JPH0375924B2 - - Google Patents
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- JPH0375924B2 JPH0375924B2 JP6111682A JP6111682A JPH0375924B2 JP H0375924 B2 JPH0375924 B2 JP H0375924B2 JP 6111682 A JP6111682 A JP 6111682A JP 6111682 A JP6111682 A JP 6111682A JP H0375924 B2 JPH0375924 B2 JP H0375924B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の対象
本発明は、薄膜磁気ヘツドの電極製造方法に係
り、特に薄膜磁気ヘツドの形成時と同時に形成さ
れる電極の製造方法に関する。
り、特に薄膜磁気ヘツドの形成時と同時に形成さ
れる電極の製造方法に関する。
従来技術
一般に薄膜技術により形成される薄膜磁気ヘツ
ドは、第１図に示す如く、基体であるウエハー１
と該ウエハー１上に設けられる磁気ヘツド素子１
０と電極２０とから構成されている。前記電極２
０は、磁気ヘツド素子１０の形成時と同時に薄膜
技術により形成され、外部の端子間と導通を行な
うためのものである。
ドは、第１図に示す如く、基体であるウエハー１
と該ウエハー１上に設けられる磁気ヘツド素子１
０と電極２０とから構成されている。前記電極２
０は、磁気ヘツド素子１０の形成時と同時に薄膜
技術により形成され、外部の端子間と導通を行な
うためのものである。
従来技術による前記電極２０の製造方法を第２
図を用いて説明する。第２図ａ乃至ｃは従来技術
による電極の製造工程を示す電極の断面図であ
る。この製造方法は、まず第１図ａに示如くウエ
ハー１上に磁気ヘツド素子からの電極引出し用導
体２を形成する。次にエレクトロフオーミングの
際に使用する酸性またはアルカリ性の薬品から、
磁気ヘツド素子を保護するため第１保護膜３を形
成する。次にエレクトロフオーミングの際の通電
用下地となる銅膜４を真空蒸着またはスパツタリ
ング法で形成した後、フオトレジスト５を２〜
10μmの膜厚に形成し、所定の寸法にパターンニ
ングする。次に安定して厚膜が得られる銅または
ニツケルめつき液を用い20〜40μm膜厚の金属導
体６をエレクトロフオーミング法により形成す
る。この場合、導体６の膜厚がフオトレジスト５
の膜厚と同程度の数値までは、導体６の形状は、
フオトレジスト５のパターンニング形状にならつ
て形成される。しかし導体６の膜厚がフオトレジ
スト５の膜厚より厚く形成される場合、導体６の
析出は、膜厚方向だけでなく電気めつきの特徴と
して、膜厚方向と垂直に横方向へも導体６の析出
が第１図ａに示す如く起る。この横方向への析出
は、膜厚方向の析出とほぼ１：１で進行し、20〜
40μmの導体６をエレクトロフオーミング法で形
成した場合には、10〜30μmのオーバーハングが
生じることになる。フオトレジスト５を除去した
際、オーバーハング部の下には、フオトレジスト
膜厚相当の隙間が生じることになる。第１図ｂに
示す様にその後に真空蒸着またはスパツタリング
法によつて無機保護膜７を形成した場合オーバー
ハング部下の隙間を埋めることができず、導体６
の周囲の無機保護膜７に空洞８およびクレバス９
が生じる。この欠陥は、第１図ｃに示す様に無機
保護膜７の表面を機械加工して導体６を露出させ
た場合に、電極部の周囲に現われ耐食性の面から
信頼性の低下を招く原因となつている。
図を用いて説明する。第２図ａ乃至ｃは従来技術
による電極の製造工程を示す電極の断面図であ
る。この製造方法は、まず第１図ａに示如くウエ
ハー１上に磁気ヘツド素子からの電極引出し用導
体２を形成する。次にエレクトロフオーミングの
際に使用する酸性またはアルカリ性の薬品から、
磁気ヘツド素子を保護するため第１保護膜３を形
成する。次にエレクトロフオーミングの際の通電
用下地となる銅膜４を真空蒸着またはスパツタリ
ング法で形成した後、フオトレジスト５を２〜
10μmの膜厚に形成し、所定の寸法にパターンニ
ングする。次に安定して厚膜が得られる銅または
ニツケルめつき液を用い20〜40μm膜厚の金属導
体６をエレクトロフオーミング法により形成す
る。この場合、導体６の膜厚がフオトレジスト５
の膜厚と同程度の数値までは、導体６の形状は、
フオトレジスト５のパターンニング形状にならつ
て形成される。しかし導体６の膜厚がフオトレジ
スト５の膜厚より厚く形成される場合、導体６の
析出は、膜厚方向だけでなく電気めつきの特徴と
して、膜厚方向と垂直に横方向へも導体６の析出
が第１図ａに示す如く起る。この横方向への析出
は、膜厚方向の析出とほぼ１：１で進行し、20〜
40μmの導体６をエレクトロフオーミング法で形
成した場合には、10〜30μmのオーバーハングが
生じることになる。フオトレジスト５を除去した
際、オーバーハング部の下には、フオトレジスト
膜厚相当の隙間が生じることになる。第１図ｂに
