JP7815399B2

JP7815399B2 - プローブピン、熱電対用細線、電子管ヒータ用細線及びこれらの製造方法

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Publication number: JP7815399B2
Application number: JP2024208850A
Authority: JP
Inventors: 斉青山; 英昭馬場; 雅恭溝部; 憲治友清
Original assignee: Toshiba Materials Co Ltd
Current assignee: Niterra Materials Co Ltd
Priority date: 2021-04-27
Filing date: 2024-11-29
Publication date: 2026-02-17
Anticipated expiration: 2042-03-22
Also published as: EP4331741A4; JPWO2022230455A1; JP2025065096A; JP7646818B2; WO2022230455A1; US20240052461A1; US12559823B2; EP4331741A1; CN117337218A

Description

後述する実施形態は、タングステン線およびそれを用いたタングステン線加工方法並びに電解線と、プローブピン、熱電対用細線、電子管ヒータ用細線及びこれらの製造方法に関するものである。

半導体デバイスを形成してなるＩＣチップの電気的特性を検査する際に、プローブカードと呼ばれる装置が用いられている。図１に、垂直型のプローブカード１０の例を、概略図で示す。リード線１１にはプローブピン１２が接続されている。検査部１３が上昇しプローブピン１２の先端が接触した後、完全な接触を確保するために、更に数十～百数十μｍ上昇し、検査部１３とプローブピン１２の先端とが押しつけられる（これをオーバードライブと言う）。このため、プローブピン１２は撓む（弾性変形）。

プローブピン１２の形状を、例えば図２に示す。プローブピン１２としては、例えば、（ａ）タイプのように、ストレート部１２０とテーパ部１２１とからなるもの、又は、（ｂ）タイプのように、テーパ部１２１の先端部を折り曲げて屈曲部１２１ａとしたものがある。ストレート部１２０は、絶縁被覆などの処理をされる場合がある。（ａ）は垂直型、（ｂ）はカンチレバー型のプローブカードに使用される。ピンの標準的な寸法は、ストレート部の直径がΦ0.05～0.20mm程度で、ピンの全長は20～100mm程度である。従来用いられている一般的なプローブピンの材料としては、タングステン（W）、レニウムータングステン合金（ReW）、パラジウム（Pd）合金、ベリリウム銅（Cu-Be）などがあり、電極パッドの種類に応じて使い分けされている。電極パッドとしては、主にアルミパッドと金パッドの２種類があり、アルミパッドに対しては、電極パッド表面の酸化による絶縁被膜を突き破る必要があるため、硬度が高く、電気抵抗特性および耐摩耗性にも優れた、WやReWのプローブピンが主に用いられている。

半導体の集積度向上・微細化技術の発展に伴い、プローブカードも、ピンの狭ピッチ化や小径化の要求が続いており、現在では、φ0.02mm～0.04mmのReWピンも使用されている。プローブピンの線径を小さくし、単位面積当たりのピンの配列数を多くすることで、集積度の高いLSIの検査に対応する。ピンの線径が小さくなると、例えば、前記オーバードライブの際、弾性変形による各プロ―ブピンの押し付け力は、寸法ばらつきの影響をより大きく受けることになる。また、プローブピンの配列数をより多くするためには、プローブピン同士の間隔をより小さくしていく必要があり、配列数は寸法ばらつきの影響を大きく受けることになる。このように、ピンの寸法精度に対する要求も、非常に大きくなっている。

プローブピンは、小径のタングステン線（細線）を、例えば、定尺に切断し、表面をメカニカルもしくはケミカルで研磨加工し、直径を決定する。この時、素材である細線の直径がばらついていると、切削代を大きくとる必要が出てくる。もしくは、切削代が足りずに、製品にできない部分が出てくる可能性が有る。そして、素線の直径が小さいほど、歩留低下への影響は大きくなる。素材となる細線の加工では、まず、焼結体に転打・伸線（線引き）加工（一次加工処理）等を行い、様々な用途・品種に分割可能な線径範囲（0.3～1.0mm）の素線とする。しかる後に、適正量の素線に対し、伸線加工および熱処理など、必要な工程を追加し、所定のタングステン線とする。

