Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH067434B2 - Magnetic bubble memory device - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH067434B2 - Magnetic bubble memory device - Google Patents

Magnetic bubble memory device

Info

Publication number
JPH067434B2
JPH067434B2 JP11641684A JP11641684A JPH067434B2 JP H067434 B2 JPH067434 B2 JP H067434B2 JP 11641684 A JP11641684 A JP 11641684A JP 11641684 A JP11641684 A JP 11641684A JP H067434 B2 JPH067434 B2 JP H067434B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
magnetic bubble
memory device
short bar
bar pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP11641684A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS60261097A (en
Inventor
裕則 近藤
実 広島
雅弘 箭内
哲昭 鈴木
久彌 慶田
清一 西山
充 関野
浩 中臺
俊哉 門山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Microcomputer System Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Microcomputer System Ltd
Priority to JP11641684A priority Critical patent/JPH067434B2/en
Publication of JPS60261097A publication Critical patent/JPS60261097A/en
Publication of JPH067434B2 publication Critical patent/JPH067434B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に係わり、特にマイナル
ープ上の磁気バブル情報をリードメジャラインへ分割複
製するレプリケートゲート部の磁気バブル転送パターン
の構成に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and more particularly, to a configuration of a magnetic bubble transfer pattern of a replicated gate section for duplicating magnetic bubble information on a minor loop into read major lines. Is.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

近年、磁気バブルメモリ素子を高密度、高集積度化する
手段として、磁気バブル情報を記憶保持させるマイナル
ープとして折り重ね形マイナループを用いることが、例
えばIEEE Transaction on Magnetics,VOL.MAG-12,No.6,
November1976に論じられている。
In recent years, as a means for increasing the density and integration of magnetic bubble memory devices, it is possible to use a folded minor loop as a minor loop for storing and retaining magnetic bubble information, for example, IEEE Transaction on Magnetics, VOL.MAG-12, No. 6,
Discussed in November 1976.

第1図はこの種の折り重ね形マイナループを備えた磁気
バブルメモリ素子の要部パターン部である。同図におい
て、1a,1b,1b,……は磁気バブル情報を記憶保持する折
り重ね形マイナループ、2a,2b,2c,……は磁気バブル
(以下バブルと称する)を入出力させるトランファゲー
ト、3a,3b,3c,……はバブルを分割複製するレプリケー
トゲートである。
FIG. 1 is a main pattern portion of a magnetic bubble memory device having a folded minor loop of this type. In the figure, 1a, 1b, 1b, ... Are folded minor loops for storing and holding magnetic bubble information, 2a, 2b, 2c, .. are transfer gates for inputting and outputting magnetic bubbles (hereinafter referred to as bubbles), 3a, 3b, 3c, ... are replicated gates that divide and replicate the bubble.

第2図は前述した折り重ね形マイナループのレプリケー
トゲート部分のバブル転送パターンの一例を示す要部拡
大平面図である。同図において、11a,11b,11cは各マイ
ナループ1a,1b,1cのコーナパターン、12b,12cは各マイ
ナループ1b,1cのコーナバーパターン、13bは相互に隣接
するマイナループ1aとマイナループ1bとの間に結合され
たショートバーパターン、13cは相互に隣接するマイナ
ループ1bとマイナループ1cとの間に結合されたショート
バーパターン、14a〜14nは各マイナループ1a,1b,1cを構
成するシェブロンパターン、Hは回転磁界、Pは磁気
バブル転送方向である。
FIG. 2 is an enlarged plan view of an essential part showing an example of a bubble transfer pattern in the replicated gate portion of the above-mentioned folded type minor loop. In the figure, 11a, 11b, 11c is a corner pattern of each minor loop 1a, 1b, 1c, 12b, 12c is a corner bar pattern of each minor loop 1b, 1c, 13b is between the adjacent minor loop 1a and minor loop 1b short bar pattern bonded, 13c are chevron patterns constituting the short bar pattern coupled between the minor loops 1b and minor loops 1c adjacent to each other, 14a-14n each minor loop 1a, 1b, and 1c, H R is rotated The magnetic field, P is the magnetic bubble transfer direction.

