JPS5932880B2 - Ｅｌ表示パネル - Google Patents
Ｅｌ表示パネルInfo
- Publication number
- JPS5932880B2 JPS5932880B2 JP56008284A JP828481A JPS5932880B2 JP S5932880 B2 JPS5932880 B2 JP S5932880B2 JP 56008284 A JP56008284 A JP 56008284A JP 828481 A JP828481 A JP 828481A JP S5932880 B2 JPS5932880 B2 JP S5932880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- layer
- display panel
- glass substrate
- base layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロルミネッセンス（以下ＥＬと略称す
る）表示パネルに関し、特に低電圧駆動化を図つたＥＬ
表示パネルの改良に関するものである。
る）表示パネルに関し、特に低電圧駆動化を図つたＥＬ
表示パネルの改良に関するものである。
近年、ＥＬ層を誘電体層でサンドイッチ状にはさんだ、
いわゆる二重絶縁膜三層構造で構成したＥＬ表示パネル
が開発、実用化されている。
いわゆる二重絶縁膜三層構造で構成したＥＬ表示パネル
が開発、実用化されている。
このようなＥＬ表示パネルの低電圧駆動化を図る一手段
として誘電体層をチタン酸鉛（ＰｂＴｉｏ３）のような
強誘電体物質で形成して、ＥＬ層に印加される電圧を実
質的に大きくするという方法が採られている。このよう
なＥＬ表示パネルの構成は一般に第１図に示すように絶
縁基板として透明ガラス基板１を用い、そのガラス基板
１上に線状の例えば酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）から
なる透明電極２を平行に多数配設し、それら透明電極２
表面を含むガラス基板１表面に誘電体層３を介してＥＬ
層４を形成し、さらに該ＥＬ層４上に誘電体層５を介し
て線状の例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる背面電極
６を前記透明電極２と直交する関係で配設してある。
として誘電体層をチタン酸鉛（ＰｂＴｉｏ３）のような
強誘電体物質で形成して、ＥＬ層に印加される電圧を実
質的に大きくするという方法が採られている。このよう
なＥＬ表示パネルの構成は一般に第１図に示すように絶
縁基板として透明ガラス基板１を用い、そのガラス基板
１上に線状の例えば酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）から
なる透明電極２を平行に多数配設し、それら透明電極２
表面を含むガラス基板１表面に誘電体層３を介してＥＬ
層４を形成し、さらに該ＥＬ層４上に誘電体層５を介し
て線状の例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる背面電極
６を前記透明電極２と直交する関係で配設してある。
そして透明電極２と背面電極６との間に選択的に電圧を
印加することにより、その交点部のＥＬ層４が発光する
ことを利用して所望の形象を表示するようになつている
。ところで誘電体層３、５をＰｂＴｉＯ３のような強誘
電体物質で構成する場合、その成膜は通常、高周波スパ
ッタリング法が用いられる。
印加することにより、その交点部のＥＬ層４が発光する
ことを利用して所望の形象を表示するようになつている
。ところで誘電体層３、５をＰｂＴｉＯ３のような強誘
電体物質で構成する場合、その成膜は通常、高周波スパ
ッタリング法が用いられる。
ところが特にＰｂＴｉＯ３からなる誘電体層３をこのよ
うなスパッタリング法で形成すると透明電極２上には透
明なＰｂＴｉ０３からなる誘電体層３が成膜されるが、
ガラス基板１表面に直接接して成膜されたＰｂＴｉ０３
からなる誘電体層３はどうしても失透し易い。そこでこ
のような誘電体層３の失透領域を調査した結果、その領
域の膜表面に凹凸の存在することが確認され、その凹凸
の深さは、深いもので膜厚と同程度（例えば数１０００
λ）に達するものもあることが判明した。しかるにこの
ような表面に凹凸の存在する誘電体層３上にＦＬ層４、
誘電体層５を順次形成し、さらに誘電体層５上に背面電
極６を蒸着して形成すると、誘電体層３の凹凸がその上
に形成される各膜に影響を及ぼすこととなり、最終的に
は背面電極６の断線や断線に到らなくでも抵抗の増大等
の障害を招くといつた欠点があつた。本発明は前述の点
に鑑みなされたもので、その目的は強誘電体物質からな
る誘電体層表面の凹凸の発生を防止し、もつて低電圧駆
動可能な構成のＥＬ表示パネルを提供することであり、
その特徴は絶縁基板上に所定パターンの電極と、該電極
上に形成した誘電体層と、誘電体層上に形成したＥＬ層
をそなえてなる構成において、前記絶縁基板の少なくと
