JPS5846472B2 - 矩形履歴曲線を有する磁性材料 - Google Patents
矩形履歴曲線を有する磁性材料Info
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- JPS5846472B2 JPS5846472B2 JP53007848A JP784878A JPS5846472B2 JP S5846472 B2 JPS5846472 B2 JP S5846472B2 JP 53007848 A JP53007848 A JP 53007848A JP 784878 A JP784878 A JP 784878A JP S5846472 B2 JPS5846472 B2 JP S5846472B2
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は矩形履歴曲線を有する磁性材料に関し特に広範
囲な温度領域で動作する記憶磁心材料を提供するもので
ある。
囲な温度領域で動作する記憶磁心材料を提供するもので
ある。
周知のとおり、電子計算機等における記憶素子としての
環状磁心としては矩形履歴曲線を呈する磁性材料が用い
られている。
環状磁心としては矩形履歴曲線を呈する磁性材料が用い
られている。
ところで、この種の磁心に用いられる磁性材料としては
、低雑音・低ｌ雑音の観点から磁気履歴曲線が角型であ
ること、磁心駆動電流が小さいことしたがって抗磁力Ｈ
６が小さいこと、温度特性が良いこと、低コストである
こと等が望まれている。
、低雑音・低ｌ雑音の観点から磁気履歴曲線が角型であ
ること、磁心駆動電流が小さいことしたがって抗磁力Ｈ
６が小さいこと、温度特性が良いこと、低コストである
こと等が望まれている。
一力、駆動電流が低く、空気中焼結が可能で低コストの
磁心材料として、Ｌ ｉ −Ｍｎ −Ｚ ｎ系フェライ
トが知られている。
磁心材料として、Ｌ ｉ −Ｍｎ −Ｚ ｎ系フェライ
トが知られている。
また、このＬ ｉ −Ｍｎ −Ｚ ｎ系フェライトにＣ
ｏを添加して温度特性を改良したものも知られている。
ｏを添加して温度特性を改良したものも知られている。
このＬ ｉ −Ｍｎ −Ｚ ｎ系フェライトへのＣｏの
添加効果を知るため、Ｃｏの添加量をＯ〜２．０モ／Ｌ
／％の範囲で変化させた各材料よりなる磁心について従
来この種磁心の特性評価方法に従い、第１図に示すごと
き、パルス系列によって、特性を測定した。
添加効果を知るため、Ｃｏの添加量をＯ〜２．０モ／Ｌ
／％の範囲で変化させた各材料よりなる磁心について従
来この種磁心の特性評価方法に従い、第１図に示すごと
き、パルス系列によって、特性を測定した。
第１図において、■ｆは駆動電流値、Ｉｄは妨害電流値
、ＵＶ１は非妨害”１”信号の出力電圧の最大値、ＵＶ
１は妨害”１”信号の出力電圧の最大値、ＤＶｏは妨害
”Ｏ”信号の出力電圧の最大値を示す。
、ＵＶ１は非妨害”１”信号の出力電圧の最大値、ＵＶ
１は妨害”１”信号の出力電圧の最大値、ＤＶｏは妨害
”Ｏ”信号の出力電圧の最大値を示す。
第２図はその測定結果を示すグラフで、ｔ は非妨害”
■”信号出力パルスのピーキング時間で、パルス立上り
の１０係地点から最大値迄の時間で、Ｓ／ＮはＵＶ１／
ＤＶ。
■”信号出力パルスのピーキング時間で、パルス立上り
の１０係地点から最大値迄の時間で、Ｓ／ＮはＵＶ１／
ＤＶ。
で与えた。第２図から明らかなように、Ｌ ｉ −Ｍｎ
−Ｚ ｎ系フェライトへのＣｏの添加は、ＤＶｏの増
大、従って角型比の劣化を招きＳ／Ｎを悪くすることに
なります。
−Ｚ ｎ系フェライトへのＣｏの添加は、ＤＶｏの増
大、従って角型比の劣化を招きＳ／Ｎを悪くすることに
なります。
すなわち、温度特性の改善のために用いたＣｏが角型比
、Ｓ／Ｎの点からは、かえって好ましくないことになり
ます。
、Ｓ／Ｎの点からは、かえって好ましくないことになり
ます。
これを解決するためにＬ ｉ −Ｍ ｎ −Ｃｏ系フェ
ライトにＮｉを添加することによって、角型比を高く維
持しようとした材料が知られている。
ライトにＮｉを添加することによって、角型比を高く維