しかしながら、このように構成されるレプリケートゲー
トにおいて、磁気バブルメモリ素子の高密度,高集積度
化に伴なって各マイナループ1a,1b,1c相互間の間隔が短
縮されることにより、回転磁界Hが矢印A方向に向い
たとき、バイアス磁界マージン下限値で同図に示すよう
にショートバーパターン13bとシェブロンパターン14aと
の両者のパターンおよび隣接するショートバーパターン
13cとシェブロンパターン14aとの両者のパターンに橋絡
して磁気バブルBが伸長する転送誤動作が発生し、バイ
アス磁界マージンが大幅に低下するという問題があっ
た。
However, in thus constructed replicate gate, high-density magnetic bubble memory device, high integration is accompanied in each minor loop 1a, 1b, by the spacing between 1c each other is shortened, the rotating magnetic field H R Is directed in the direction of arrow A, the bias magnetic field margin lower limit value shows both patterns of the short bar pattern 13b and the chevron pattern 14a and the adjacent short bar pattern as shown in FIG.
There is a problem in that a transfer malfunction occurs in which the magnetic bubble B expands by bridging both patterns of the 13c and the chevron pattern 14a, and the bias magnetic field margin is significantly reduced.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

したがって本発明は前述した従来の問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、転送誤動作の
発生を防止してバイアス磁界マージンを大きくした磁気
バブルメモリ素子を提供することにある。
Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device having a large bias magnetic field margin by preventing the occurrence of a transfer malfunction.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

このような目的を達成するために本発明は、ショートバ
ーパターンに発生するバブル吸引ポールを低下させるよ
うにしたものである。
In order to achieve such an object, the present invention is to reduce the bubble suction pole generated in the short bar pattern.

〔発明の実施例〕Example of Invention

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第3図(a)〜(e)は本発明による磁気バブルメモリ素子の
実施例を説明するためのレプリケートゲートを構成する
ショートバーパターンの平面構成図である。同図におい
て、相互に隣接するマイナループ間に結合されるショー
トバーパターン13は、同図(a)では左側に隣接するマ
イナループ側にパーマロイパターンが存在しないパター
ン切断部13Aを有し、同図(b)ではその中央部にパターン
切断部13Bを有し、同図(c)では右側に隣接するマイナル
ープ側にパターン切断部13Cを有して形成されている。
この場合、これらの各パターン切断部13A,13B,13Cの巾
はショートバーパターン13の短辺幅とほぼ同等の寸法
を有して形成されている。また同図(d)では中央傾斜部
分にパーマロイパターンが存在しないパターン切断部13
Dが形成されている。同図(e)では同図(d)と同様に形成
しかつ分割されるパターンの対向端を延長させ、第1の
パターン素片131と第2のパターン素片132とでショート
バーパターン13を構成したものである。
FIGS. 3 (a) to 3 (e) are plan configuration diagrams of a short bar pattern constituting a replicated gate for explaining an embodiment of a magnetic bubble memory device according to the present invention. In the figure, the short bar pattern 13 coupled between the minor loops adjacent to each other has a pattern cutting portion 13 A where the permalloy pattern does not exist on the minor loop side adjacent to the left side in FIG. In b), the pattern cut portion 13 B is formed in the central portion, and in FIG. 7C, the pattern cut portion 13 C is formed on the minor loop side adjacent to the right side.
In this case, the width of each of the pattern cut portions 13 A , 13 B , and 13 C is formed to have a dimension substantially equal to the short side width of the short bar pattern 13. Further, in the same figure (d), the pattern cutting part 13 where the permalloy pattern does not exist in the central inclined part
D is formed. In the figure (e), the opposite ends of the pattern formed and divided in the same manner as the figure (d) are extended, and the short bar pattern is formed by the first pattern piece 13 1 and the second pattern piece 13 2. 13 is configured.

このような構成によれば、ショートバーパターン13の
一部にパーマロイパターンの存在しない各種のパターン
切断部13A,13B,13C,13Dを設けたことにより、ショート
バーパターン13の回転磁界方向A側先端部に発生する
吸引ポールが弱くなるので、第2図に示すような転送誤
動作の発生を防止することができる。
According to such a configuration, the rotating magnetic field of the short bar pattern 13 is provided by providing various pattern cutting portions 13 A , 13 B , 13 C , 13 D in which a permalloy pattern does not exist in a part of the short bar pattern 13. Since the suction pole generated at the tip on the direction A side becomes weak, it is possible to prevent the occurrence of a transfer malfunction as shown in FIG.