タングステン線の伸線工程での線径（ワイヤ径）ばらつきを抑制する方法としては、潤滑剤の管理と、伸線条件を、厳格に制御したものがある。例えば、W線の表面に塗布する潤滑剤は、黒鉛（C）粉末と増粘剤とを含有し、比重が1.0～1.1g/cm³であり、加工中における比重の変化量を0.05g/cm³以下とする。伸線工程は、タングステン線温度を500℃以上1300℃以下とし、伸線ダイス温度を300℃以上650℃以下とし、伸線速度を10m/min以上70m/min以下とし、最終伸線工程での減面率を5％以上15％以下とする、タングステン線がある（特許文献１参照）。また、線径ばらつきの原因となる、伸線加工時の焼付きを防止する方法としては、表面を適切に粗くして潤滑剤の潤滑性を向上させる方法がある。例えば、真円に矯正する伸線加工をした後に、表面疵を除去する皮剥き加工をし、ショットブラスト装置により、表面粗さをJISB0601で定義される算術平均粗さ（Ra）で、0.8～2.5μmに調整したステンレス線材がある（特許文献２参照）。

日本国特許第５５７８８５２号公報日本国特開平７－２３３４４７号公報

特許文献１では、伸線加工上がりのワイヤ径のばらつきの原因として、各伸線工程において、必要以上に潤滑剤が加熱されることによる潤滑性の低下と、ワイヤが過熱されることによる変形抵抗の変化と、潤滑剤（C量）の供給が変化することによる加工性の低下と、を挙げている。炭素量の供給が変化する事は、潤滑性が変化する事であり、ワイヤ径のばらつき抑制には、潤滑性が非常に重要である事が述べられている。潤滑剤は液体であり、ワイヤ表面に塗布（付着）され、加熱され、伸線工程に供される。潤滑剤がワイヤ表面に、均質な状態で付着していない場合は、前記条件にて管理した場合でも、伸線加工時に潤滑性が変動し、ワイヤ径がばらつく恐れが有る。

これに対し、特許文献２では、Raを調整し、潤滑剤の付着性を向上させている。ここで、Raは線粗さのパラメーターであり、測定は、例えば図３に示すように、素材表面に垂直な切断面で決定される、断面曲線を対象とする。そしてRaは、図４に示す式により求められる。これより、Raで評価するためには、表面の凹凸形状が、円周方向・軸方向含め、全面で均一であることが前提となる。特許文献２では表面を清浄化した後、ショットブラストよりメカニカルに表面を加工しており、全長での表面の凹凸を均質にしている。これに対しW線は、ステンレス線材などに比較し非常に硬く、また、脆化の原因となる不純物の表面付着を嫌うため、ショットブラストのような加工は採用されない。このため、同等のRaを示すタングステン線でも、凹凸形状が異なり、潤滑剤の付着性が違う場合がある。

