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JPS6015279B2 - Maintenance drive circuit for thin film EL element with memory - Google Patents
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JPS6015279B2 - Maintenance drive circuit for thin film EL element with memory - Google Patents

Maintenance drive circuit for thin film EL element with memory

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JPS6015279B2
JPS6015279B2 JP52131672A JP13167277A JPS6015279B2 JP S6015279 B2 JPS6015279 B2 JP S6015279B2 JP 52131672 A JP52131672 A JP 52131672A JP 13167277 A JP13167277 A JP 13167277A JP S6015279 B2 JPS6015279 B2 JP S6015279B2
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voltage
thin film
thyristor
sine wave
electrode
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雅博 伊勢
憲三 稲村
勝行 町野
忠二 鈴木
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はメモリ付薄膜EL素子を維持駆動する回路に関
し、特に維持駆動回路をサィリスタによって構成するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a circuit for sustaining and driving a thin film EL element with a memory, and in particular, the sustaining drive circuit is constituted by a thyristor.

メモリ付薄膜ELマトリックス素子の構成及び特性は本
件出願人が出願した特願昭50一83767号「大容量
性表示素子の駆動回路」その他に説明したが、もう一度
簡単に説明する。
The structure and characteristics of the thin film EL matrix element with memory have been explained in Japanese Patent Application No. 50-183767 filed by the present applicant entitled "Drive Circuit for Large Capacitance Display Element" and others, but will be briefly explained again.

薄膜EL表示装置はガラス基板の上に透明電極を綿状に
配置し、この上に例えばY203、Si3N4、Ti0
2、川203等の誘電物質を、更にこの上に例えばMn
をドープしたZnS(黄燈発光)等の蟹光層を、その上
に更にY203、Si3N4、Ti02、AI203等
の誘電物質を蒸着法、スパッタ法等の薄膜技術により5
00〜10000Aの厚さに被着して2重絶縁型3層構
造にして、その上に上記透明電極と直交する方向に綿状
電極を配贋しマトリックス形電極を構成する。
In a thin film EL display device, transparent electrodes are arranged in a cotton-like manner on a glass substrate, and on this, for example, Y203, Si3N4, Ti0
2. Add a dielectric material such as Kawa 203, and then add, for example, Mn on top of this.
A dielectric layer such as ZnS (yellow light emitting) doped with ZnS (yellow light emitting) is formed on top of the dielectric layer, such as Y203, Si3N4, Ti02, AI203, etc., using a thin film technique such as vapor deposition or sputtering.
It is deposited to a thickness of 0.00 to 10,000 A to form a double-insulated three-layer structure, and a cotton-like electrode is arranged thereon in a direction perpendicular to the transparent electrode to form a matrix electrode.

かかる構造の3層構造薄膜EL表示装置において、第1
の電極群のうちの一つと第2の電極群のうちの一つを選
び適当な交流電圧を印加すると、この南電極が交差して
挟まれた微少面積部分が発光する。これが画面の一絵素
に相当する。これの組合せによって、文字、記号模様等
を表示する。このような構造のELは輝度や寿命、安定
性の点で従来の分散型EL素子に比して優れた特性を有
しているが、このELは新たに印加電圧と発光輝度の間
にヒステリシス特性を示す。
In the three-layer thin film EL display device having such a structure, the first
When one of the electrode groups and one of the second electrode group are selected and an appropriate alternating current voltage is applied, a small area sandwiched between the south electrodes will emit light. This corresponds to one picture element on the screen. By combining these, characters, symbol patterns, etc. are displayed. EL with this structure has superior characteristics in terms of brightness, lifespan, and stability compared to conventional distributed EL elements, but this EL has a new hysteresis between applied voltage and luminance. Show characteristics.

