechanism 152. In this state, the suction source 99 is connected to the suction path 89, causing the carry-in mechanism 170 to suction-hold the wafer 100 with the pad holding surface 92 of the pad 80.

その後、制御部7は、搬入機構170のパッド80を旋回および昇降させることにより、仮置き機構152の近傍に位置しているチャックテーブル20の保持面22にウェーハ100を載置し、パッド80をチャックテーブル20から退避させる。これにより、図2に示すように、保持面22は、ウェーハ100によって覆われた状態となる。 Then, the control unit 7 rotates and raises and lowers the pad 80 of the loading mechanism 170 to place the wafer 100 on the holding surface 22 of the chuck table 20 located near the temporary placement mechanism 152, and retracts the pad 80 from the chuck table 20. As a result, the holding surface 22 becomes covered with the wafer 100, as shown in FIG. 2.

その後、制御部7は、図2に示した吸引開閉弁475を開けるとともに、吸引流量調整部473のオリフィス径を調整して、チャックテーブル20のポーラス部材21を吸引源47に連通させる。これにより、チャックテーブル20の保持面22が、ウェーハ100を吸引保持する。なお、吸引流量調整部473のオリフィス径は、全開であってもよい。 Then, the control unit 7 opens the suction on-off valve 475 shown in FIG. 2 and adjusts the orifice diameter of the suction flow rate adjustment unit 473 to connect the porous member 21 of the chuck table 20 to the suction source 47. This causes the holding surface 22 of the chuck table 20 to hold the wafer 100 by suction. Note that the orifice diameter of the suction flow rate adjustment unit 473 may be fully open.

[第2保持工程]
次に、制御部7は、搬出機構172によって、保持面22が吸引保持しているウェーハ100を保持する。すなわち、制御部7は、搬出機構172のモータ94および上下移動機構95によってパッド80を旋回および昇降させることにより、チャックテーブル20の保持面22に保持されているウェーハ100に、パッド保持面92を接触させる。この状態で、吸引源99を吸引路89に連通させることにより、搬出機構172が、パッド80のパッド保持面92によってウェーハ100を吸引保持する。
[Second holding step]
Next, the control unit 7 causes the carry-out mechanism 172 to hold the wafer 100 that is suction-held by the holding surface 22. That is, the control unit 7 causes the motor 94 and the vertical movement mechanism 95 of the carry-out mechanism 172 to rotate and raise and lower the pad 80, thereby bringing the pad holding surface 92 into contact with the wafer 100 that is held on the holding surface 22 of the chuck table 20. In this state, the suction source 99 is connected to the suction path 89, so that the carry-out mechanism 172 suction-holds the wafer 100 with the pad holding surface 92 of the pad 80.

これにより、ウェーハ100は、図2に示すように、チャックテーブル20の保持面22を覆った状態で、搬出機構172によって保持される。その後、制御部7は、吸引開閉弁475を閉じることによって、チャックテーブル20の保持面22によるウェーハ100の吸引保持を停止する。 As a result, the wafer 100 is held by the carry-out mechanism 172 while covering the holding surface 22 of the chuck table 20, as shown in FIG. 2. The control unit 7 then closes the suction on-off valve 475 to stop suction holding of the wafer 100 by the holding surface 22 of the chuck table 20.

[流体噴出工程]
次に、制御部7は、ウェーハ100が覆った状態の保持面22から、水とエアとを混合させた混合流体である二流体を噴出させる。これにより、保持面22から噴出した二流体が、保持面22とウェーハ100との間を保持面22の直径方向に外側に流れ、チャックテーブル20のポーラス部材21および保持面22から研削屑を除去する。
[Fluid ejection process]
Next, the control unit 7 ejects two fluids, which are a mixed fluid of water and air, from the holding surface 22 that is covered with the wafer 100. As a result, the two fluids ejected from the holding surface 22 flow outward in the diameter direction of the holding surface 22 between the holding surface 22 and the wafer 100, and remove grinding debris from the porous member 21 of the chuck table 20 and the holding surface 22.