本発明が解決しようとする課題は、ワイヤ径のばらつきを改善する、タングステン線を提供するためのものである。

上記課題を解決するために、実施形態にかかるタングステン線は、レニウムを含有するタングステン合金からなるタングステン線であって、面粗さパラメーター（参照：ISO 25178-2:2012、及びJISB0681）の、山の頂点密度（Spd）が、7000以上、11000以下である。
また、実施形態によれば、レニウムを１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下含有するタングステン合金からなり、かつ面粗さパラメーターの、山の頂点密度（Spd）が、７０００以上１１０００以下であるタングステン線を伸線加工する工程と、
前記タングステン線を切断する工程と、
前記タングステン線の表面を研磨加工する工程とを含む、プローブピンの製造方法が提供される。
実施形態によれば、レニウムを１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、カリウムを３０ｗｔｐｐｍ以上９０ｗｔｐｐｍ含有するタングステン合金からなり、かつ面粗さパラメーターの、山の頂点密度（Spd）が、７０００以上１１０００以下であるタングステン線を伸線加工する工程を含む、熱電対用細線の製造方法が提供される。
実施形態によれば、レニウムを１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、カリウムを３０ｗｔｐｐｍ以上９０ｗｔｐｐｍ含有するタングステン合金からなり、かつ面粗さパラメーターの、山の頂点密度（Spd）が、７０００以上１１０００以下であるタングステン線を伸線加工する工程を含む、電子管ヒータ用細線の製造方法が提供される。
実施形態によれば、実施形態に係る方法で製造されたプローブピン、熱電対用細線、電子管ヒータ用細線が提供される。

垂直型のプローブカードの例を示す模式図。プローブピンの形状を示す模式図。線粗さ測定の概念図。算術平均粗さRaの一例を概略的に示す図。伸線加工用W線から採取したサンプルの例を示す模式図。伸線加工用W線の軸に垂直な断面図を概略的に示す模式図。 Spdの測定概念説明図。 Spcの測定概念説明図。 Sdrの測定概念説明図。

以下、実施形態の伸線加工用タングステン線について図面を参照して説明する。以後、伸線加工用タングステン線のことを、伸線加工用W線と示すこともある。なお、図面は模式的なものであり、例えば、各部の寸法の比率等は、図面に限定されるものではない。

図５ａ）に、伸線加工用W線より採取した、W線サンプルの例を示す。サンプル長さは、測定を複数個所行える長さ（100～150mm）が良い。伸線加工用W線は、表面に混合物層（酸化物層）を有する。この混合物層を、例えば苛性ソーダ溶液を用いて除去した、本体部分を測定用サンプルとする。サンプリングの位置は任意であるが、製品での歩留を考慮し、また、W線全長での変動を確認するために、W線1本中で、離れた2か所以上の位置を、採取することが望ましい。前後端末は、例えば伸線装置の始動と停止で、条件が不安定となる部分があるため、その部分はサンプリングに含めない。不安定部分の長さは、装置のレイアウト・大きさによって異なる。

図５ｂ)に、図５ａ）のX-X断面図（軸に垂直な断面図）を示す。図に示すように、中心から外周を５等分割する直線を引き、その外周との交点をＡ１～Ａ５とする。この任意の５か所で、前記サンプル表面の形状を測定する。測定箇所は例示であり、どこを測定してもよいが、全周において偏りなく測定するには、この箇所が良い。観察したサンプル数（n）により、データ数は「5×n」となる。測定は、レーザー顕微鏡による非接触式にて行う。対物レンズ10倍にてサンプル直径がはみ出さない視野とし、得られた測定画像内のワイヤ部分全体を対象に、ISO 25178-2:2012に準拠した面粗さパラメーターの解析を行う。

図６ａ）を使い、面粗さパラメーターの山の頂点密度（Spd）の測定概念を示す。形体画像で山と分類された箇所（B）の、単位面積（mm2）あたりの山頂の数を算出する。実施形態のW線は、Spdが7000以上11000以下である。更に好ましくは、8000以上、9000以下である。表面の凹凸の存在は、潤滑剤の塗布、および伸線加工時の加熱の際に、W線表面への潤滑剤（C）の密着を均一にする。また伸線加工時にW線とともにダイス内へ引き込まれるC量を安定化させる。この結果、伸線加工時の引抜き力を安定化させ、均一な伸線加工を可能とする。Spdが7000よりも小さくなると、伸線加工時にダイス内に引き込まれるC量が不安定となり、潤滑性のばらつきが生じる場合が有る。Spdが11000を超えると、W線表面、特に谷部への、Cの十分な浸透・密着が、行われ難くなり、部分的な剥離を生じ易くなり、潤滑性にばらつきを生じる場合が有る。そして、線粗さパラメーターのRa，Rz（最大高さ）からでは、このような山の密度を想定することはできない。