最初電圧振幅V,のパルスを印加すると、輝度は低レベ
ルの輝度B,にある。ここで維持電圧V,は発光関値電
圧VthとするとV,>Vmである。維持電圧V,の連
続印加では輝度B,は維持される。次に書込み電圧V2
を印加すると、輝度は高レベルの輝度&まで一挙に上昇
し、以後一定時間内に電圧が維持電圧V,に再び戻して
も輝度は先の輝度B,より大きい輝度&に落着く。維持
電圧V.の連続印加では輝度B2は維持される。この状
態のとき、次に消去電圧V3を印加すると、輝度レベル
は急激に減少し、再び維持電圧V,まで戻すと前の低レ
ベルの輝度Bに落着く。この履歴現象は書き込み雷圧の
振幅やパルス幅(図示せず)、パルス周波数に応じて任
意の4〉レープをとりうる。即ち中間鋼の表示も可能で
ある。このように一度書込み電圧、又は消去電圧を与え
ると、各絵素は維持パルスによってそれぞれ与えられた
階調を失わずに発光し続けるのが、このEL表示装置の
他の表示装置に無い大きな特徴である。上記の各電圧は
組成や濃厚の物理条件や製造条件、印加波形により大分
異なるが、因みにある試作例ではVth=200V、V
,=210V、V2;210〜280V、V3=190
Vである。本発明は上記した3層構造薄膜EL表示装置
の維持駆動回路に関し、本発明の一実施例の回路を第1
図に示して、以下これを説明する。10は前記薄膜EL
素子であり、ここでは透明電極1 1よりなる列(X)
電極X,〜Xmと、アルミニウム電極12よりなる行(
Y)電極Y,〜Yn・のみを示す。
When first applying a pulse of voltage amplitude V, the brightness is at a low level of brightness B,. Here, the sustaining voltage V, is V,>Vm, where the light emission function voltage Vth is assumed. When the sustaining voltage V, is continuously applied, the brightness B, is maintained. Next, write voltage V2
When V is applied, the brightness increases all at once to a high level of brightness &, and even if the voltage is returned to the maintenance voltage V again within a certain period of time, the brightness settles to the previous brightness B, which is higher brightness &. Maintaining voltage V. When continuously applied, the brightness B2 is maintained. In this state, when the erase voltage V3 is applied next, the brightness level decreases rapidly, and when it is returned to the sustaining voltage V, it settles down to the previous low level of brightness B. This hysteresis phenomenon can take any 4>rape depending on the amplitude, pulse width (not shown), and pulse frequency of the written lightning pressure. That is, it is also possible to display intermediate steel. A major feature of this EL display device, which other display devices do not have, is that once a write voltage or erase voltage is applied, each picture element continues to emit light without losing the gradation given to it by the sustain pulse. It is. The above voltages vary greatly depending on the composition, intensive physical conditions, manufacturing conditions, and applied waveform, but in a prototype example, Vth = 200V, Vth
,=210V, V2; 210~280V, V3=190
It is V. The present invention relates to a sustain drive circuit for the above-mentioned three-layer structure thin film EL display device, and a circuit according to an embodiment of the present invention is provided in a first embodiment of the present invention.
This will be explained below as shown in the figure. 10 is the thin film EL
element, here a row (X) consisting of transparent electrodes 1 1
A row consisting of electrodes X, ~Xm and aluminum electrode 12 (
Y) Only electrodes Y, ~Yn· are shown.

20‘まY電極へ正の維持電圧Vs,を電源ラインAよ
り供給する回路で、サイリスタ21、パルストランス2
2よりなり、各電極Y,〜Ynとはダイオード23,・
・・・・・を介して接続する。30は×電極をアースに
導くスイッチング回路で、各電極X,〜Xmにトランジ
スタ31,・・…・がアースとの間に接続される。
20' is a circuit that supplies a positive sustaining voltage Vs to the Y electrode from power supply line A, and includes a thyristor 21 and a pulse transformer 2.
2, and each electrode Y, ~Yn is a diode 23, .
Connect via... Reference numeral 30 denotes a switching circuit that leads the x electrode to ground, and transistors 31, . . . are connected to each electrode X, to Xm and the ground.

