JPS6137770B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6137770B2 JPS6137770B2 JP15008980A JP15008980A JPS6137770B2 JP S6137770 B2 JPS6137770 B2 JP S6137770B2 JP 15008980 A JP15008980 A JP 15008980A JP 15008980 A JP15008980 A JP 15008980A JP S6137770 B2 JPS6137770 B2 JP S6137770B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductor
- insulating layer
- pattern
- conductor pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプレーナータイプの２層導体電流駆動
方式の磁気バブル素子の製造方法に関する。
方式の磁気バブル素子の製造方法に関する。
従来の２層導体電流駆動方式の磁気バブル素子
の要部断面図を第１図に示す。第１図において１
は磁性膜、２は第１導体パターン、３は第１絶縁
層、４は第２導体パターン、５は第２絶縁層、６
は磁気バブル検出用の薄膜、７はパツシベーシヨ
ン膜である。
の要部断面図を第１図に示す。第１図において１
は磁性膜、２は第１導体パターン、３は第１絶縁
層、４は第２導体パターン、５は第２絶縁層、６
は磁気バブル検出用の薄膜、７はパツシベーシヨ
ン膜である。
第１導体パターン層２と第２導体パターン層４
のパターン形成時にイオンミーリング法や平行平
板型プラズマエツチング法を使用してエツチング
を行うと、第２導体パターン４の膜厚のバラツキ
や装置上のエツチング分布のバラツキなどからエ
ツチング終了時点までに第１絶縁層３をかなり削
り取ることになり、第１導体パターン２と第２導
体パターン４との間の絶縁不良の原因になりやす
いものである。又、第２導体パターン４の導体物
質として使用するAl−Cu又はAuのみ所定のパタ
ーンにエツチングし、第１絶縁層３はエツチング
しない完全な選択エツチングを行う方法として湿
式エツチング法があるが、第２導体パターン４に
多数の穴パターンを形成する際微細な穴パターン
間でのエツチングむらが大きく、このため湿式エ
ツチング法は適用することができない。
のパターン形成時にイオンミーリング法や平行平
板型プラズマエツチング法を使用してエツチング
を行うと、第２導体パターン４の膜厚のバラツキ
や装置上のエツチング分布のバラツキなどからエ
ツチング終了時点までに第１絶縁層３をかなり削
り取ることになり、第１導体パターン２と第２導
体パターン４との間の絶縁不良の原因になりやす
いものである。又、第２導体パターン４の導体物
質として使用するAl−Cu又はAuのみ所定のパタ
ーンにエツチングし、第１絶縁層３はエツチング
しない完全な選択エツチングを行う方法として湿
式エツチング法があるが、第２導体パターン４に
多数の穴パターンを形成する際微細な穴パターン
間でのエツチングむらが大きく、このため湿式エ
ツチング法は適用することができない。
従つてAl−Cu，Au等の導体物質をエツチング
し、第１絶縁層３をほとんどエツチングしない選
択性のある反応ガスを利用したプラズマエツチン
グを施こさねばならない。しかし、その選択性も
反応速度比は1/5程度で、やはりエツチングのバ
ラツキを考えると十分とはいえない。又、第１導
体パターン２を何らかの方法で第２図に示すよう
に平坦化した場合、第２導体パターン４をエツチ
ング方式で形成したので第２導体パターン４より
上側に形成される磁気バブル検出用薄膜６が第２
導体パターン４のパターン部エツジで断差を生じ
てしまい断差切れを生じやすい。又、第２絶縁層
の第２導体パターンのパターンエツジ部上に被着
させる部分に絶縁不良が生じやすく、このため磁
気バブル検出用薄膜６と第２導体パターン４との
シヨートの原因をつくりやすい等の欠点がある。
し、第１絶縁層３をほとんどエツチングしない選
択性のある反応ガスを利用したプラズマエツチン
グを施こさねばならない。しかし、その選択性も
反応速度比は1/5程度で、やはりエツチングのバ
ラツキを考えると十分とはいえない。又、第１導
体パターン２を何らかの方法で第２図に示すよう
に平坦化した場合、第２導体パターン４をエツチ
ング方式で形成したので第２導体パターン４より
上側に形成される磁気バブル検出用薄膜６が第２
導体パターン４のパターン部エツジで断差を生じ
てしまい断差切れを生じやすい。又、第２絶縁層
の第２導体パターンのパターンエツジ部上に被着
させる部分に絶縁不良が生じやすく、このため磁
気バブル検出用薄膜６と第２導体パターン４との
シヨートの原因をつくりやすい等の欠点がある。
本発明ではAl−Cuの第２導体層４のパターン
化にエツチングではなく陽極酸化法を利用するた
め、第１導体層２と第２導体層４との間に設ける
第１絶縁層３に何ら影響を与えることなく微細な
パターンを形成することができ、しかも第１導体
層２をプレーナ状に形成し、Al−Cuの第２導体
層４のパターン形成後、第２導体層４より上側の
磁気バブル検出用薄膜６を平坦なパターンに形成
