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JP7803203B2 - Power conversion device and control method thereof - Google Patents
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JP7803203B2 - Power conversion device and control method thereof - Google Patents

Power conversion device and control method thereof

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JP7803203B2 JP2022067510A JP2022067510A JP7803203B2 JP 7803203 B2 JP7803203 B2 JP 7803203B2 JP 2022067510 A JP2022067510 A JP 2022067510A JP 2022067510 A JP2022067510 A JP 2022067510A JP 7803203 B2 JP7803203 B2 JP 7803203B2
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Description

本開示は、電力変換装置及びその制御方法に関する。 This disclosure relates to a power conversion device and a control method thereof.

大容量・高圧用途に適した次世代トランスレス電力変換器として、モジュラーマルチレベルコンバータ(MMC)がある。MMCは、例えば、無効電力補償装置(STATCOM)や直流送電システム(HVDC)に適用可能である。特に、デルタ結線MMCは、デルタ結線部に循環電流を流して逆相無効電流を出力できることから注目されている。デルタ結線MMCは、内部にデルタ結線部を備え、デルタ結線部の各相上には、一又は直列接続された複数のブリッジセルが設けられている(例えば、特許文献1参照)。 The modular multilevel converter (MMC) is a next-generation transformerless power converter suitable for large-capacity, high-voltage applications. MMCs can be applied, for example, to static synchronous compensation (STATCOM) systems and high-voltage direct current (HVDC) systems. Delta-connected MMCs, in particular, have attracted attention because they can pass a circulating current through the delta connection and output a negative-phase reactive current. Delta-connected MMCs have an internal delta connection, and one or multiple bridge cells connected in series are provided on each phase of the delta connection (see, for example, Patent Document 1).

ブリッジセルは、直列接続された複数の半導体スイッチをそれぞれ含む複数の半導体スイッチ群と、複数の半導体スイッチ群に並列に接続された直流コンデンサとを有する。 A bridge cell has multiple semiconductor switch groups, each containing multiple semiconductor switches connected in series, and a DC capacitor connected in parallel to the multiple semiconductor switch groups.

特許第5537235号公報Patent No. 5537235

MMCでは、例えば電力系統に不平衡事故が発生した場合、定常的に零でない有効電力が各相に流入し、直流コンデンサの電圧の変動を引き起こすことがある。その対策として、デルタ結線部に循環電流を流して各相の交流電圧と交流電流の直交関係を保ち、直流コンデンサの電圧の相間バランスを維持する制御方式がある。 In an MMC, for example, if an unbalanced fault occurs in the power system, non-zero active power will steadily flow into each phase, which can cause fluctuations in the DC capacitor voltage. One countermeasure is to pass a circulating current through the delta connection to maintain the orthogonal relationship between the AC voltage and AC current of each phase, thereby maintaining the phase-to-phase balance of the DC capacitor voltage.

しかしながら、デルタ結線部が接続される電力系統の電圧が不平衡となる条件において、直流コンデンサの電圧の相間バランスを循環電流によって制御しても、直流コンデンサの相間バランスを維持できない場合がある。 However, under conditions where the voltage of the power system to which the delta connection is connected is unbalanced, it may not be possible to maintain the phase balance of the DC capacitor voltage even if the phase balance is controlled using circulating current.

本開示は、デルタ結線部が接続される電力系統の電圧が不平衡となる条件において、各相の直流コンデンサの電圧変動を抑制可能な電力変換装置及びその制御方法を提供する。 This disclosure provides a power conversion device and a control method for the same that can suppress voltage fluctuations in the DC capacitors of each phase when the voltage of the power system to which the delta connection is connected becomes unbalanced.

本開示の一態様では、
一又は直列接続された複数のブリッジセルがデルタ接続されたデルタ結線部と、
前記デルタ結線部に流れる電流を前記複数のブリッジセルによって制御する制御装置と、を備え、
前記ブリッジセルは、直列接続された複数の半導体スイッチをそれぞれ含む複数の半導体スイッチ群と、前記複数の半導体スイッチ群に並列に接続されたコンデンサとを有し、
前記制御装置は、前記コンデンサの電圧の相間バランスを、前記デルタ結線部が接続される電力系統の電圧が不平衡となる条件に基づいて、前記デルタ結線部に流れる循環電流によって制御するか前記デルタ結線部の各相に流れる逆相電流によって制御するかを切り替える、電力変換装置が提供される。
In one aspect of the present disclosure,
a delta connection section in which one or a plurality of series-connected bridge cells are delta-connected;
a control device that controls the current flowing in the delta connection by the plurality of bridge cells,
The bridge cell includes a plurality of semiconductor switch groups each including a plurality of semiconductor switches connected in series, and a capacitor connected in parallel to the plurality of semiconductor switch groups,
The control device switches between controlling the inter-phase balance of the capacitor voltage by the circulating current flowing in the delta connection section and controlling it by the negative-phase current flowing in each phase of the delta connection section, based on the condition under which the voltage of the power system to which the delta connection section is connected becomes unbalanced.

