JP7780381B2 - カップ及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、カップ及び基板処理装置に関する。

特許文献１は、周囲をカップ体に囲まれた基板保持部に略水平に保持された基板の表面に、塗布液供給部からの塗布液を塗布液ノズルを介して供給して、基板の表面を液処理する液処理装置を開示している。この液処理装置は、塗布液ノズルを載置して待機させるノズルバスと、基板保持部に保持された基板の上方とノズルバスとの間で塗布液ノズルを搬送するノズル搬送機構と、このノズル搬送機構により搬送されている塗布液ノズルの先端部を撮像する撮像手段と、この撮像手段による撮像結果に基づいて、先端部からの塗布液の液だれまたは滴下の発生を判断する判断手段と、塗布液の液だれまたは滴下が生じたと判断手段により判断された場合に、塗布供給部及び／
またはノズル搬送機構に対処動作を実行させる制御手段と、を備えている。

特開２００８－１３５６７９号公報

本開示にかかる技術は、カップ内の排気時に基板周縁部における気流の流速を抑えることで、基板中心部と基板周縁部における気流の流速差を減少させる。

本開示の一態様は、基板に処理液を供給して前記基板を処理する基板処理装置に用いられるカップであって、前記基板の受け渡しを行うために上方に開放された開口部と、前記カップの上方から当該カップに向かって流れる気体を吸引する吸引口と、前記吸引口から吸引された気体を排出する排気口と、を有し、前記吸引口は、前記開口部の外周側において、上向きに開口し、前記開口部から前記排気口に至る流路と、前記吸引口から前記排気口に至る流路とが、前記開口部よりも下方で接続され、前記吸引口に気流を誘導する吸引流路をさらに有し、前記吸引流路の上端は、上向きに開口している。

本開示によれば、カップ内の排気時に基板周縁部における気流の流速を抑えることで、基板中心部と基板周縁部における気流の流速差を減少させることができる。

本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 図１に示したカップの部分拡大図である。 排気時の気流を模式的に示した説明図である。 カップの構成例を説明するための斜視図である。 図５に示したカップの構成を説明するためのカップの縦断面図である。 排気時の気流を模式的に示した説明図である。 カップの構成例を説明するための説明図である。 カップの構成例を説明するための説明図でである。 カップの構成例を説明するための説明図でである。 カップの構成例を説明するための説明図でである。

半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）の上に所定の塗布液を塗布し、反射防止膜やレジスト膜といった塗布膜を形成する塗布処理が行われる。

上述した塗布処理においては、いわゆるスピン塗布法が広く用いられており、回転中のウェハの中心部にノズルから塗布液を供給し、遠心力によってウェハ上の塗布液を拡散させることでウェハ上に塗布膜が形成される。スピン塗布法を行うための回転式の塗布処理装置には、回転するウェハの表面から、塗布液が周囲に飛散することを抑制するために、カップと呼ばれる容器が設けられている。また、ウェハを回転させた際には、ウェハの周縁部からミスト状にレジスト液が飛散することがあるため、そのミストがカップの上方に舞い上がってカップ外を汚染することがないように、塗布処理装置においては、カップ底部からの排気が行われる。

ところで、塗布処理装置の処理容器内においては、上述したカップ底部からの排気によって、カップの上方から、カップ底部に設けられた排気口に向かう気流（ダウンフロー）が生じる。その気流により、ウェハの表面近傍では、ウェハの中心部から周縁部に向かう方向に雰囲気が流れ、この雰囲気はウェハの周縁部から排気流路に吸引される。また、塗布処理中のウェハは、回転している状態にあるため、ウェハの中心部に引き込まれた気体は、ウェハの回転によってウェハの周縁部から吐き出される。これらの理由によって、カップ内の排気時においては、ウェハ中心部よりもウェハ周縁部において気流が強くなる。

従来のカップ構造においては、上述のように、ウェハ周縁部における気流がウェハ中心部よりも強いことによって、ウェハ周縁部における気流の流速がウェハ中心部よりも速くなり、ウェハ周縁部における塗布膜の膜厚がウェハ中心部よりも厚くなる傾向があった。すなわち、従来のカップ構造においては、ウェハ中心部とウェハ周縁部における気流の流速差が原因となって、膜厚の面内均一性の観点で改善の余地があった。