すなわち、制御部7は、エア供給開閉弁485および水供給開閉弁495を開けるとともに、エア調整部483のオリフィス径および水調整部493のオリフィス径を調整して、チャックテーブル20のポーラス部材21を、エア供給源48および水供給源49に連通させる。これにより、制御部7は、図3において矢印501に示すように、ポーラス部材21に、所定量のエアおよび水の二流体を供給する。
なお、エア調整部483のオリフィス径および水調整部493のオリフィス径は、全開であってもよい。
That is, the control unit 7 opens the air supply on-off valve 485 and the water supply on-off valve 495, and adjusts the orifice diameters of the air adjustment unit 483 and the water adjustment unit 493 to connect the porous member 21 of the chuck table 20 to the air supply source 48 and the water supply source 49. In this way, the control unit 7 supplies predetermined amounts of the two fluids, air and water, to the porous member 21, as shown by arrows 501 in FIG.
The orifice diameter of the air adjusting portion 483 and the orifice diameter of the water adjusting portion 493 may be fully opened.

ポーラス部材21に供給された二流体は、ポーラス部材21内を下から上に向けて流れて、ポーラス部材21内の研削屑とともに保持面22から外部に噴出する。これにより、図3に示すように、保持面22を覆った状態で搬出機構172によって保持されているウェーハ100が、矢印503によって示すように、二流体200によって、スプリング860の付勢力に抗して、パッド80とともに保持面22から浮き上がる。そして、保持面22とウェーハ100との隙間から、研削屑を含む二流体200が、保持面22の径方向外側に流れ出る。
なお、この際、図3に示すように、パッド80の上昇とともにスプリング860が収縮し、ボルト86の頭部88が、円板部材84の上面から浮き上がる。
The two-fluid supplied to the porous member 21 flows from bottom to top within the porous member 21 and is ejected to the outside from the holding surface 22 together with the grinding debris within the porous member 21. As a result, as shown in Figure 3, the wafer 100, which is held by the carry-out mechanism 172 while covering the holding surface 22, is lifted up from the holding surface 22 together with the pad 80 by the two-fluid 200 against the biasing force of the spring 860, as shown by arrow 503. Then, the two-fluid 200 containing the grinding debris flows out radially outward from the holding surface 22 through the gap between the holding surface 22 and the wafer 100.
At this time, as shown in FIG. 3, the spring 860 contracts as the pad 80 rises, causing the head 88 of the bolt 86 to rise above the upper surface of the disk member 84 .

二流体200の噴出開始から所定時間が経過した後、制御部7は、エア供給開閉弁485および水供給開閉弁495を閉じて、二流体200の噴出を停止する。その後、制御部7は、ウェーハ100を保持している搬出機構172のパッド80を旋回および昇降させることにより、ウェーハ100を保持面22から離間させる。 After a predetermined time has elapsed since the start of the ejection of the two fluids 200, the control unit 7 closes the air supply on-off valve 485 and the water supply on-off valve 495 to stop the ejection of the two fluids 200. The control unit 7 then rotates and raises and lowers the pad 80 of the carry-out mechanism 172 that is holding the wafer 100, thereby separating the wafer 100 from the holding surface 22.

以上のように、本実施形態では、ウェーハ100によって保持面22を覆った状態で、ポーラス部材21の下方から保持面22に向けて二流体200を流すことにより、保持面22からポーラス部材21に進入した研削屑を、ポーラス部材21および保持面22から排出することができる。このため、研削機構70によってウェーハ100を研削する際、保持面22とウェーハ100との間に研削屑が介在することを抑制することができるので、ウェーハ100を均一な厚みに研削することが可能である。 As described above, in this embodiment, by flowing the two-fluid 200 from below the porous member 21 toward the holding surface 22 while the holding surface 22 is covered by the wafer 100, grinding debris that has entered the porous member 21 from the holding surface 22 can be discharged from the porous member 21 and the holding surface 22. Therefore, when the wafer 100 is ground by the grinding mechanism 70, grinding debris can be prevented from becoming interposed between the holding surface 22 and the wafer 100, making it possible to grind the wafer 100 to a uniform thickness.