また、本開示の他の一態様では、
一又は直列接続された複数のブリッジセルがデルタ接続されたデルタ結線部を備える電力変換装置において、前記デルタ結線部に流れる電流を前記複数のブリッジセルによって制御する、電力変換装置の制御方法であって、
前記ブリッジセルは、直列接続された複数の半導体スイッチをそれぞれ含む複数の半導体スイッチ群と、前記複数の半導体スイッチ群に並列に接続されたコンデンサとを有し、
前記コンデンサの電圧の相間バランスを、前記デルタ結線部が接続される電力系統の電圧が不平衡となる条件に基づいて、前記デルタ結線部に流れる循環電流によって制御するか前記デルタ結線部の各相に流れる逆相電流によって制御するかを切り替える、電力変換装置の制御方法が提供される。
In another aspect of the present disclosure,
A control method for a power conversion device including a delta connection part in which one or a plurality of bridge cells connected in series are delta-connected, the control method controlling a current flowing through the delta connection part by the plurality of bridge cells,
The bridge cell includes a plurality of semiconductor switch groups each including a plurality of semiconductor switches connected in series, and a capacitor connected in parallel to the plurality of semiconductor switch groups,
A control method for a power conversion device is provided, which switches between controlling the interphase balance of the capacitor voltage by the circulating current flowing in the delta connection or by the negative-phase current flowing in each phase of the delta connection, based on the condition under which the voltage of the power system to which the delta connection is connected becomes unbalanced.

本開示によれば、デルタ結線部が接続される電力系統の電圧が不平衡となる条件において、各相の直流コンデンサの電圧変動を抑制可能な電力変換装置及びその制御方法を提供できる。 This disclosure provides a power conversion device and a control method thereof that can suppress voltage fluctuations in the DC capacitors of each phase when the voltage of the power system to which the delta connection is connected becomes unbalanced.

一実施形態における電力変換装置の構成例を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration example of a power conversion device according to an embodiment; 直流コンデンサの電圧の相間バランスを循環電流によって制御する方式を示す制御ブロック図である。FIG. 1 is a control block diagram showing a method for controlling the interphase balance of the voltage of a DC capacitor using a circulating current. 直流コンデンサの電圧の相間バランスを循環電流によって制御するか逆相電流によって制御するかを切り替える制御方式を示す制御ブロック図である。FIG. 10 is a control block diagram showing a control method for switching between controlling the interphase balance of the voltage of a DC capacitor by a circulating current and controlling it by a negative-phase current.

以下、本開示に係る実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the drawings.

図1は、一実施形態における電力変換装置の構成例を示す図であり、デルタ結線MMCの回路構成の一例を示す。MMCは、例えば、無効電力補償装置(STATCOM)や直流送電システム(HVDC)に適用可能である。図1に示す電力変換装置100は、デルタ結線部10及び制御装置102を備える。 Figure 1 shows an example of the configuration of a power conversion device in one embodiment, illustrating an example of the circuit configuration of a delta-connected MMC. The MMC can be applied to, for example, a static var compensator (STATCOM) or a high-voltage direct current (HVDC) transmission system. The power conversion device 100 shown in Figure 1 includes a delta-connected section 10 and a control device 102.

デルタ結線部10は、一又は直列接続された複数のブリッジセルがデルタ接続された回路である。図1に示す例では、デルタ結線部10の各相上には、一対の交流出力端子a,bを介して直列に接続された3つのブリッジセル11-k、11v-kおよび11w-k(ただし、k=1~3)がそれぞれ設けられる。kは、デルタ結線部10の各相において、ブリッジセルが直列に接続される個数を表し、1以上の整数である。つまり、デルタ結線部10の各相内のブリッジセルの数は、複数に限られず、一つでもよい。なお、図1において、デルタ結線部10の各相上のリアクトル成分は、Lで表している。 The delta connection section 10 is a circuit in which one or more bridge cells connected in series are delta-connected. In the example shown in Figure 1, each phase of the delta connection section 10 has three bridge cells 11-k, 11v-k, and 11w-k (where k = 1 to 3) connected in series via a pair of AC output terminals a and b. k represents the number of bridge cells connected in series in each phase of the delta connection section 10 and is an integer greater than or equal to 1. In other words, the number of bridge cells in each phase of the delta connection section 10 is not limited to multiple and can be as few as one. Note that in Figure 1, the reactor component on each phase of the delta connection section 10 is represented by L.

複数のブリッジセル11(11-k、11v-kおよび11w-k)は、それぞれ、一対の交流出力端子a,bをそれぞれ有し、一対の交流出力端子a,bを介して直列に接続される。複数のブリッジセル11は、それぞれ、自身の第1の交流出力端子aが、自身に隣接する一方のブリッジセルの第2の交流出力端子bに接続され、自身の第2の交流出力端子bが、自身に隣接する他方のブリッジセルの第1の交流出力端子aに接続される。 The multiple bridge cells 11 (11-k, 11v-k, and 11w-k) each have a pair of AC output terminals a, b, and are connected in series via the pair of AC output terminals a, b. Each of the multiple bridge cells 11 has its first AC output terminal a connected to the second AC output terminal b of one of the bridge cells adjacent to it, and its second AC output terminal b connected to the first AC output terminal a of the other bridge cell adjacent to it.

複数のブリッジセル11-k、11v-kおよび11w-kは、それぞれ、リアクトル成分Lを介してデルタ結線されており、電力系統101に連系している。電力系統101への連系は、図示しない変圧器を介してもよい。デルタ結線は、デルタ結線内に循環電流が流れる。制御装置102は、デルタ結線部10に流れる循環電流を複数のブリッジセル11のスイッチングによって制御することにより、逆相無効電流を調整できる。 Multiple bridge cells 11-k, 11v-k, and 11w-k are each delta-connected via reactor component L and connected to the power grid 101. Connection to the power grid 101 may also be via a transformer (not shown). A circulating current flows within the delta connection. The control device 102 can adjust the negative-phase reactive current by controlling the circulating current flowing through the delta connection section 10 by switching the multiple bridge cells 11.