示す様にその後に真空蒸着またはスパツタリング
法によつて無機保護膜７を形成した場合オーバー
ハング部下の隙間を埋めることができず、導体６
の周囲の無機保護膜７に空洞８およびクレバス９
が生じる。この欠陥は、第１図ｃに示す様に無機
保護膜７の表面を機械加工して導体６を露出させ
た場合に、電極部の周囲に現われ耐食性の面から
信頼性の低下を招く原因となつている。
この様に従来技術による薄膜磁気ヘツドの電極
製造方法は、耐食性の面から信頼性の低下を招く
と言う問題点を有している。
製造方法は、耐食性の面から信頼性の低下を招く
と言う問題点を有している。
発明の目的
本発明の目的は、上述の従来技術による問題点
を除去することであり、空洞あるいはクレバスの
発生を防止し、耐食性の優れた薄膜磁気ヘツドの
電極の製造方法を提供することである。
を除去することであり、空洞あるいはクレバスの
発生を防止し、耐食性の優れた薄膜磁気ヘツドの
電極の製造方法を提供することである。
発明の総括的説明
上述の目的を達成するため本発明にあつてはエ
レクトロフオーミング法で形成した導体膜のオー
バーハング部分を、テーパーエツチングを行なう
ことによりオーバーハング部分を除去した後に保
護膜を形成することを特徴とする。
レクトロフオーミング法で形成した導体膜のオー
バーハング部分を、テーパーエツチングを行なう
ことによりオーバーハング部分を除去した後に保
護膜を形成することを特徴とする。
発明の実施例
以下本発明の一実施例である電極の製造方法を
第３図ａ乃至ｄを用いて説明する。
第３図ａ乃至ｄを用いて説明する。
本実施例による製造方法は、第３図ａに示すよ
うに、導体６形成までは、従来技術による電極部
形成法と同様に実施する。ウエハー１の上に、電
極引出し用導体２、第１保護膜３、通電用下地膜
４およびフオトレジスト５を所定の寸法に形成す
る。その後、厚膜化容易なエレクトロフオーミン
グ法、例えば、硫酸銅220g／、硫酸775g／
からなる硫酸銅めつき液を用い、銅導体６を形成
する。次に本発明の特徴となる導体６のテーパー
エツチングを行なうため、銅導体６の上に、エツ
チング用フオトレジスト１０をパターンニングす
る。この際、フオトレジスト５は、除去せずに残
し、エツチング液から磁気ヘツド素子を保護する
働きを持たせる。次に塩素酸塩あるいは過硫酸塩
のアルカリ性エツチング溶液を用い、浸漬法ある
いは電解法により銅導体１をエツチングする。こ
の場合、第１保護膜３のパターンニング寸法と、
フオトレジスト５のパターンニング寸法との差が
大きいほどエツチングが容易となる。銅導体６が
エツチングされ、フオトレジスト５の端部が露出
または通電用下地膜４の銅が溶解する時間をエツ
チング終点とする。これにより第３図ｂに示す様
に銅導体６のオーバーハング部は完全に除去され
かつ銅導体６の端部を30〜40度の傾斜角にエツチ
ングすることができる。本実施例のような構造を
有する薄膜磁気ヘツド電極部の導体６を形成した
場合、フオトレジスト５、エツチング用フオトレ
ジスト１０を除去した後に、第３図ｃに示す様に
形成する無機保護膜７は、導体６の傾斜角が40度
以下の場合、充分なステツプカバレージを有し、
欠陥のない膜を形成することができる。この無機
保護膜７の表面を第３図ｄに示す様に機械加工し
ても、空洞およびクレバスの欠陥が生じないた
め、耐食性の良い電極部を形成することができ
る。
うに、導体６形成までは、従来技術による電極部
形成法と同様に実施する。ウエハー１の上に、電
極引出し用導体２、第１保護膜３、通電用下地膜
４およびフオトレジスト５を所定の寸法に形成す
る。その後、厚膜化容易なエレクトロフオーミン
グ法、例えば、硫酸銅220g／、硫酸775g／
からなる硫酸銅めつき液を用い、銅導体６を形成
する。次に本発明の特徴となる導体６のテーパー
エツチングを行なうため、銅導体６の上に、エツ
チング用フオトレジスト１０をパターンニングす
る。この際、フオトレジスト５は、除去せずに残
し、エツチング液から磁気ヘツド素子を保護する
働きを持たせる。次に塩素酸塩あるいは過硫酸塩
のアルカリ性エツチング溶液を用い、浸漬法ある
いは電解法により銅導体１をエツチングする。こ
の場合、第１保護膜３のパターンニング寸法と、
フオトレジスト５のパターンニング寸法との差が
大きいほどエツチングが容易となる。銅導体６が
エツチングされ、フオトレジスト５の端部が露出
または通電用下地膜４の銅が溶解する時間をエツ
チング終点とする。これにより第３図ｂに示す様
に銅導体６のオーバーハング部は完全に除去され
かつ銅導体６の端部を30〜40度の傾斜角にエツチ
ングすることができる。本実施例のような構造を
有する薄膜磁気ヘツド電極部の導体６を形成した
場合、フオトレジスト５、エツチング用フオトレ
ジスト１０を除去した後に、第３図ｃに示す様に
形成する無機保護膜７は、導体６の傾斜角が40度
以下の場合、充分なステツプカバレージを有し、
欠陥のない膜を形成することができる。この無機
保護膜７の表面を第３図ｄに示す様に機械加工し
ても、空洞およびクレバスの欠陥が生じないた
め、耐食性の良い電極部を形成することができ