そこで、本開示にかかる技術は、カップ内の排気時に基板周縁部における気流の流速を抑えることで、基板中心部と基板周縁部における気流の流速差を減少させる。

以下、本実施形態にかかる基板処理装置及びその基板処理装置が有するカップについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１は、本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。図２は、本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を示す横断面図である。

本実施形態にかかる基板処理装置は、基板としてのウェハＷに処理液としてのレジスト液を塗布して液処理を行うレジスト塗布装置１である。図１及び図２に示すように、レジスト塗布装置１は、内部を密閉可能な処理容器１０を有している。処理容器１０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。

処理容器１０内には、ウェハＷを保持して回転させる基板保持部としてのスピンチャック２０が設けられている。スピンチャック２０は、例えばモータなどのチャック駆動部２１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部２１には、例えばシリンダなどの昇降駆動機構が設けられており、スピンチャック２０は昇降自在になっている。

また、処理容器１０内には、スピンチャック２０を収容し、底部から排気されるカップ３０が設けられている。カップ３０は、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止めて回収する容器である。カップ３０は、スピンチャック２０の外側に配置された外カップ３１と、外カップ３１の内周側に位置する内カップ３２と、内カップ３２の上方に位置する中間カップ３３と、を含む。

外カップ３１は、カップ３０の外壁を構成する部品であり、スピンチャック２０に保持されたウェハＷの側方を囲むように形成されている。なお、図１においては、外カップ３１が一体物として示されているが、外カップ３１は、例えば上下に分割された複数部品で構成されてもよい。

内カップ３２の下部には、筒状の壁体３４が設けられている。この壁体３４と外カップ３１との間には排出路をなす隙間が形成されている。また、内カップ３２の下方には、円環状の水平部材３５、筒状の外周垂直部材３６、筒状の内周垂直部材３７、底部に位置する円環状の底面部材３８によって、屈曲路が形成されている。この屈曲路によって、気液分離部が構成されている。

そして、外カップ３１と外周垂直部材３６との間における底面部材３８には、回収した液体を排出する排液口３９が形成されており、この排液口３９には排液管４０が接続されている。一方、外周垂直部材３６と内周垂直部材３７との間における底面部材３８には、ウェハＷの周辺の雰囲気を排出する排気口４１が形成されており、この排気口４１には排気管４２が接続されている。

内カップ３２の上方には、スピンチャック２０に対するウェハＷの受け渡しを行うために、上方に開放された開口部４３が形成されている。

中間カップ３３は、円環状に形成されていて、この中間カップ３３の上端３３ａの内周面によって、上述した開口部４３が形成されている。中間カップ３３は、下端３３ｂが上端３３ａよりも外カップ３１側に位置していて、上端３３ａから下端３３ｂに向かって外カップ３１側に傾斜している。

図２に示すように、中間カップ３３の下端３３ｂは、外カップ３１の内周面に設けられた複数の支持部４４によって支持されている。これらの複数の支持部４４は、外カップ３１の内周面に沿って間隔をおいて配置されている。なお、中間カップ３３を支持する構造は特に限定されず、中間カップ３３は、例えば内カップ３２に固定されてもよい。

外カップ３１のＸ方向負方向（図２の下方向）側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸したレール１００が形成されている。レール１００は、例えば外カップ３１のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール１００には、アーム１０１が設けられている。

アーム１０１には、処理液としてのレジスト液を供給する、処理液供給部としてのノズル１０２が支持されている。アーム１０１は、移動機構としてのノズル駆動部１０３によってレール１００上を移動自在である。これにより、ノズル１０２は、外カップ３１のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１０４から外カップ３１内のウェハＷの中心部上方まで移動できる。また、ノズル駆動部１０３によって、アーム１０１は昇降自在であり、ノズル１０２の高さを調節できる。

図１に示すように、レジスト塗布装置１は、制御部２００で制御される。制御部２００は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、レジスト塗布装置１で行われる各種処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。また、プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

（カップの排気構造）
次に、カップ３０の排気構造の詳細について説明する。図３は、図１に示したカップ３０の部分拡大図である。図４は、排気中の気流を模式的に示した説明図である。なお、図４中の黒太線の矢印は、気流を示し、矢印の太さは、気体の流量の大きさを示す。

カップ３０は、中間カップ３３の上端３３ａの外周面と外カップ３１の上端部の内周面との間に、上向きに開口した吸引口４５を有している。このため、カップ３０に形成された上向きの開口としては、ウェハＷの受け渡しを行うための開口部４３と、その開口部４３の外周側（外カップ３１側）に設けられた吸引口４５が存在する。この吸引口４５は、カップ３０の上方から当該カップ３０に向かって流れる気体を吸引する開口である。

