JPS6262436B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6262436B2 JPS6262436B2 JP56110139A JP11013981A JPS6262436B2 JP S6262436 B2 JPS6262436 B2 JP S6262436B2 JP 56110139 A JP56110139 A JP 56110139A JP 11013981 A JP11013981 A JP 11013981A JP S6262436 B2 JPS6262436 B2 JP S6262436B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- layer
- display panel
- lower electrode
- substrate
- Prior art date
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- Expired
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロルミネツセンス（以下EL
と略称する）表示パネルに係り、特に低電圧駆動
化を図つたEL表示パネルの基板構造に関するも
のである。
と略称する）表示パネルに係り、特に低電圧駆動
化を図つたEL表示パネルの基板構造に関するも
のである。
近年、EL層を誘電体層でサンドイツチ状には
さんだ、いわゆる二重絶縁膜三層構造で構成した
EL表示パネルが開発、実用化されている。この
ようなEL表示パネルの低電圧駆動化を図る一手
段として誘電体層をチタン酸鉛（PbTiO3）のよう
な強誘電体層で形成して、EL層に印加される電
圧を実質的に大きくするという方法が採られてい
る。
さんだ、いわゆる二重絶縁膜三層構造で構成した
EL表示パネルが開発、実用化されている。この
ようなEL表示パネルの低電圧駆動化を図る一手
段として誘電体層をチタン酸鉛（PbTiO3）のよう
な強誘電体層で形成して、EL層に印加される電
圧を実質的に大きくするという方法が採られてい
る。
このようなEL表示パネルの構成は一般に第１
図に示すように透明ガラス板からなる絶縁基板１
を用い、その絶縁基板１上に例えば線状のインジ
ウム錫酸化物（ITO）からなる透明な下部電極２
を平行に多数配設し、それら下部電極２表面を含
む絶縁基板１表面にPbTiO3からなる第１の誘電
体層３を介してマンガンを添加した硫化亜鉛
（ZnS：Mn）のようなEL材料からなるEL層４を
形成し、さらに該EL層４上に例えばアルミナ
（Al2O3）からなる第２の誘電体層５を介して線状
の例えばアルミニウム（Al）の上部電極６を前
記下部電極２と直交する関係で並設してある。そ
して下部電極２と上部電極６との間に選択的に電
圧を印加することにより、その交点部のEL層４
が発光することを利用して所望の形象を絶縁基板
１側から観察するようになつている。
図に示すように透明ガラス板からなる絶縁基板１
を用い、その絶縁基板１上に例えば線状のインジ
ウム錫酸化物（ITO）からなる透明な下部電極２
を平行に多数配設し、それら下部電極２表面を含
む絶縁基板１表面にPbTiO3からなる第１の誘電
体層３を介してマンガンを添加した硫化亜鉛
（ZnS：Mn）のようなEL材料からなるEL層４を
形成し、さらに該EL層４上に例えばアルミナ
（Al2O3）からなる第２の誘電体層５を介して線状
の例えばアルミニウム（Al）の上部電極６を前
記下部電極２と直交する関係で並設してある。そ
して下部電極２と上部電極６との間に選択的に電
圧を印加することにより、その交点部のEL層４
が発光することを利用して所望の形象を絶縁基板
１側から観察するようになつている。
ところで前述のような構成のEL表示パネルの
絶縁基板１として用いるガラス板は所定の耐熱性
ならびに熱膨張係数を有し、さらに表面が平滑で
あることが必要でである。すなわち第１の誘電体
層３となるPbTiO3膜は通常高周波スパツタリン
グで成膜するのであるが、その際基板温度を600
℃程度に保持した状態で成膜することから、その
温度において変形しないような耐熱ガラス板が必
要となる。またEL層４の形成後、そのEL層を
580℃程度で熱処理つまりアニール処理するの
で、その際のEL層のクラツク等を防止するため
に熱膨張係数が40〜90（×10-7℃-1）程度のもの
が必要となる。このような耐熱性ならびに熱膨張
係数を兼備したガラス板は極めて高価であり、ま
たそのような特性を有した大形のガラス板の入手
は困難であるのが実状であつて、低電圧駆動化を
図つたEL表示パネルの低価格化ならびに大形化
の大きな障害となつていた。
絶縁基板１として用いるガラス板は所定の耐熱性
ならびに熱膨張係数を有し、さらに表面が平滑で
あることが必要でである。すなわち第１の誘電体
層３となるPbTiO3膜は通常高周波スパツタリン
グで成膜するのであるが、その際基板温度を600
℃程度に保持した状態で成膜することから、その
温度において変形しないような耐熱ガラス板が必
要となる。またEL層４の形成後、そのEL層を
580℃程度で熱処理つまりアニール処理するの
で、その際のEL層のクラツク等を防止するため
