JPS5932880B2 - EL display panel - Google Patents
EL display panelInfo
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- JPS5932880B2 JPS5932880B2 JP56008284A JP828481A JPS5932880B2 JP S5932880 B2 JPS5932880 B2 JP S5932880B2 JP 56008284 A JP56008284 A JP 56008284A JP 828481 A JP828481 A JP 828481A JP S5932880 B2 JPS5932880 B2 JP S5932880B2
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- layer
- display panel
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロルミネッセンス(以下ELと略称す
る)表示パネルに関し、特に低電圧駆動化を図つたEL
表示パネルの改良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an electroluminescent (hereinafter abbreviated as EL) display panel, and particularly to an EL display panel that is driven at a low voltage.
This invention relates to improvements to display panels.
近年、EL層を誘電体層でサンドイッチ状にはさんだ、
いわゆる二重絶縁膜三層構造で構成したEL表示パネル
が開発、実用化されている。In recent years, the EL layer is sandwiched between dielectric layers,
An EL display panel constructed with a so-called double-insulating three-layer structure has been developed and put into practical use.
このようなEL表示パネルの低電圧駆動化を図る一手段
として誘電体層をチタン酸鉛(PbTio3)のような
強誘電体物質で形成して、EL層に印加される電圧を実
質的に大きくするという方法が採られている。このよう
なEL表示パネルの構成は一般に第1図に示すように絶
縁基板として透明ガラス基板1を用い、そのガラス基板
1上に線状の例えば酸化インジウム(In2O3)から
なる透明電極2を平行に多数配設し、それら透明電極2
表面を含むガラス基板1表面に誘電体層3を介してEL
層4を形成し、さらに該EL層4上に誘電体層5を介し
て線状の例えばアルミニウム(Al)からなる背面電極
6を前記透明電極2と直交する関係で配設してある。One way to drive such an EL display panel at a low voltage is to form the dielectric layer with a ferroelectric material such as lead titanate (PbTio3), thereby substantially increasing the voltage applied to the EL layer. The method is being adopted. The structure of such an EL display panel generally uses a transparent glass substrate 1 as an insulating substrate, as shown in FIG. A large number of transparent electrodes 2 are arranged.
EL is applied to the surface of the glass substrate 1 including the surface via a dielectric layer 3.
A layer 4 is formed, and a linear back electrode 6 made of, for example, aluminum (Al) is disposed on the EL layer 4 via a dielectric layer 5 in a relationship perpendicular to the transparent electrode 2.
そして透明電極2と背面電極6との間に選択的に電圧を
印加することにより、その交点部のEL層4が発光する
ことを利用して所望の形象を表示するようになつている
。ところで誘電体層3、5をPbTiO3のような強誘
電体物質で構成する場合、その成膜は通常、高周波スパ
ッタリング法が用いられる。By selectively applying a voltage between the transparent electrode 2 and the back electrode 6, the EL layer 4 at the intersection point emits light to display a desired image. By the way, when the dielectric layers 3 and 5 are composed of a ferroelectric material such as PbTiO3, a high frequency sputtering method is usually used for film formation.
