JPS6055966B2 - セラミック抵抗体 - Google Patents
セラミック抵抗体Info
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- JPS6055966B2 JPS6055966B2 JP55109381A JP10938180A JPS6055966B2 JP S6055966 B2 JPS6055966 B2 JP S6055966B2 JP 55109381 A JP55109381 A JP 55109381A JP 10938180 A JP10938180 A JP 10938180A JP S6055966 B2 JPS6055966 B2 JP S6055966B2
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Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック抵抗体に関し、比抵抗が非常に小
さく、かつ抵抗値の温度変化および経時変化が小さい抵
抗体が容易に得られるようにすることを目的とする。
さく、かつ抵抗値の温度変化および経時変化が小さい抵
抗体が容易に得られるようにすることを目的とする。
従来セラミック抵抗体にはＳｉＣやＷを用いたもの、あ
るいはＢａＴｉＯ、系ＰＴＣサーミスタなどがあるが、
このうち、ＳｉＣを用いたものは温度による抵抗変化が
非常に大きく、一定電圧下において、温度上昇と共に電
流が大きく変動するため温度制御が難しい。Ｗを用いた
ものは１０００℃の温度までの抵抗上昇が約１０＠にも
のぼり、温度変化率が小さい抵抗体と比較して一定電。
圧を印加した場合、所定の温度に達するまでの時間が長
くかかる欠点がある。またＷ抵抗体は非酸化性雰囲気で
焼成しなければならず、製造コストが高くっく。ＢａＴ
ｉＯ。系ＰＴＣサーミスタは３００℃以上の温度になる
と急激に抵抗が上昇するため使用温度が限定される。
本発明は、室温で０．８〜０．０１Ωａという低抵抗値
を有していて、−５０℃〜１０００℃の温度範囲での抵
抗温度変化率が±５０％以内と小さく、かつ７００℃の
温度で１００時間保時後の抵抗変化率が５０％以下と小
さな抵抗体が容易に得られるようにすることにより、上
述のような問題を解決しようとするものである。
るいはＢａＴｉＯ、系ＰＴＣサーミスタなどがあるが、
このうち、ＳｉＣを用いたものは温度による抵抗変化が
非常に大きく、一定電圧下において、温度上昇と共に電
流が大きく変動するため温度制御が難しい。Ｗを用いた
ものは１０００℃の温度までの抵抗上昇が約１０＠にも
のぼり、温度変化率が小さい抵抗体と比較して一定電。
圧を印加した場合、所定の温度に達するまでの時間が長
くかかる欠点がある。またＷ抵抗体は非酸化性雰囲気で
焼成しなければならず、製造コストが高くっく。ＢａＴ
ｉＯ。系ＰＴＣサーミスタは３００℃以上の温度になる
と急激に抵抗が上昇するため使用温度が限定される。
本発明は、室温で０．８〜０．０１Ωａという低抵抗値
を有していて、−５０℃〜１０００℃の温度範囲での抵
抗温度変化率が±５０％以内と小さく、かつ７００℃の
温度で１００時間保時後の抵抗変化率が５０％以下と小
さな抵抗体が容易に得られるようにすることにより、上
述のような問題を解決しようとするものである。
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａ１。Ｏ０）
、２酸化硅素（ＳｉＯ２）を後出の表の左側に示すよう
に配合し、成形圧力５００に９／ｃｌｔで、長さ２５ｃ
７■を）巾１．５ｃ７７を）厚み１．５ｃｍの棒状体に
成形し、１３５０℃の温度で１時間焼成した。なお成形
体の焼成にる収縮率は１９％であつた。得られた焼成体
の両端に銀電極を設け、比抵抗、抵抗値の温度変化率、
および７００℃の温度て１００ｙＩ！！ｆ間保持したと
きの抵抗の経時変化率を測定した。その結果を次の表の
右側に各試料に対応させて示す。なお表中※印を付した
試料は比較例を示す。なおここで、表における抵抗の温
度変化率は次の式より求めた。
、２酸化硅素（ＳｉＯ２）を後出の表の左側に示すよう
に配合し、成形圧力５００に９／ｃｌｔで、長さ２５ｃ
７■を）巾１．５ｃ７７を）厚み１．５ｃｍの棒状体に
成形し、１３５０℃の温度で１時間焼成した。なお成形
体の焼成にる収縮率は１９％であつた。得られた焼成体
の両端に銀電極を設け、比抵抗、抵抗値の温度変化率、
および７００℃の温度て１００ｙＩ！！ｆ間保持したと
きの抵抗の経時変化率を測定した。その結果を次の表の
右側に各試料に対応させて示す。なお表中※印を付した
試料は比較例を示す。なおここで、表における抵抗の温
度変化率は次の式より求めた。
式中Ｒ２Ｏは素子の温度が２０℃の時の抵抗値、Ｒｘ素
子の温度が−５００Ｃ−１０００℃の間で、２０℃の時
の抵抗値との差が最大な時の抵抗値をそれぞれあられす
。
子の温度が−５００Ｃ−１０００℃の間で、２０℃の時
の抵抗値との差が最大な時の抵抗値をそれぞれあられす
。
