JPS5811501B2 - タングステン材料 - Google Patents
タングステン材料Info
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- JPS5811501B2 JPS5811501B2 JP54102070A JP10207079A JPS5811501B2 JP S5811501 B2 JPS5811501 B2 JP S5811501B2 JP 54102070 A JP54102070 A JP 54102070A JP 10207079 A JP10207079 A JP 10207079A JP S5811501 B2 JPS5811501 B2 JP S5811501B2
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Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として管球用フィラメント材料として用いら
れるタングステン材料の改良に関するもので、その目的
は比較的低温度で再結晶をするタングステン材料を提供
する事にある。
れるタングステン材料の改良に関するもので、その目的
は比較的低温度で再結晶をするタングステン材料を提供
する事にある。
一般にこれら管球用フィラメントとして用いられるタン
グステン材料は、純タングステンにドープ剤としてＡｌ
２Ｏ３、Ｋ２Ｏ１５ｉ０２を単独又は複合で０．０１ｗ
ｔ％〜１．Ｏｗｔ％添加する事により得られる。
グステン材料は、純タングステンにドープ剤としてＡｌ
２Ｏ３、Ｋ２Ｏ１５ｉ０２を単独又は複合で０．０１ｗ
ｔ％〜１．Ｏｗｔ％添加する事により得られる。
これらドープ剤添加の目的は、ワイヤの高温での耐垂下
性（ノンサグ性）の向上にある。
性（ノンサグ性）の向上にある。
通常タングステンワイヤは、金属粉末をプレス成形し、
これを通電加熱により焼結し、得られた焼結体を転打、
線引きする事により得られる。
これを通電加熱により焼結し、得られた焼結体を転打、
線引きする事により得られる。
こうして得られたワイヤはコイル状に巻かれた後、水素
中あるいは真空中で加熱して型付けを行なういわゆるフ
ォーミング工程を経てフィラメントとなる。
中あるいは真空中で加熱して型付けを行なういわゆるフ
ォーミング工程を経てフィラメントとなる。
これら型付けの為の熱処理は通常１５００℃〜１６００
℃以上の再結晶温度近くの高温で行なわれるが、この際
の作業性等を考慮すれば出来るだけ低い温度で十分な型
付けの行なわれる材質のワイヤが望ましい。
℃以上の再結晶温度近くの高温で行なわれるが、この際
の作業性等を考慮すれば出来るだけ低い温度で十分な型
付けの行なわれる材質のワイヤが望ましい。
この点では出来るだけ再結晶温度の低いワイヤが好まし
く、再結晶温度の低〜ワイヤにおい゛は比較的低い温度
でのフォーミングが可能である。
く、再結晶温度の低〜ワイヤにおい゛は比較的低い温度
でのフォーミングが可能である。
しかしながら一般には低温で再結晶を起こすワイヤはノ
ンサグ性が劣化する等の欠点を有する。
ンサグ性が劣化する等の欠点を有する。
例えばドープ剤を含まない純タングステンワイヤの０．
３９ｍｍφにおける再結晶温度は１５００〜１６００℃
と通常のドープタングステンワイヤの再結晶温度２１０
０〜２２００℃に比べ大巾に低下するが、このようなワ
イヤにおいてはサグ値が異常に大きくフィラメント用材
料としては使用不可能である。
３９ｍｍφにおける再結晶温度は１５００〜１６００℃
と通常のドープタングステンワイヤの再結晶温度２１０
０〜２２００℃に比べ大巾に低下するが、このようなワ
イヤにおいてはサグ値が異常に大きくフィラメント用材
料としては使用不可能である。
本発明は上記欠点を改良する目的で、タングステン粉末
に添加するドープ剤を種々検討の結果完成されたもので
ある。
に添加するドープ剤を種々検討の結果完成されたもので
ある。
本発明の特徴とするところは、通常のドープ剤であるＡ
ｌ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ１５ｊＯ２を単独又は複合で０．０１
ｗｔ％〜１．Ｏｗｔ％添加し、更にＴｉを０．００３ｗ
ｔ％〜０．０３ｗｔ％含有させた事により、比較的低温
度で再結晶を起こししかも再結晶後の組織も良（インタ
ロックした比較的長大な結晶構造を有するサグ件の良好
なタングステン材料を提供する事である。
ｌ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ１５ｊＯ２を単独又は複合で０．０１
ｗｔ％〜１．Ｏｗｔ％添加し、更にＴｉを０．００３ｗ
ｔ％〜０．０３ｗｔ％含有させた事により、比較的低温
度で再結晶を起こししかも再結晶後の組織も良（インタ
ロックした比較的長大な結晶構造を有するサグ件の良好
なタングステン材料を提供する事である。
次に本発明の内容を実施形態に従ってさらに説明する。
通常の精練工程を経て得られるパラタングステン酸アン
モニウム結晶を、４００℃〜５５０℃の温度勾配を有す
る電気炉で水素中にて還元して得た青色酸化物に、ケイ
酸カリウムと硝酸カリウムの水溶液をＡｌ２Ｏ３、Ｋ２
Ｏ１ＳｉＯ２としてそれぞれ０．０３％、０．２％、０
．４％になるようドープした。
モニウム結晶を、４００℃〜５５０℃の温度勾配を有す
る電気炉で水素中にて還元して得た青色酸化物に、ケイ
酸カリウムと硝酸カリウムの水溶液をＡｌ２Ｏ３、Ｋ２
Ｏ１ＳｉＯ２としてそれぞれ０．０３％、０．２％、０
．４％になるようドープした。
ドープした青色酸化物は、更に水素中６００℃〜８５０
℃の温度勾配を有する電気炉で還元しタングステン金属
粉末を得た。
℃の温度勾配を有する電気炉で還元しタングステン金属
粉末を得た。
この粉末は更に弗酸にて洗浄し余分なドープ剤その他不
純物を溶解除去した。
純物を溶解除去した。
こうして得たタングステン粉末に、金属Ｔｉ粉末（３５
０メツシユ以下）を０．００３ｗｔ％から０．０５ｗｔ