持しようとした材料が知られている。
第３図は、ＬｉＭｎ−Ｚｎ系フェライトへのＣｏ添加量
１．２モル条一定として、Ｎｌを０〜１０モル幅の範囲
で種々添加したときの、第２図と同様の測定結果で、Ｎ
ｉ添加量の増加とともにＤＶ、が減少し、Ｓ／Ｎが増加
し、第２図との比較から、Ｎｉの添加量が、４モル％を
越えた範囲で、Ｃｏ添加によるＤｖｏの増加、Ｓ／Ｎの
劣化を補償できることがわかる。
１．２モル条一定として、Ｎｌを０〜１０モル幅の範囲
で種々添加したときの、第２図と同様の測定結果で、Ｎ
ｉ添加量の増加とともにＤＶ、が減少し、Ｓ／Ｎが増加
し、第２図との比較から、Ｎｉの添加量が、４モル％を
越えた範囲で、Ｃｏ添加によるＤｖｏの増加、Ｓ／Ｎの
劣化を補償できることがわかる。
実際従来公知のＬ ｉ −Ｍｎ −Ｚ ｎ −Ｃｏ −
Ｎ ｉ系フェライトではＮｉの添加量は４．５モル条以
上必要であるとされている。
Ｎ ｉ系フェライトではＮｉの添加量は４．５モル条以
上必要であるとされている。
ところで、このＬ ｉ −Ｍｎ −Ｚ ｎ −Ｃｏ −
Ｎ ｉ系フェライトの温度特性（ＡＩ（／ＡＴ（ｍＡ、
’Ｃ））について、Ｃｏ、Ｎｉの種々の添加量について
測定したところ、第４図のごとき結果を得た。
Ｎ ｉ系フェライトの温度特性（ＡＩ（／ＡＴ（ｍＡ、
’Ｃ））について、Ｃｏ、Ｎｉの種々の添加量について
測定したところ、第４図のごとき結果を得た。
第４図から明らかなように、Ｎｉの３モル％以上の添加
は、温度特性が−１，０ｍＶＣを越えてしまい、Ｃｏの
添加によって温度特性を改善したことの意味が失われて
しまうことになる。
は、温度特性が−１，０ｍＶＣを越えてしまい、Ｃｏの
添加によって温度特性を改善したことの意味が失われて
しまうことになる。
本発明は上記に鑑み、Ｌ ｉ −Ｍ ｎ −Ｚ ｎ −
Ｃｏ系フェライトの改良を目的とし、Ｃｏ添加の温度特
性の改善効果を失うことなく、角型比を良好に維持した
低コスト、低駆動電流の記憶磁心材料を提供することを
目的とする。
Ｃｏ系フェライトの改良を目的とし、Ｃｏ添加の温度特
性の改善効果を失うことなく、角型比を良好に維持した
低コスト、低駆動電流の記憶磁心材料を提供することを
目的とする。
本発明の記憶磁心材料は、酸化鉄７０〜８０モル％、酸
化リチウムフル２０モル％、および酸化マンガン６〜２
５モル係で合計が１００モル条となるように選んだフェ
ライト構成成分に、酸化亜鉛２〜２０モル幅、酸化コバ
ルトＯ〜１．７モル俤（０を含まず）および酸化ニッケ
ルＯ〜３モル饅（Ｏを含まず）を添加したリチウム・マ
ンガン・亜鉛・コバルトニッケルフェライトに副成分と
して酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５） Ｏ，ｏ １〜０．０
３ｗｔ％および酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）０．０１〜
０．６ｗｔ％の少くとも一方を添加（但し複合添加の場
合は合量は、０，０１〜０．７ｗｔ％とする。
化リチウムフル２０モル％、および酸化マンガン６〜２
５モル係で合計が１００モル条となるように選んだフェ
ライト構成成分に、酸化亜鉛２〜２０モル幅、酸化コバ
ルトＯ〜１．７モル俤（０を含まず）および酸化ニッケ
ルＯ〜３モル饅（Ｏを含まず）を添加したリチウム・マ
ンガン・亜鉛・コバルトニッケルフェライトに副成分と
して酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５） Ｏ，ｏ １〜０．０
３ｗｔ％および酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）０．０１〜
０．６ｗｔ％の少くとも一方を添加（但し複合添加の場
合は合量は、０，０１〜０．７ｗｔ％とする。
）したことを特徴とする矩形履歴曲線を有する磁性材料
である。
である。
簡単に言えば、本発明の磁性材料は、ＬｉＭｎ −Ｚ
ｎ −Ｃｏ −Ｎ ｉ フェライトのＮｉの添加量を
３モル％以下の範囲に抑え、Ｖ２Ｏ５，０，０１〜０．
０３ｗｔ％ないしＢｉ２Ｏ３０，０１〜０．６ｗｔ ％