図７を使い、面粗さパラメーターの界面の展開面積比（Sdr）の測定概念を示す。定義領域における輪郭局面の表面積Ｆ1と、その表面を平面へ投影したときの面積Ｆ0より、増加割合を計算する。実施形態のW線は、例えば、Sdrが0.16以下である。より好ましくは、0.13以下である。Sdrが大きいほど、山部と谷部の高低差が大きくなる。Sdrが0.16を超えると、山の部分と谷の部分で、ダイス内へ引き込まれるC量が、大きく変化してしまい、潤滑性を不安定にする場合がある。そして、線粗さパラメーターのRaでは、このような山の高低差を想定することはできない。またRzでは、測定線上にキズやゴミが有った場合に、影響を受けてしまう。下限は特に限定されていないが、例えば0.06以上である。Sdrが小さくなると、潤滑剤の塗布時や、伸線ダイスへ引き込まれる際の、W線表面の潤滑剤の保持力が不十分となる可能性が有る。

図６ｂ）を用い、面粗さパラメーターの山頂点の算術平均曲（Spc）の測定概念を示す。図６ａ）で示した山と分類された箇所のピーク部（Bp）において、図６ｂ）の様に、山のピークの曲率半径を求め、平均値で算出する。Spcが大きいほど突起部の曲率は小さく（鋭く）、断面は所謂「鋸状」に近づき、小さいほど曲率は大きく（鈍く）、断面は所謂「台形状」に近づいていく。実施形態のW線は、例えば、Spcが300以上500以下である。更に好ましくは、320以上420以下である。塗布された潤滑剤が突起形状のアンカー効果により、W線表面への潤滑剤（C）の密着を均一にする。また伸線加工時にW線とともにダイス内へ引き込まれるC量を安定化させる。この結果、伸線加工時の引抜き力を安定化させ、均一な伸線加工を可能とする。Spcが300より小さくなると、突起の頂点部が平坦となってしまい、ダイス内に引き込まれる際に、潤滑層の剥がれの起点となる可能性が有る。Spcが500を超えると、タングステン表面の山頂点の幅が小さくなりすぎ、その部分の強度が低下するため、伸線加工時の力で変形し、W線表面での被さり（表面欠陥）となる可能性が有る。

面粗さパラメーターの二乗平均平方根傾斜（Sdq）を求める式は、数１となる。定義領域のすべての点における傾斜の二乗平均平方根を示す指標であり、例えば、45度の傾斜からなる平面のSdqは「１」を示す。値が大きいほど、急峻な表面となる。実施形態のW線は、例えば、Sdqが0.60以下である。更に好ましくは、0.55以下である。Sdqが0.60より大きくなると、潤滑剤塗布の際に付着ムラとなり易い。特に山部の存在数によっては、潤滑剤が十分に浸透しない可能性がある。また急峻な凹凸は、条件によっては伸線加工時のクラック発生起因になる可能性も有る。そして、粗さパラメーターのRa，Rzからでは、このような山の急峻さを想定することはできない。下限は特に限定されていないが、例えば0.35以上である。Sdqが小さくなると、潤滑剤の塗布時や、伸線ダイスへ引き込まれる際の、W線表面の潤滑剤の保持力が不十分となる可能性が有る。

実施形態の伸線加工用W線に含まれるRe量は、1wt%以上30wt%未満、さらには2wt%以上28wt%以下が好ましい。Re量は、誘導結合プラズマ発光分光分析法（ICP-OES）にて分析した値である。ReはWの高温での伸びを改善し、加工性を高める。また固溶強化により、強度を高める。しかし、含有量が1wt%未満の場合、その効果が不十分である。例えば、プローブピン用素材として使用した場合、完成したプロープピンは、使用頻度に伴って変形量が大きくなり、コンタクト不良が生じて半導体の検査精度が低下してしまう。Re含有量が28wt%程度より大きくなると、Wとの固溶限界を超えるため、σ相の偏在が生じ易くなる。この相が、伸線加工中に破断の起点となり、加工歩留を大きく低下させる可能性がある。Re量を1wt%以上30wt%以下、2wt%以上28wt%以下とすることで、例えば、本実施形態を素材としたプローブピン用の電解線を、機械的特性（強度・耐摩耗性）を確保しながら、歩留良く製作できる。