上述した吸引口４５を有するカップ３０には、排気流路として、開口部４３から排気口４１に至る流路４６と、吸引口４５から排気口４１に至る流路４７が形成されている。これらの流路４６及び流路４７は、開口部４３よりも下方、すなわちスピンチャック２０で保持されたウェハＷの下方で互いに接続されている。このため、スピンチャック２０に保持されたウェハＷと中間カップ３３との隙間から排気口４１に向かう気流は、流路４６を通過して、流路４７を通過する気流と合流する。

吸引口４５の大きさは、スピンチャック２０の回転速度や排気量に応じて適宜定められるが、吸引口４５の幅ｄ₁は、スピンチャック２０に保持されたウェハＷの周縁部と中間カップ３３との隙間ｄ₂よりも広いことが好ましい。換言すると、吸引口４５の面積（図２に示す幅ｄ₂の円環領域の面積）は、ウェハＷの面積を除いた開口部４３の面積（図２に示す幅ｄ₁の円環領域の面積）よりも大きいことが好ましい。これにより、ウェハＷと中間カップ３３の隙間から吸引される気体の流量よりも、吸引口４５から吸引される気体の流量が増加し、吸引口４５からの排気を促進することができる。

以上で説明した本実施形態にかかるカップ３０によれば、ウェハＷの受け渡しを行うための開口部４３の外周側に吸引口４５が形成されていることによって、カップ３０の上方から当該カップ３０に向かって流れる気体を、吸引口４５を介して排気できる。すなわち、開口部４３とは異なる他の排気流路が設けられているために、ウェハＷの周縁部からの排気流量を減少させることができる。これにより、ウェハＷの中心部とウェハＷの周縁部における流速差を減少させることができ、ウェハＷの表面に形成されるレジスト膜の膜厚の面内均一性を向上させることができる。

（吸引流路）
次に、図５～図７を参照してカップ３０の他の構成例について説明する。図５は、カップ３０の構成例を説明するための斜視図であり、本図では、カップ３０の一部を切断した状態のカップ３０を示している。図６は、図５に示したカップ３０の構成を説明するためのカップ３０の縦断面図である。図７は、排気中の気流を模式的に示した説明図である。なお、図７中の黒太線の矢印は、気流を示し、矢印の太さは、気体の流量の大きさを示す。

図５～図７に示したカップ３０は、外カップ３１の上端部から上方に延伸した第１上部カップとしての外側上部カップ４８と、中間カップ３３の上方に設けられた第２上部カップとしての内側上部カップ４９を有している。

外側上部カップ４８は、筒状に形成されている。外側上部カップ４８の下端部は、外カップ３１の上端部に固定されていて、外側上部カップ４８の上端は、吸引口４５よりも高い位置にある。また、外側上部カップ４８は、上端部が下端部よりも内方に位置し、下端部から上端部に向かって内方に傾斜している。なお、外側上部カップ４８と外カップ３１は、１部品で構成されてもよい。

内側上部カップ４９は、円環状に形成されている。内側上部カップ４９の上端は、吸引口４５よりも高い位置にある。また、内側上部カップ４９は、上端部が下端部よりも内方に位置し、下端部から上端部に向かって内方に傾斜している。

図５に示すように、内側上部カップ４９は、外側上部カップ４８の内周面に設けられた複数の支持部５０によって支持されている。これらの複数の支持部５０は、外側上部カップ４８の内周面に沿って間隔をおいて配置されている。なお、内側上部カップ４９を支持する構造は特に限定されず、内側上部カップ４９は、例えば中間カップ３３に固定されてもよい。

カップ３０は、上述した外側上部カップ４８と内側上部カップ４９が設けられることによって、吸引流路５１が形成されている。この吸引流路５１は、上向きに開口していて、カップ３０の上方から当該カップ３０に向かう気流を吸引口４５に誘導する。

図６及び図７に示す例では、吸引流路５１は、外側上部カップ４８と内側上部カップ４９の間の流路である外側吸引流路５１ａと、中間カップ３３と内側上部カップ４９の間の流路である内側吸引流路５１ｂと、を有している。このような吸引流路５１を有するカップ３０においては、排気時に外側吸引流路５１ａと内側吸引流路５１ｂの各々の流路を通過する気流が形成される。