添加することによって、角型比および温度特性ともに良
好な磁心材料を提供するものである。
ｎ −Ｃｏ −Ｎ ｉ フェライトのＮｉの添加量を
３モル％以下の範囲に抑え、Ｖ２Ｏ５，０，０１〜０．
０３ｗｔ％ないしＢｉ２Ｏ３０，０１〜０．６ｗｔ ％
添加することによって、角型比および温度特性ともに良
好な磁心材料を提供するものである。
なお、ＮｉＯを３モル％以下にした理由は、上述のよう
に、Ｎｉ０３モル条を越えると、温度特性が悪くなるこ
とによる。
に、Ｎｉ０３モル条を越えると、温度特性が悪くなるこ
とによる。
またＶ２Ｏ５を０．０１〜０、０３ ｗ ｔ ％、 Ｂ
ｉ２０３を０．０１〜０．６ｗｔ％。
ｉ２０３を０．０１〜０．６ｗｔ％。
Ｖ ５０５ ＋ Ｂ ｉ２０３を０．０１〜０．７ｗｔ
％に限定した理由は、この範囲以外では、これらの添
加によるＳ／Ｎの改善効果が認められないことによる。
％に限定した理由は、この範囲以外では、これらの添
加によるＳ／Ｎの改善効果が認められないことによる。
その他の成分量の限定理由は、上記範囲外では、Ｂｉ２
Ｏ３やＶ２Ｏ５の添加効果が認められなくなり角型比の
低下、抗磁力Ｈ６の増大、温度特性の劣化等を引き起す
ためである。
Ｏ３やＶ２Ｏ５の添加効果が認められなくなり角型比の
低下、抗磁力Ｈ６の増大、温度特性の劣化等を引き起す
ためである。
本発明の磁心材料の製造は、上述した組成範囲で調整し
た混合粉末を大気中７００〜９００℃で予備焼成し、粉
砕、混合してバインダー（例えばホリビニールアルコー
ル）を添加して所望の形状に加圧成型した後、空気雰囲
気中（あるいは酸素雰囲気中）にて１０５０’Ｃ〜１２
００℃で本焼成し、同雰囲気中で冷却して行なわれる。
た混合粉末を大気中７００〜９００℃で予備焼成し、粉
砕、混合してバインダー（例えばホリビニールアルコー
ル）を添加して所望の形状に加圧成型した後、空気雰囲
気中（あるいは酸素雰囲気中）にて１０５０’Ｃ〜１２
００℃で本焼成し、同雰囲気中で冷却して行なわれる。
第５図は、本発明の一実施例の特性を示すグラフで、Ｌ
１２０３１３．５モル％、Ｍｎ０１５．０モル％、Ｚ
ｎ０１０．０モル条、Ｆ ｅ ２０３７１．５モル％、
にＣｏ１．５モル％、Ｎｉ １．０モル％を添カロし
たものに、Ｂｉ２Ｏ３の種々の量を添加したときの特性
を示す。
１２０３１３．５モル％、Ｍｎ０１５．０モル％、Ｚ
ｎ０１０．０モル条、Ｆ ｅ ２０３７１．５モル％、
にＣｏ１．５モル％、Ｎｉ １．０モル％を添カロし
たものに、Ｂｉ２Ｏ３の種々の量を添加したときの特性
を示す。
この図から明らかなように、Ｂｉ２Ｏ３が０．０１〜Ｑ
、 ６ ｗ ｔ％の範囲で添加された場合、抗磁力Ｈｃ
はＢ １２０３がＱ、１ｗｔ俤で最大となり温度特性は
Ｂｉ２Ｏ３の添加量に依存せず−０，３５ｍＡ／℃一定
と良好な値を示す。
、 ６ ｗ ｔ％の範囲で添加された場合、抗磁力Ｈｃ
はＢ １２０３がＱ、１ｗｔ俤で最大となり温度特性は
Ｂｉ２Ｏ３の添加量に依存せず−０，３５ｍＡ／℃一定
と良好な値を示す。
またＳ／Ｎおよびｊ雑音がともに改善されることが明ら
かである。
かである。
第６図は、Ｖ２Ｏ５を添加する場合の実施例のデータを
示し、Ｌ ＋ ２０３１３°５モル％、Ｍｎ０１５．０
モル％、 Ｚｎ０１０．０モル宏Ｆｅ２０３７１．５モ
ル俤にＣｏ １．５モル％、Ｎｉ １．０モル条を添
加したものへＶ２Ｏ５を添加した場合のｖ２０．の添加
量と特性との関係を示す。
示し、Ｌ ＋ ２０３１３°５モル％、Ｍｎ０１５．０
モル％、 Ｚｎ０１０．０モル宏Ｆｅ２０３７１．５モ
ル俤にＣｏ １．５モル％、Ｎｉ １．０モル条を添
加したものへＶ２Ｏ５を添加した場合のｖ２０．の添加
量と特性との関係を示す。
この図から明らかなように、ＶＯを０．０１＝０．０３
ｗｔ％の範囲で添加５ することによって、ＨｏはＶ２Ｏ５が０．０５ｗｔ％で
最大となり温度特性はＶ２Ｏ５の添加量に依存せず−０
，３５ｍＡ／’Ｃ一定と良好な値を示す。
ｗｔ％の範囲で添加５ することによって、ＨｏはＶ２Ｏ５が０．０５ｗｔ％で
最大となり温度特性はＶ２Ｏ５の添加量に依存せず−０
，３５ｍＡ／’Ｃ一定と良好な値を示す。