複数のブリッジセル11は、それぞれ、複数の半導体スイッチを有する電力変換回路と、その電力変換回路を動作させる駆動回路部とを有する。複数のブリッジセル11は、互いに同一の構成を有する。半導体スイッチは、例えば、トランジスタと、そのトランジスタに逆並列に接続されるダイオードとを有するスイッチ素子である。トランジスタの具体例として、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などが挙げられる。 Each of the multiple bridge cells 11 has a power conversion circuit with multiple semiconductor switches and a drive circuit unit that operates the power conversion circuit. The multiple bridge cells 11 have the same configuration. The semiconductor switch is a switching element that has, for example, a transistor and a diode connected in anti-parallel to the transistor. Specific examples of transistors include an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

各ブリッジセル11は、コンデンサCにおける直流電力を交流電力に変換して一対の交流出力端子a,bに出力する機能と、一対の交流出力端子a,bから入力される交流電力を直流電力に変換してコンデンサCに供給する機能とを有する。 Each bridge cell 11 has the function of converting DC power in capacitor C into AC power and outputting it to a pair of AC output terminals a and b, and the function of converting AC power input from the pair of AC output terminals a and b into DC power and supplying it to capacitor C.

各ブリッジセル11は、一対の交流出力端子a,b、コンデンサC、電力変換回路12及び不図示の駆動回路部(例えば、GDU(Gate Drive Unit)及び給電回路など)を備える。 Each bridge cell 11 has a pair of AC output terminals a, b, a capacitor C, a power conversion circuit 12, and a drive circuit unit (not shown) (e.g., a GDU (Gate Drive Unit) and a power supply circuit, etc.).

コンデンサCは、一対の交流出力端子a,bに電力変換回路12を介して接続される容量素子である。 Capacitor C is a capacitive element connected to a pair of AC output terminals a and b via power conversion circuit 12.

電力変換回路12は、コンデンサCと一対の交流出力端子a,bとの間に接続され、直流と交流との間で双方向に電力を変換するインバータ回路である。電力変換回路12は、コンデンサCに並列に接続されている。図1には、複数の半導体スイッチ13を有するフルブリッジ回路が例示されている。 The power conversion circuit 12 is an inverter circuit connected between the capacitor C and a pair of AC output terminals a and b, and converts power bidirectionally between DC and AC. The power conversion circuit 12 is connected in parallel to the capacitor C. Figure 1 shows an example of a full-bridge circuit having multiple semiconductor switches 13.

電力変換回路12は、直列接続された複数の半導体スイッチ13をそれぞれ含む複数の半導体スイッチ群14を有する。複数の半導体スイッチ群14は、コンデンサCに並列に接続されている。図1に示す電力変換回路12は、直列に接続された複数の半導体スイッチ13を含む第1半導体スイッチ群と、直列に接続された複数の半導体スイッチ13を含む第2半導体スイッチ群とが並列に接続されたフルブリッジ構成を有する。第1上アームの半導体スイッチ13と第1下アームの半導体スイッチ13との間の接続点に、第1の交流出力端子aが接続されている。第2上アームの半導体スイッチ13と第2下アームの半導体スイッチ13との間の接続点に、第2の交流出力端子bが接続されている。 The power conversion circuit 12 has multiple semiconductor switch groups 14, each including multiple semiconductor switches 13 connected in series. The multiple semiconductor switch groups 14 are connected in parallel to a capacitor C. The power conversion circuit 12 shown in FIG. 1 has a full-bridge configuration in which a first semiconductor switch group including multiple semiconductor switches 13 connected in series and a second semiconductor switch group including multiple semiconductor switches 13 connected in series are connected in parallel. A first AC output terminal a is connected to the connection point between the semiconductor switch 13 of the first upper arm and the semiconductor switch 13 of the first lower arm. A second AC output terminal b is connected to the connection point between the semiconductor switch 13 of the second upper arm and the semiconductor switch 13 of the second lower arm.

図1に例示する複数の半導体スイッチ13は、ダイオードが逆並列に接続されたIGBTであるが、MOSFETやサイリスタ等のスイッチング機能を有するスイッチング素子でもよい。 The multiple semiconductor switches 13 shown in Figure 1 are IGBTs with diodes connected in antiparallel, but they may also be switching elements with switching functions such as MOSFETs or thyristors.

半導体スイッチと逆並列ダイオードとのうち少なくとも一方は、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)やGa(酸化ガリウム)やダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体を含む素子であることが好ましい。ワイドバンドギャップ半導体をスイッチング素子に適用することにより、スイッチング素子の損失低減の効果が高まる。なお、半導体スイッチは、Si(シリコン)などの半導体を含む素子でもよい。同様に、ワイドバンドギャップ半導体を含む素子をダイオードに適用することにより、ダイオードの損失低減の効果が高まる。なお、ダイオードは、Si(シリコン)などの半導体を含む素子でもよい。 At least one of the semiconductor switch and the anti-parallel diode is preferably an element including a wide bandgap semiconductor such as SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride), Ga2O3 (gallium oxide), or diamond. By applying a wide bandgap semiconductor to the switching element, the effect of reducing loss in the switching element is enhanced. The semiconductor switch may be an element including a semiconductor such as Si (silicon). Similarly, by applying an element including a wide bandgap semiconductor to the diode, the effect of reducing loss in the diode is enhanced. The diode may be an element including a semiconductor such as Si (silicon).

各ブリッジセル11は、GDU及び給電回路などの不図示の駆動回路部を備える。 Each bridge cell 11 is equipped with a drive circuit unit (not shown), such as a GDU and a power supply circuit.

GDUは、電力変換回路12を駆動する駆動回路であり、具体的には、電力変換回路12に構成される複数の半導体スイッチ13のゲートを駆動するゲート駆動回路である。GDUは、コンデンサCから給電回路を介して供給される電力に基づいて、電力変換回路12に構成される複数の半導体スイッチ13を駆動する。 The GDU is a drive circuit that drives the power conversion circuit 12, and more specifically, a gate drive circuit that drives the gates of the multiple semiconductor switches 13 that are configured in the power conversion circuit 12. The GDU drives the multiple semiconductor switches 13 that are configured in the power conversion circuit 12 based on the power supplied from the capacitor C via the power supply circuit.