以上で説明した吸引流路５１によれば、カップ３０の上方から吸引口４５に向かう気流が整流され、吸引口４５の近傍における渦流れの発生を抑制することができる。これにより、吸引口４５の近傍における気体の滞留が抑制され、吸引口４５からの排気が促進される。

また、渦流れの発生が抑制されることによって、内カップ３２と中間カップ３３で構成される流路４６の下流端から、外カップ３１と中間カップ３３で構成される流路４７への逆流を抑えることもできる。このため、流路４６を通過するミスト状に飛散したレジスト液が、流路４７に逆流することを抑制でき、レジスト液のミストがカップ３０外に飛散することを抑制できる。

上述した流路４６から流路４７への逆流抑制の効果を高める観点では、吸引流路５１の断面積は、当該吸引流路５１の上流側から下流側に向かって減少することが好ましい。これにより、吸引流路５１の下流端における吸引圧が大きくなり、流路４６から流路４７への逆流を抑制する効果が高まる。

また、外側吸引流路５１ａと内側吸引流路５１ｂが設けられている場合には、外側吸引流路５１ａと内側吸引流路５１ｂの少なくともいずれか一方の流路の断面積が、上流側から下流側に向かって減少することが好ましい。例えば図５～図７に示したように、各吸引流路５１ａ、５１ｂにおいて断面積が漸減する場合には、各吸引流路５１ａ、５１ｂの下流端において吸引圧が大きくなる。これにより、流路４６の下流端から流路４７への逆流のみならず、外側吸引流路５１ａと内側吸引流路５１ｂの双方の流路間における逆流も抑えることができる。

さらに、外側上部カップ４８と内側上部カップ４９が設けられていることによって、スピンチャック２０に保持されたウェハＷから飛散するレジスト液を受け止めて回収する効果を高めることができる。

また、外側吸引流路５１ａの最小断面積は、内側吸引流路５１ｂの最小断面積よりも大きいことが好ましい。図６に示した例において、外側吸引流路５１ａの最も狭い箇所は、内側上部カップ４９の下端の位置であり、この位置における流路断面積（外側上部カップ４８と内側上部カップ４９の間の幅ｄ₃の円周方向における面積）が、外側吸引流路５１ａの最小断面積である。また、内側吸引流路５１ｂの最も狭い箇所も、内側上部カップ４９の下端の位置であり、この位置における流路断面積（中間カップ３３と内側上部カップ４９の間の幅ｄ₄の円周方向における面積）が、内側吸引流路５１ｂの最小断面積である。

外側吸引流路５１ａの最小断面積が、内側吸引流路５１ｂの最小断面積よりも大きい場合には、外側吸引流路５１ａを通過する気体の流量が内側吸引流路５１ｂを通過する気体の流量よりも増加し、ウェハＷの周縁部から、より離れた位置において排気が促進される。換言すると、ウェハＷの周縁部近傍を流れる気体の流量が減少し、ウェハＷの中心部とウェハＷの周縁部における気流の流速差をより小さくすることができる。

以上で説明した吸引流路５１を有するカップ３０の構成は一例であり、吸引流路５１を有するカップ３０は、例えば図７または図８に示すように構成されてもよい。

図８に示すカップ３０は、吸引流路５１が外側上部カップ４８と中間カップ３３で構成されていて、内側上部カップ４９が設けられていない。このように構成されたカップ３０においても、上述した吸引流路５１による整流効果と、レジスト液の飛散抑制の効果が得られる。

図９に示すカップ３０は、吸引流路５１が外カップ３１と、内側上部カップ４９と、中間カップ３３で構成されている。また、吸引流路５１には、外カップ３１と内側上部カップ４９で構成された外側吸引流路５１ａと、中間カップ３３と内側上部カップ４９で構成された内側吸引流路５１ｂが形成されている。このように構成されたカップ３０においても、上述した吸引流路５１による整流効果と、レジスト液の飛散抑制の効果が得られる。

特に、図９に示すカップ３０においては、内側上部カップ４９が、図８に示した外側上部カップ４８よりもウェハＷに近い位置に存在することから、レジスト液の飛散抑制の効果としては、図８に示したカップ３０よりも高い効果が得られる。

