JPS5814517B2 - スズメツキヨクノアンテイカホウ - Google Patents
スズメツキヨクノアンテイカホウInfo
- Publication number
- JPS5814517B2 JPS5814517B2 JP4011175A JP4011175A JPS5814517B2 JP S5814517 B2 JPS5814517 B2 JP S5814517B2 JP 4011175 A JP4011175 A JP 4011175A JP 4011175 A JP4011175 A JP 4011175A JP S5814517 B2 JPS5814517 B2 JP S5814517B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- bath
- plating bath
- stabilizing
- sulfuric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸性電気錫メッキ浴の安定化法に関するもの
であり、第1錫イオン、酸、光沢添加剤を含有する水溶
液または懸濁液に特定の化合物を添加して、第1錫イオ
ンの酸化を防止し、フリーアシツドを安定化し、スラツ
ジの発生を防止スる法に関するものである。
であり、第1錫イオン、酸、光沢添加剤を含有する水溶
液または懸濁液に特定の化合物を添加して、第1錫イオ
ンの酸化を防止し、フリーアシツドを安定化し、スラツ
ジの発生を防止スる法に関するものである。
酸性電気錫メッキ浴の酸として、硫酸、塩酸、硼弗酸、
スルファミン酸、フェノールスルフォン酸、トルエンス
ルフオン酸、ベンゼンスルフオン酸等の無機酸、有機酸
が知られており、光沢添加剤としてジヒドロキシジフェ
ニルスルフオン、N−エチルナフナルアミン、2・3ブ
タンジオールとフェノールとの反応生成物、ポリオキシ
エチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル等が知られている。
スルファミン酸、フェノールスルフォン酸、トルエンス
ルフオン酸、ベンゼンスルフオン酸等の無機酸、有機酸
が知られており、光沢添加剤としてジヒドロキシジフェ
ニルスルフオン、N−エチルナフナルアミン、2・3ブ
タンジオールとフェノールとの反応生成物、ポリオキシ
エチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル等が知られている。
しかし、これらのメッキ浴中の第1錫イオンは空気中の
酸素、あるいは電極反応によって酸化され、第2錫の酸
化物あるいは有機コンプレックスとしてスラツジを形成
するという問題、及び、浴のフリーアシツドが変化する
という問題があり、より安定した電気錫メッキ浴が望ま
れている。
酸素、あるいは電極反応によって酸化され、第2錫の酸
化物あるいは有機コンプレックスとしてスラツジを形成
するという問題、及び、浴のフリーアシツドが変化する
という問題があり、より安定した電気錫メッキ浴が望ま
れている。
錫メッキ浴の安定化化合物として、ヒドラジン、フェノ
ールスルフオン酸等の化合物が知られている。
ールスルフオン酸等の化合物が知られている。
また、光沢添加剤の酸化促進あるいは抑制作用があり、
ポリオキシエチレンアルキルエーテルより、ポリオキシ
アルキルアミンの方が一般に浴安定性作用があり、これ
らの化合物よりフエニルスルフオン化合物の方が一般に
浴安定性に優れている。
ポリオキシエチレンアルキルエーテルより、ポリオキシ
アルキルアミンの方が一般に浴安定性作用があり、これ
らの化合物よりフエニルスルフオン化合物の方が一般に
浴安定性に優れている。
本発明は、光沢添加剤としてオキシエテレンを有するフ
エニル化合物を含む酸性錫メッキ浴にグリココルを添加
、又は特定の金属イオンを含有させて高度の安定化浴を
得んとするものである。
エニル化合物を含む酸性錫メッキ浴にグリココルを添加
、又は特定の金属イオンを含有させて高度の安定化浴を
得んとするものである。
酸性錫メッキ浴は酸としてフェノールスルフオン酸を用
いることによって浴安定化が保たれるが、自然汚染防止
の点から、より有害性の少い化合物を用いる趨勢にあり
、フェノール等の有機化合物の少い浴が望まれている。
いることによって浴安定化が保たれるが、自然汚染防止
の点から、より有害性の少い化合物を用いる趨勢にあり
、フェノール等の有機化合物の少い浴が望まれている。
しかし、酸として、例えば硫酸を用いた場合、メッキ浴
はフェノールスルフオン酸を用いた場合より、浴安定性
が良好でない。
はフェノールスルフオン酸を用いた場合より、浴安定性
が良好でない。
アミンは、錫メッキ浴に添加されると浴安定性を示す場
合があり、例えば硫酸錫メッキ浴に添加したレシチン、
ジシクロヘキシルアミン、エナレンジアミン、モルホリ
ン、あるいはα−アラニン等は浴安定化作用を示す。
合があり、例えば硫酸錫メッキ浴に添加したレシチン、
ジシクロヘキシルアミン、エナレンジアミン、モルホリ
ン、あるいはα−アラニン等は浴安定化作用を示す。
アミンの作用は単一でなく、酸一光沢添加剤の複合作用
によって大きく変化するが、実験の結果、無公害の面も
含め、光沢剤としてオキシエチレンを有するフエニル化
合物を含有した硫酸酸性電気錫メッキ浴においてグリコ
コルの添加が優れていることが明らかとなった。
によって大きく変化するが、実験の結果、無公害の面も
含め、光沢剤としてオキシエチレンを有するフエニル化
合物を含有した硫酸酸性電気錫メッキ浴においてグリコ
コルの添加が優れていることが明らかとなった。
グリココルは、フェノールスルフオン酸、トルエンスル
フオン酸浴中では安定化作用が薄い。
フオン酸浴中では安定化作用が薄い。
硫酸錫メッキ浴に光沢添加剤として、例えばヒドロキシ
ジフエニルスルフオンを用いた場合、クリココルあるい
はアミノ吉草酸等は浴安定性に負の作用を示す。
ジフエニルスルフオンを用いた場合、クリココルあるい
はアミノ吉草酸等は浴安定性に負の作用を示す。