このトランジスタのベースには、謙出し信号、書込み信
号、消去信号、維持信号が加えられる。このトランジス
タ31,・・・・・・は書込み、消去、議出し時のX電
極を選択するスイッチング素子として作用する。トラン
ジスタ31,……のコレクタヱミツタ間にトランジスタ
31の導通方向とは逆方向にダイオード32,・・・・
・・が並列接続されている。このダイオード32,・・
・・・・は維持駆動をするときに役立つ。40は全ての
×電極をアースする回路で、ラインBに加えられる維持
信号T,によって動作するサィリスタ41よりなり、各
電極X,〜Xmとはダイオード42,・・・・・・を介
して接続される。
A readout signal, a write signal, an erase signal, and a sustain signal are applied to the base of this transistor. These transistors 31, . . . act as switching elements that select the X electrode during writing, erasing, and displaying. A diode 32, . . . is connected between the collector emitters of the transistors 31, .
... are connected in parallel. This diode 32...
... is useful when performing maintenance drive. Reference numeral 40 designates a circuit for grounding all the X electrodes, which is composed of a thyristor 41 operated by a sustaining signal T applied to line B, and connected to each electrode X, ~Xm via a diode 42, . . . be done.

50は全てのY電極ひ,〜YnヘラィンCより負の維持
電圧−Vs,を供給する回路で、各電極はダイオード5
1,・・・…を介してパルストランス53より与えられ
る維持信号Lによって動作するサイリスタ52に接続さ
れる。
50 is a circuit that supplies a negative sustaining voltage -Vs from all Y electrodes H to Yn line C, and each electrode is connected to a diode 5.
1, . . . are connected to a thyristor 52 operated by a sustaining signal L given from a pulse transformer 53.

60はY電極Y,〜Ynを選択するスイッチング回路で
、各電極と電源ラインDの電圧Vwer間に高耐圧スイ
ッチングトランジスタ61,・・・・・・とダィオード
62,・・・・・・が接続され、上記トランジスタ61
は垂直バイナリアドレス信号によって制御される。
60 is a switching circuit that selects the Y electrodes Y, to Yn, and high voltage switching transistors 61, . . . and diodes 62, . . . are connected between each electrode and the voltage Vwer of the power line D. and the transistor 61
is controlled by vertical binary address signals.

上記電源ラインDには電源70が書込み電圧、消去電圧
、議出し電圧を薄膜EL素子の動作モード‘こ合わせて
選択的に出力し、上記トランジスタ61の1個を通して
選ばれたY電極の1つに上記電圧を印加する。8川ま維
持電圧をラインAとCに供給する電源トランスで、50
HZ又は60HZの単相AC電源を用いることも可能で
あり、或いは単相AC電源から周波数変換する電源を用
いることも可能である。
A power supply 70 selectively outputs a write voltage, an erase voltage, and a read voltage to the power supply line D according to the operation mode of the thin film EL element, and outputs a write voltage, an erase voltage, and a read voltage to one of the selected Y electrodes through one of the transistors 61. Apply the above voltage to . A power transformer that supplies maintenance voltage to lines A and C for 800 mA.
It is also possible to use a HZ or 60 HZ single-phase AC power supply, or it is also possible to use a power supply whose frequency is converted from a single-phase AC power supply.

周波数変換をする場合には、出力インピーダンスが低く
高変換効率の正弦波を発生する電源を用いねばならない
。この目的のために第2図に示すようにACIOOV6
0HZ(282Vpp)の電圧を整流回路101で整流
して、スイッチング回路102、フィル夕103を介し
て出力に所要周波数の正弦波出力を得る。本発明による
回路は以上のように構成され、電源トランス8川まライ
ンAとCに第3図aに示す維持電圧を持った正弦波交流
電圧を印加する。
When performing frequency conversion, it is necessary to use a power source that generates a sine wave with low output impedance and high conversion efficiency. For this purpose, ACIOOV6 is used as shown in Figure 2.
A voltage of 0 HZ (282 Vpp) is rectified by a rectifier circuit 101, and a sine wave output of a desired frequency is obtained as an output via a switching circuit 102 and a filter 103. The circuit according to the present invention is constructed as described above, and applies a sinusoidal AC voltage having a maintenance voltage shown in FIG. 3a to the power transformer 8 lines A and C.