（吸引口の配置例）
以上で説明したカップ３０では、吸引口４５が上向きの開口であったが、吸引口４５は、例えば図１０に示すように水平方向に向いた開口であってもよい。

図１０に示す例では、カップ３０の外壁を構成する外カップ３１に、水平方向に開口した吸引口４５が形成されている。この吸引口４５は、外カップ３１の周方向に沿って延びた円弧状の開口であり、外カップ３１を水平方向から見た際に、開口領域が横方向に延びている。そのような吸引口４５が、外カップ３１の周方向に間隔をおいて複数設けられることによって、外カップ３１の略全周にわたって、水平方向に向いた開口が形成されている。

また、吸引口４５の面積（複数の円弧状の吸引口４５の総面積）は、スピンチャック２０に保持されたウェハＷの面積を除いた開口部４３の面積（平面視におけるウェハＷと中間カップ３３の間に形成された円環状の隙間の面積）よりも大きいことが好ましい。これにより、ウェハＷと中間カップ３３の隙間から吸引される気体の流量よりも、吸引口４５から吸引される気体の流量が増加し、吸引口４５からの排気を促進することができる。

外カップ３１の上端部と中間カップ３３の上端部の間には、平面視における形状が円環状の蓋体５２が設けられている。この蓋体５２によって、外カップ３１と中間カップ３３の間の上端面が、カップ３０の周方向の全周にわたって覆われている。なお、中間カップ３３と蓋体５２は、１部品で構成されてもよい。

以上の構成を有するカップ３０は、排気流路として、開口部４３から排気口４１に至る流路４６と、水平方向に開口した吸引口４５から排気口４１に至る流路４７とが形成されている。また、各流路４６、４７は、開口部４３よりも下方、すなわちスピンチャック２０で保持されたウェハＷの下方で接続されている。

外カップ３１の外周面には、カップ３０の上方から当該カップ３０に向かう気流を吸引口４５に誘導する吸引流路５１を形成するために、第１傾斜部材５３が設けられている。この第１傾斜部材５３の下端部は、吸引口４５よりも下方の位置において、外カップ３１の外周面に固定されている。また、第１傾斜部材５３の上端部は、外カップ３１の外方に向かって上方に傾斜している。

吸引流路５１は、外カップ３１と上記の第１傾斜部材５３で構成されていて、吸引流路５１の上端は、上向きに開口している。このような吸引流路５１が設けられている場合には、前述したような吸引流路５１による整流効果を得ることができる。

なお、吸引流路５１は、例えば図１１に示すように、吸引口４５の上方に設けられた第２傾斜部材５４と第１傾斜部材５３によって構成されてもよい。図１１に示す例では、第２傾斜部材５４の下端部は、外カップ３１の上に固定され、第２傾斜部材５４の上端部は、その下端部から外カップ３１の外方に向かって上方に傾斜している。

また、吸引流路５１の断面積は、上流側から下流側に向かって減少することが好ましい。これにより、吸引口４５の近傍における吸引圧を大きくすることができ、流路４６の下流端から流路４７への逆流を抑えることができる。

以上で説明したカップ３０においては、外カップ３１に、水平方向に開口した吸引口４５が形成されていることによって、カップ３０の上方から当該カップ３０に向かって流れる気体の一部を外カップ３１の外周面から吸引して排気することができる。これにより、ウェハＷと中間カップ３３の隙間に回り込む気体の流量が減少し、ウェハＷの周縁部における気流の流速を抑えることが可能となる。その結果、ウェハＷの中心部とウェハＷの周縁部における気流の流速差が減少し、ウェハＷの表面に形成されるレジスト膜の膜厚の面内均一性を向上させることができる。

なお、図１０及び図１１に示したカップ３０では、吸引流路５１を設ける構成としたが、レジスト塗布装置１が、吸引流路５１を設けなくても吸引口４５からの吸引を適切に実施できる排気能力を有していれば、吸引流路５１を設けなくてもよい。

以上、本開示にかかるカップについて説明した。なお、本明細書で説明したカップ３０の構成部品の形状は、例示であり、具体的な形状は、カップから排出される気体の種類や基板処理装置の排気能力、基板表面に供給する処理液等に応じて適宜決定される。例えば、吸引流路５１を構成する各カップ部品は、整流効果を高めるために曲面を有した形状であってもよい。また、吸引流路５１を構成する各カップ部品は、整流効果が得られるようであれば屈曲面を有した形状であってもよい。

また、本開示にかかるカップ及び基板処理装置は、半導体ウェハ以外の処理対象基板、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板の処理装置にも適用できる

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ レジスト塗布装置
２０ スピンチャック
３０ カップ
４１ 排気口
４３ 開口部
４５ 吸引口
４６ 流路
４７ 流路
１０２ ノズル
Ｗ ウェハ

