JPS5828682B2 - Ｎｂｙｓｎ１−ｘａｌｘキンゾクカンカゴウブツチヨウデンドウタイノセイゾウホウ - Google Patents
Ｎｂｙｓｎ１−ｘａｌｘキンゾクカンカゴウブツチヨウデンドウタイノセイゾウホウInfo
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- JPS5828682B2 JPS5828682B2 JP49034604A JP3460474A JPS5828682B2 JP S5828682 B2 JPS5828682 B2 JP S5828682B2 JP 49034604 A JP49034604 A JP 49034604A JP 3460474 A JP3460474 A JP 3460474A JP S5828682 B2 JPS5828682 B2 JP S5828682B2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＮｂ ２ Ｓ ｎ １−ｘＡｌｘ金属間化合物
からなる超電導体の製造法に関する。
からなる超電導体の製造法に関する。
現在使用されている金属間化合物超電導マグネット材料
は、Ｎｂ ３ Ｓｎ、 Ｖ３ Ｇａの２種であり、これ
らの材料は気相反応法または拡散による固体反応法によ
って製造されている。
は、Ｎｂ ３ Ｓｎ、 Ｖ３ Ｇａの２種であり、これ
らの材料は気相反応法または拡散による固体反応法によ
って製造されている。
上記の如き公知の超電導体の特性は下記の表■に列記す
る通りである。
る通りである。
上記のような特性を有する公知のＮｂ３Ｓｎ。
■立ちは、その臨界磁場の値が２２０ＫＧであるた
、これら公知材料を用いて製造した超電導マグネットの
発生し得る磁場は、４，２°にで最高１５０ＫＧである
。
、これら公知材料を用いて製造した超電導マグネットの
発生し得る磁場は、４，２°にで最高１５０ＫＧである
。
しかるに、より高い２００ＫＧ程度の磁場を発生させる
ためには、上記の如き公知の超電導体線材では実現不可
能であり、より高い臨界磁場（少なくとも２００ＫＧ以
上）を発生し得る超電導体材料の開発が望１れている。
ためには、上記の如き公知の超電導体線材では実現不可
能であり、より高い臨界磁場（少なくとも２００ＫＧ以
上）を発生し得る超電導体材料の開発が望１れている。
一方に釦いて近年１８°に以上の臨界温度を有する超電
導体材料が幾種類か開発され、これらのうち若干のもの
は前述したような所望の高い臨界磁場を有している。
導体材料が幾種類か開発され、これらのうち若干のもの
は前述したような所望の高い臨界磁場を有している。
これらの例としてはＮｂ５（Ａｌｏ−７５−Ｇｅｏ−２
５：４］ＯＫＧ耘よびＮｂ３Ａｌ：３００ＫＧを挙げる
ことができる。
５：４］ＯＫＧ耘よびＮｂ３Ａｌ：３００ＫＧを挙げる
ことができる。
しかし乍ら、これらの材料は、１５００°Ｃ以上の高温
処理によってのみ製造しうるため、実用超電導マグネッ
ト材料に要求される他の重要な要素である、高い臨界電
流密度を具備し得ない。
処理によってのみ製造しうるため、実用超電導マグネッ
ト材料に要求される他の重要な要素である、高い臨界電
流密度を具備し得ない。
このような理由によって上記組成の超電導体材料は実用
化し得ない現状である。
化し得ない現状である。
本発明の方法は、前記の如き公知材料の諸欠点を克服し
かつ改良した超電導体の製造法に関するものである。
かつ改良した超電導体の製造法に関するものである。
本発明方法を更に具体的に説明する。
溶融金属錫に０．１〜６０原子優のアルミニウムを添加
した溶融金属浴を製造し、該金属浴中に、ニオブまたば
０．０５〜１０原子饅のチタニウム、ジルコニウム、タ
ンタル ハフニウムの１種モしくは２種以上を含有する
ニオブ基合金のテープまたは線材を浸漬し、該テープま
たは線材の表面に、前記溶融金属浴を耐着または耐着拡
散させ、浸漬状態の１＼でまたは前記溶融金属浴から取
り出した後、６００°〜１２５０°Ｃの温度で数分間乃
至数百時間、熱処理することによって基材たるニオブま
たはニオブ基合金と耐着された５ｎ４１合金との境界部
附近にβ−Ｗ型ＮｂｙＳｎ、−ｘＡｌｘ （但しｙ−３