GDUは、制御装置102からの制御信号に従って、複数の半導体スイッチ13のうち対応する半導体スイッチのゲート-エミッタ間に電圧を印加することで、当該対応する半導体スイッチをオン又はオフにする。このような動作によって、ブリッジセル11の一対の交流出力端子a,b間に矩形波状の電圧が発生する。 The GDU applies a voltage between the gate and emitter of a corresponding one of the multiple semiconductor switches 13 in accordance with a control signal from the control device 102, thereby turning the corresponding semiconductor switch on or off. This operation generates a square-wave voltage between a pair of AC output terminals a and b of the bridge cell 11.

制御装置102は、複数のブリッジセル11に共通のキャリア周期Tc(キャリア周波数の逆数)に従って、複数の半導体スイッチ13をオン又はオフにする制御信号(例えば、PWM信号(パルス幅変調された信号))を生成するコントローラである。制御装置102は、メモリとプロセッサ(例えば、CPU(Central Processing Unit))を有する。制御装置102の各機能は、メモリに記憶されたプログラムによって、プロセッサが動作することにより実現される。制御装置102の機能は、FPGA(Field Programmable Gate Array)又はASIC(Application Specific Integrated Circuit)によって実現されてもよい。 The control device 102 is a controller that generates control signals (e.g., PWM signals (pulse-width modulated signals)) that turn on or off multiple semiconductor switches 13 in accordance with a carrier period Tc (the inverse of the carrier frequency) common to multiple bridge cells 11. The control device 102 has a memory and a processor (e.g., a CPU (Central Processing Unit)). Each function of the control device 102 is realized by the processor operating in accordance with a program stored in the memory. The functions of the control device 102 may also be realized by an FPGA (Field Programmable Gate Array) or an ASIC (Application Specific Integrated Circuit).

電力変換装置100は、制御装置102が複数のブリッジセル11のそれぞれに互いに異なる位相で電圧波形を出力させることで、半導体スイッチ13の耐圧以上の電圧を有し、且つ、高調波が低減されたマルチレベル電圧波形を出力できる。そのため、電力変換装置100は、例えば、特別高圧系統に直接連系する無効電力補償装置や直流送電システムなどに適用可能である。 The power conversion device 100 can output a multi-level voltage waveform with reduced harmonics and a voltage equal to or greater than the withstand voltage of the semiconductor switch 13 by having the control device 102 cause each of the multiple bridge cells 11 to output voltage waveforms with different phases. Therefore, the power conversion device 100 can be applied to, for example, reactive power compensation devices and DC transmission systems that are directly connected to extra-high voltage grids.

また、MMCでは、例えば電力系統101に不平衡事故が発生した場合、定常的に零でない有効電力が各相に流入し、コンデンサCの電圧の変動を引き起こすことがある。その対策として、電力変換装置100の制御装置102は、デルタ結線部10に流す循環電流(零相電流とも称される)を制御することで、各相の交流電圧と交流電流の直交関係を保ち、コンデンサCの電圧の相間バランスを維持する。 Furthermore, in an MMC, if an unbalanced fault occurs in the power system 101, for example, non-zero active power may steadily flow into each phase, causing fluctuations in the voltage of capacitor C. As a countermeasure, the control device 102 of the power conversion device 100 controls the circulating current (also called zero-phase current) flowing through the delta connection 10, thereby maintaining the orthogonal relationship between the AC voltage and AC current of each phase and maintaining the phase-to-phase balance of the voltage of capacitor C.

ここで、図1において、電力系統101の線間電圧vを(vSuv,vSvw,vSwu)とする。MMCから電力系統101に流れる電流iを(i,i,i)とする。デルタ結線部10の各相に流れる電流(インバータ電流)を(iuv,ivw,iwu)とする。各々のブリッジセル11内のコンデンサCの電圧を(vCku,vCkv,vCkw)とする。kは、この例では、1,2及び3とする。 1 , the line voltage vS of the power system 101 is ( vSuv , vSvw , vSwu ). The current i flowing from the MMC to the power system 101 is ( iu , iv , iw ). The current (inverter current) flowing through each phase of the delta connection 10 is ( iuv , ivw , iwu ). The voltage of the capacitor C in each bridge cell 11 is ( vCku , vCkv , vCkw ). In this example, k is 1, 2, and 3.

電力変換装置100から電力系統101に流れる電流(i,i,i)と、デルタ結線部10の各相に流入する電流(iuv,ivw,iwu)との間には、式1~3で示される関係が成り立つ。 The relationship shown in equations 1 to 3 holds between the current (i u , i v , i w ) flowing from the power conversion device 100 to the power system 101 and the current (i uv , i vw , i wu ) flowing into each phase of the delta connection 10.


このとき、デルタ結線部10に流れる循環電流iは、式4のように表される。

At this time, the circulating current i0 flowing through the delta connection 10 is expressed as in Equation 4.

図2は、直流コンデンサの電圧の相間バランスを循環電流(零相電流)によって制御する方式を示す制御ブロック図である。 Figure 2 is a control block diagram showing a method for controlling the interphase balance of DC capacitor voltages using circulating currents (zero-phase currents).