実施形態の伸線加工用W線は、ドープ材としてKを30wtppm以上90wtppm以下含有してもよい。K量は、誘導結合プラズマ発光分光分析法（ICP-OES）にて分析した値である。Kを含有することで、ドープ効果により、高温での引張強度やクリープ強度を向上させる。K含有量が30wtppmより小さいと、ドープ効果が不十分となる。90wtppmを超えると、加工性が低下し歩留を大きく低下させる可能性がある。Kをドープ剤として30wtppm以上90wtppm以下含有することで、例えば、本実施形態を素材とした熱電対用や電子管ヒータ用の細線を、高温特性（高温使用時の断線・変形防止）を確保しながら、歩留良く製作できる。

次に、本実施形態に係る伸線加工用W線の製造方法について説明する。製造方法は特に限定されるものではないが、例えば次のような方法が挙げられる。

W粉末とRe粉末を、Re含有量が１wt%以上、30wt%未満となるように混合する。この混合方法については特に限定するものでは無いが、水もしくはアルコール系溶液を用い、粉末をスラリー状にして混合する方法は、分散性が良好な粉末が得られることから特に好ましい。混合するRe粉末は、例えば、平均粒径が8μm未満のものとする。W粉末は、不可避不純物を除く純W粉末、もしくは、線材までの歩留を考慮したK量を含有する、ドープW粉末である。W粉末は、例えば、平均粒径が16μm未満のものとする。

例えば、Reの含有量が18wt%を超えるW‐Re混合粉末を製造する場合、まず、Re量が18wt%以下のReW合金を、粉末冶金法や、溶解法等で製作した後、常法により微粉砕する。これに、所望する組成に対して不足分のReを混合する方法もある。以後、Reを含有したタングステン線のことを、ReW線と示すことがある。

次に、混合粉末を、所定の金型に入れてプレス成形する。この時のプレス圧力は、150MPa以上が好ましい。成形体は、取り扱いを容易にするために、水素炉にて1200～1400℃で仮焼結処理してもよい。得られた成型体は、水素雰囲気下、もしくはアルゴン等の不活性ガス雰囲気下、もしくは真空下にて焼結する。焼結温度は2500℃以上が好ましい。2500℃未満であると、焼結時にRe原子、W原子の拡散が十分に進まない。焼結温度の上限は、3400℃（Ｗの融点3422℃以下）である。焼結温度の上限がＷの融点（3422℃）を超えると、成型体の形状を維持できず、不良となる可能性が有る。焼結後の相対密度は、90%以上が好ましい。焼結体の相対密度を90%以上とすることで、後工程の転打加工（SW加工）で、割れ、欠け、折れ等の発生を低減することが可能となる。

成形および焼結は、水素雰囲気下、またはアルゴン等の不活性ガス雰囲気下、もしくは真空中でホットプレスにより同時に行っても良い。プレス圧力は100MPa以上、加熱温度は1700℃～2825℃が好ましい。このホットプレス法は、比較的低い温度でも緻密な焼結体を得られる。

本焼結工程で得られた焼結体に対し、第１の転打加工（SW加工）を行う。第１のSW加工は、加熱温度1300～1600℃で実施することが好ましい。１回の加熱処理（1ヒート）で加工する、断面積の減少率（減面率）は5～15%が好ましい。