〜４原子係、Ｘ−１〜３０原子％）化合物をつくること
にある。
した溶融金属浴を製造し、該金属浴中に、ニオブまたば
０．０５〜１０原子饅のチタニウム、ジルコニウム、タ
ンタル ハフニウムの１種モしくは２種以上を含有する
ニオブ基合金のテープまたは線材を浸漬し、該テープま
たは線材の表面に、前記溶融金属浴を耐着または耐着拡
散させ、浸漬状態の１＼でまたは前記溶融金属浴から取
り出した後、６００°〜１２５０°Ｃの温度で数分間乃
至数百時間、熱処理することによって基材たるニオブま
たはニオブ基合金と耐着された５ｎ４１合金との境界部
附近にβ−Ｗ型ＮｂｙＳｎ、−ｘＡｌｘ （但しｙ−３
〜４原子係、Ｘ−１〜３０原子％）化合物をつくること
にある。
なお熱処理時間は熱処理温度が高ければ短くなり、逆に
熱処理温度が低い場合は熱処理時間が長くなる。
熱処理温度が低い場合は熱処理時間が長くなる。
本発明の方法により製造された線材は、臨界温度にむい
ては大きな変化を示さないにも拘らず、臨界磁場につい
ては、前記化合物にむいてＸ−３０原子饅の場合、２５
０ＫＧ以上、ｘ＝５原子係の場合、３００ＫＧを得るこ
とができる。
ては大きな変化を示さないにも拘らず、臨界磁場につい
ては、前記化合物にむいてＸ−３０原子饅の場合、２５
０ＫＧ以上、ｘ＝５原子係の場合、３００ＫＧを得るこ
とができる。
しかもこの線材は、比較的低温度での拡散法で製造され
るために、Ｎｂ３Ｓｎの同程度の高い臨界電流密度が、
低磁場より高磁場に互って保持されていることが確認で
きた。
るために、Ｎｂ３Ｓｎの同程度の高い臨界電流密度が、
低磁場より高磁場に互って保持されていることが確認で
きた。
従って本発明方法で製造された超電導体線材は、現在の
Ｎｂ５Ｓｎｔたは■３Ｇａ線材では達成し得ない２００
ＫＧにも達する超高磁場を発生しうる超電導マグネット
材料として用いることができる。
Ｎｂ５Ｓｎｔたは■３Ｇａ線材では達成し得ない２００
ＫＧにも達する超高磁場を発生しうる超電導マグネット
材料として用いることができる。
本発明方法による具体的実施例を以下に詳述するが、本
発明をこれら実施例に限定するものではない。
発明をこれら実施例に限定するものではない。
実施例 １
巾３ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍの金属ニオブテープを、溶
融Ｓｎ１−ａｌｘ’ （ｘ”’：５原子俤、約９５０℃
）中に１０分間浸漬、保持し、前記合金被覆と金属ニオ
ブの境界部にＮｂｙＳｎｌ−ＸＡｌ（ｙ−３〜４、ｘ
＝ ５〜１０原子係）の金属間化合物を生成させた。
融Ｓｎ１−ａｌｘ’ （ｘ”’：５原子俤、約９５０℃
）中に１０分間浸漬、保持し、前記合金被覆と金属ニオ
ブの境界部にＮｂｙＳｎｌ−ＸＡｌ（ｙ−３〜４、ｘ
＝ ５〜１０原子係）の金属間化合物を生成させた。
このように処理したテープの超電導特性はＴｃ−１７，
５°に、Ｈｃ２＝３００ＫＧ、臨界電流は６０ＫＯｅで
約７ＯＡであった。
５°に、Ｈｃ２＝３００ＫＧ、臨界電流は６０ＫＯｅで
約７ＯＡであった。
実施例 ２
直径Ｊｍｍ、Ｓの金属ニオブ線材を、８０ｏ０Ｃの溶融
５ｎ１−ｘ′Ａ１１ｘ’ （ｘ 二１０原子咎）に浸漬
し、Ｓ ｎ １−ｘ／Ａｌ ｘ’を該ニオブ線材の表面
に被覆させ、この被覆ニオブ線材を、アルゴンガスまた
は真空中で、９００°Ｃで１時間焼鈍し、被覆とニオブ
の境界部にβ−Ｗ型のＮｂｙＳｎｌ−ＸＡｌＸ（ｙ−３
〜４、Ｘ−１０原子φ）の金属間化合物を生成せしめた
。
５ｎ１−ｘ′Ａ１１ｘ’ （ｘ 二１０原子咎）に浸漬
し、Ｓ ｎ １−ｘ／Ａｌ ｘ’を該ニオブ線材の表面
に被覆させ、この被覆ニオブ線材を、アルゴンガスまた
は真空中で、９００°Ｃで１時間焼鈍し、被覆とニオブ
の境界部にβ−Ｗ型のＮｂｙＳｎｌ−ＸＡｌＸ（ｙ−３
〜４、Ｘ−１０原子φ）の金属間化合物を生成せしめた
。
このように処理した線材の超電導特性はＴｃ１７°に、
Ｈｃ２＝２７０ＫＧであった。
Ｈｃ２＝２７０ＫＧであった。
実施例 ３
実施例１または実施例２の方法に釦いて、ａ：Ｎｂテー
プの組成 り：溶融Ｓ ｎｌ−ｘ’Ａｌｘ′の浴温 ｃ： 〃 〃 の組成Ｘ′ ｄ ：／ｒ〃 による浸漬温度 ｅ： 〃 〃 浸漬状態あるいは浸漬後の焼鈍時