また、本実施形態では、ポーラス部材21から研削屑を排出するために、被加工物であるウェーハ100、および、既存の構成である搬出機構172を用いている。したがって、ポーラス部材21および保持面22からの研削屑の排出のために追加される構成を少なくできるので、研削装置1の大型化を回避しながら、研削屑の排出を実施することが可能である。 Furthermore, in this embodiment, the wafer 100, which is the workpiece, and the existing discharge mechanism 172 are used to discharge grinding debris from the porous member 21. Therefore, the amount of additional configuration required to discharge grinding debris from the porous member 21 and the holding surface 22 can be reduced, making it possible to discharge grinding debris while avoiding an increase in the size of the grinding device 1.

なお、流体噴出工程において、保持面22がウェーハ100によって覆われていない状態で、ポーラス部材21に二流体200を供給すると、二流体200は、ポーラス部材21における通過しやすい部分だけを通過して、保持面22からが噴出する。このため、ポーラス部材21の全域から研削屑を排出することが困難である。 In the fluid ejection process, if the two-fluid 200 is supplied to the porous member 21 when the holding surface 22 is not covered by the wafer 100, the two-fluid 200 passes only through the parts of the porous member 21 through which it is easy to pass, and is ejected from the holding surface 22. This makes it difficult to eject grinding debris from the entire area of the porous member 21.

これに関し、本実施形態では、搬出機構172によって保持されているウェーハ100によって保持面22を覆った状態で、ポーラス部材21に二流体200を供給している。これにより、保持面22に圧力がかかった状態で、二流体200を保持面22から噴出させることができるので、保持面22の全面から二流体200を噴出させることができる。したがって、ポーラス部材21内の略全域から、研削屑を排出することが可能となる。 In this regard, in this embodiment, the two-fluid 200 is supplied to the porous member 21 while the holding surface 22 is covered by the wafer 100 held by the discharge mechanism 172. This allows the two-fluid 200 to be ejected from the holding surface 22 while pressure is applied to the holding surface 22, so the two-fluid 200 can be ejected from the entire surface of the holding surface 22. This makes it possible to discharge grinding debris from almost the entire area within the porous member 21.

なお、制御部7は、保持面22から二流体200を噴出させた後、保持面22から離間させたウェーハ100の下面である表面101を、図1に示した下面洗浄機構180によって洗浄し、再び保持面22をウェーハ100で覆い、保持面22から二流体200を噴出させて、ポーラス部材21および保持面22から研削屑を除去してもよい。 After ejecting the two-fluid 200 from the holding surface 22, the control unit 7 may clean the surface 101, which is the underside of the wafer 100 that has been separated from the holding surface 22, using the underside cleaning mechanism 180 shown in FIG. 1, cover the holding surface 22 with the wafer 100 again, and eject the two-fluid 200 from the holding surface 22 to remove grinding debris from the porous member 21 and the holding surface 22.

この場合、制御部7は、流体噴出工程の後、以下の下面洗浄工程を実施する。 In this case, the control unit 7 performs the following underside cleaning process after the fluid ejection process.

[下面洗浄工程]
制御部7は、ウェーハ100を保持している搬出機構172のパッド80を旋回および昇降させることにより、ウェーハ100を保持面22から離間させて、図4に示すように、下面洗浄機構180の直上に配置する。
[Bottom surface cleaning process]
The control unit 7 rotates and raises and lowers the pad 80 of the unloading mechanism 172 holding the wafer 100, thereby separating the wafer 100 from the holding surface 22 and placing it directly above the lower surface cleaning mechanism 180, as shown in Figure 4.

下面洗浄機構180は、スポンジローラ181、スポンジローラ181内に挿入されてスポンジローラ181を保持している中空のシャフト182、および、シャフト182を回転自在に支持するベース部材183を備えている。シャフト182は、継手184を介して水源185に接続されており、水源185から供給される水を、シャフト182の表面に設けられている穴を通してスポンジローラ181に供給することが可能となっている。 The underside cleaning mechanism 180 includes a sponge roller 181, a hollow shaft 182 inserted into the sponge roller 181 to hold the sponge roller 181, and a base member 183 that rotatably supports the shaft 182. The shaft 182 is connected to a water source 185 via a coupling 184, allowing water from the water source 185 to be supplied to the sponge roller 181 through holes in the surface of the shaft 182.