に熱膨張係数が40〜90（×10-7℃-1）程度のもの
が必要となる。このような耐熱性ならびに熱膨張
係数を兼備したガラス板は極めて高価であり、ま
たそのような特性を有した大形のガラス板の入手
は困難であるのが実状であつて、低電圧駆動化を
図つたEL表示パネルの低価格化ならびに大形化
の大きな障害となつていた。
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、その
目的は安価な絶縁基板を用いた構造の低電圧駆動
可能なEL表示パネルを提供することであり、そ
の特徴は絶縁基板上に配設した所定形状の下部電
極と、該下部電極上に対向配置した上部電極との
間にEL層をそなえてなるEL表示パネルにおい
て、前記絶縁基板をアルミナ基体上にガラス層を
積層した多層絶縁基板で構成してなるところにあ
る。
目的は安価な絶縁基板を用いた構造の低電圧駆動
可能なEL表示パネルを提供することであり、そ
の特徴は絶縁基板上に配設した所定形状の下部電
極と、該下部電極上に対向配置した上部電極との
間にEL層をそなえてなるEL表示パネルにおい
て、前記絶縁基板をアルミナ基体上にガラス層を
積層した多層絶縁基板で構成してなるところにあ
る。
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明
する。
する。
第２図は本発明によるEL表示パネルの構造を
示す要部断面図であり、１１は多層絶縁基板であ
つて、その多層絶縁基板１１上には例えばモリブ
デン（Mo）のような高融点金属からなる線状の
下部電極１２が並設され、その下部電極１２表面
を含む多層絶縁基板１１表面にはPbTiO3の第１
の誘電体層１３、ZnS：MnからなるEL層１４お
よびAl2O3からなる第２の誘電体層１５が順次積
層され、さらに誘電体層１５上にITOからなる線
状の透明な上部電極１６が前記下部電極１２と直
交する関係で並設してある。そして下部電極１２
と上部電極１６との各交点部で発光セルを画定し
ている点は従来のものと変らないが、本発明の
EL表示パネルの従来のものと大きく異なる点は
次の点である。すなわち絶縁基板として高価なガ
ラス板を用いる代りに多層絶縁基板１１を用いた
ところにある。この多層絶縁基板１１はアルミナ
基体１１ｂ上にガラス層１１ａを積層したもの
で、グレーズ被覆アルミナ基板と呼ばれてハイブ
リツド集積回路用等の基板として広く用いられて
いるものである。このようなグレーズ被覆アルミ
ナ基板は表面の平滑性ならびに耐熱性に優れかつ
熱膨張係数も40〜90（×10-7℃-1）のものが市販
されており、このような特性を有するガラス板に
比べて容易かつ安価に入手することができる。
示す要部断面図であり、１１は多層絶縁基板であ
つて、その多層絶縁基板１１上には例えばモリブ
デン（Mo）のような高融点金属からなる線状の
下部電極１２が並設され、その下部電極１２表面
を含む多層絶縁基板１１表面にはPbTiO3の第１
の誘電体層１３、ZnS：MnからなるEL層１４お
よびAl2O3からなる第２の誘電体層１５が順次積
層され、さらに誘電体層１５上にITOからなる線
状の透明な上部電極１６が前記下部電極１２と直
交する関係で並設してある。そして下部電極１２
と上部電極１６との各交点部で発光セルを画定し
ている点は従来のものと変らないが、本発明の
EL表示パネルの従来のものと大きく異なる点は
次の点である。すなわち絶縁基板として高価なガ
ラス板を用いる代りに多層絶縁基板１１を用いた
ところにある。この多層絶縁基板１１はアルミナ
基体１１ｂ上にガラス層１１ａを積層したもの
で、グレーズ被覆アルミナ基板と呼ばれてハイブ
リツド集積回路用等の基板として広く用いられて
いるものである。このようなグレーズ被覆アルミ
ナ基板は表面の平滑性ならびに耐熱性に優れかつ
熱膨張係数も40〜90（×10-7℃-1）のものが市販
されており、このような特性を有するガラス板に
比べて容易かつ安価に入手することができる。
そこで本発明においてはEL表示パネルを製作
する上で極めて好都合な特性を有する前記のよう
なグレーズ被覆アルミナ基板を多層絶縁基板１１
として用いている。ただこのような多層絶縁基板
１１のアルミナ基体１１ｂは不透明であるので、
発光セルからの光を基板１１側から取り出すこと
ができない。そこで発光セルからの光を上部電極
１６側から取り出すべく、本実施例のEL表示パ
ネルでは、上部電極１６をITOのような透明導電
膜で形成し、下部電極１２を光反射性に優れかつ
高融点の金属例えばMo膜で形成してある。
する上で極めて好都合な特性を有する前記のよう
なグレーズ被覆アルミナ基板を多層絶縁基板１１
として用いている。ただこのような多層絶縁基板
１１のアルミナ基体１１ｂは不透明であるので、
発光セルからの光を基板１１側から取り出すこと
ができない。そこで発光セルからの光を上部電極
１６側から取り出すべく、本実施例のEL表示パ
ネルでは、上部電極１６をITOのような透明導電
膜で形成し、下部電極１２を光反射性に優れかつ
高融点の金属例えばMo膜で形成してある。
かくして、絶縁基板として高価なガラス板の代
りに安価な多層絶縁基板１１を用いて、従来の製
造工程を殆んど変更することなく低電圧駆動化を
図つたEL表示パネルを安価に製作することがで
きるのである。
