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JPS6038790B2 - bubble element - Google Patents
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JPS6038790B2 - bubble element - Google Patents

bubble element

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JPS6038790B2
JPS6038790B2 JP57065649A JP6564982A JPS6038790B2 JP S6038790 B2 JPS6038790 B2 JP S6038790B2 JP 57065649 A JP57065649 A JP 57065649A JP 6564982 A JP6564982 A JP 6564982A JP S6038790 B2 JPS6038790 B2 JP S6038790B2
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JP
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transfer
transfer path
bubble
patterns
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進 麻多
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DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
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DENSHI KEISANKI KIPPON GIJUTSU KENKYU KUMIAI
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    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
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    • G11C19/0816Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はバブル素子に関する。[Detailed description of the invention] TECHNICAL FIELD The present invention relates to bubble elements.

従来、バブル素子にはバブル保持層の上に軟磁性体パタ
ーンを互いに間隙を設けて面内磁場回転によりバブルを
転送させる方式が採用されてきた。
Conventionally, bubble devices have adopted a method in which soft magnetic patterns are provided on a bubble retaining layer with a gap between them and bubbles are transferred by in-plane magnetic field rotation.

しかし、前記パターンの間隙は、バブル密度の低下、バ
ブルの高速度転送に対する障害そしてパターン微細加工
の限界という点で好ましくなかつた。これに対し、米国
特許第3828329号公報に無間隙のパターンを用い
てバブルを転送させる素子が提示され、最近急速に開発
が進められてきた。
However, the gaps in the pattern are undesirable because they reduce bubble density, impede high-speed bubble transfer, and limit pattern microfabrication. On the other hand, U.S. Pat. No. 3,828,329 proposed an element that transfers bubbles using a gapless pattern, and its development has been progressing rapidly recently.

そこではパターンはイオン注入法で形成されている。そ
の素子は転送パターンが円を蓮らねた形状のであったこ
とから、その後に開発された形状のものも含めてコンテ
イギユアス・ディスク(以下CDと称す)素子と言われ
ている。現在、CD素子では大容量化、高密度化、高機
能化が進められている。
There, the pattern is formed by ion implantation. Since the transfer pattern of that device was in the shape of a spiral circle, it is called a continuous disk (hereinafter referred to as CD) device, including devices with shapes developed after that. Currently, CD elements are becoming larger in capacity, higher in density, and more sophisticated.

その際、バブル転送路は通常バブル径の約4倍のパター
ン周期で設けられそれらとバブル発生器、ゲート動作部
およびバブル検出器の各機能部と合わせて、バブル素子
が構成されている。このような従来のバブル素子構成は
、例えば、ベル・システム・テクニカル・ジャーナル
旧elISys.Tech.J.)第5隻登(198位
壬)第229頁に記載「されている様に、各機能部の配
置に対し、転送路の折り曲げ等の転送路の変更が自由に
出来ることが望ましい。しかしながら、CD素子では転
送の原理上、転送路各要素が連続しており、転送路折り
曲げ等の転送路の変更は転送路全体の特性と関連するた
め転送路の変更は必ずしも自由でないという欠点がある
In this case, the bubble transfer path is usually provided at a pattern period about four times the bubble diameter, and together with the bubble generator, the gate operating section, and the bubble detector, a bubble element is constructed. Such conventional bubble element configurations are described, for example, in the Bell System Technical Journal
Old elISys. Tech. J. ) 5th Ship Nobori (198th place), page 229: ``As stated above, it is desirable to be able to freely change the transfer path, such as bending the transfer path, with respect to the arrangement of each functional part.However, In a CD element, due to the principle of transfer, each element of the transfer path is continuous, and changing the transfer path, such as bending the transfer path, is related to the characteristics of the entire transfer path, so there is a drawback that the transfer path cannot always be changed freely.

また、通常この様な転送路中にバブル発生器のような機
能部を設けると、その影響で転送マージンが減少するこ
とが見られる。
Further, when a functional unit such as a bubble generator is normally provided in such a transfer path, the transfer margin is seen to be reduced due to its influence.