させることができるようにしたものである。
化にエツチングではなく陽極酸化法を利用するた
め、第１導体層２と第２導体層４との間に設ける
第１絶縁層３に何ら影響を与えることなく微細な
パターンを形成することができ、しかも第１導体
層２をプレーナ状に形成し、Al−Cuの第２導体
層４のパターン形成後、第２導体層４より上側の
磁気バブル検出用薄膜６を平坦なパターンに形成
させることができるようにしたものである。
第３図ａ〜第３図ｆは本発明の一実施例を示す
２層導体電流駆動型の磁気バブル素子の製造方法
の説明図であり、以下図に従つて説明する。
２層導体電流駆動型の磁気バブル素子の製造方法
の説明図であり、以下図に従つて説明する。
厚さ2500Åの第１導体層２の磁気バブル転送路
となる部分８を何らかの方法で絶縁部としプレー
ナ状の第１導体パターン２を形成する。この第１
導体パターン２のパターン上に第１絶縁層３を
1500Åの厚さに形成し、次いで第２導体層４とし
ててAl−Cu（Cu：３％）を5000Åの厚さに真空
蒸着する。（第３図ａ） この第２導体層４の全面を約1000Åの厚さにわ
たつて陽極酸化し、コンポジツトなAl2O3である
第２絶縁層９を形成する。（第３図ｂ）陽極酸化
はホウ酸アンモニウムのエツチングリコール飽和
溶液中80Vの定電圧で形成できる。次いで陽極酸
化で形成した第２絶縁層９上にレジストパターン
１０を形成する。（第３図ｃ）次にイオンミーリ
ング法、又は平行平板型プラズマエツチング法で
レジストパターンに応じ、この第２絶縁層を選択
的にエツチングし、第２導体層４を選択的に露出
させる。（第３図ｄ）次いで第２導体層２の選択
的に露出された部分を陽極酸化して、磁気バブル
転送路となるポーラスなAl2O3部１１を形成し、
その結果として第２導体層４がパターン化され、
第２導体パターンが形成される。この場合の
Al2O3部１１はレジストパターン１０と第２絶縁
層９との界面の位置まで増加する。陽極酸化はし
ゆう酸又は硫酸の１％溶液中で10Vの印加電圧で
行うが、この陽極酸化終了後レジスト１０のはく
離を行うが、表面に露出した部分である第２絶縁
層９並びにコンポジツトなAl2O3部１１はほとん
ど段差を生ぜず、ほぼ平坦な形状となるものであ
る。（第３図ｅ）この上に更に新たな第３絶縁層
１２を平坦状に被着させ、その上に磁気バブル検
出用薄膜６としてAl−Cu又はパーマロイを被着
させ、更にパツシベーシヨン膜７を形成する。
（第３図ｆ） この結果、第４図に示す如く、磁性膜１上に、
第１導体パターン２、第１絶縁層３、第２導体パ
ターン４、第２絶縁層９、第３絶縁層１２、磁気
バブル検出用薄膜６を、順次プレーナー状に積層
した磁気バブル素子が構成できる。
となる部分８を何らかの方法で絶縁部としプレー
ナ状の第１導体パターン２を形成する。この第１
導体パターン２のパターン上に第１絶縁層３を
1500Åの厚さに形成し、次いで第２導体層４とし
ててAl−Cu（Cu：３％）を5000Åの厚さに真空
蒸着する。（第３図ａ） この第２導体層４の全面を約1000Åの厚さにわ
たつて陽極酸化し、コンポジツトなAl2O3である
第２絶縁層９を形成する。（第３図ｂ）陽極酸化
はホウ酸アンモニウムのエツチングリコール飽和
溶液中80Vの定電圧で形成できる。次いで陽極酸
化で形成した第２絶縁層９上にレジストパターン
１０を形成する。（第３図ｃ）次にイオンミーリ
ング法、又は平行平板型プラズマエツチング法で
レジストパターンに応じ、この第２絶縁層を選択
的にエツチングし、第２導体層４を選択的に露出
させる。（第３図ｄ）次いで第２導体層２の選択
的に露出された部分を陽極酸化して、磁気バブル
転送路となるポーラスなAl2O3部１１を形成し、
その結果として第２導体層４がパターン化され、
第２導体パターンが形成される。この場合の
Al2O3部１１はレジストパターン１０と第２絶縁
層９との界面の位置まで増加する。陽極酸化はし
ゆう酸又は硫酸の１％溶液中で10Vの印加電圧で
行うが、この陽極酸化終了後レジスト１０のはく
離を行うが、表面に露出した部分である第２絶縁
層９並びにコンポジツトなAl2O3部１１はほとん
ど段差を生ぜず、ほぼ平坦な形状となるものであ
る。（第３図ｅ）この上に更に新たな第３絶縁層
１２を平坦状に被着させ、その上に磁気バブル検
出用薄膜６としてAl−Cu又はパーマロイを被着
させ、更にパツシベーシヨン膜７を形成する。
（第３図ｆ） この結果、第４図に示す如く、磁性膜１上に、
第１導体パターン２、第１絶縁層３、第２導体パ
ターン４、第２絶縁層９、第３絶縁層１２、磁気
バブル検出用薄膜６を、順次プレーナー状に積層
した磁気バブル素子が構成できる。
以上の方法によれば、第２導体パターン形成時
に第１絶縁層をエツチングすることなくプレーナ
ーパターン化できるので、第１絶縁層を薄くする
ことができる。
に第１絶縁層をエツチングすることなくプレーナ
ーパターン化できるので、第１絶縁層を薄くする
ことができる。
又、第１導体パターンをプレーナ化し、第２導
体パターンのAl−Cuパターンもプレーナ化され
ため第２導体パターンのAl−Cuパターンより上
側に形成する磁気バブル検出用薄膜を平坦面上に
形成することができて断差切れの問題を生ずるこ
ともなく、第２導体パターンとのシヨートを防ぐ
ことが可能となる。
体パターンのAl−Cuパターンもプレーナ化され