ここで正弦波交流電圧が0のとき第3図bに示す維持信
号T,が発生してサイリスタ21と41に同時に加えら
れサィリスタ21と41をオンする。このため、サイリ
スタ21からダイオード23,23,・・・・・・、Y
電極、X電極、ダイオード42,42,……、サィリス
タ41の順に電流が流れる。そして正弦波の正の半周期
が経過して薄膜EL素子に流れる電流が0になったとき
、自動的にサイリスタ21と41はその特性のためにオ
フになる。この時第3図cに示す維持信号T2をトラン
ス53を介してサイリスタ52に加え、サィリスタ52
をオンにする。ラインCには負の正弦波維持亀圧が加え
られているから、ダイオード51,51,・・・・・・
及び、×電極とアース間に接続したダイオード32,・
・・・・・を介して薄膜EL素子に前記とは逆方向の電
圧を印加する。薄膜EL素子に正弦波の負の半周期経過
したとき、再び0となるのでサィリスタ52はオフにな
る。上記動作を正弦波交流電圧の数サイクル毎に実行し
、第2図dで示すように所定の間隔で、1周期の正弦波
電圧からなる維持電圧を薄膜EL素子に印加する。なお
、×電極に接続されたトランジスタ31,……をサイリ
ス夕21,41をオンするタイミングでオンにすれば、
トランジスタ31をサイリスタ41、ダイオード42,
……に代えて用いることができ、サイリス夕41及びダ
イオード32を省略することができる。第1図の回路に
おいて、選択絵素に書込み、消去、読出し駆動をする場
合は、電源70より誓込み電圧、消去電圧、議出し電圧
をラインDに印加すると同時に、トランジスタ31,…
…、61,・・・・・・を選択的にオンして選択絵素に
所要の電圧を印加する。
Here, when the sinusoidal AC voltage is 0, a sustain signal T shown in FIG. 3B is generated and applied to the thyristors 21 and 41 at the same time, turning them on. For this reason, from the thyristor 21 to the diodes 23, 23,..., Y
Current flows through the electrode, the X electrode, the diodes 42, 42, . . . , and the thyristor 41 in this order. When the positive half cycle of the sine wave passes and the current flowing through the thin film EL element becomes 0, the thyristors 21 and 41 are automatically turned off due to their characteristics. At this time, the sustain signal T2 shown in FIG. 3c is applied to the thyristor 52 via the transformer 53,
Turn on. Since a negative sine wave maintaining pressure is applied to line C, the diodes 51, 51, . . .
and a diode 32 connected between the × electrode and the ground.
A voltage in the opposite direction to the above is applied to the thin film EL element via . When the negative half period of the sine wave has passed in the thin film EL element, the value becomes 0 again, so the thyristor 52 is turned off. The above operation is performed every few cycles of the sinusoidal AC voltage, and a sustaining voltage consisting of one cycle of the sinusoidal voltage is applied to the thin film EL element at predetermined intervals as shown in FIG. 2d. In addition, if the transistors 31, .
The transistor 31 is replaced by a thyristor 41, a diode 42,
. . . can be used instead, and the thyristor 41 and diode 32 can be omitted. In the circuit shown in FIG. 1, when writing, erasing, or reading a selected picture element, a commit voltage, an erase voltage, and a read voltage are applied from the power supply 70 to the line D, and at the same time, the transistors 31, . . .
..., 61, . . . are selectively turned on to apply a required voltage to the selected picture element.

以上のように本発明は正弦波電圧を維持駆動の電源とし
、サィリスタによって印加を制御しているから、サィリ
スタは他のスイッチング素子よりも大電流のスイッチン
グに適しており、且つサイリス外まオン動作を開始させ
るときだけにパルスを加えればよく、そしてサィリスタ
に逆電圧が加わるとき、サィリスタ自身の特性のため自
動的にオフになるので、サィリスタに加えるパルスは極
めてパルス幅の狭いパルスでよく、従ってパルス発生回
路を簡単にすることができる。
As described above, in the present invention, a sine wave voltage is used as a power source for sustaining drive, and the application is controlled by a thyristor. Therefore, the thyristor is more suitable for switching large currents than other switching elements, and the thyristor is turned on when the thyristor is turned on. It is only necessary to apply a pulse to start the thyristor, and when a reverse voltage is applied to the thyristor, it will automatically turn off due to its own characteristics, so the pulse applied to the thyristor can be a very narrow pulse; The pulse generation circuit can be simplified.