またＳ／ＮおよびＡ雑音がともに改善されることが明か
である。
である。
第７図は、Ｂ １２０３と■２０５の共同添加の場合の
実施例で、Ｌｉ２０３１３．５モル％、ＭｎＯ１５，０
モル％、Ｚｎ０１０．０モル％、 Ｆｅ ２０ｓ ７１
．５モル％に、Ｃｏ １．５モル幅、Ｎｉ １．０モ
ル幅を添加したものへＢ ｌ ２０ｓおよび■２０５を
共同添加した場合の特性を示す図で、この図から、Ｂｉ
２Ｏ３と■２０５の共同添加では、０．０１〜０．０７
ｗｔ ％の範囲で、ＨｏはＢｉ２Ｏ３が０．１ｗｔ％で
最大で■■２ｏ、の一定添加量が０．３ｗｔ％と多くな
るにつれ曲線がブロードになる。
実施例で、Ｌｉ２０３１３．５モル％、ＭｎＯ１５，０
モル％、Ｚｎ０１０．０モル％、 Ｆｅ ２０ｓ ７１
．５モル％に、Ｃｏ １．５モル幅、Ｎｉ １．０モ
ル幅を添加したものへＢ ｌ ２０ｓおよび■２０５を
共同添加した場合の特性を示す図で、この図から、Ｂｉ
２Ｏ３と■２０５の共同添加では、０．０１〜０．０７
ｗｔ ％の範囲で、ＨｏはＢｉ２Ｏ３が０．１ｗｔ％で
最大で■■２ｏ、の一定添加量が０．３ｗｔ％と多くな
るにつれ曲線がブロードになる。
温度特性は添加量に依存せず−３，５ｍＡ／’Ｃと良好
な値を示す。
な値を示す。
またＳ／Ｎおよびｄ雑音が改善されることがわかる。
以上の実施例から明らかなように、Ｌｉ−Ｍｎ−Ｚｎ系
フェライトへ温度特性の改善のためにＣｏを添加したも
のにおける角型化劣化を改善するためにＮｉを更に添加
したものにおいて、温度特性の劣化の観点から、Ｎｉの
添加を３モルφ以下に抑えた場合における角型比したが
ってＳ／Ｎの低下をＢ１□０３ないしｖ２０．の添加で
補うことができ、従って、温度特性およびＳ／Ｎしたが
って角型比がともに良好な磁心材料を得ることができる
。
フェライトへ温度特性の改善のためにＣｏを添加したも
のにおける角型化劣化を改善するためにＮｉを更に添加
したものにおいて、温度特性の劣化の観点から、Ｎｉの
添加を３モルφ以下に抑えた場合における角型比したが
ってＳ／Ｎの低下をＢ１□０３ないしｖ２０．の添加で
補うことができ、従って、温度特性およびＳ／Ｎしたが
って角型比がともに良好な磁心材料を得ることができる
。
このようなり ｔ ２０３や■２０．の添加によって、
特性が改善される理由は、Ｌ ｉ −Ｍｎ −Ｚ ｎ
−Ｃｏ−Ｎｉフェライトへ添加されたＢｉ２Ｏ３や■２
０５がフェライト製造時における生成反応を円滑に促進
させ、緻密なスピネル型フェライトを形成させるととも
に結晶粒を均一化させるように作用することによるもの
と考えられる。
特性が改善される理由は、Ｌ ｉ −Ｍｎ −Ｚ ｎ
−Ｃｏ−Ｎｉフェライトへ添加されたＢｉ２Ｏ３や■２
０５がフェライト製造時における生成反応を円滑に促進
させ、緻密なスピネル型フェライトを形成させるととも
に結晶粒を均一化させるように作用することによるもの
と考えられる。
上述したように本発明によれば、温度特性、角型比、抗
磁力ともに良好な、従って、Ｓ／Ｎ、１雑音、駆動電流
ともに良好な磁心材料を得ることができる。
磁力ともに良好な、従って、Ｓ／Ｎ、１雑音、駆動電流
ともに良好な磁心材料を得ることができる。
第１図は、磁心特性の測定に用いられるパルス系列を示
す図で、図において、■ｆ・・・・・・駆動電流値、Ｉ
ｄ・・・・・・妨害電流値、ＵＶ１・・・・・・非妨害
″′１信号の出力電圧の最大値、Ｄ■１・・・・・・妨
害“１”信号の出力電圧の最大値、ＤＶｏ・・・・・・
妨害”０゛′信号の出力電圧の最大値を示す。 第２図は、Ｌｉ−Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライトへのＣｏ
の添加の特性変化を示す図、第３図は、Ｌ ｉ −Ｍ
ｎ−Ｚ ｎ −Ｃ。 フェライトへのＮｉの添加による特性変化を示す図、第
４図は、Ｌｉ−Ｍｎ−ＺｎフェライトへのＣｏとＮｉの
同添加の場合の温度特性の変化を示す図、第５図から第
７図は、本発明の実施例の特性を示す図で、第５図はＢ
ｉ２０３の添加量による特性の変化を示す図、第６図
はｖ２０５の添加量による特性の変化を示す図、第７図