デルタ結線部10が接続される電力系統101の電圧(系統電圧)の正相dq軸成分をv ,v 、系統電圧の逆相dq軸成分をv ,v 、インバータ電流の正相dq軸成分をi ,i 、虚数単位をjとする。このとき、MMCの直流電圧変動(コンデンサCの電圧変動)を抑制するための、デルタ結線部10に流すべき循環電流(零相電流)の指令値i は、 Let v + d , v + q be the positive-phase dq-axis components of the voltage (system voltage) of the power system 101 to which the delta connection 10 is connected, v - d , v - q be the negative-phase dq-axis components of the system voltage, i + d , i + q be the positive-phase dq-axis components of the inverter current, and j be the imaginary unit. In this case, the command value i * 0 of the circulating current (zero-phase current) to be passed through the delta connection 10 in order to suppress DC voltage fluctuations of the MMC (voltage fluctuations of the capacitor C) is given by


により表される。

It is expressed by:

式5の場合、電力系統101の正相電圧と逆相電圧が等しい条件において、デルタ結線部10に流すべき循環電流(零相電流)が無限大となり、コンデンサCの電圧の相間バランスを零相電流によって制御できない。なぜなら、電力系統101の正相電圧と逆相電圧が等しい場合、式5の右辺の分母が零になるからである。その結果、各相のコンデンサCの電圧が大幅に変動するおそれがある。コンデンサCの電圧変動により過電圧が発生すると、保護回路によって電力変換装置100の運転が停止される。 In the case of Equation 5, when the positive-sequence voltage and negative-sequence voltage of the power system 101 are equal, the circulating current (zero-sequence current) to be passed through the delta connection 10 becomes infinite, and the phase balance of the voltage of capacitor C cannot be controlled by the zero-sequence current. This is because when the positive-sequence voltage and negative-sequence voltage of the power system 101 are equal, the denominator of the right-hand side of Equation 5 becomes zero. As a result, the voltage of capacitor C of each phase may fluctuate significantly. If an overvoltage occurs due to voltage fluctuations in capacitor C, the protection circuit will stop operation of the power conversion device 100.

この対策として、制御装置102は、電力系統101の正相電圧と逆相電圧が等しい条件において、コンデンサCの電圧の相間バランスの制御を、循環電流(零相電流)による制御から逆相電流による制御に切り替える。 As a countermeasure, when the positive-sequence voltage and negative-sequence voltage of the power grid 101 are equal, the control device 102 switches the control of the phase balance of the voltage of capacitor C from control using circulating current (zero-sequence current) to control using negative-sequence current.

デルタ結線部10が接続される電力系統101の電圧(系統電圧)の正相dq軸成分をv ,v 、系統電圧の逆相dq軸成分をv ,v 、インバータ電流の正相dq軸成分をi ,i 、虚数単位をjとする。このとき、MMCの直流電圧変動(コンデンサCの電圧変動)を抑制するための、インバータ電流の逆相dq軸成分の指令値(i-* ,i-* )は、 Let v + d , v + q be the positive-phase dq-axis components of the voltage (system voltage) of the power system 101 to which the delta connection unit 10 is connected, v - d , v - q be the negative-phase dq-axis components of the system voltage, i + d , i + q be the positive-phase dq-axis components of the inverter current, and j be the imaginary unit. In this case, the command values (i - * d , i - * q ) of the negative-phase dq-axis components of the inverter current to suppress DC voltage fluctuations of the MMC (voltage fluctuations of capacitor C) are given by


により表される。インバータ電流の逆相dq軸成分の指令値(i-* ,i-* )は、デルタ結線部10の各相に流れる逆相電流のdq軸成分の指令値を表す。

The command values (i −* d , i −* q ) of the negative-phase dq-axis components of the inverter current represent the command values of the dq-axis components of the negative-phase current flowing through each phase of the delta connection 10 .

図3は、直流コンデンサの電圧の相間バランスを循環電流によって制御するか逆相電流によって制御するかを切り替える制御方式を示す制御ブロック図である。図3に示す制御ブロックは、制御装置102によって実現される。図3に示す制御ブロックは、正相・逆相演算部31、零相電流指令演算部32、逆相電流指令演算部33、制御切替部34、三相電流指令生成部35及び電流制御部36を含む。 Figure 3 is a control block diagram showing a control method for switching between controlling the interphase balance of DC capacitor voltages using circulating currents and using negative-phase currents. The control block shown in Figure 3 is implemented by a control device 102. The control block shown in Figure 3 includes a positive-phase/negative-phase calculation unit 31, a zero-phase current command calculation unit 32, a negative-phase current command calculation unit 33, a control switching unit 34, a three-phase current command generation unit 35, and a current control unit 36.

正相・逆相演算部31は、3相/2相変換ブロックを用いて系統電圧(vSuv,vSvw,vSwu)の3相/2相変換を行う。正相・逆相演算部31は、系統電圧(vSuv,vSvw,vSwu)の3相/2相変換の結果を、正相dq変換ブロックを用いて正相dq変換し、且つ、移動平均ブロックを用いて移動平均することによって、正相dq軸電圧(v ,v )を生成する。同様に、正相・逆相演算部31は、系統電圧(vSuv,vSvw,vSwu)の3相/2相変換の結果を、逆相dq変換ブロックを用いて逆相dq変換し、且つ、移動平均ブロックを用いて移動平均することによって、逆相dq軸電圧(v ,v )を生成する。 The positive-phase/negative-phase calculation unit 31 performs three-phase/two-phase transformation of the system voltages ( vSuv , vSvw , vSwu ) using a three-phase/two-phase transformation block. The positive-phase/negative-phase calculation unit 31 performs positive-phase dq transformation on the result of the three-phase/two-phase transformation of the system voltages ( vSuv , vSvw , vSwu ) using a positive-phase dq transformation block and performs moving averaging using a moving average block to generate positive-phase dq-axis voltages (v + d , v + q ). Similarly, the positive-phase/negative-phase calculation unit 31 performs negative-phase dq transformation on the result of the three-phase/two-phase transformation of the system voltages ( vSuv , vSvw , vSwu ) using a negative-phase dq transformation block and performs moving averaging using a moving average block to generate negative-phase dq-axis voltages (v - d , v - q ).