そして、制御部7は、図4に示すように、下面洗浄機構180におけるスポンジローラ181にウェーハ100の表面101が接するように、ウェーハ100を保持している搬出機構172のパッド80の位置を調整する。さらに、制御部7は、下面洗浄機構180のスポンジローラ181に水を供給しながら、図4に矢印505によって示すように、下面洗浄機構180に対して、ウェーハ100を保持しているパッド80を水平方向に旋回移動させる。これにより、水を含んでいるスポンジローラ181がウェーハ100の表面101に回転しながら接触して、表面101が洗浄される。 Then, as shown in FIG. 4, the control unit 7 adjusts the position of the pad 80 of the carry-out mechanism 172 holding the wafer 100 so that the surface 101 of the wafer 100 contacts the sponge roller 181 of the lower surface cleaning mechanism 180. Furthermore, while supplying water to the sponge roller 181 of the lower surface cleaning mechanism 180, the control unit 7 causes the pad 80 holding the wafer 100 to pivot horizontally relative to the lower surface cleaning mechanism 180, as shown by arrow 505 in FIG. 4. As a result, the sponge roller 181 containing water comes into contact with the surface 101 of the wafer 100 while rotating, cleaning the surface 101.

ウェーハ100の表面101の全面が洗浄された後、制御部7は、下面洗浄工程を終了し、搬出機構172のパッド80を旋回および昇降させて、ウェーハ100によってチャックテーブル20の保持面22を覆う。そして、制御部7は、上述した流体噴出工程を再び実施して、ポーラス部材21および保持面22から研削屑を除去する。 After the entire surface 101 of the wafer 100 has been cleaned, the control unit 7 ends the bottom surface cleaning process and rotates and raises and lowers the pad 80 of the discharge mechanism 172 so that the wafer 100 covers the holding surface 22 of the chuck table 20. The control unit 7 then performs the fluid ejection process described above again to remove grinding debris from the porous member 21 and holding surface 22.

この構成では、ポーラス部材21および保持面22からの研削屑の除去を、ウェーハ100の下面である表面101を洗浄しながら繰り返し実施することができる。したがって、ポーラス部材21および保持面22から、研削屑を良好に除去することが可能となる。 With this configuration, grinding debris can be repeatedly removed from the porous member 21 and the holding surface 22 while cleaning the surface 101, which is the underside of the wafer 100. Therefore, grinding debris can be effectively removed from the porous member 21 and the holding surface 22.

また、上述の実施形態では、図2に示すように、搬出機構172におけるパッド80の面積が、ウェーハ100の面積よりもわずかに大きい。これに代えて、図5に示すように、パッド80は、ウェーハ100の面積よりも小さい面積を有していてもよい。 Furthermore, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 2, the area of the pad 80 in the unloading mechanism 172 is slightly larger than the area of the wafer 100. Alternatively, as shown in FIG. 5, the pad 80 may have an area smaller than the area of the wafer 100.

この構成では、パッド80は、ウェーハ100の外周部分を保持していない。このため、流体噴出工程において二流体200がチャックテーブル20の保持面22から噴出したときに、保持面22とウェーハ100の外周部分との間に隙間が生じやすくなる。したがって、保持面22とウェーハ100との隙間から、研削屑を含む二流体200が保持面22の径方向外側に排出されやすくなるので、ポーラス部材21および保持面22から研削屑を良好に除去することが可能となる。 In this configuration, the pad 80 does not hold the outer peripheral portion of the wafer 100. Therefore, when the two-fluid 200 is ejected from the holding surface 22 of the chuck table 20 during the fluid ejection process, a gap is likely to form between the holding surface 22 and the outer peripheral portion of the wafer 100. Therefore, the two-fluid 200 containing grinding debris is likely to be discharged radially outward from the gap between the holding surface 22 and the wafer 100, making it possible to effectively remove grinding debris from the porous member 21 and the holding surface 22.