ところが特にPbTiO3からなる誘電体層3をこのよ
うなスパッタリング法で形成すると透明電極2上には透
明なPbTi03からなる誘電体層3が成膜されるが、
ガラス基板1表面に直接接して成膜されたPbTi03
からなる誘電体層3はどうしても失透し易い。そこでこ
のような誘電体層3の失透領域を調査した結果、その領
域の膜表面に凹凸の存在することが確認され、その凹凸
の深さは、深いもので膜厚と同程度(例えば数1000
λ)に達するものもあることが判明した。しかるにこの
ような表面に凹凸の存在する誘電体層3上にFL層4、
誘電体層5を順次形成し、さらに誘電体層5上に背面電
極6を蒸着して形成すると、誘電体層3の凹凸がその上
に形成される各膜に影響を及ぼすこととなり、最終的に
は背面電極6の断線や断線に到らなくでも抵抗の増大等
の障害を招くといつた欠点があつた。本発明は前述の点
に鑑みなされたもので、その目的は強誘電体物質からな
る誘電体層表面の凹凸の発生を防止し、もつて低電圧駆
動可能な構成のEL表示パネルを提供することであり、
その特徴は絶縁基板上に所定パターンの電極と、該電極
上に形成した誘電体層と、誘電体層上に形成したEL層
をそなえてなる構成において、前記絶縁基板の少なくと
も前記誘電体層と接する表面に耐熱性酸化物質からなる
絶縁体下地層を介在せしめたところにある。However, especially when the dielectric layer 3 made of PbTiO3 is formed by such a sputtering method, the dielectric layer 3 made of transparent PbTiO3 is formed on the transparent electrode 2;
PbTi03 deposited in direct contact with the surface of the glass substrate 1
The dielectric layer 3 made of the above-mentioned material tends to devitrify easily. As a result of investigating such a devitrification region of the dielectric layer 3, it was confirmed that there were irregularities on the film surface in that region, and the depth of the irregularities was as deep as the film thickness (for example, several 1000
It was found that some of them reached λ). However, on the dielectric layer 3 which has such an uneven surface, the FL layer 4,
When the dielectric layer 5 is sequentially formed and the back electrode 6 is further formed by vapor deposition on the dielectric layer 5, the unevenness of the dielectric layer 3 will affect each film formed thereon, and the final However, there was a drawback that the back electrode 6 could become disconnected, or even if the disconnection did not occur, it would cause problems such as an increase in resistance. The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and its object is to provide an EL display panel having a structure that prevents the occurrence of unevenness on the surface of a dielectric layer made of a ferroelectric material and can be driven at a low voltage. and
The feature is that in a structure comprising an electrode in a predetermined pattern on an insulating substrate, a dielectric layer formed on the electrode, and an EL layer formed on the dielectric layer, at least the dielectric layer of the insulating substrate An insulating underlayer made of a heat-resistant oxide material is interposed on the contacting surfaces.
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する〇第
2図は本発明によるEL表示パネルの一実施例の構造を
説明するための要部模型断面図であつて、第1図と同等
部分には同一符号を付した。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Figure 2 is a sectional view of a main part model for explaining the structure of an embodiment of an EL display panel according to the present invention, and is equivalent to Figure 1. Parts are given the same reference numerals.
同図において1はガラス基板であつて、そのガラス基板
1上には耐熱性酸化物質からなる絶縁体下地層7が形成
してある。そしてその下地層7上には、従来のEL表示
パネルと同じく、In2O3等の線状の透明電極2を配
設し、その透明電極2表面を含む下地層7表面にPbT
iO3等の強誘電体物質からなる誘電体層3(例えば層
厚4000λ)を介してマンガンを添加した硫化亜鉛(
ZnS:Mn)のようなEL材料からなるEL層4(例
えば層厚5000λ)が形成してある。そしてさらにそ
のEL層4上に例えば層厚4000λ程度の誘電体層5
(PbTiO等)を介してAlからなる線状の背面電極
6が前記透明電極2と直交する関係で配設してある。図
からも明らかなように本発明によるEL表示パネルの従
来のものと異なる点はガラス基板1上にあらかじめ耐熱
性酸化物質からなる絶縁体下地層7を設けたところにあ
る。この下地層7は例えば酸化アルミニウム(Al2O
3)からなり、あらかじめガラス基板1表面に蒸看法あ
るいはスパツタリング法によつて例えば層厚5000人
程度で成膜したものである。このようにガラス基板1表
面にAl2O3からなる下地層7を形成してガラス基板
1と誘電体層3とが直接接しないようにしておくことに
より、PbTiO3からなる誘電体層3をスパツタリン
グ法で成膜する際、従来ガラス基板1上に直接成膜した
場合に生じていた誘電体層3表面の凹凸もなく、透明で
均質なPbTiO3膜を得ることが可能であることが判
明した。しかるにこのような表面に凹凸のない均質な誘
電体層3上に順次形成されるEL層4、誘電体層5およ
び背面電極6等は凹凸もなく均質に形成することができ
るのである。その結果従来ガラス基板1上に直接成膜し
た領域に生じていた誘電体層3の凹凸に起因する背面電
極6の断線や抵抗の増大等の障害を除去することができ
る。また第3図は本発明によるEL表示パネルのその他
の実施例の構造を示す要部模型断面図であつて第2図と
同等部分には同一符号を付した。In the figure, reference numeral 1 denotes a glass substrate, on which an insulating base layer 7 made of a heat-resistant oxidizing substance is formed. A linear transparent electrode 2 made of In2O3 or the like is disposed on the base layer 7, as in the conventional EL display panel, and the surface of the base layer 7 including the surface of the transparent electrode 2 is covered with PbT.