零相電流指令演算部32は、正相dq軸電圧(v ,v )、逆相dq軸電圧(v ,v )及び正相dq軸電流指令(i+* ,i+* )を用いて、式5に基づいて、循環電流(零相電流)の指令値i を演算する。 The zero-phase current command calculation unit 32 calculates the command value i * 0 of the circulating current (zero-phase current) based on equation 5 using the positive-phase dq-axis voltages (v + d , v + q ), the negative-phase dq-axis voltages (v - d , v - q ) and the positive-phase dq-axis current commands (i + * d , i + * q ) .

正相dq軸電流指令(i+* ,i+* )は、デルタ結線部10の各相に流れる電流(インバータ電流)の正相dq軸成分の指令値を表し、予め決められた値である。 The positive-phase dq-axis current commands (i + * d , i + * q ) represent command values of the positive-phase dq-axis components of the current (inverter current) flowing through each phase of the delta connection 10, and are predetermined values.

逆相電流指令演算部33は、正相dq軸電圧(v ,v )、逆相dq軸電圧(v ,v )及び正相dq軸電流指令(i+* ,i+* )を用いて、式6と式7に基づいて、インバータ電流の逆相dq軸成分の指令値(i-* ,i-* )を演算する。 The negative-phase current command calculation unit 33 uses the positive-phase dq-axis voltages (v + d , v + q ), the negative-phase dq-axis voltages (v - d , v - q ) and the positive-phase dq-axis current commands (i + * d , i + * q ) to calculate the command values (i - * d , i - * q ) of the negative-phase dq-axis components of the inverter current based on equations 6 and 7.

制御切替部34は、正相dq軸電圧(v ,v )及び逆相dq軸電圧(v ,v )に基づいて、係数Kを1または0に設定する。例えば、電力系統101の電圧(系統電圧)の正相成分と逆相成分が異なる場合[(v +v )≠(v +v )]、制御切替部34は、係数Kを0に設定する。この場合、制御切替部34から出力される零相電流指令i は、式5により算出された値となり、制御切替部34から出力される逆相dq軸電流指令(i-* ,i-* )は、0となる。一方、系統電圧の正相成分と逆相成分が等しい場合[(v +v )=(v +v )]、制御切替部34は、係数Kを1に設定する。この場合、制御切替部34から出力される零相電流指令i は、0となり、制御切替部34から出力される逆相dq軸電流指令(i-* ,i-* )は、式6及び式7により算出された値となる。 The control switch 34 sets the coefficient K to 1 or 0 based on the positive-phase dq-axis voltage (v + d , v + q ) and the negative-phase dq-axis voltage (v - d , v - q ). For example, if the positive-phase component and the negative-phase component of the voltage (system voltage) of the power grid 101 are different [(v + d v + d + v + q v + q ) ≠ (v - d v - d + v - q v - q )], the control switch 34 sets the coefficient K to 0. In this case, the zero-phase current command i * 0 output from the control switch 34 is the value calculated by Equation 5, and the negative-phase dq-axis current command (i - * d , i - * q ) output from the control switch 34 is 0. On the other hand, when the positive-sequence component and the negative-sequence component of the system voltage are equal [( v + dv + d + v + qv + q ) = (v - dv - d + v - qv - q )], the control switch unit 34 sets the coefficient K to 1. In this case, the zero-phase sequence current command i * 0 output from the control switch unit 34 becomes 0, and the negative-sequence dq-axis current commands (i- * d , i- * q ) output from the control switch unit 34 become values calculated by Equations 6 and 7.

三相電流指令生成部35は、正相dq軸電流指令(i+* ,i+* )と逆相dq軸電流指令(i-* ,i-* )に基づいて、又は、正相dq軸電流指令(i+* ,i+* )と零相電流指令i に基づいて、三相電流指令(i uv,i vw,i wu)を生成する。三相電流指令(i uv,i vw,i wu)は、デルタ結線部10の各相に流れる電流(インバータ電流)の指令値(目標値)を表す。 The three-phase current command generating unit 35 generates three-phase current commands (i * uv, i*vw , i * wu ) based on the positive-phase dq-axis current commands (i +* d , i +* q ) and the negative-phase dq-axis current commands (i- * d , i- * q ), or based on the positive-phase dq-axis current commands (i +* d , i + * q ) and the zero-phase current command i * 0 . The three-phase current commands (i * uv , i * vw , i * wu ) represent command values (target values) of the currents (inverter currents) flowing through the respective phases of the delta connection unit 10.

電力系統101の正相電圧と逆相電圧が異なる場合、三相電流指令生成部35に入力される逆相dq軸電流指令(i-* ,i-* )は、0となる。そのため、三相電流指令生成部35は、零相電流の制御によりコンデンサCの電圧の相間バランスを行う。三相電流指令生成部35は、正相dq軸電流指令(i+* ,i+* )を逆相dq変換し、逆相dq変換の結果を2相/3相変換することで、三相電流指令(i uv,i vw,i wu)を生成する。三相電流指令生成部35は、三相電流指令(i uv,i vw,i wu)に零相電流指令i を重畳した値を、新たな三相電流指令(i uv,i vw,i wu)として出力する。 When the positive-phase voltage and negative-phase voltage of the power system 101 are different, the negative-phase dq-axis current commands (i- * d , i- * q ) input to the three-phase current command generation unit 35 are 0. Therefore, the three-phase current command generation unit 35 balances the phases of the voltages of the capacitor C by controlling the zero-phase current. The three-phase current command generation unit 35 performs a negative-phase dq transformation on the positive-phase dq-axis current commands (i +* d , i +* q ) and then performs a two-phase/three-phase transformation on the result of the negative-phase dq transformation to generate three-phase current commands (i * uv , i * vw , i * wu ). The three-phase current command generating unit 35 outputs a value obtained by superimposing the zero-phase current command i * 0 on the three-phase current command (i * uv , i * vw , i * wu ) as a new three-phase current command (i * uv , i * vw , i * wu ).