また、上述の実施形態では、流体噴出工程の際にチャックテーブル20の保持面22を覆う板状物として、ウェーハ100が用いられている。これに関し、保持面22を覆う板状物として、ダミーウェーハあるいは板状プレートが用いられてもよい。ダミーウェーハは、たとえば、研削装置1による研削加工の対象ではないウェーハである。また、板状プレートは、たとえば、ポーラス部材21の洗浄のためのプレートである。この場合、ダミーウェーハあるいは板状プレートは、予め第1のカセット161内に収容されており、第1保持工程において、ロボット155によって取り出されて、チャックテーブル20の保持面22に吸引保持される。 In the above-described embodiment, a wafer 100 is used as the plate-like object covering the holding surface 22 of the chuck table 20 during the fluid ejection process. In this regard, a dummy wafer or a plate-like object may be used as the plate-like object covering the holding surface 22. The dummy wafer is, for example, a wafer that is not the target of grinding by the grinding device 1. The plate-like object is, for example, a plate used for cleaning the porous member 21. In this case, the dummy wafer or plate-like object is stored in the first cassette 161 in advance, and is removed by the robot 155 during the first holding process and held by suction on the holding surface 22 of the chuck table 20.

また、上述の実施形態では、制御部7は、搬出機構172によって保持されているウェーハ100によってチャックテーブル20の保持面22を覆った状態で、流体噴出工程を実施している。これに代えて、制御部7は、搬入機構170によって保持されているウェーハ100によってチャックテーブル20の保持面22を覆った状態で、流体噴出工程を実施してもよい。この場合、第2保持工程では、搬入機構170が、保持面22に吸引保持されているウェーハ100を保持する。また、この場合、下面洗浄機構180は、搬入機構170の近傍に配置されていてもよい。 In addition, in the above-described embodiment, the control unit 7 performs the fluid ejection process with the holding surface 22 of the chuck table 20 covered by the wafer 100 held by the carry-out mechanism 172. Alternatively, the control unit 7 may perform the fluid ejection process with the holding surface 22 of the chuck table 20 covered by the wafer 100 held by the carry-in mechanism 170. In this case, in the second holding process, the carry-in mechanism 170 holds the wafer 100 that is suction-held on the holding surface 22. In this case, the lower surface cleaning mechanism 180 may be disposed near the carry-in mechanism 170.

1:研削装置、6:ターンテーブル、7:制御部、10:第1の装置ベース、
11:第2の装置ベース、15:コラム、20:チャックテーブル、
21:ポーラス部材、22:保持面、23:枠体、30:回転機構、31:モータ、
32:主動プーリ、33:無端ベルト、34:従動プーリ、35:回転軸、
40:流体流通機構、47:吸引源、48:エア供給源、49:水供給源、
60:研削送り機構、61:Z軸ガイドレール、62:Z軸ボールネジ、
63:Z軸移動テーブル、64:Z軸モータ、66:ホルダ、
70:研削機構、71:スピンドルハウジング、72:スピンドル、
73:スピンドルモータ、74:ホイールマウント、75:研削ホイール、
76:ホイール基台、77:研削砥石、
80:パッド、81:アーム、82:回動柱部、83:支柱、84:円板部材、
85:貫通孔、86:ボルト、87:軸部、88:頭部、89:吸引路、
90:パッド保持部、91:枠体、92:パッド保持面、94:モータ、
95:上下移動機構、99:吸引源、100:ウェーハ、101:表面、102:裏面、
152:仮置き機構、153:位置合わせ部材、154:仮置きテーブル、
155:ロボット、
156:スピンナ洗浄機構、157:スピンナテーブル、158:ノズル、
160:第1のカセットステージ、161:第1のカセット、
162:第2のカセットステージ、163:第2のカセット、
170:搬入機構、172:搬出機構、
180:下面洗浄機構、181:スポンジローラ、182:シャフト、
183:ベース部材、184:継手、185:水源、200:二流体、403:吸引溝、
460:ロータリージョイント、470:吸引流路、471:吸引配管、
473:吸引流量調整部、475:吸引開閉弁、481:エア配管、
483:エア調整部、485:エア供給開閉弁、487:圧力センサ、
491:水配管、493:水調整部、495:水供給開閉弁、860:スプリング
1: grinding device, 6: turntable, 7: control unit, 10: first device base,
11: second device base, 15: column, 20: chuck table,
21: Porous member, 22: Holding surface, 23: Frame, 30: Rotation mechanism, 31: Motor,
32: driving pulley, 33: endless belt, 34: driven pulley, 35: rotating shaft,
40: fluid distribution mechanism, 47: suction source, 48: air supply source, 49: water supply source,
60: Grinding feed mechanism, 61: Z-axis guide rail, 62: Z-axis ball screw,
63: Z-axis moving table, 64: Z-axis motor, 66: holder,
70: grinding mechanism, 71: spindle housing, 72: spindle,
73: spindle motor, 74: wheel mount, 75: grinding wheel,
76: Wheel base, 77: Grinding wheel,
80: Pad, 81: Arm, 82: Rotating column portion, 83: Support column, 84: Disc member,
85: through hole, 86: bolt, 87: shaft portion, 88: head portion, 89: suction path,
90: Pad holding portion, 91: Frame body, 92: Pad holding surface, 94: Motor,
95: vertical movement mechanism, 99: suction source, 100: wafer, 101: front surface, 102: back surface,
152: temporary placement mechanism, 153: alignment member, 154: temporary placement table,
155: Robot,
156: spinner cleaning mechanism, 157: spinner table, 158: nozzle,
160: first cassette stage, 161: first cassette,
162: second cassette stage, 163: second cassette,
170: Carrying-in mechanism, 172: Carrying-out mechanism,
180: bottom surface cleaning mechanism, 181: sponge roller, 182: shaft,
183: base member, 184: joint, 185: water source, 200: two-fluid, 403: suction groove,
460: rotary joint, 470: suction flow path, 471: suction piping,
473: suction flow rate adjusting unit, 475: suction opening/closing valve, 481: air piping,
483: air adjustment unit, 485: air supply opening/closing valve, 487: pressure sensor,
491: Water piping, 493: Water adjusting section, 495: Water supply opening/closing valve, 860: Spring