転送路の折り曲げパターンの具体例は、例えば、第1図
に示すような、エー・アイ・ピー・コンフアンレンス・
フロシーティングス(拍PConf.Proc.)第1
0巻(1972王)第339頁記載の構成や、第2図a
〜cに示すような、アイ・イー・イー・イー・トランザ
クシヨンズ・オン・マグネテイクス(lEEETran
s.Nはgn.)第N燈g−15蓋(197g王)第1
323頁記載の構成があるだけである。これらのコーナ
ー部のバブル転送については従来報告されていないが、
以下の実施例の項でも説明する様に、バブルがビットを
とび越すエラーやカスプ部にトラップするエラーの生じ
ることが明らかにされている。本発明の目的はCD素子
の転送路の欠点を緩和し機能部設置に適した転送パター
ンを設けたバブル素子を提供することにある。本発明に
よればバブル保持層にイオン注入し非イオン注入領域の
パターンに沿ってバブル転送させるCD素子のバブル転
送路において、バブル径の約4倍の通路のパターン周期
をもつ第1と第2の転送路と、該第1と第2の転送路を
結ぶ第3の転送路とを持ち、該第3の転送路が前記第1
と第2の転送路パターンよりも大きい複数個の連続パタ
ーンからなることを特徴とするバブル素子が得られ、か
つ、前記第1と第2の転送路が前記第3の転送路部分を
介して折れ曲がっているバブル素子が得られる。
A specific example of the bending pattern of the transfer path is shown in FIG.
Flo Sheetings (beat PConf.Proc.) 1st
The structure described in Volume 0 (1972 King), page 339, and Figure 2 a
IEE Transactions on Magnetics (lEEETran) as shown in ~c.
s. N is gn. ) No. N light g-15 lid (197g king) 1st
There is only the configuration described on page 323. Bubble transfer at these corners has not been previously reported, but
As will be explained in the Examples section below, it has been revealed that errors in which a bubble skips over a bit and errors in which a bubble traps in a cusp portion occur. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a bubble element that alleviates the drawbacks of the transfer path of a CD element and has a transfer pattern suitable for installing a functional section. According to the present invention, in a bubble transfer path of a CD element in which ions are implanted into a bubble retention layer and bubbles are transferred along a pattern in a non-ion implanted region, the first and second paths have a path pattern period approximately four times the bubble diameter. a transfer path, and a third transfer path connecting the first and second transfer paths, and the third transfer path connects the first transfer path to the first transfer path.
and a plurality of continuous patterns larger than the second transfer path pattern, and the first and second transfer paths are connected via the third transfer path portion. A bent bubble element is obtained.

なお、第3の転送路において、第1,第2の転送路パタ
ーンより大きなパターンは単数個でもよいが、複数個の
方がより良好なバフル転送マージンが得られる。次に本
発明について図面を参照して詳細に説明する。
Note that in the third transfer path, a single pattern larger than the first and second transfer path patterns may be used, but a more favorable baffle transfer margin can be obtained by using a plurality of patterns. Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第3図は本発明の第1の実施例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