間および温度 を夫々表３の如く変化させた、この場合に得られる超電
導特性を、表２釦よび第１図、第２図に示す。
プの組成 り：溶融Ｓ ｎｌ−ｘ’Ａｌｘ′の浴温 ｃ： 〃 〃 の組成Ｘ′ ｄ ：／ｒ〃 による浸漬温度 ｅ： 〃 〃 浸漬状態あるいは浸漬後の焼鈍時
間および温度 を夫々表３の如く変化させた、この場合に得られる超電
導特性を、表２釦よび第１図、第２図に示す。
これらの結果から明らかな如く、方法むよび変数を変化
させた場合には、臨界温度と臨界磁場は最終的に形成さ
れるβ−Ｗ型ＮｂｙＳｎｌ−ｘＡｌｘ（ｙ−３〜４、ｘ
＝ ０〜５０原子％）の組成のＸのみに依存し、方法
や変数には殆んど依存しないことが判明した。
させた場合には、臨界温度と臨界磁場は最終的に形成さ
れるβ−Ｗ型ＮｂｙＳｎｌ−ｘＡｌｘ（ｙ−３〜４、ｘ
＝ ０〜５０原子％）の組成のＸのみに依存し、方法
や変数には殆んど依存しないことが判明した。
ＮｂｙＳｎｌ−ｘＡ＃ｘのＸの変化による臨界温度と臨
界磁場を表３に示す。
界磁場を表３に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属ニオブまたは０．０５〜１０原子係の範囲内で
チタニウム、ジルコニウム、ハフニウムまたはタンタル
の１種もしくは２種以上を含有するニオブ基合金からな
るテープオたは線材を、６００’〜１２５０℃の溶融Ｓ
ｎ４−ｘＡｌｘ （ｘ ＝ Ｏ，１〜６０原子％）浴中
に浸漬し、しかるのち６００゜〜１２５０℃の温度で２
分間〜６００時間焼鈍して、β−Ｗ型ＮｂｙＳｎ１−ｘ
Ａ７ｘ （ｙ＝３〜４ 。 ｘ＝ｌ］〜３０原子％）の金原子化合物を形成すること
を特徴とする超電導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49034604A JPS5828682B2 (ja) | 1974-03-29 | 1974-03-29 | Ｎｂｙｓｎ１−ｘａｌｘキンゾクカンカゴウブツチヨウデンドウタイノセイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49034604A JPS5828682B2 (ja) | 1974-03-29 | 1974-03-29 | Ｎｂｙｓｎ１−ｘａｌｘキンゾクカンカゴウブツチヨウデンドウタイノセイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50128991A JPS50128991A (ja) | 1975-10-11 |
| JPS5828682B2 true JPS5828682B2 (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=12418946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49034604A Expired JPS5828682B2 (ja) | 1974-03-29 | 1974-03-29 | Ｎｂｙｓｎ１−ｘａｌｘキンゾクカンカゴウブツチヨウデンドウタイノセイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828682B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107769A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-19 | Natl Res Inst For Metals | Manufacture of nb3 sn diffused wire |
-
1974
- 1974-03-29 JP JP49034604A patent/JPS5828682B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50128991A (ja) | 1975-10-11 |
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