第1のSW加工に変わり、圧延加工（RM加工）を実施してもよい。RM加工は、加熱温度1200～1600℃で実施することが好ましい。1ヒートでの減面率は、40～75%が好ましい。圧延機としては、２方ローラ圧延機ないし４方ローラ圧延機や型ロール圧延機などが使用できる。RM加工により、製造効率を大幅に高めることが可能となる。第1のSW加工と、RM加工を組み合わせても良い。

第1のSW加工か、RM加工か、乃至は組み合わせによる加工を完了した焼結体（ReW棒材）に対し、第２のSW加工を実施する。第２のSW加工は、加熱温度1200～1500℃で実施することが好ましい。1ヒートでの減面率は、5～20%程度が好ましい。

第２のSW工程を終了したReW棒材に対して、次に再結晶化処理を実施する。再結晶化処理は、例えば、高周波加熱装置を用いて、水素雰囲気下、もしくはアルゴン等の不活性ガス雰囲気下、もしくは真空下で、処理温度1800～2600℃の範囲で、実施することができる。

再結晶化処理を完了したReW棒材は、第３のSW加工を行う。第３のSW加工は、加熱温度1200～1500℃で実施することが好ましい。1ヒートでの減面率は、10～30%程度が好ましい。第３のSW加工は、ReW棒材が伸線加工可能な直径（好ましくは直径2～4mm）になるまで、実施される。

第３のSW加工を終了したReW棒材は、円滑な伸線加工を可能にするため、表面に潤滑剤を塗布する処理と、潤滑剤を乾燥し、加工可能な温度に加熱する処理と、引抜ダイスを用いて伸線する処理と、を繰り返す、第１の伸線加工を、直径0.7～1.2mmまで行う。潤滑剤は、耐熱性に優れたC系の潤滑剤を用いることが望ましい。加工温度は800℃～1100℃が好ましい。加工可能温度はワイヤ径によって変わり、径が大きいほど高い。加工温度が加工可能温度より低いと、クラックや断線が多発する。加工温度が加工可能温度より高いと、ReW線とダイス間での焼き付きや、ReW線の変形抵抗が低下し、引き抜き力で伸線後の直径の変動（引き細り）が生じる。減面率は15～35%が好ましい。15%より小さいと、加工での組織の内外差や残留応力が発生し、クラックの原因となる。35%より大きいと引抜力が過大となり、伸線後の直径が大きく変動し、破断する。伸線速度は、加熱装置の能力と装置からダイスまでの距離、減面率のバランスによって決まる。

直径0.7～1.2mmまで伸線加工したReW線は、研磨加工を行う。これにより、転打加工までに生じた表面の不規則な凹凸や、その表面に付与された混合物層の影響をキャンセルする。更に、ReW線本体表面の形状を調整する。研磨加工は、例えば、水酸化ナトリウム水溶液中で、電気化学的に研磨（電解研磨）する方法で実施する。この場合、使用する電流（極性）が非常に重要な因子となる。直流（ＤＣ）を使用した電解は、表面の凹凸を均一にする効果がある。また、交流（ＡＣ）を使用した電解は、極性が周波数で変化することにより、表面に適度な凹凸をつけることになる。このＤＣ電解とＡＣ電解を組合せることで、表面状態を調整する。

組み合わせは、例えば、最初にＤＣ電解を行い、ReW線表面に付与された、それまでの加工の影響をキャンセルした後、ＡＣ電解を行い、目的の表面状態に調整する。水酸化ナトリウム水溶液濃度は、例えば3～15wt％である。加工速度は0.4～2.0m/minが好ましい。0.4m/minより遅いと、加工工数が大幅に増加してしまう。2.0m/minを超えると、単位時間当たりの電解量を大きくする必要があり、表面状態の調整が困難となる。電解電流は、それぞれ20～50Aの範囲が好ましい。