参照数字31および32はそれぞれ第1および第2の転
送路パターン、同数字33は第1と第2の転送路を結ぶ
第3の転送路パターン、同数字34は第1と第2の転送
路のなす角度である。本実施例のパターン33はパター
ン周期が第1および第2の転送路パターン周期の約1.
牙音であることが第2図aに示す従来のコーナーパター
ンと異なっている。第2図aのような従来のコーナーパ
ターンでは、例えば、凸部のコーナー(外回りコーナー
)の場合、バブルがビットとび越しするエラーが見られ
る。これは、CD素子のバブル駆動力である磁荷壁(チ
ャージ・ウオール)の性質がコーナ−部で変わるためと
考えられる。このエラーは、本実施例のように、コーナ
ー部分の複数個の転送パターン33のパターン周期を転
送路パターン31および32のパターン周期Pの約1.
5倍にすることで改善された。また、凹部のコーナー(
内回りコーナー)についても、従来パターンでのバブル
のカスブトラップェラ−を改善でき良好な転送が得られ
た。さらに、コーナーパターン33のパターンのパター
ン周期を転送路パターン31および32の約2倍(が)
に大きくするとより良い転送が得られた。パターン33
のパターン周期が約斑の場合を含め、バブル駆動の面内
回転磁界の周波数が250kHZにおいても単純転送の
転送速度に関し問題は見られなかった。本実施例におい
て、第1と第2の転送路のなす角度34を90oではな
く約600とした場合に、従来パターン(第2図b)に
比べ良好な転送が得られた。
Reference numerals 31 and 32 are the first and second transfer path patterns, respectively, numeral 33 is the third transfer path pattern connecting the first and second transfer paths, and reference numeral 34 is the first and second transfer path pattern. It is the angle formed by The pattern 33 of this embodiment has a pattern period of approximately 1.0 times the period of the first and second transfer path patterns.
The corner pattern differs from the conventional corner pattern shown in FIG. 2a in that it is a sharp sound. In the conventional corner pattern as shown in FIG. 2a, for example, in the case of a convex corner (outer corner), an error occurs in which a bubble skips a bit. This is thought to be because the properties of the magnetic charge wall, which is the bubble driving force of the CD element, change at the corner. This error causes the pattern period of the plurality of transfer patterns 33 in the corner portion to be approximately 1.0 times the pattern period P of the transfer path patterns 31 and 32 as in this embodiment.
It was improved by multiplying it by 5 times. Also, the corners of the recess (
As for the inner corner (inner corner), the bubble trapping error in the conventional pattern was improved and good transfer was obtained. Furthermore, the pattern period of the corner pattern 33 is approximately twice that of the transfer path patterns 31 and 32.
Better transfer was obtained when the value was increased. pattern 33
Even when the frequency of the bubble-driven in-plane rotating magnetic field was 250 kHz, no problem was observed regarding the transfer speed of simple transfer, including when the pattern period was approximately uneven. In this example, when the angle 34 formed by the first and second transfer paths was set to about 600 degrees instead of 90 degrees, better transfer was obtained compared to the conventional pattern (FIG. 2b).

また角度34が約120oの場合も従来パターン(第2
図c)に比べ転送が良好であった。第4図は本発明の第
2の実施例を示す図である。コーナー部分を構成するパ
ターン41および42のパターン周期は、第1および第
2の転送路のパターン周期Pの約2倍である。ただし、
コーナー中心のパターン形状は円形で、その前後のパタ
ーン41は短軸の長さが2Pより小さな楕円形である。
従来のパターン(第2図a)に比べ良好な転送が得られ
た。本実施例において、角度34を900ではなく、約
60oとした場合、従来パターン(第2図b)に比べ転
送が改善された。
Also, when the angle 34 is about 120°, the conventional pattern (second
Transfer was better than in Figure c). FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. The pattern period of the patterns 41 and 42 forming the corner portion is approximately twice the pattern period P of the first and second transfer paths. however,
The pattern shape at the center of the corner is circular, and the patterns 41 before and after the corner are ellipsoids in which the length of the minor axis is smaller than 2P.
Better transfer was obtained compared to the conventional pattern (FIG. 2a). In this example, when the angle 34 was set to about 60 degrees instead of 90 degrees, the transfer was improved compared to the conventional pattern (FIG. 2b).

また、角度34が、約120oの場合も従来パターン(
第2図c)に比べ転送が良好であった。第5図は本発明
の第3の実施例を示す図である。
Also, when the angle 34 is about 120 degrees, the conventional pattern (
Transfer was better than in Figure 2 c). FIG. 5 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

コーナー部分を構成するパターン51,52および53
のパターン周期は、第1および第2の転送路パターン周
期Pのそれぞれ約1.5倍、約2倍および約2.5倍と
順に変化している。この場合、従来のパターン(第2図
a)に比べ著しく転送が改善された。本実施例において
、角度34を90oではなく約600または約120o
とした場合、従来パターン(第2図bまたはc)に比べ
それぞれ転送が改善された。
Patterns 51, 52 and 53 forming the corner part
The pattern periods of the first and second transfer path pattern periods P are sequentially changed to about 1.5 times, about 2 times, and about 2.5 times, respectively, of the first and second transfer path pattern periods P. In this case, the transfer was significantly improved compared to the conventional pattern (FIG. 2a). In this embodiment, the angle 34 is about 600 degrees or about 120 degrees instead of 90 degrees.
In each case, the transfer was improved compared to the conventional pattern (FIG. 2 b or c).

