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JPS6019211B2 - Surge absorption circuit - Google Patents
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JPS6019211B2 - Surge absorption circuit - Google Patents

Surge absorption circuit

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Publication number
JPS6019211B2
JPS6019211B2 JP4470479A JP4470479A JPS6019211B2 JP S6019211 B2 JPS6019211 B2 JP S6019211B2 JP 4470479 A JP4470479 A JP 4470479A JP 4470479 A JP4470479 A JP 4470479A JP S6019211 B2 JPS6019211 B2 JP S6019211B2
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Japan
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capacitor
circuit
surge
parallel
surge absorption
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JP4470479A
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幹夫 住吉
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は直流電源に接続される誘導負荷の開閉時に発生
する開閉サージ電圧を吸収するために用いられるサージ
吸収回路に関するもので、誘導負荷の閉路時におけるサ
ージ吸収器への突入電流を大きく減少させ、開閉に用い
られる開閉器接点の寿命を伸ばすと同時に、大きなサー
ジ蚤力を吸収する事を可能としたサージ吸収回路を提供
しようとするものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a surge absorption circuit used to absorb switching surge voltages generated when switching an inductive load connected to a DC power supply. The purpose of the present invention is to provide a surge absorption circuit that greatly reduces the inrush current of the circuit, extends the life of the switch contacts used for switching, and at the same time absorbs large surge forces.

誘導負荷を開閉した時に、負荷両端に電源電圧の数倍か
ら1M音にも達つするサージ電力が発生し、他の回路へ
サージ電圧、あるいは高い周波数成分をもったノイズ電
圧となって伝播し、機器の機能を停止させたり、誤動作
させる事はし‘よいまある。
When an inductive load is switched on and off, a surge of power ranging from several times the power supply voltage to as high as 1M is generated across the load, and propagates to other circuits as a surge voltage or as a noise voltage with high frequency components. However, it is very likely that the equipment will stop functioning or malfunction.

また、それのみでなく、これらのサージ電圧は誘導負荷
の開閉に用いている開閉器、たとえばリレーなどの接点
寿命を縮める極めて有害な電圧である。
In addition, these surge voltages are extremely harmful voltages that shorten the life of contacts of switches, such as relays, used to switch on and off inductive loads.

このサージ電圧は、回路の開路時、誘導負荷に取り残さ
れた工ネルギ−E=芸Li2(ただし、Lは誘導負荷の
ィンダクタンス,iは遮断電流)が、負荷線間のストレ
ーキャパシタンスに充電された時に発生するものである
。このサージ電圧を吸収するために第1図に示す回路が
、従来、多く用いられてきた。
This surge voltage is caused by the fact that when the circuit is opened, the energy E = Li2 (where L is the inductance of the inductive load and i is the breaking current) left behind in the inductive load is charged to the stray capacitance between the load lines. It occurs when Conventionally, the circuit shown in FIG. 1 has been widely used to absorb this surge voltage.

図中1は直流電線、2は開閉器、3は誘導負荷、4はサ
ージ吸収器である。矢印5はサージ吸収時にサージ吸収
器4へ流れ込む電流の方向である。前記サージ吸収器4
の働きは誘導負荷3で発生したサージ電圧をより低く制
限し、他の回路へサージ電圧ならびにノイズ電圧を伝播
させないようにすると同時に、開閉器2の接点寿命を伸
ばす事である。
In the figure, 1 is a DC wire, 2 is a switch, 3 is an inductive load, and 4 is a surge absorber. Arrow 5 indicates the direction of current flowing into surge absorber 4 during surge absorption. The surge absorber 4
Its function is to limit the surge voltage generated in the inductive load 3 to a lower level, prevent the surge voltage and noise voltage from propagating to other circuits, and at the same time extend the life of the contacts of the switch 2.

しかしながら、これらの目的で用いられてきたこれまで
のサージ吸収器あるいはサージ吸収回路は十分その目的
を達する事ができていなかった。
However, conventional surge absorbers or surge absorption circuits that have been used for these purposes have not been able to fully achieve their purposes.