Claims (1)

ポーラス部材の保持面によって板状物を吸引保持するチャックテーブルと、該保持面が吸引保持した板状物を研削砥石で研削する研削機構と、板状物を保持し該保持面に搬入する搬入機構と、板状物を保持し該保持面から搬出する搬出機構と、制御部と、を備える研削装置であって、
該搬出機構または該搬入機構によって保持された板状物の下面を洗浄する下面洗浄機構をさらに備え、
該制御部は、
該保持面に板状物を吸引保持させることと、
該搬出機構または該搬入機構によって、該保持面が吸引保持している該板状物を保持することと、
該板状物が覆った状態の該保持面から、水とエアとを混合させた二流体を噴出させることと、
該保持面から該二流体を噴出させた後、該保持面から離間させた該板状物の下面を、該下面洗浄機構によって洗浄し、再び該保持面を該板状物で覆い、該保持面から該二流体を噴出させることと、
を制御し、
該保持面から噴出した二流体が、該保持面と該板状物との間を該保持面の直径方向に外側に流れ、該ポーラス部材および該保持面から研削屑を除去する、
研削装置。
A grinding device comprising: a chuck table that suction-holds a plate-like object with a holding surface of a porous member; a grinding mechanism that grinds the plate-like object suction-held by the holding surface with a grinding wheel; a carry-in mechanism that holds the plate-like object and carries it onto the holding surface; a carry-out mechanism that holds the plate-like object and carries it out of the holding surface; and a control unit;
a bottom surface cleaning mechanism for cleaning the bottom surface of the plate-like object held by the carrying-out mechanism or the carrying-in mechanism;
The control unit
A plate-like object is suction-held on the holding surface;
holding the plate-like object held by the holding surface by suction using the carrying-out mechanism or the carrying-in mechanism;
A two-fluid mixture of water and air is ejected from the holding surface covered with the plate-like object;
After the two fluids are ejected from the holding surface, the lower surface of the plate-like object separated from the holding surface is cleaned by the lower surface cleaning mechanism, the holding surface is covered with the plate-like object again, and the two fluids are ejected from the holding surface.
Control the
The two fluids ejected from the holding surface flow outward in the diameter direction of the holding surface between the holding surface and the plate-like object, removing grinding debris from the porous member and the holding surface.
Grinding equipment.
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