Claims (12)

1. 基板に処理液を供給して前記基板を処理する基板処理装置に用いられるカップであって、
   前記基板の受け渡しを行うために上方に開放された開口部と、
   前記カップの上方から当該カップに向かって流れる気体を吸引する吸引口と、
   前記吸引口から吸引された気体を排出する排気口と、を有し、
   前記吸引口は、前記開口部の外周側において、上向きに開口し、
   前記開口部から前記排気口に至る流路と、前記吸引口から前記排気口に至る流路とが、前記開口部よりも下方で接続され、
   前記吸引口に気流を誘導する吸引流路をさらに有し、
   前記吸引流路の上端は、上向きに開口している、カップ。
2. 前記吸引流路の断面積は、当該吸引流路の上流側から下流側に向かって減少している、請求項１に記載のカップ。
3. 前記カップの外壁を構成する外カップと、
   前記外カップの内周側に設けられた内カップと、
   前記内カップの上方に設けられた中間カップと、を有し、
   前記開口部は、前記中間カップの上端部の内周面で形成され、
   前記吸引口は、前記中間カップの上端部の外周面と前記外カップの上端部の内周面で形成されている、請求項１又は２に記載のカップ。
4. 前記カップの外壁を構成する外カップと、
   前記外カップの内周側に設けられた内カップと、
   前記内カップの上方に設けられた中間カップと、
   前記外カップから上方に延伸した外側上部カップと、を有し、
   前記吸引流路は、前記中間カップと前記外側上部カップで構成されている、請求項１又は２に記載のカップ。
5. 前記カップの外壁を構成する外カップと、
   前記外カップの内周側に設けられた内カップと、
   前記内カップの上方に設けられた中間カップと、
   前記中間カップの上方に設けられた内側上部カップと、を有し、
   前記吸引流路は、
   前記外カップと前記内側上部カップで構成された外側吸引流路と、
   前記中間カップと前記内側上部カップで構成された内側吸引流路と、を有する、請求項１又は２に記載のカップ。
6. 前記外側吸引流路の最小断面積は、前記内側吸引流路の最小断面積よりも大きい、請求項５に記載のカップ。
7. 前記カップの外壁を構成する外カップと、
   前記外カップの内周側に設けられた内カップと、
   前記内カップの上方に設けられた中間カップと、
   前記外カップから上方に延伸した外側上部カップと、
   前記中間カップの上方に設けられた内側上部カップと、を有し、
   前記吸引流路は、
   前記外側上部カップと前記内側上部カップで構成された外側吸引流路と、
   前記中間カップと前記内側上部カップで構成された内側吸引流路と、を有する、請求項１又は２に記載のカップ。
8. 前記外側吸引流路の最小断面積は、前記内側吸引流路の最小断面積よりも大きい、請求項７に記載のカップ。
9. 基板に処理液を供給して前記基板を処理する基板処理装置に用いられるカップであって、
   前記基板の受け渡しを行うために上方に開放された開口部と、
   前記カップの上方から当該カップに向かって流れる気体を吸引する吸引口と、
   前記吸引口から吸引された気体を排出する排気口と、を有し、
   前記吸引口は、前記カップの外壁において、水平方向に向いて開口し、
   前記開口部から前記排気口に至る流路と、前記吸引口から前記排気口に至る流路とが、前記開口部よりも下方で接続されている、カップ。
10. 前記吸引口に気流を誘導する吸引流路をさらに有し、
    前記吸引流路の上端は、上向きに開口している、請求項９に記載のカップ。
11. 前記吸引流路の断面積は、当該吸引流路の上流側から下流側に向かって減少している、請求項１０に記載のカップ。
12. 基板に処理液を供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板を保持して回転させる基板保持部と、
    前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記基板保持部が収容されたカップと、を備え、
    前記カップは、
    前記基板の受け渡しを行うために上方に開放された開口部と、
    前記カップの上方から当該カップに向かって流れる気体を吸引する吸引口と、
    前記吸引口から吸引された気体を排出する排気口と、を有し、
    前記吸引口は、前記開口部の外周側において、上向きに開口し、
    前記開口部から前記排気口に至る流路と、前記吸引口から前記排気口に至る流路とが、前記開口部よりも下方で接続され、
    前記吸引口に気流を誘導する吸引流路をさらに有し、前記吸引流路の上端は、上向きに開口している、基板処理装置。