例えば、サージ吸収器4としてsicバリスタを用いた
場合は、通常の回路電圧における漏れ電流が大きく、ま
た制限電圧も高く十分とは言えない。CR直列複合品(
例えばC=0.01〃F.R=100Q)一般にスパー
クキラーと呼ばれているものもその制限電圧が高く十分
とは言えない。このような中から比較的新しく開発され
た回路が第2図である。
For example, when a SIC varistor is used as the surge absorber 4, the leakage current at normal circuit voltage is large, and the limiting voltage is also high, which is not sufficient. CR series composite product (
For example, C=0.01〃F. R=100Q) What is generally called a spark killer also has a high limiting voltage and cannot be said to be sufficient. A relatively newly developed circuit among these is shown in FIG.

図中6は酸化亜鉛などの金属酸化物を主体とし、その電
圧非直線指数に優れたセラミックバリスタト7はセラミ
ックあるいはポリエステルフィルムなどからなるコンデ
ンサで、前記セラミックバリスタ6と並列接続され、さ
らにこの並列回路は誘導負荷3と並列接続されてサ−ジ
吸収回路を構成している。前記サージ吸収回路の動作は
次のごとくである。
In the figure, 6 is a ceramic varistor which is mainly made of metal oxide such as zinc oxide and has an excellent voltage non-linearity index. 7 is a capacitor made of ceramic or polyester film, and is connected in parallel with the ceramic varistor 6. The circuit is connected in parallel with the inductive load 3 to form a surge absorption circuit. The operation of the surge absorption circuit is as follows.

まず、開閉器2を開路した初期の瞬間に発生する高い周
波数を有したシャワー状のサージ電圧をコンデンサ1で
吸収する。この時セラミックバリスタ6は動作しない。
これはセラミックバリスタ6がある値以下の電圧では絶
縁物として動作するためである。このシャワー状のサー
ジ電圧をコンデンサ7が吸収するため、開閉器2の接点
間には火花放電は発生しない。次に時間の経過とともに
誘導負荷3に蓄積されていたサージエネルギーがコンデ
ンサ7に充電の形で蓄積され、コンデンサ7の両端、す
なわちセラミックバリス夕6の両端の電圧が上昇しはじ
める。しかしながら、ある一定の電圧値に達つすれば、
セラミックバリス夕6は導通いまじめ、サージ電圧を制
限する。このようにしてコンデンサ7は高周波成分の吸
収と「開閉器2の接点火花放電吸収、またセラミックバ
リスタ6はサージ電圧の抑制というように、それぞれの
もつ利点を積極的に生かしたサージ吸収回路で、従来に
ない優れた特性を示すものである。しかしながら、第2
図の回路にも2つの問題点がある。一つは、開閉器2を
閉離した時に矢印8で示すルートでコンデンサ7へ比較
的大きな充電電流(突入電流)が流れ、開閉器2の接点
寿命の伸びを阻止している事、もう一つは開閉器2の闇
路時に、開閉器2の接点に火花放電が発生しないため、
誘導負荷3に蓄積されたエネルギーすべてがセラミック
バリスタ6とコンデンサ7で消愛されなければならない
事である。ところがこの場合、コンデンサ7は電力を消
費する特性を有していないため、結局セラミックバリス
タ6で全サ−ジ鰭力を消費しなければならない。実験に
よれば第2図の回路におけるセラミックバリスタ6の消
愛すべきサージエネルギー(電力)は、コンデンサ7を
用いずセラミックバリスタ6のみの場合の2倍以上にも
達し、大きな電力定格を有するセラミックバリスタ6が
必要となる。これは言い換えると、いったんコンデンサ
1に吸収されたエネルギーをもセラミックバリスタ6が
吸収しなければならない事を意味する。これらの2つの
問題点を解決したのが本発明である。
First, the capacitor 1 absorbs a shower-like surge voltage having a high frequency that occurs at the initial moment when the switch 2 is opened. At this time, the ceramic varistor 6 does not operate.
This is because the ceramic varistor 6 operates as an insulator at voltages below a certain value. Since the capacitor 7 absorbs this shower-like surge voltage, no spark discharge occurs between the contacts of the switch 2. Next, as time passes, the surge energy stored in the inductive load 3 is stored in the capacitor 7 in the form of charge, and the voltage across the capacitor 7, that is, across the ceramic ballast 6, begins to rise. However, once a certain voltage value is reached,
Ceramic burrs 6 ensures continuity and limits surge voltage. In this way, the capacitor 7 absorbs high-frequency components and the contact spark discharge of the switch 2, and the ceramic varistor 6 suppresses surge voltage. It exhibits excellent characteristics that have never existed before.However, the second
The circuit shown in the figure also has two problems. One is that a relatively large charging current (inrush current) flows to the capacitor 7 in the route shown by arrow 8 when the switch 2 is closed and released, which prevents the contact life of the switch 2 from increasing. One is that no spark discharge occurs at the contacts of the switch 2 when the switch 2 is in the dark.
All of the energy stored in the inductive load 3 must be dissipated by the ceramic varistor 6 and capacitor 7. However, in this case, since the capacitor 7 does not have the characteristic of consuming power, the entire surge force must be consumed by the ceramic varistor 6 after all. According to experiments, the surge energy (power) that must be dissipated by the ceramic varistor 6 in the circuit shown in FIG. 6 is required. In other words, this means that the ceramic varistor 6 must also absorb the energy once absorbed by the capacitor 1. The present invention solves these two problems.