も前記誘電体層と接する表面に耐熱性酸化物質からなる
絶縁体下地層を介在せしめたところにある。
うなスパッタリング法で形成すると透明電極２上には透
明なＰｂＴｉ０３からなる誘電体層３が成膜されるが、
ガラス基板１表面に直接接して成膜されたＰｂＴｉ０３
からなる誘電体層３はどうしても失透し易い。そこでこ
のような誘電体層３の失透領域を調査した結果、その領
域の膜表面に凹凸の存在することが確認され、その凹凸
の深さは、深いもので膜厚と同程度（例えば数１０００
λ）に達するものもあることが判明した。しかるにこの
ような表面に凹凸の存在する誘電体層３上にＦＬ層４、
誘電体層５を順次形成し、さらに誘電体層５上に背面電
極６を蒸着して形成すると、誘電体層３の凹凸がその上
に形成される各膜に影響を及ぼすこととなり、最終的に
は背面電極６の断線や断線に到らなくでも抵抗の増大等
の障害を招くといつた欠点があつた。本発明は前述の点
に鑑みなされたもので、その目的は強誘電体物質からな
る誘電体層表面の凹凸の発生を防止し、もつて低電圧駆
動可能な構成のＥＬ表示パネルを提供することであり、
その特徴は絶縁基板上に所定パターンの電極と、該電極
上に形成した誘電体層と、誘電体層上に形成したＥＬ層
をそなえてなる構成において、前記絶縁基板の少なくと
も前記誘電体層と接する表面に耐熱性酸化物質からなる
絶縁体下地層を介在せしめたところにある。
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する〇第
２図は本発明によるＥＬ表示パネルの一実施例の構造を
説明するための要部模型断面図であつて、第１図と同等
部分には同一符号を付した。
２図は本発明によるＥＬ表示パネルの一実施例の構造を
説明するための要部模型断面図であつて、第１図と同等
部分には同一符号を付した。
同図において１はガラス基板であつて、そのガラス基板
１上には耐熱性酸化物質からなる絶縁体下地層７が形成
してある。そしてその下地層７上には、従来のＥＬ表示
パネルと同じく、Ｉｎ２Ｏ３等の線状の透明電極２を配
設し、その透明電極２表面を含む下地層７表面にＰｂＴ
ｉＯ３等の強誘電体物質からなる誘電体層３（例えば層
厚４０００λ）を介してマンガンを添加した硫化亜鉛（
ＺｎＳ：Ｍｎ）のようなＥＬ材料からなるＥＬ層４（例
えば層厚５０００λ）が形成してある。そしてさらにそ
のＥＬ層４上に例えば層厚４０００λ程度の誘電体層５
（ＰｂＴｉＯ等）を介してＡｌからなる線状の背面電極
６が前記透明電極２と直交する関係で配設してある。図
からも明らかなように本発明によるＥＬ表示パネルの従
来のものと異なる点はガラス基板１上にあらかじめ耐熱
性酸化物質からなる絶縁体下地層７を設けたところにあ
る。この下地層７は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ
３）からなり、あらかじめガラス基板１表面に蒸看法あ
るいはスパツタリング法によつて例えば層厚５０００人
程度で成膜したものである。このようにガラス基板１表
面にＡｌ２Ｏ３からなる下地層７を形成してガラス基板
１と誘電体層３とが直接接しないようにしておくことに
より、ＰｂＴｉＯ３からなる誘電体層３をスパツタリン
グ法で成膜する際、従来ガラス基板１上に直接成膜した
場合に生じていた誘電体層３表面の凹凸もなく、透明で
均質なＰｂＴｉＯ３膜を得ることが可能であることが判
明した。しかるにこのような表面に凹凸のない均質な誘
電体層３上に順次形成されるＥＬ層４、誘電体層５およ
び背面電極６等は凹凸もなく均質に形成することができ
るのである。その結果従来ガラス基板１上に直接成膜し
た領域に生じていた誘電体層３の凹凸に起因する背面電
極６の断線や抵抗の増大等の障害を除去することができ
る。また第３図は本発明によるＥＬ表示パネルのその他
の実施例の構造を示す要部模型断面図であつて第２図と
同等部分には同一符号を付した。
１上には耐熱性酸化物質からなる絶縁体下地層７が形成
してある。そしてその下地層７上には、従来のＥＬ表示
パネルと同じく、Ｉｎ２Ｏ３等の線状の透明電極２を配
設し、その透明電極２表面を含む下地層７表面にＰｂＴ
ｉＯ３等の強誘電体物質からなる誘電体層３（例えば層
厚４０００λ）を介してマンガンを添加した硫化亜鉛（
ＺｎＳ：Ｍｎ）のようなＥＬ材料からなるＥＬ層４（例
えば層厚５０００λ）が形成してある。そしてさらにそ
のＥＬ層４上に例えば層厚４０００λ程度の誘電体層５
（ＰｂＴｉＯ等）を介してＡｌからなる線状の背面電極
６が前記透明電極２と直交する関係で配設してある。図
からも明らかなように本発明によるＥＬ表示パネルの従
来のものと異なる点はガラス基板１上にあらかじめ耐熱
性酸化物質からなる絶縁体下地層７を設けたところにあ
る。この下地層７は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ
３）からなり、あらかじめガラス基板１表面に蒸看法あ
るいはスパツタリング法によつて例えば層厚５０００人
程度で成膜したものである。このようにガラス基板１表
面にＡｌ２Ｏ３からなる下地層７を形成してガラス基板