一方、電力系統101の正相電圧と逆相電圧が等しい場合、三相電流指令生成部35に入力される零相電流指令i は、0となる。そのため、三相電流指令生成部35は、逆相電流の制御によりコンデンサCの電圧の相間バランスを行う。三相電流指令生成部35は、逆相dq軸電流指令(i-* ,i-* )を正相dq変換する。三相電流指令生成部35は、逆相dq軸電流指令(i-* ,i-* )を正相dq変換して得られた指令に、正相dq軸電流指令(i+* ,i+* )を重畳する。三相電流指令生成部35は、逆相dq軸電流指令(i-* ,i-* )を正相dq変換して得られた指令に、正相dq軸電流指令(i+* ,i+* )を重畳した値を、逆相dq変換し、逆相dq変換の結果を2相/3相変換することで、三相電流指令(i uv,i vw,i wu)を生成する。 On the other hand, when the positive-sequence voltage and the negative-sequence voltage of the power system 101 are equal, the zero-sequence current command i * 0 input to the three-phase current command generation unit 35 is 0. Therefore, the three-phase current command generation unit 35 balances the phases of the voltage of the capacitor C by controlling the negative-sequence current. The three-phase current command generation unit 35 performs positive-sequence dq transformation on the negative-sequence dq-axis current commands (i- * d , i- * q ). The three-phase current command generation unit 35 superimposes the positive-sequence dq-axis current commands (i +* d , i +* q ) on the commands obtained by performing positive-sequence dq transformation on the negative-sequence dq-axis current commands (i- * d , i- * q ). The three-phase current command generating unit 35 performs a positive-phase dq conversion on the command obtained by performing a positive-phase dq conversion on the negative-phase dq-axis current command (i- * d , i- * q ), superimposes the positive-phase dq-axis current command (i +* d , i +* q ), and then performs a negative-phase dq conversion on the result of the negative-phase dq conversion to generate a three-phase current command (i * uv , i * vw , i * wu ).

このように、制御装置102は、コンデンサCの電圧の相間バランスを、電力系統101の電圧が不平衡となる条件に基づいて、デルタ結線部10に流れる循環電流によって制御するかデルタ結線部10の各相に流れる逆相電流によって制御するかを切り替える。 In this way, the control device 102 switches between controlling the interphase balance of the voltage of capacitor C using the circulating current flowing through the delta connection 10 or using the negative-phase current flowing through each phase of the delta connection 10, based on the conditions under which the voltage of the power grid 101 becomes unbalanced.

電流制御部36は、三相電流(iuv,ivw,iwu)の検出値又は推定値が、三相電流指令生成部35により生成された三相電流指令(i uv,i vw,i wu)に追従するように、各相のブリッジセル11の電圧指令値(v uv,v vw,v wu)を生成する。 The current control unit 36 generates voltage command values (v* uv , v *vw , v* wu ) for the bridge cells 11 of each phase so that the detected or estimated values of the three-phase currents (iuv, ivw , iwu ) follow the three-phase current commands (i * uv , i * vw , i * wu ) generated by the three - phase current command generating unit 35 .

制御装置102は、生成された電圧指令値(v uv,v vw,v wu)に従って、各相のブリッジセル11内の半導体スイッチ13のスイッチングを制御する。 The control device 102 controls the switching of the semiconductor switches 13 in the bridge cells 11 of each phase in accordance with the generated voltage command values (v * uv , v * vw , v * wu ).

このように、本実施形態では、制御装置102は、電力系統101の正相電圧と逆相電圧が等しい条件が成立しないとき、コンデンサCの電圧の相間バランスを、循環電流(零相電流)の指令値によって制御する。一方、制御装置102は、電力系統101の正相電圧と逆相電圧が等しい条件が成立するとき、コンデンサCの電圧の相間バランスを、逆相電流の指令値によって制御する。その結果、電力系統101の正相電圧と逆相電圧が等しくなる系統不平衡条件においても、電力変換装置100の各相のコンデンサCの電圧変動を抑制することができる。その結果、コンデンサCの電圧変動を原因とする過電圧の発生により電力変換装置100が停止することを防ぎ、電力変換装置100の運転を継続することができる。また、コンデンサCの容量を増やさずに、電力変換装置100の小型化及び低コスト化ができる。 In this manner, in this embodiment, when the condition that the positive-sequence voltage and the negative-sequence voltage of the power system 101 are equal is not met, the control device 102 controls the inter-phase balance of the voltage of capacitor C using a command value for the circulating current (zero-phase current). On the other hand, when the condition that the positive-sequence voltage and the negative-sequence voltage of the power system 101 are equal is met, the control device 102 controls the inter-phase balance of the voltage of capacitor C using a command value for the negative-sequence current. As a result, even under system imbalance conditions where the positive-sequence voltage and the negative-sequence voltage of the power system 101 are equal, voltage fluctuations of capacitor C of each phase of the power conversion device 100 can be suppressed. As a result, the power conversion device 100 can be prevented from shutting down due to overvoltage caused by voltage fluctuations of capacitor C, and operation of the power conversion device 100 can be continued. Furthermore, the power conversion device 100 can be made smaller and less expensive without increasing the capacitance of capacitor C.