第3図ならびに第4図におのおの本発明に係るサージ吸
収回路を示す。なお、図中第2図と同一物には同一番号
を付して説明する。まず第3図について説明する。
FIG. 3 and FIG. 4 each show a surge absorption circuit according to the present invention. Components in the figure that are the same as those in FIG. 2 are designated by the same numbers and will be explained. First, FIG. 3 will be explained.

図においてt 9はコンデンサ7に並列に接続された抵
抗、10‘まコンデンサ7と抵抗9の並列回路に直列に
接続されたダイオードで「その直列回路がセラミックバ
リスタSと並列接続されている。このような回路を礎成
する事によって、従釆のサージ吸収回路が有していた問
題を解決する事ができる。まず、コンデンサ7への充電
電流であるが、これはダイオード10の挿入によって逆
方向電圧の印加となり、したがってコンデンサTへの充
電電流は流れない。
In the figure, t9 is a resistor connected in parallel to the capacitor 7, 10' is a diode connected in series to the parallel circuit of the capacitor 7 and the resistor 9, and the series circuit is connected in parallel to the ceramic varistor S. By constructing a circuit like this, it is possible to solve the problems that the secondary surge absorption circuit had.Firstly, the charging current to the capacitor 7 can be reversed by inserting the diode 10. A voltage is applied, and therefore no charging current flows to the capacitor T.

なおダイオード10を挿入した事によるサージ吸収特性
については、第1図でも示したようにサージ電流は矢印
5のように流れ、ダイオード80の順方向となり、何ら
サージ吸収特性を阻害するものではない。一方、セラミ
ックバリスタ6の消費するサージ鰭力については、ズ刊
窟‘こ減少させる事が可能となる。
Regarding the surge absorption characteristics due to the insertion of the diode 10, as shown in FIG. 1, the surge current flows as indicated by the arrow 5, in the forward direction of the diode 80, and does not impede the surge absorption characteristics in any way. On the other hand, the surge force consumed by the ceramic varistor 6 can be significantly reduced.

これは、ダイオード10を介してコンデンサ7に充電さ
れたエネルギーはダイオード10を介して放蟹する事が
できず、矢印11で示したように抵抗9を介したCR閉
回路内で放電し、そのサージエネルギーは抵抗9で消費
される事になる。この事は、従来セラミックバリスタ6
がコンデンサ7のサージ吸収エネルギーをも消費せざる
を得なかった時に比べて、セラミックバリスタ6の消費
すべきサージエネルギーは半分以下になる事を意味する
。また「第4図に示す回路は、同様に前記2つの問題低
減の目的で構成されたものである。
This is because the energy charged in the capacitor 7 via the diode 10 cannot be dissipated via the diode 10, but is discharged within the CR closed circuit via the resistor 9 as shown by the arrow 11. The surge energy will be consumed by resistance 9. This is because the conventional ceramic varistor 6
This means that the surge energy to be consumed by the ceramic varistor 6 is less than half compared to when the surge absorption energy of the capacitor 7 had to be consumed. ``The circuit shown in FIG. 4 is similarly constructed for the purpose of reducing the above two problems.