なお、本発明の上記実施例において、維持駆動は1周期
の正弦波電圧を印加しているので、この実施例によれば
消費電力が低減する理由を、以下に本件出願人が現在ま
でに提案してきたパルス維持電圧を印加して維持駆動す
る場合と比較して説明する。
In the above-mentioned embodiment of the present invention, the sustain drive applies one period of sine wave voltage, so the reason why the power consumption is reduced according to this embodiment is explained below as proposed by the applicant to date. This will be explained in comparison with the case where sustain driving is performed by applying a pulse sustaining voltage that has been previously applied.

薄膜EL素子の等価回路は、維持駆動時には全電極が同
時に駆動されるので、透明電極の合計抵抗をR、×電極
とY電極間に挟まれた絶縁層、EL層による全絵素の合
計容量をCとするとき、第4図に示すように2端子回路
網で表わすことができる。
In the equivalent circuit of a thin film EL element, all electrodes are driven simultaneously during sustain drive, so the total resistance of the transparent electrode is R, the insulating layer sandwiched between the electrode and the Y electrode, and the total capacitance of all pixels due to the EL layer. When C is denoted by C, it can be represented by a two-terminal circuit network as shown in FIG.

第4図の回路に正負の等しい振幅のパルス電圧を維持電
圧として印加したとき、1周期当りの消費電力PpはP
p=2CV費 C:全絵素の合計容量 Vo:維持パルスの電圧 となる。
When a pulse voltage of equal positive and negative amplitudes is applied as a maintenance voltage to the circuit shown in Fig. 4, the power consumption Pp per cycle is P
p=2 CV cost C: total capacity of all picture elements Vo: voltage of sustain pulse.

次に1周期の正弦波電圧を薄膜EL素子に印加したとき
は、第4図の等価回路に流れる電流をi(t)とすると
、次式が成立する。
Next, when a one-cycle sinusoidal voltage is applied to the thin film EL element, the following equation holds true, assuming that the current flowing through the equivalent circuit in FIG. 4 is i(t).

R‐i(t)+きJi(t)dt:Vがinのtの:印
加正弦波の角周波数j(0)=0のもとで上式を解くと
、 0ニねn−,一」 ■CR となり、上式の第1項は定常状態で流れる電流、第2項
は印加電圧が1周期のみ印加されるときに生じる過渡電
流である。
R-i(t)+Ji(t)dt:V is in, t: When solving the above equation under the angular frequency of the applied sine wave j(0)=0, we get 0 ni n-, 1 '' CR The first term in the above equation is the current that flows in a steady state, and the second term is the transient current that occurs when the applied voltage is applied for only one period.

正弦波印加時の1周期当りの消費電力Psはとなる。The power consumption Ps per cycle when applying a sine wave is as follows.

定常項に過渡項が加わるため、C、R、のの値によって
はパルス電圧印加の場合よりも消費電力が多くなること
もある。正弦波印加時とパルス印加時の消費電力の比器
、6インチ薄膜E螺子を駆動する場合も球めると、本発
明者等が使用した6インチ薄膜EL素子は、C:0.3
2山F、R=5.20、および維持周波数を4ooHZ
として計算すると、器8‐7刈−3となり、消費電力は
正弦波印加時の方が極めて小さい。
Since a transient term is added to the steady term, power consumption may be higher than in the case of applying a pulse voltage depending on the values of C and R. The ratio of power consumption during sine wave application and pulse application, and when driving a 6 inch thin film E screw, the 6 inch thin film EL element used by the present inventors has a C: 0.3.
2 peaks F, R = 5.20, and maintenance frequency 4ooHZ
When calculated as follows, it becomes 8-7-3, and the power consumption is extremely smaller when a sine wave is applied.