はＢ Ｉ ２０ ＋■２０５の添加による特性の変化を
示す図である。
す図で、図において、■ｆ・・・・・・駆動電流値、Ｉ
ｄ・・・・・・妨害電流値、ＵＶ１・・・・・・非妨害
″′１信号の出力電圧の最大値、Ｄ■１・・・・・・妨
害“１”信号の出力電圧の最大値、ＤＶｏ・・・・・・
妨害”０゛′信号の出力電圧の最大値を示す。 第２図は、Ｌｉ−Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライトへのＣｏ
の添加の特性変化を示す図、第３図は、Ｌ ｉ −Ｍ
ｎ−Ｚ ｎ −Ｃ。 フェライトへのＮｉの添加による特性変化を示す図、第
４図は、Ｌｉ−Ｍｎ−ＺｎフェライトへのＣｏとＮｉの
同添加の場合の温度特性の変化を示す図、第５図から第
７図は、本発明の実施例の特性を示す図で、第５図はＢ
ｉ２０３の添加量による特性の変化を示す図、第６図
はｖ２０５の添加量による特性の変化を示す図、第７図
はＢ Ｉ ２０ ＋■２０５の添加による特性の変化を
示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化鉄（Ｆｅ２０３ ） ７０〜８０モ／Ｌ／％
、酸化リチウム（Ｌ ｌ ２０ ） ７〜２０モル係、
および酸化マンガン（ＭｎＯ）６〜２５モル係で合計が
１００モルφとなるように選んだフェライト構成成分に
酸化亜鉛（ＺｎＯ）２〜２０モル条、酸化コバルト（Ｃ
ｏｄ）０〜１．７モル％（０を含まず）および酸化ニッ
ケル（Ｎｉｐ）Ｏ〜３モル’％（Ｏを含まず）を添加し
７たリチウム・マンガン・亜鉛・コバルトニッケルフェ
ライトに、副成分として酸化バナジウム（ｖ２ｏ５）
０．０１−０．０３ｗｔ ％ａよび酸化ビスマス（Ｂｔ
２０３）０．０１〜０．６ｖｖｔ ％の少くとも一力を
添加（但し複合添加の場合は合量は０．０１〜ｏ、７ｗ
ｔ％とする。 ）したことを特徴とする矩形履歴曲線を有する磁性材料
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53007848A JPS5846472B2 (ja) | 1978-01-28 | 1978-01-28 | 矩形履歴曲線を有する磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53007848A JPS5846472B2 (ja) | 1978-01-28 | 1978-01-28 | 矩形履歴曲線を有する磁性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54101810A JPS54101810A (en) | 1979-08-10 |
| JPS5846472B2 true JPS5846472B2 (ja) | 1983-10-17 |
Family
ID=11677032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53007848A Expired JPS5846472B2 (ja) | 1978-01-28 | 1978-01-28 | 矩形履歴曲線を有する磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846472B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK150291A (da) * | 1991-08-23 | 1993-02-24 | Ferroperm Components Aps | Chiptransformer og fremgangsmaade til fremstilling af samme |
-
1978
- 1978-01-28 JP JP53007848A patent/JPS5846472B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54101810A (en) | 1979-08-10 |
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