第6図は本発明の第4の実施例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

コーナー部分を構成する2個のパターン61は直径かの
円である。角度34が約300の場合を示す。コーナー
の外回り、内回りともに良好な転送が得られた。また、
角度34がooの場合、第1図の従来パターンに比べて
も良好な転送が得られた。第7図は本発明の第5の実施
例を示す図である。
The two patterns 61 forming the corner portions are circles with a diameter of . A case where the angle 34 is approximately 300 degrees is shown. Good transfer was obtained both around the outside and inside corners. Also,
When the angle 34 was oo, better transfer was obtained compared to the conventional pattern shown in FIG. FIG. 7 is a diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

パターン71はパターン周期約1.坪の楕円、パターン
72はパターン周期約がの円である。角度34がooの
場合を示す。第1図の従来パターンに比べ良好な転送が
得られた。第8図は本発明の第6の実施例を示す図であ
る。
The pattern 71 has a pattern period of about 1. The elliptical pattern 72 is a circle with a pattern period of about 1. A case where the angle 34 is oo is shown. Better transfer was obtained compared to the conventional pattern shown in FIG. FIG. 8 is a diagram showing a sixth embodiment of the present invention.

パターン81はパターン周期約1.球の円権パターンで
、角度34がooである。第1図の従来パターンに比べ
転送は良好であった。第9図は本発明の第7の実施例を
示す図である。
The pattern 81 has a pattern period of approximately 1. In the circular pattern of the ball, the angle 34 is oo. The transfer was better than the conventional pattern shown in FIG. FIG. 9 is a diagram showing a seventh embodiment of the present invention.

パターン91はパターン周期約1.班の楕円、パターン
92は直径約1.2非の円、角度34は00である。転
送は良好であった。第10図は、本発明の第8の実施例
を示す図である。
The pattern 91 has a pattern period of about 1. The ellipse of the square, pattern 92, is a circle with a diameter of about 1.2 mm, and the angle 34 is 00. The transfer was good. FIG. 10 is a diagram showing an eighth embodiment of the present invention.

パターン101および102はパターン周期がそれぞれ
約1.班および約2.0Pの楕円であり、角度34はo
oである。良好な転送が得られた。第11図は、本発明
の第9の実施例を示す図である。パターン111および
112はパターン周期がそれぞれ約1.坪および約2.
解の楕円であり、角度34はooである。このように、
第1の転送路と第2の転送路に対し非対称なコーナーパ
ターンの配置の場合も第1図のような対称な従来パター
ンに比べ良好な転送が得られた。第12図は本発明の第
10の実施例を示す図である。
Patterns 101 and 102 each have a pattern period of approximately 1. It is a square and an ellipse of about 2.0P, and the angle 34 is o
It is o. Good transfer was obtained. FIG. 11 is a diagram showing a ninth embodiment of the present invention. Patterns 111 and 112 each have a pattern period of approximately 1. Tsubo and approx.
The solution ellipse and angle 34 is oo. in this way,
Even when the corner pattern was arranged asymmetrically with respect to the first transfer path and the second transfer path, better transfer was obtained compared to the symmetrical conventional pattern as shown in FIG. FIG. 12 is a diagram showing a tenth embodiment of the present invention.

パターン121はパターン周期が第1と第2の転送路の
パターン周期Pの約2倍の楕円である。角度34は18
0oである。本実施例の第3の転送路の転送マージンは
パターン周期Pがバブル蓬の約4仏机のとき、従釆のパ
ターン周期Pの第1および第2の転送路マージンに比べ
良好であった。従って、転送路部分33は、発生器や検
出器等の機能部を置く位置として適当である。以上の第
1〜第1碇実施例において、円または楕円形の転送パタ
ーンのかわりに角度の転送パターンを用いた場合も、本
実施例の様にコーナー部分のパターン周期を変えること
が有効である。
The pattern 121 is an ellipse whose pattern period is approximately twice the pattern period P of the first and second transfer paths. Angle 34 is 18
It is 0o. The transfer margin of the third transfer path in this example was better than the first and second transfer path margins of the subordinate pattern period P when the pattern period P was about 4 bubbles. Therefore, the transfer path portion 33 is suitable as a location for placing functional units such as a generator and a detector. In the first to first anchor embodiments described above, even when an angular transfer pattern is used instead of a circular or elliptical transfer pattern, it is effective to change the pattern period of the corner portion as in this embodiment. .