ここでまた、表中代表的な試料の抵抗温度特性を図に示
す。
す。
図中のＮＯ．は表中の試料ＮＯ．に対応する。表および
図かられかるように、Ｚｒ）ｏを主成分とし、全量中に
占める割合でＡｌ２Ｏ３が０．００１〜０．０１モル％
含まれる組成を有する抵抗体、ならびに同じくＺｎＯを
主成分とし、全量中に占める割合でＡｌ２Ｏ３が０．０
０１〜０．０１モル％またＳｉＯ２が２モル％以下それ
ぞれ含まれる組成を有する抵抗体においては、抵抗値が
０．０１〜０．８Ωｄと非常に低く、かつその温度変化
率が５０％以下と小さく、また経時変化率も同じく５０
％以下と小さく、特性のすぐれたものとなつている。以
上のような特性のすぐれた抵抗体は、棒形ヒータ．アル
ミナ基板等に印刷して形成する面ヒータ．シート状に成
形した板ヒータ、あるいは電極材料として用いると有用
である。なお、ＺｎＯにＡｌ２Ｏ３を添加する代りにＡ
１（ＮＯ３）３を水に溶解させて添加しても焼成時に．
Ａｌ２Ｏ３となるため同様な効果が得られる。以上のよ
うに本発明によれば抵抗値が非常に低くかつその−５０
〜１０００℃の温度範囲における抵抗値変化ならびに経
時変化がともに小さな抵抗体を容易に得ることができる
。
図かられかるように、Ｚｒ）ｏを主成分とし、全量中に
占める割合でＡｌ２Ｏ３が０．００１〜０．０１モル％
含まれる組成を有する抵抗体、ならびに同じくＺｎＯを
主成分とし、全量中に占める割合でＡｌ２Ｏ３が０．０
０１〜０．０１モル％またＳｉＯ２が２モル％以下それ
ぞれ含まれる組成を有する抵抗体においては、抵抗値が
０．０１〜０．８Ωｄと非常に低く、かつその温度変化
率が５０％以下と小さく、また経時変化率も同じく５０
％以下と小さく、特性のすぐれたものとなつている。以
上のような特性のすぐれた抵抗体は、棒形ヒータ．アル
ミナ基板等に印刷して形成する面ヒータ．シート状に成
形した板ヒータ、あるいは電極材料として用いると有用
である。なお、ＺｎＯにＡｌ２Ｏ３を添加する代りにＡ
１（ＮＯ３）３を水に溶解させて添加しても焼成時に．
Ａｌ２Ｏ３となるため同様な効果が得られる。以上のよ
うに本発明によれば抵抗値が非常に低くかつその−５０
〜１０００℃の温度範囲における抵抗値変化ならびに経
時変化がともに小さな抵抗体を容易に得ることができる
。
図は本発明によるセラミック抵抗体の温度特性を示す図
である。
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＺｎＯを主成分とし、全量中に占める割合でＡｌ＿
２Ｏ＿３が０．００１〜０．０１モル％含まれたことを
特徴とするセラミック抵抗体。 ２ ＺｎＯを主成分とし、全量中に占める割合でＡｌ＿
２Ｏ＿３が０．００１〜０．０１モル％またＳｉＯ＿２
が２％以下それぞれ含まれたことを特徴とするセラミッ
ク抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55109381A JPS6055966B2 (ja) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | セラミック抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55109381A JPS6055966B2 (ja) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | セラミック抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734308A JPS5734308A (en) | 1982-02-24 |
| JPS6055966B2 true JPS6055966B2 (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14508792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55109381A Expired JPS6055966B2 (ja) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | セラミック抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055966B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6030100A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | 株式会社日立製作所 | 高周波加熱用ダミ−ロ−ド |
-
1980
- 1980-08-08 JP JP55109381A patent/JPS6055966B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734308A (en) | 1982-02-24 |
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