る。
発明の効果
以上述べた様に薄膜磁気ヘツドの電極部の導体
膜をエレクトロフオーミングで形成後、その導体
膜のオーバーハング部だけを、テーパーエツチン
グすることを特徴とする本発明によればエツチン
グ面積が少なく、エツチングの際の磁気ヘツド素
子の腐食を防止できる。導体膜を30〜40度の傾斜
角にエツチングすることにより、空洞およびクレ
バス欠陥のない、保護膜を得ることができ、薄膜
磁気ヘツドの耐食性など信頼性の向上に効果があ
る。
膜をエレクトロフオーミングで形成後、その導体
膜のオーバーハング部だけを、テーパーエツチン
グすることを特徴とする本発明によればエツチン
グ面積が少なく、エツチングの際の磁気ヘツド素
子の腐食を防止できる。導体膜を30〜40度の傾斜
角にエツチングすることにより、空洞およびクレ
バス欠陥のない、保護膜を得ることができ、薄膜
磁気ヘツドの耐食性など信頼性の向上に効果があ
る。
第１図は一般の薄膜磁気ヘツドの構造を示す図
であり、第２図ａ乃至ｃは、従来技術による製造
方法の製造工程をそれぞれ示す図、第３図ａ乃至
ｄは、本発明による電極の製造方法の製造工程を
それぞれ示す図である。 符号の説明 １…ウエハー、２…電極引出し用
導体、３…第１保護膜、４…通電用下地、５…フ
オトレジスト、６…導体、７…無機保護膜、８…
空洞、９…クレバス、１０…エツチング用フオト
レジスト。
であり、第２図ａ乃至ｃは、従来技術による製造
方法の製造工程をそれぞれ示す図、第３図ａ乃至
ｄは、本発明による電極の製造方法の製造工程を
それぞれ示す図である。 符号の説明 １…ウエハー、２…電極引出し用
導体、３…第１保護膜、４…通電用下地、５…フ
オトレジスト、６…導体、７…無機保護膜、８…
空洞、９…クレバス、１０…エツチング用フオト
レジスト。
Claims (1)
- １ 磁気ヘツド素子及び該磁気ヘツド素子の信号
を外部と連結する電極とを薄膜技術により基体上
に形成する薄膜磁気ヘツドの電極製造方法におい
て、エレクトロフオーミング法で形成した導体膜
のオーバハング部分を、テーパーエツチング法に
より除去した後に保護膜を形成することを特徴と
する薄膜磁気ヘツドの電極製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6111682A JPS58179922A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 薄膜磁気ヘツドの電極製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6111682A JPS58179922A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 薄膜磁気ヘツドの電極製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179922A JPS58179922A (ja) | 1983-10-21 |
| JPH0375924B2 true JPH0375924B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=13161779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6111682A Granted JPS58179922A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 薄膜磁気ヘツドの電極製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179922A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2552189B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1996-11-06 | 富士通株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP4047252B2 (ja) | 2003-06-09 | 2008-02-13 | アルプス電気株式会社 | 薄膜構造体の製造方法 |
| US9218831B1 (en) * | 2014-09-17 | 2015-12-22 | HGST Netherlands B.V. | Side-by-side magnetic multi-input multi-output (MIMO) read head |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP6111682A patent/JPS58179922A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58179922A (ja) | 1983-10-21 |
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