また、硫酸錫メッキ浴に光沢添加剤としてエトキシ化ナ
フトールスルフオン酸を用いた場合、βアラニン、グル
タミン酸等は負の作用を示す。
フトールスルフオン酸を用いた場合、βアラニン、グル
タミン酸等は負の作用を示す。
また、チオグリコール酸、タウリンは負の作用を示し、
グリココルが優れ石いた。
グリココルが優れ石いた。
グリココルの添加範囲は0.1〜lOg/lがよく、こ
の範囲外では安定化作用がないか、浴の安定性が損なわ
しめられる。
の範囲外では安定化作用がないか、浴の安定性が損なわ
しめられる。
本発明において、酸性電気錫メッキ浴すなわち硫酸酸性
の第1錫イオンを含む水溶液または懸濁液は、光沢添加
剤としてポリオキシエチレンフエニルアルキルアミン、
エトキシ(ポリオキシエチレン)化ナフトール等のオキ
シエチレンを有する有機化合物を含有するが、この場合
の基本浴組成は、硫酸イオンとして5〜50i/lの酸
、第1錫イオンとして10〜80g/lの第1錫塩、0
.1〜30&/lの光沢添加剤からなっている。
の第1錫イオンを含む水溶液または懸濁液は、光沢添加
剤としてポリオキシエチレンフエニルアルキルアミン、
エトキシ(ポリオキシエチレン)化ナフトール等のオキ
シエチレンを有する有機化合物を含有するが、この場合
の基本浴組成は、硫酸イオンとして5〜50i/lの酸
、第1錫イオンとして10〜80g/lの第1錫塩、0
.1〜30&/lの光沢添加剤からなっている。
この基本浴にグリココルを添加することにより浴安定性
が向上することは前述したか、この基本浴にグリココル
に代えてマグネシウム、ニッケル、チタン、バナジン、
クローム、マンガン、コバルト、亜鉛、カドミウム、ア
ルミニウム、アルカリ土類金属よりなる金属イオンの1
種または2種以上を0.1〜100g/l含有させるこ
とによってもメッキ浴の安定性が良くなることがわかっ
た。
が向上することは前述したか、この基本浴にグリココル
に代えてマグネシウム、ニッケル、チタン、バナジン、
クローム、マンガン、コバルト、亜鉛、カドミウム、ア
ルミニウム、アルカリ土類金属よりなる金属イオンの1
種または2種以上を0.1〜100g/l含有させるこ
とによってもメッキ浴の安定性が良くなることがわかっ
た。
この添加量範囲外では浴の安定化作用がないが、浴の安
定性が損われる。
定性が損われる。
1価の金属より2価の金属イオンの方が一般に優れたス
ラツジ発生防止作用を示す。
ラツジ発生防止作用を示す。
これらの金属イオンは水酸化物、酸化物、塩として添加
し、含有させてよい。
し、含有させてよい。
硫酸メッキ浴での実施例を第1表と第2表に示した。
第1表からグリココルの添加によりフリーアシツドの変
化が少く、またスラツジの発生量が大巾に減少すること
がわかる。
化が少く、またスラツジの発生量が大巾に減少すること
がわかる。
また第2表から特定の金属イオン添加によってもスラツ
ジの発生量が大巾に減少することがわかる。
ジの発生量が大巾に減少することがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 オキシエチレンを有するフエニル化合物を含有した
硫酸酸性電気錫メッキ浴にグリコゴルを0.1〜IOg
/l添加することを特徴とする錫メッキ浴の安定化法。 2 オキシエチレンを有するフエニル化合物を含有した
硫酸酸性電気錫メッキ浴にマグネシウム、ニッケル、チ
タン、バナジン、クローム、マンガン、コバルト、亜鉛
、カドミウム、アルミニウム、アルカリ土類金属イオン
の1種または2種以上を0.1〜100g/l含有させ
ることを特徴とする錫メッキ浴の安定化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4011175A JPS5814517B2 (ja) | 1975-04-02 | 1975-04-02 | スズメツキヨクノアンテイカホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4011175A JPS5814517B2 (ja) | 1975-04-02 | 1975-04-02 | スズメツキヨクノアンテイカホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51115241A JPS51115241A (en) | 1976-10-09 |
| JPS5814517B2 true JPS5814517B2 (ja) | 1983-03-19 |
Family
ID=12571731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4011175A Expired JPS5814517B2 (ja) | 1975-04-02 | 1975-04-02 | スズメツキヨクノアンテイカホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814517B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0510324A (ja) * | 1991-07-04 | 1993-01-19 | Mitsubishi Kasei Eng Co | 回転円筒型処理装置 |
-
1975
- 1975-04-02 JP JP4011175A patent/JPS5814517B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0510324A (ja) * | 1991-07-04 | 1993-01-19 | Mitsubishi Kasei Eng Co | 回転円筒型処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51115241A (en) | 1976-10-09 |
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