りに安価な多層絶縁基板１１を用いて、従来の製
造工程を殆んど変更することなく低電圧駆動化を
図つたEL表示パネルを安価に製作することがで
きるのである。
なお前述の実施例では第１の誘電体層１３を
PbTiO3で形成した場合について述べたが、それ
に限らずY2O3等のその他の誘電体層で形成して
もよく、またEL層１４を誘電体層１３および１
５でサンドイツチ状にはさんだ二重絶縁膜三層構
造で構成したEL表示パネルに限らず、EL層を下
部電極と上部電極とで直接はさんだようなDC駆
動形式のEL表示パネルに適用しても同様の効果
を得ることができる。
PbTiO3で形成した場合について述べたが、それ
に限らずY2O3等のその他の誘電体層で形成して
もよく、またEL層１４を誘電体層１３および１
５でサンドイツチ状にはさんだ二重絶縁膜三層構
造で構成したEL表示パネルに限らず、EL層を下
部電極と上部電極とで直接はさんだようなDC駆
動形式のEL表示パネルに適用しても同様の効果
を得ることができる。
以上の説明から明らかなように要するに本発明
は、絶縁基板上に配設した所定形状の下部電極
と、該下部電極上に対向配置した上部電極との間
にEL層をそなえてなるEL表示パネルにおいて、
前記絶縁基板をアルミナ基体上にガラス層を積層
した多層絶縁基板で構成するようにしたもので、
従来の高価なガラス基板の代りに安価な多層絶縁
基板を用いることにより、低電圧駆動可能なEL
表示パネルが安価に実現できる利点を有する。
は、絶縁基板上に配設した所定形状の下部電極
と、該下部電極上に対向配置した上部電極との間
にEL層をそなえてなるEL表示パネルにおいて、
前記絶縁基板をアルミナ基体上にガラス層を積層
した多層絶縁基板で構成するようにしたもので、
従来の高価なガラス基板の代りに安価な多層絶縁
基板を用いることにより、低電圧駆動可能なEL
表示パネルが安価に実現できる利点を有する。
第１図は従来のEL表示パネルの構造を説明す
るための要部断面図、第２図は本発明のEL表示
パネルの構造を説明するための要部断面図であ
る。 １：絶縁基板、２，１２：下部電極、３，５，
１３，１５：誘電体層、４，１４：EL層、６，
１６：上部電極、１１：多層絶縁基板、１１ａ：
ガラス層、１１ｂ：アルミナ基体。
るための要部断面図、第２図は本発明のEL表示
パネルの構造を説明するための要部断面図であ
る。 １：絶縁基板、２，１２：下部電極、３，５，
１３，１５：誘電体層、４，１４：EL層、６，
１６：上部電極、１１：多層絶縁基板、１１ａ：
ガラス層、１１ｂ：アルミナ基体。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に配設した所定形状の下部電極
と、該下部電極上に対向配置した上部電極との間
にEL層をそなえてなるEL表示パネルにおいて、
前記絶縁基板をアルミナ基体上にガラス層を積層
した多層絶縁基板で構成してなることを特徴とす
るEL表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56110139A JPS5812288A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | Ｅｌ表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56110139A JPS5812288A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | Ｅｌ表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812288A JPS5812288A (ja) | 1983-01-24 |
| JPS6262436B2 true JPS6262436B2 (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=14528013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56110139A Granted JPS5812288A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | Ｅｌ表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812288A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4563539B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2010-10-13 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | 複合基板およびこれを用いたｅｌ素子 |
-
1981
- 1981-07-14 JP JP56110139A patent/JPS5812288A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5812288A (ja) | 1983-01-24 |
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