正弦波印加時にはパルス印加時のように瞬時に大電流が
流れることがないため、サィリスタのような低オン抵抗
スイッチ素子を用いることができ、このサィリスタのオ
ン抵抗はたかだかIQ程度であり、かなり小さい。
When applying a sine wave, a large current does not flow instantaneously like when applying a pulse, so a low on-resistance switching element such as a thyristor can be used, and the on-resistance of this thyristor is at most about IQ, which is quite small. .

このサィリスタ以外の部分で生じる抵抗分を最大限に大
きく見積って10oQとすると、上記電力比は器o.・
7となる。ところで正弦波電圧を印加する場合はパルス
電圧を印加する場合に比べて発光輝度が若干低下する。
If we estimate the resistance generated in parts other than this thyristor to be as large as possible and set it as 10oQ, the above power ratio will be equal to 10oQ.・
It becomes 7. By the way, when a sine wave voltage is applied, the luminance of light emission is slightly lower than when a pulse voltage is applied.

発光輝度をパルス電圧印加時と等しくするためには、正
弦波印加電圧を高くする必要がある。例えば正弦波電圧
をパルス電圧よりもピークッーピークで50%高くした
として(実際にはこれ程高くする必要‘ま側)電力地、
蔓=o‐38であり、正弦波電圧印加時の消費電力は、
最悪の場合を考えてもパルス電圧印加時の40%程度と
なる。
In order to make the luminance equal to that when a pulse voltage is applied, it is necessary to increase the sinusoidal applied voltage. For example, if the sine wave voltage is made 50% higher peak-to-peak than the pulse voltage (in reality, it is not necessary to make it this high), the power source,
The vine = o-38, and the power consumption when applying a sine wave voltage is:
Even in the worst case, it will be about 40% of the time when pulse voltage is applied.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の維持駆動方法を実施する一美施例の回
路図、第2図は別の実施例における正弦波維持電源のブ
ロックダイヤグラム、第3図は第1図の回路において維
持駆動時のタイムチャ−ト、第4図は薄膜EL素子の等
価回路図を示す。 10:薄膜ELパネル、20,40,50:維持電圧供
給回路、21,41,52:サィリス夕、80:電源ト
ランス。 第1図 第2図 第3図 第4図
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of Kazumi implementing the sustain drive method of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of a sine wave sustain power supply in another embodiment, and FIG. 3 is a sustain drive in the circuit of FIG. 1. FIG. 4 is a time chart showing an equivalent circuit diagram of a thin film EL element. 10: Thin film EL panel, 20, 40, 50: Maintenance voltage supply circuit, 21, 41, 52: Siris evening, 80: Power transformer. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 印加電圧に対する発光輝度特性にヒステリシス現象
を現わす薄膜EL素子に電圧上昇時と電圧下降時の発光
輝度の差が充分に大きい電圧を維持電圧として印加する
メモリ付薄膜EL素子の維持駆動回路において、上記維
持電圧の正弦波を発生する電源と、該電源と薄膜EL素
子の間に接続され、上記正弦波の正及び負のそれぞれ半
周期に同期してオンし、上記薄膜EL素子に正方向の維
持電圧を印加するサイリスタと、負方向の維持電圧を印
加するサイリスタとを備えてなることを特徴とするメモ
リ付薄膜EL素子の維持駆動回路。
1. In a maintenance drive circuit for a thin film EL element with a memory, which applies a voltage with a sufficiently large difference in luminance between voltage rise and voltage fall as a maintenance voltage to a thin film EL element that exhibits a hysteresis phenomenon in its luminance characteristics with respect to applied voltage. , is connected between a power supply that generates a sine wave of the maintenance voltage and the thin film EL element, and is turned on in synchronization with each positive and negative half period of the sine wave, and is connected to the thin film EL element in the positive direction. 1. A sustain drive circuit for a thin film EL element with memory, comprising: a thyristor that applies a sustain voltage of 1, and a thyristor that applies a sustain voltage in a negative direction.
JP52131672A 1977-11-01 1977-11-01 Maintenance drive circuit for thin film EL element with memory Expired JPS6015279B2 (en)

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JPS5464930A JPS5464930A (en) 1979-05-25
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB8723221D0 (en) * 1987-10-02 1987-11-04 Thames Water Authority Slow sand filters

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JPS5464930A (en) 1979-05-25

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