１と誘電体層３とが直接接しないようにしておくことに
より、ＰｂＴｉＯ３からなる誘電体層３をスパツタリン
グ法で成膜する際、従来ガラス基板１上に直接成膜した
場合に生じていた誘電体層３表面の凹凸もなく、透明で
均質なＰｂＴｉＯ３膜を得ることが可能であることが判
明した。しかるにこのような表面に凹凸のない均質な誘
電体層３上に順次形成されるＥＬ層４、誘電体層５およ
び背面電極６等は凹凸もなく均質に形成することができ
るのである。その結果従来ガラス基板１上に直接成膜し
た領域に生じていた誘電体層３の凹凸に起因する背面電
極６の断線や抵抗の増大等の障害を除去することができ
る。また第３図は本発明によるＥＬ表示パネルのその他
の実施例の構造を示す要部模型断面図であつて第２図と
同等部分には同一符号を付した。
この実施例においてはガラス基板１上に透明電極２を配
設し、その透明電極２表面を含むガラス基板１表面にＡ
ｌ２Ｏ３からなる下地層７が形成してある。この下地層
７は前述の実施例と同様に蒸着法あるいはスパツタリン
グ法によつて例えば層厚１００人〜５００人で成膜した
ものであり、その下地層７の層厚はＥＬ層４の層厚に比
べて充分薄くしてあるので，駆動電圧の上昇に対する影
響は極めて少ない。そしてこの実施例においてもガラス
基板１と誘電体層３との間に下地層７が形成してあるの
で、誘電体層３はその表面の凹凸もなく均質に成膜でき
る。なおＡｌ２Ｏ３からなる下地層７をスパツタリング
法で形成すれば、その下地層７上に形成するＰｂＴｉＯ
３からなる誘電体層３と同一のスパツタ装置内でターゲ
ツトを切替えるだけで連続的に形成することができ、成
膜工程の複雑化を避けることもできる。かくして本発明
によれば、従来ガラス基板１上に直接成嘆した領域に生
じていた誘電体層３の凹凸に起因する背面電極６の断線
や抵抗の増大等の障害を除去することができ、ＰｂＴｉ
Ｏ３等の強誘電体物質を用いた低電圧駆動可能なＥＬ表
示パネルを容易に実現できる利点がある。
設し、その透明電極２表面を含むガラス基板１表面にＡ
ｌ２Ｏ３からなる下地層７が形成してある。この下地層
７は前述の実施例と同様に蒸着法あるいはスパツタリン
グ法によつて例えば層厚１００人〜５００人で成膜した
ものであり、その下地層７の層厚はＥＬ層４の層厚に比
べて充分薄くしてあるので，駆動電圧の上昇に対する影
響は極めて少ない。そしてこの実施例においてもガラス
基板１と誘電体層３との間に下地層７が形成してあるの
で、誘電体層３はその表面の凹凸もなく均質に成膜でき
る。なおＡｌ２Ｏ３からなる下地層７をスパツタリング
法で形成すれば、その下地層７上に形成するＰｂＴｉＯ
３からなる誘電体層３と同一のスパツタ装置内でターゲ
ツトを切替えるだけで連続的に形成することができ、成
膜工程の複雑化を避けることもできる。かくして本発明
によれば、従来ガラス基板１上に直接成嘆した領域に生
じていた誘電体層３の凹凸に起因する背面電極６の断線
や抵抗の増大等の障害を除去することができ、ＰｂＴｉ
Ｏ３等の強誘電体物質を用いた低電圧駆動可能なＥＬ表
示パネルを容易に実現できる利点がある。
なお前述の実施例では下地層７をＡｌ２Ｏ３で形成した
場合について述べたが、それに限らず酸化イツトリウム
（Ｙ２Ｏ３）や酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等のその他
の耐熱性酸化物質で形成することもできるし、また下地
層７をガラス基板１と誘電体層３との間にのみ形成する
ことも勿論可能である。
場合について述べたが、それに限らず酸化イツトリウム
（Ｙ２Ｏ３）や酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等のその他
の耐熱性酸化物質で形成することもできるし、また下地
層７をガラス基板１と誘電体層３との間にのみ形成する
ことも勿論可能である。
第１図は従来のＥＬ表示パネル構造を説明するための要
部模型断面図、第２図は本発明によるＥＬ表示パネルの
第１の実施例を説明するための要部模型断面図、第３図
は本発明によるＥＬ表示パネルの第２の実施例の構造を
示す要部模型断面図である〇１：ガラス基板、 ２，６：電極、 ５：誘電 体層、 ７：耐熱性酸化物質からなる絶縁体下地層。
部模型断面図、第２図は本発明によるＥＬ表示パネルの
第１の実施例を説明するための要部模型断面図、第３図
は本発明によるＥＬ表示パネルの第２の実施例の構造を
示す要部模型断面図である〇１：ガラス基板、 ２，６：電極、 ５：誘電 体層、 ７：耐熱性酸化物質からなる絶縁体下地層。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に所定パターンの電極と、該電極上に形
成した誘電体層と、誘電体層上に形成したＥＬ層をそな
えてなる構成において、前記絶縁基板の少なくとも前記
誘電体層と接する表面に耐熱性酸化物質からなる絶縁体
下地層を介在せしめたことを特徴とするＥＬ表示パネル