以上、実施形態を説明したが、本開示の技術は上記の実施形態に限定されない。他の実施形態の一部又は全部との組み合わせや置換などの種々の変形及び改良が可能である。 Although the embodiments have been described above, the technology of the present disclosure is not limited to the above embodiments. Various modifications and improvements are possible, such as combining or substituting part or all of the other embodiments.

10 デルタ結線部
11,11-k,11v-k,11w-k ブリッジセル
12 電力変換回路
13 半導体スイッチ
14 半導体スイッチ群
100 電力変換装置
101 電力系統
102 制御装置
a,b 交流出力端子
C コンデンサ
L リアクトル成分
10 Delta connection section 11, 11-k, 11v-k, 11w-k Bridge cell 12 Power conversion circuit 13 Semiconductor switch 14 Group of semiconductor switches 100 Power conversion device 101 Power system 102 Control device a, b AC output terminal C Capacitor L Reactor component

Claims (7)

一又は直列接続された複数のブリッジセルがデルタ接続されたデルタ結線部と、
前記デルタ結線部に流れる電流を前記複数のブリッジセルによって制御する制御装置と、を備え、
前記ブリッジセルは、直列接続された複数の半導体スイッチをそれぞれ含む複数の半導体スイッチ群と、前記複数の半導体スイッチ群に並列に接続されたコンデンサとを有し、
前記制御装置は、前記コンデンサの電圧の相間バランスを、前記デルタ結線部が接続される電力系統の電圧が不平衡となる条件に基づいて、前記デルタ結線部に流れる循環電流によって制御するか前記デルタ結線部の各相に流れる逆相電流によって制御するかを切り替える、電力変換装置。
a delta connection section in which one or a plurality of series-connected bridge cells are delta-connected;
a control device that controls the current flowing in the delta connection by the plurality of bridge cells,
The bridge cell includes a plurality of semiconductor switch groups each including a plurality of semiconductor switches connected in series, and a capacitor connected in parallel to the plurality of semiconductor switch groups,
The control device switches between controlling the inter-phase balance of the capacitor voltages by the circulating current flowing in the delta connection or by the negative-phase current flowing in each phase of the delta connection, based on a condition under which the voltage of the power grid to which the delta connection is connected becomes unbalanced.
前記制御装置は、前記条件が成立しないとき、前記相間バランスを前記循環電流によって制御し、前記条件が成立するとき、前記相間バランスを前記逆相電流によって制御する、請求項1に記載の電力変換装置。 The power conversion device of claim 1, wherein the control device controls the inter-phase balance using the circulating current when the condition is not met, and controls the inter-phase balance using the negative-phase current when the condition is met. 前記制御装置は、前記循環電流の指令値を演算し、
前記循環電流の指令値は、前記条件が成立するとき、無限大となる、請求項2に記載の電力変換装置。
the control device calculates a command value for the circulating current;
The power conversion device according to claim 2 , wherein the command value of the circulating current becomes infinite when the condition is met.
前記電力系統の電圧の正相dq軸成分をv ,v 、前記電力系統の電圧の逆相dq軸成分をv ,v 、前記デルタ結線部の各相に流れる電流の正相dq軸成分をi ,i 、虚数単位をjとするとき、
前記循環電流の指令値i は、
により表される、請求項3に記載の電力変換装置。
When the positive-phase dq-axis components of the voltage of the power system are v + d and v + q , the negative-phase dq-axis components of the voltage of the power system are v - d and v - q , the positive-phase dq-axis components of the current flowing through each phase of the delta connection are i + d and i + q , and the imaginary unit is j,
The command value i * 0 of the circulating current is
The power converter of claim 3 , wherein:
前記制御装置は、前記逆相電流の指令値を演算し、
前記逆相電流の指令値(i-* ,i-* )は、
により表される、請求項4に記載の電力変換装置。
the control device calculates a command value for the negative-phase current;
The negative-phase current command value (i −* d , i −* q ) is expressed as follows:
The power converter of claim 4, wherein:
前記条件は、前記電力系統の正相電圧と逆相電圧が等しい条件である、請求項1から5のいずれか一項に記載の電力変換装置。 A power conversion device according to any one of claims 1 to 5, wherein the condition is that the positive-phase voltage and negative-phase voltage of the power grid are equal. 一又は直列接続された複数のブリッジセルがデルタ接続されたデルタ結線部を備える電力変換装置において、前記デルタ結線部に流れる電流を前記複数のブリッジセルによって制御する、電力変換装置の制御方法であって、
前記ブリッジセルは、直列接続された複数の半導体スイッチをそれぞれ含む複数の半導体スイッチ群と、前記複数の半導体スイッチ群に並列に接続されたコンデンサとを有し、
前記コンデンサの電圧の相間バランスを、前記デルタ結線部が接続される電力系統の電圧が不平衡となる条件に基づいて、前記デルタ結線部に流れる循環電流によって制御するか前記デルタ結線部の各相に流れる逆相電流によって制御するかを切り替える、電力変換装置の制御方法。
A control method for a power conversion device including a delta connection part in which one or a plurality of bridge cells connected in series are delta-connected, the control method controlling a current flowing through the delta connection part by the plurality of bridge cells,
The bridge cell includes a plurality of semiconductor switch groups each including a plurality of semiconductor switches connected in series, and a capacitor connected in parallel to the plurality of semiconductor switch groups,
A control method for a power conversion device, which switches between controlling the inter-phase balance of the capacitor voltage by a circulating current flowing in the delta connection or by a negative-phase current flowing in each phase of the delta connection based on a condition under which the voltage of the power grid to which the delta connection is connected becomes unbalanced.
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