ため第２導体パターンのAl−Cuパターンより上
側に形成する磁気バブル検出用薄膜を平坦面上に
形成することができて断差切れの問題を生ずるこ
ともなく、第２導体パターンとのシヨートを防ぐ
ことが可能となる。
第１図は従来の２層導体電流駆動型の磁気バブ
ル素子の要部の断面図、第２図は第１層導体プレ
ーナ化したときの従来の２層導体電流駆動型の磁
気バブル素子の要部断面図、第３図ａ〜第３図ｆ
は本発明の一実施例の製造方法の説明図、第４図
は本発明による２層導体電流駆動型の磁気バブル
素子の要部断面図。 １……磁性膜、２……第１導体層、３……第１
絶縁層、４……Al−Cuの第２導体層、５……第
２絶縁層、６……磁気バブル検出用薄膜、７……
パツシベーシヨン膜、８……絶縁部、９……第２
絶縁層、１０……レジストパターン、１１………
Al2O3部、１２……第３絶縁層。
ル素子の要部の断面図、第２図は第１層導体プレ
ーナ化したときの従来の２層導体電流駆動型の磁
気バブル素子の要部断面図、第３図ａ〜第３図ｆ
は本発明の一実施例の製造方法の説明図、第４図
は本発明による２層導体電流駆動型の磁気バブル
素子の要部断面図。 １……磁性膜、２……第１導体層、３……第１
絶縁層、４……Al−Cuの第２導体層、５……第
２絶縁層、６……磁気バブル検出用薄膜、７……
パツシベーシヨン膜、８……絶縁部、９……第２
絶縁層、１０……レジストパターン、１１………
Al2O3部、１２……第３絶縁層。
Claims (1)
- １ 磁性膜上に第１導体パターンと第１絶縁層と
が順次平坦状に形成されたものを用意し、前記第
１絶縁層上にAl−Cuの第２導体層と当該第２導
体層の陽極酸化による厚みの増加分に対応する厚
さの第２絶縁層とを順に形成し、前記第２絶縁層
を選択的にエツチングして前記第２導体層を選択
的に露出させ、当該露出部分に対応する前記第２
導体層を陽極酸化して、第２導体パターンを形成
し、当該第２導体パターンの陽極酸化部と前記第
２絶縁層とで形成される平坦面上に第３絶縁層を
積層することを特徴とする２層導体電流駆動方式
の磁気バブル素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15008980A JPS5773925A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Preparation of magnetic bubble element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15008980A JPS5773925A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Preparation of magnetic bubble element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5773925A JPS5773925A (en) | 1982-05-08 |
| JPS6137770B2 true JPS6137770B2 (ja) | 1986-08-26 |
Family
ID=15489266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15008980A Granted JPS5773925A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Preparation of magnetic bubble element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5773925A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105620A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-05-10 | ジェイ・ジィー・テックス株式会社 | 自動潅水システム |
| JPS63105619A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | ジェイ・ジィー・テックス株式会社 | 自動潅水システム |
-
1980
- 1980-10-28 JP JP15008980A patent/JPS5773925A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105619A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | ジェイ・ジィー・テックス株式会社 | 自動潅水システム |
| JPS63105620A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-05-10 | ジェイ・ジィー・テックス株式会社 | 自動潅水システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5773925A (en) | 1982-05-08 |
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