％まで各割合で混合して試料とし、Ｔｉ添加量とワイヤ
ー特性の関係をみた。
０メツシユ以下）を０．００３ｗｔ％から０．０５ｗｔ
％まで各割合で混合して試料とし、Ｔｉ添加量とワイヤ
ー特性の関係をみた。
上記Ｔｉをドープした粉末は、更にプレス成形し通常の
方法で通電焼結した。
方法で通電焼結した。
焼結体は通常行なわれている転打、線引き加工を行ない
所定の寸法に線引きした。
所定の寸法に線引きした。
Ｑ、３９ｍｍφでのＴｉドープ量とサグ値及び再結晶温
度との関係を第１図、第２図に示す。
度との関係を第１図、第２図に示す。
サグ値の測定方法は、ワイヤをヘヤピン型に折り曲げ両
端の間隔を１２ｍｍとし錘りをかけて、溶断電流の６５
％の電流でフォーミング後、錘りを取り更に溶断電流の
８０％の電流で通電加熱する。
端の間隔を１２ｍｍとし錘りをかけて、溶断電流の６５
％の電流でフォーミング後、錘りを取り更に溶断電流の
８０％の電流で通電加熱する。
この時の変形量を第４図におけるＡ−Ｂ間の開きでもっ
てサグ値とする。
てサグ値とする。
第１図より明らかな様に、ワイヤの再結晶温度はＴｉド
ープ量に比例し低下する。
ープ量に比例し低下する。
ＴｉＯ，０５ｗｔ％ドープではＴｉ無添加のワイヤに比
較し約５００℃の低下が見られた。
較し約５００℃の低下が見られた。
又第２図よりサグ値については、Ｔｉドープ量０．０３
ｗｔ％以上では劣化が著しくなるが、０．０３ｗｔ％以
下においてはサグ値の劣化はそれほど大きくなくフィラ
メント材料としての使用にさしつかえない。
ｗｔ％以上では劣化が著しくなるが、０．０３ｗｔ％以
下においてはサグ値の劣化はそれほど大きくなくフィラ
メント材料としての使用にさしつかえない。
これら本発明の効果は、ＷとＴｉの合金化或いはＴｉの
脱酸効果によるものと考えられる。
脱酸効果によるものと考えられる。
以上第１図、第２図より明らかな様にＴｉ添加量０．０
０３ｗｔ％以下では、再結晶温度はほとんど低下せず又
、０．０３ｗｔ％以上ではサグの劣下が著しく実際の使
用に耐えない。
０３ｗｔ％以下では、再結晶温度はほとんど低下せず又
、０．０３ｗｔ％以上ではサグの劣下が著しく実際の使
用に耐えない。
よって本発明におけるＴｉ添加量は０．００３ｗｔ％〜
０．０３ｗｔ％と規定した。
０．０３ｗｔ％と規定した。
以上の事実より明らかな様に、Ｔｉ添加量０．００３ｗ
ｔ％〜０．０３ｗｔ％の範囲内において、本発明の目的
であるサグの劣下を防ぎながら再結晶温度を下げるとい
う目的が充分達せられた。
ｔ％〜０．０３ｗｔ％の範囲内において、本発明の目的
であるサグの劣下を防ぎながら再結晶温度を下げるとい
う目的が充分達せられた。
又、本発明のタングステン材料は、転打線引き加工工程
における加工性も通常のドープタングステン材料に比較
して良好であり製造歩留りの向上の効果もある。
における加工性も通常のドープタングステン材料に比較
して良好であり製造歩留りの向上の効果もある。
第１図は０．３９ｍｍφでのＴｉ添加量と再結晶温度と
の関係を示す。 第２図は０．３９ｍｍφにおけるＴｉ添加量とサグ値と
の関係を示す。 第３図は、サグ値の測定方法を説明した図で、通電加熱
前のワイヤの形を、同じく第４図は通電加熱後のワイヤ
の形を示したものである。
の関係を示す。 第２図は０．３９ｍｍφにおけるＴｉ添加量とサグ値と
の関係を示す。 第３図は、サグ値の測定方法を説明した図で、通電加熱
前のワイヤの形を、同じく第４図は通電加熱後のワイヤ
の形を示したものである。
Claims (1)
- １ 一般のドープ剤であるＡｌ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ１ＳｉＯ
２、を単独又は複合で、０．０１ｗｔ％〜１．Ｏｗｔ％
添加し更にＴｉを０．００３ｗｔ％〜０．０３ｗｔ％含
有させた事により再結晶温度を低下せしめたタングステ
ン材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54102070A JPS5811501B2 (ja) | 1979-08-09 | 1979-08-09 | タングステン材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54102070A JPS5811501B2 (ja) | 1979-08-09 | 1979-08-09 | タングステン材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5625902A JPS5625902A (en) | 1981-03-12 |
| JPS5811501B2 true JPS5811501B2 (ja) | 1983-03-03 |
Family
ID=14317497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54102070A Expired JPS5811501B2 (ja) | 1979-08-09 | 1979-08-09 | タングステン材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811501B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4749993B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2011-08-17 | 株式会社アライドマテリアル | タングステン合金 |
-
1979
- 1979-08-09 JP JP54102070A patent/JPS5811501B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5625902A (en) | 1981-03-12 |
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