Zinc sulfide to which manganese is added is formed through a dielectric layer 3 (for example, layer thickness 4000λ) made of a ferroelectric material such as iO3.
An EL layer 4 (for example, layer thickness 5000λ) made of an EL material such as ZnS:Mn) is formed. Further, on the EL layer 4, a dielectric layer 5 having a layer thickness of about 4000λ, for example.
A linear back electrode 6 made of Al (such as PbTiO) is disposed perpendicularly to the transparent electrode 2. As is clear from the figure, the EL display panel according to the present invention differs from the conventional one in that an insulating base layer 7 made of a heat-resistant oxidizing material is provided on the glass substrate 1 in advance. This base layer 7 is made of, for example, aluminum oxide (Al2O
3), which is formed in advance on the surface of the glass substrate 1 by a steaming method or a sputtering method to a thickness of, for example, about 5,000 layers. By forming the base layer 7 made of Al2O3 on the surface of the glass substrate 1 in this way to prevent the glass substrate 1 and the dielectric layer 3 from coming into direct contact with each other, the dielectric layer 3 made of PbTiO3 can be formed by sputtering. It has been found that during film formation, it is possible to obtain a transparent and homogeneous PbTiO3 film without any unevenness on the surface of the dielectric layer 3, which occurs when the film is conventionally formed directly on the glass substrate 1. However, the EL layer 4, dielectric layer 5, back electrode 6, etc., which are sequentially formed on the homogeneous dielectric layer 3 with no surface irregularities, can be formed uniformly without any irregularities. As a result, it is possible to eliminate problems such as disconnection of the back electrode 6 and an increase in resistance caused by unevenness of the dielectric layer 3, which conventionally occurred in a region where a film was directly formed on the glass substrate 1. Further, FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing the structure of another embodiment of the EL display panel according to the present invention, and the same parts as in FIG. 2 are given the same reference numerals.
この実施例においてはガラス基板1上に透明電極2を配
設し、その透明電極2表面を含むガラス基板1表面にA
l2O3からなる下地層7が形成してある。この下地層
7は前述の実施例と同様に蒸着法あるいはスパツタリン
グ法によつて例えば層厚100人〜500人で成膜した
ものであり、その下地層7の層厚はEL層4の層厚に比
べて充分薄くしてあるので,駆動電圧の上昇に対する影
響は極めて少ない。そしてこの実施例においてもガラス
基板1と誘電体層3との間に下地層7が形成してあるの
で、誘電体層3はその表面の凹凸もなく均質に成膜でき
る。なおAl2O3からなる下地層7をスパツタリング
法で形成すれば、その下地層7上に形成するPbTiO
3からなる誘電体層3と同一のスパツタ装置内でターゲ
ツトを切替えるだけで連続的に形成することができ、成
膜工程の複雑化を避けることもできる。かくして本発明
によれば、従来ガラス基板1上に直接成嘆した領域に生
じていた誘電体層3の凹凸に起因する背面電極6の断線
や抵抗の増大等の障害を除去することができ、PbTi
O3等の強誘電体物質を用いた低電圧駆動可能なEL表
示パネルを容易に実現できる利点がある。In this embodiment, a transparent electrode 2 is disposed on a glass substrate 1, and A
A base layer 7 made of l2O3 is formed. This base layer 7 is formed to a thickness of, for example, 100 to 500 layers by vapor deposition or sputtering in the same manner as in the previous embodiment, and the thickness of the base layer 7 is the same as that of the EL layer 4. Since it is made sufficiently thinner than that, the influence of increase in drive voltage is extremely small. Also in this embodiment, since the base layer 7 is formed between the glass substrate 1 and the dielectric layer 3, the dielectric layer 3 can be formed uniformly without any unevenness on its surface. Note that if the base layer 7 made of Al2O3 is formed by sputtering, the PbTiO formed on the base layer 7 will be
The dielectric layer 3 consisting of the dielectric layer 3 can be formed continuously by simply changing the target within the same sputtering apparatus, and the complication of the film forming process can also be avoided. Thus, according to the present invention, it is possible to eliminate problems such as disconnection of the back electrode 6 and increase in resistance caused by unevenness of the dielectric layer 3, which conventionally occurred in areas directly formed on the glass substrate 1. PbTi
There is an advantage that an EL display panel using a ferroelectric material such as O3 and capable of being driven at a low voltage can be easily realized.