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56008284A JPS5932880B2 (ja) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | Ｅｌ表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56008284A JPS5932880B2 (ja) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | Ｅｌ表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57121195A JPS57121195A (en) | 1982-07-28 |
| JPS5932880B2 true JPS5932880B2 (ja) | 1984-08-11 |
Family
ID=11688873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56008284A Expired JPS5932880B2 (ja) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | Ｅｌ表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932880B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60148884U (ja) * | 1984-03-06 | 1985-10-03 | 富士重工業株式会社 | フインチユ−ブ型熱交換器 |
-
1981
- 1981-01-21 JP JP56008284A patent/JPS5932880B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60148884U (ja) * | 1984-03-06 | 1985-10-03 | 富士重工業株式会社 | フインチユ−ブ型熱交換器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57121195A (en) | 1982-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08287833A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPS5932880B2 (ja) | Ｅｌ表示パネル | |
| JPH0155757B2 (ja) | ||
| JPH05217673A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS6247357B2 (ja) | ||
| JPS6359519B2 (ja) | ||
| JPS5986194A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH04141983A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2803803B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPS6262436B2 (ja) | ||
| JPS6147096A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS62115694A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6215964Y2 (ja) | ||
| JPS6161239B2 (ja) | ||
| JP2773773B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPH01146290A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63250090A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH05205874A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPS62150690A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS60257096A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63186292A (ja) | 薄膜ｅｌ表示デバイス | |
| JPS63224192A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH04115492A (ja) | エレクトロルミネセンスパネル | |
| JPS62126592A (ja) | Ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPH0521164A (ja) | 薄膜ｅｌパネル |