また、角度34についても、本実施例と異なる値を用い
た場合も、転送改善に有効である。以上、説明した様に
、本発明によれば転送路折り曲げが従来よりも容易で転
送エラーの少ない、CD素子を提供することが出来、バ
ブル素子の大容量化と高機能化を達成できるという効果
がある。
Furthermore, using a different value for the angle 34 from this embodiment is also effective in improving transfer. As explained above, according to the present invention, it is possible to provide a CD element in which the transfer path can be bent more easily than in the past and there are fewer transfer errors, and the effect is that it is possible to achieve a larger capacity and higher functionality of the bubble element. There is.

さらに、転送路中に機能部を設けるのに適した高性能転
送路が容易に実現できる。図面の簡単な説明第1図およ
び第2図a〜cは従来の転送路パターンを示す図ならび
に第3図〜第12図はそれぞれ本発明の第1〜第10の
実施例を示す図である。
Furthermore, a high-performance transfer path suitable for providing a functional section in the transfer path can be easily realized. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 and 2 a to 2 c are diagrams showing conventional transfer path patterns, and FIGS. 3 to 12 are diagrams showing first to tenth embodiments of the present invention, respectively. .

図において、31…第1の転送路パターン、32・・・
第2の転送路パターン、33・・・第3の回転路パター
ン、34・・・第1と第2の転送路のなす角度、41,
42,51,52,53,61,71,72,81,9
1,92,101,102,111,112,121…
パターン。才′図 矛2図 矛J図 矛4図 矛5図 才6図 矛7図 矛8図 矛?図 才/0図 矛〃図 矛〆図
In the figure, 31...first transfer path pattern, 32...
Second transfer path pattern, 33...Third rotation path pattern, 34...Angle formed by the first and second transfer paths, 41,
42, 51, 52, 53, 61, 71, 72, 81, 9
1,92,101,102,111,112,121...
pattern. Sai' zu spear 2 zu spear J zu spear 4 zu spear 5 zu 6 zu spear 7 zu zu spear 8 zu spear? Zuzai / 0 zuyaku 〃zuyoko〆zu

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 バルブ保持層にイオン注入し非イオン注入領域のパ
ターンに沿つてバルブを転送させるコンデイギユアス・
デイスク・バブル素子のバブル転送路において、バルブ
径の約4倍の通路のパターン周期をもつ第1と第2の転
送路と、該第1と第2の転送路を結ぶ第3の転送路とを
持ち該第3の転送路が前記第1と第2の転送路のパター
ンよりも大きい複数個の連続パターンからなることを特
徴とするバブル素子。 2 前記第1の転送路と第2の転送路とが前記第3の転
送路部分を介して折れ曲がつていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のバブル素子。
[Claims] 1. A conduitous method in which ions are implanted into the valve holding layer and the valve is transferred along the pattern of the non-ion implanted region.
In the bubble transfer path of the disk bubble element, first and second transfer paths have a passage pattern period approximately four times the bulb diameter, and a third transfer path that connects the first and second transfer paths. 1. A bubble element having a structure in which the third transfer path is comprised of a plurality of continuous patterns larger than the patterns of the first and second transfer paths. 2. The bubble device according to claim 1, wherein the first transfer path and the second transfer path are bent through the third transfer path portion.
JP57065649A 1982-04-20 1982-04-20 bubble element Expired JPS6038790B2 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS576485A (en) * 1980-06-10 1982-01-13 Fujitsu Ltd Consecuive ball-shape disk bubble eraser
JPS5913105B2 (en) * 1980-07-15 1984-03-27 富士通株式会社 Beaded disk pattern magnetic bubble device
JPS5837892A (en) * 1981-08-28 1983-03-05 Fujitsu Ltd Erasing circuit of magnetic bubble memory

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JPS58182183A (en) 1983-10-25

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