電解の組み合わせは、複数回でもよい。複数回の場合、組合せは任意であるが、組合せが多いほど、装置容量の大型化や、条件管理の煩雑さや、工数の増加が生じるため、回数は少ない方が好ましい。電解と電解との間で、例えば、バーナー加熱による非常に薄い酸化膜層を形成させても良い。これにより、表面の形状が調整し易くなる場合もある。

研磨加工を終了したReW線は、表面形状に沿って緻密で均質な酸化物層を形成するための加熱処理を、大気炉で行う。加熱温度は700～1100℃が好ましい。700℃より低いと、酸化物が形成し難い。1100℃より高いと、酸化物組成にばらつきが生じる。加工速度は5～20m/minが好ましい。5m/min未満だと、加工工数が大幅に増加してしまう。20m/minを超えると、温度を上げるための熱量を大きくする必要があり、酸化物層が不均質になりやすい。もしくは、装置を非常に大きくする必要がある。

この後、第２の伸線加工を行う。第２の伸線加工の減面率は、15～35%が好ましい。加熱温度は1000℃以下が好ましい。第２の伸線加工により、直径0.3～1.0mmの伸線加工用W線とする。さらに、適正量の伸線加工用W線に対し、伸線加工および熱処理など必要な工程を、公知の条件にて実施し、所定の線径にて、必要な特性(強度、硬さ等)を持つW線とする。これを電解研磨して、電解線とする。

（実施例）
実施例１：前記第１の伸線加工後、ＤＣ電解，ＡＣ電解を順列で繰り返し行い、第2の伸線加工にて直径1.0mmのReW線とした。
実施例２：前記第1の伸線加工後、ＤＣ電解し、バーナー加熱により表面が金色色調を呈するような酸化膜を付与し、ＡＣ電解し、第2の伸線加工にて直径1.0mmのReW線とした。
実施例３～５：前記第１の伸線加工後、ＤＣ電解，ＡＣ電解を各1回行い、第2の伸線加工にて直径1.0mmのReW線とした。
比較例１～４：前記第１の伸線加工後、ＤＣ電解のみ、もしくはＡＣ電解のみを行い、第2の伸線加工にて直径1.0mmのReW線とした。
比較例５～６：電解は行わず、直径1.0mmのReW線とした。

Re，Kの分析は、誘導結合プラズマ発光分光分析法（ICP-OES）にて実施した。表１に、各サンプルの電解処理とRe，K分析値を示す。なお、Kの下限検出限界は5wtppmであり、添加せずに分析値が5wtppmを下廻った場合を「-」で記す。

各例のReW線は、１kgを素線として使用した。素線の両端末から、表面粗さ測定用サンプルを採取し、25%濃度の苛性ソーダ溶液にて5分間煮沸し、酸化層を除去した。表面形状は、キーエンス製レーザ顕微鏡VK-X1100を使用した。サンプル採取後の素線は、直径0.08mmまで伸線加工した。完成したReW線に関して、直径0.08mmに対する線径ばらつきを評価した。線径はレーザ線径測定機（ミツトヨ製レーザスキャンマイクロメータ）を使用し、測定間隔：0.01秒，最小表示量：0.01μm，ワイヤ速度：100m/minで全長を測定した。測定後、線径ばらつき1.0％以下（レンジ：0.0008mm）と0.5％以下（レンジ：0.0004mm）の歩留を、長さの比率で算出した。結果を表１に示す。表から判る様に、実施形態に係るReW線は、線径ばらつきを非常に抑制できており、プローブピン加工での歩留を、大きく改善することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態はその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
以下、出願当初の請求項に係る発明を付記する。
［１］レニウムを含有するタングステン合金からなるタングステン線であって、面粗さパラメーターの、山の頂点密度（Spd）が、７０００以上１１０００以下である、タングステン線。
［２］前記Spdは８０００以上９０００以下である、［１］に記載のタングステン線。
［３］レニウムを含有するタングステン合金からなるタングステン線であって、面粗さパラメーターの、界面の展開面積比（Sdr）が、０．１６以下である、［１］ないし［２］いずれか１項に記載のタングステン線。
［４］レニウムを含有するタングステン合金からなるタングステン線であって、面粗さパラメーターの、山頂点の算術平均曲（Spc）が、３００以上５００以下である、［１］ないし［３］いずれか１項に記載のタングステン線。
［５］レニウムを含有するタングステン合金からなるタングステン線であって、面粗さパラメーターの、二乗平均平方根傾斜（Sdq）が、０．６０以下である、［１］ないし［４］いずれか１項に記載のタングステン線。
［６］前記レニウムの含有量が1wt%以上30wt%未満である、［１］ないし［５］いずれか1項に記載のタングステン線。
［７］前記レニウムの含有量が2wt%以上28wt%以下である、［１］ないし［６］いずれか1項に記載のタングステン線。
［８］前記タングステン合金はカリウム(K)含有量が30wtppm以上90wtppm以下である、［１］ないし［７］のいずれか１項に記載のタングステン線。
［９］前記タングステン線の直径が0.3mm以上1.0mm以下である、［１］ないし［８］のいずれか１項に記載のタングステン線。
［１０］［１］ないし［９］のいずれか１項に記載のタングステン線を用いて伸線加工を行う、タングステン線加工方法。
［１１］［１０］に記載のタングステン線加工方法における伸線加工を行ったタングステン線を用いた、電解線。
［１２］伸線加工用である、［１］ないし［９］のいずれか１項に記載のタングステン線。