なお前述の実施例では下地層7をAl2O3で形成した
場合について述べたが、それに限らず酸化イツトリウム
(Y2O3)や酸化マグネシウム(MgO)等のその他
の耐熱性酸化物質で形成することもできるし、また下地
層7をガラス基板1と誘電体層3との間にのみ形成する
ことも勿論可能である。In the above-mentioned embodiment, the case where the base layer 7 is formed of Al2O3 is described, but the base layer 7 is not limited to this, and may be formed of other heat-resistant oxide materials such as yttrium oxide (Y2O3) or magnesium oxide (MgO). Furthermore, it is of course possible to form the base layer 7 only between the glass substrate 1 and the dielectric layer 3.
第1図は従来のEL表示パネル構造を説明するための要
部模型断面図、第2図は本発明によるEL表示パネルの
第1の実施例を説明するための要部模型断面図、第3図
は本発明によるEL表示パネルの第2の実施例の構造を
示す要部模型断面図である〇1:ガラス基板、
2,6:電極、
5:誘電
体層、
7:耐熱性酸化物質からなる絶縁体下地層。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part model for explaining a conventional EL display panel structure, FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part model for explaining a first embodiment of an EL display panel according to the present invention, and FIG. The figure is a cross-sectional view of a main part showing the structure of the second embodiment of the EL display panel according to the present invention.〇1: Glass substrate, 2, 6: Electrodes, 5: Dielectric layer, 7: Made of heat-resistant oxide material An insulating base layer.
Claims (1)
成した誘電体層と、誘電体層上に形成したEL層をそな
えてなる構成において、前記絶縁基板の少なくとも前記
誘電体層と接する表面に耐熱性酸化物質からなる絶縁体
下地層を介在せしめたことを特徴とするEL表示パネル
。1. In a structure comprising an electrode in a predetermined pattern on an insulating substrate, a dielectric layer formed on the electrode, and an EL layer formed on the dielectric layer, at least the surface of the insulating substrate in contact with the dielectric layer 1. An EL display panel characterized in that an insulating base layer made of a heat-resistant oxide material is interposed therein.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56008284A JPS5932880B2 (en) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | EL display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56008284A JPS5932880B2 (en) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | EL display panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57121195A JPS57121195A (en) | 1982-07-28 |
| JPS5932880B2 true JPS5932880B2 (en) | 1984-08-11 |
Family
ID=11688873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56008284A Expired JPS5932880B2 (en) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | EL display panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932880B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60148884U (en) * | 1984-03-06 | 1985-10-03 | 富士重工業株式会社 | Finch tube heat exchanger |
-
1981
- 1981-01-21 JP JP56008284A patent/JPS5932880B2/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60148884U (en) * | 1984-03-06 | 1985-10-03 | 富士重工業株式会社 | Finch tube heat exchanger |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57121195A (en) | 1982-07-28 |
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