図中l2はダイオード「 i3はコンテンサで第3図の
回路のコンデンサ7とダイオード10の位置を置換した
ものである。この回路では、コンデンサ13へ流れ込む
充電電流(突入電流)は抵抗9を通じて流れるため、あ
る程度以下に制限する事が可能でトまた、コンデンサ軍
3に蓄積されたサージエネルギーはセラミックバリスタ
6と抵抗9を通じて矢印14のように放電し、抵抗9で
その半分以上が消費されるため、セラミックバリスタ6
の消費電力負担が低減される。なお、第&図の回路にお
いてもサージ吸収特性は第2図、第3図の時と全く同様
である。以上説明したように本発明によれば上記したよ
うな回路を構成する事によってサージ吸収特性を低減す
る事なく、下記の効果を有する。
In the figure, l2 is a diode, and i3 is a capacitor, which replaces the capacitor 7 and diode 10 in the circuit shown in Figure 3. In this circuit, the charging current (rush current) flowing into the capacitor 13 flows through the resistor 9. In addition, the surge energy accumulated in the capacitor 3 is discharged as shown by the arrow 14 through the ceramic varistor 6 and the resistor 9, and more than half of it is consumed by the resistor 9. ceramic barista 6
The power consumption burden is reduced. Note that the surge absorption characteristics of the circuit shown in FIGS. 2 and 3 are exactly the same as those shown in FIGS. As explained above, according to the present invention, by configuring the circuit as described above, the following effects can be achieved without reducing the surge absorption characteristics.

i 回路閉路時におけるコンデンサへの突入電流を大き
く低減もしくは零にする事が可能となり、負荷開閉に用
いている開閉器の接点寿命を大きく伸ばす事が可能とな
る。
i It becomes possible to greatly reduce or eliminate the rush current to the capacitor when the circuit is closed, and it becomes possible to greatly extend the life of the contacts of the switch used for switching loads.

U 抵抗の値を適当な値に設定する事によって、セラミ
ックバリスタの消費すべきサージ電力を小さくする事が
可能となり、小定格の廉価な小形セラミックバリスタを
使用する事ができる。
By setting the value of the U resistance to an appropriate value, it is possible to reduce the surge power that the ceramic varistor should consume, and it is possible to use an inexpensive small ceramic varistor with a small rating.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第亀図、第2図は従来のサージ吸収回路の回路図〜第3
図、第4図はおのおの本発明の一実施例におけるサージ
吸収回路の回路図である。 亀……直流電源、2・・・・・・開閉器、3……誘導負
流、S……セラミックバリスタ、7,13……コンデン
サt g・・・…抵抗、10,12・・…・ダイオード
。 第1図 第2図 第3図 第4図
Figures 2 and 2 are circuit diagrams of conventional surge absorption circuits to Figure 3.
FIG. 4 is a circuit diagram of a surge absorption circuit according to an embodiment of the present invention. Tortoise: DC power supply, 2: Switch, 3: Inductive negative current, S: Ceramic varistor, 7, 13: Capacitor t g: Resistor, 10, 12... diode. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛などの金属酸化物よりなり電圧非直線指数
の優れたセラミツクバリスタとコンデンサを並列に接続
し、この並列回路を誘導負荷に並列に接続するとともに
、前記コンデンサへの直流電源からの充電電流の流れ込
みを阻止する素子および前記コンデンサに充電されたエ
ネルギーを消費するための素子を前記並列回路に接続し
てなるサージ吸収回路。 2 誘導負荷にセラミツクバリスタとコンデンサとの並
列回路を並列に接続し、前記コンデンサに並列に抵抗を
接続するとともに、前記コンデンサと抵抗の並列回路に
直列にダイオードを接続してなる特許請求の範囲第1項
記載のサージ吸収回路。 3 セラミツクバリスタとコンデンサの並列回路を誘導
性負荷に並列に接続し、抵抗とダイオードの並列回路を
形成し、この並列回路を前記コンデンサに直列に接続し
てなる特許請求の範囲第1項記載のサージ吸収回路。
[Claims] 1. A ceramic varistor made of a metal oxide such as zinc oxide and having an excellent voltage non-linearity index is connected in parallel with a capacitor, and this parallel circuit is connected in parallel with an inductive load, and a capacitor is connected in parallel with an inductive load. A surge absorption circuit comprising an element for blocking the flow of charging current from a DC power source and an element for consuming energy charged in the capacitor, connected to the parallel circuit. 2 A parallel circuit of a ceramic varistor and a capacitor is connected in parallel to an inductive load, a resistor is connected in parallel to the capacitor, and a diode is connected in series to the parallel circuit of the capacitor and the resistor. The surge absorption circuit described in item 1. 3. A parallel circuit of a ceramic varistor and a capacitor is connected in parallel to an inductive load to form a parallel circuit of a resistor and a diode, and this parallel circuit is connected in series to the capacitor. Surge absorption circuit.
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