X-X…伸線加工用W線サンプルの伸線方向に垂直断面（径方向断面）、Ｂ…山と分類された箇所、Ｂ(n)…山頂の数、Ｂp…山部のピークの一つ、Ｅ…山部が存在する面積（投影面積）、ｒ…ピークＢpの曲率半径、Ｆ0…Ｆ1の投影面積、Ｆ1…輪郭局面の表面積。

Claims

レニウムを１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下含有するタングステン合金からなり、かつ面粗さパラメーターの、山の頂点密度（Spd）が、７０００以上１１０００以下であるタングステン線を伸線加工する工程と、
前記タングステン線を切断する工程と、
前記タングステン線の表面を研磨加工する工程とを含む、プローブピンの製造方法。
レニウムを１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、カリウムを３０ｗｔｐｐｍ以上９０ｗｔｐｐｍ含有するタングステン合金からなり、かつ面粗さパラメーターの、山の頂点密度（Spd）が、７０００以上１１０００以下であるタングステン線を伸線加工する工程を含む、熱電対用細線の製造方法。
レニウムを１ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、カリウムを３０ｗｔｐｐｍ以上９０ｗｔｐｐｍ含有するタングステン合金からなり、かつ面粗さパラメーターの、山の頂点密度（Spd）が、７０００以上１１０００以下であるタングステン線を伸線加工する工程を含む、電子管ヒータ用細線の製造方法。
前記Spdは８０００以上９０００以下である、請求項１ないし請求項３いずれか１項に記載の製造方法。
前記タングステン線の前記面粗さパラメーターの、界面の展開面積比（Sdr）が、０．１６以下である、請求項１ないし３いずれか１項に記載の製造方法。
前記タングステン線の前記面粗さパラメーターの、山頂点の算術平均曲（Spc）が、３００以上５００以下である、請求項１ないし３いずれか１項に記載の製造方法。
前記タングステン線の前記面粗さパラメーターの、二乗平均平方根傾斜（Sdq）が、０．６０以下である、請求項１ないし３いずれか１項に記載の製造方法。
前記タングステン線の直径が0.3mm以上1.0mm以下である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の製造方法。
前記タングステン線の線径ばらつき１．０％以下である長さの比率が、全長に対して９５％以上である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の製造方法。
請求項１に記載の製造方法で製造され、直径が０．０５ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下のストレート部を有し、かつ全長が２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であり、線径ばらつき１．０％以下である長さの比率が、前記全長に対して９５％以上である、プローブピン。