第4図は第2図に示す従来のショートバーパターン13b,
13cを用いた場合のバイアス磁界マージン(図中斜線の
棒線で示す)ΔHB(e)と第3図に示す本発明による
ショートバーパターン13を用いた場合のバイアス磁界
マージンΔHB(e)とを比較したデータであり、横軸
に示す(O)は第2図の従来例、(a),(b),(c),(d),(e)
は第3図に示す各実施例をそれぞれ示したものである。
同図から明らかなように第3図(a)〜(e)に示すようなシ
ョートバーパターン構成とすることによってバイアス磁
界マージンを大幅に向上させることができる。
FIG. 4 shows the conventional short bar pattern 13b, shown in FIG.
Bias magnetic field margin ΔH B (e) shown in FIG. 3 when using 13c and bias magnetic field margin ΔH B (e) when using the short bar pattern 13 according to the present invention shown in FIG. (O) on the horizontal axis is the conventional example of FIG. 2, (a), (b), (c), (d), (e).
Shows the respective embodiments shown in FIG.
As is clear from the figure, the bias magnetic field margin can be greatly improved by adopting the short bar pattern configuration as shown in FIGS. 3 (a) to 3 (e).

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、ショートバーパタ
ーンと転送パターンとの両方のパターンに磁気バブルを
伸長する転送誤動作の発生がなくなり、バイアス磁界マ
ージンを大幅に向上できるので、品質および信頼性の高
い高密度,高集積度化した磁気バブルメモリ素子が得ら
れるという極めて優れた効果を有する。
As described above, according to the present invention, the occurrence of the transfer malfunction that expands the magnetic bubble in both the short bar pattern and the transfer pattern is eliminated, and the bias magnetic field margin can be significantly improved. It has an extremely excellent effect of obtaining a magnetic bubble memory device with high density and high integration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は折り重ね形マイナループを有する磁気バブルメ
モリ素子の一例を示す要部パターン図、第2図はマイナ
ループのレプリケートゲート部分のバブル転送パターン
を示す要部拡大平面図、第3図(a)〜(e)は本発明による
磁気バブルメモリ素子の実施例を説明するためのショー
トバーパターンの平面構成図、第4図は従来および本発
明によるショートバーパターンを用いた場合の磁気バブ
ルメモリ素子のバイアス磁界マージンを示す図である。 1a,1b,1c……折り重ね形マイナループ、2a,2b,2c……ト
ランスファゲート、3a,3b,3c……レプリケートゲート、
11a,11b,11c……コーナパターン、12b,12c……コーナバ
ーパターン、13,13b,13c……ショートバーパターン、13
A,13B,13C,13D……パターン切断部、131……第1のパタ
ーン素片、132……第2のパターン素片。
FIG. 1 is a main part pattern diagram showing an example of a magnetic bubble memory device having a folded minor loop, FIG. 2 is an enlarged plan view of the main part showing a bubble transfer pattern of a replicated gate part of the minor loop, and FIG. 3 (a). (E) is a plane configuration diagram of a short bar pattern for explaining an embodiment of a magnetic bubble memory device according to the present invention, and FIG. 4 is a magnetic bubble memory device using a conventional short bar pattern and a short bar pattern according to the present invention. It is a figure which shows a bias magnetic field margin. 1a, 1b, 1c …… Folded minor loop, 2a, 2b, 2c …… Transfer gate, 3a, 3b, 3c …… Replica gate,
11a, 11b, 11c …… Corner pattern, 12b, 12c …… Corner bar pattern, 13,13b, 13c …… Short bar pattern, 13
A , 13 B , 13 C , 13 D ...... Pattern cutting part, 13 1 ...... First pattern element, 13 2 ...... Second pattern element.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 鈴木 哲昭 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 慶田 久彌 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 西山 清一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 関野 充 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピユータエンジニアリング株式会 社内 (72)発明者 中臺 浩 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピユータエンジニアリング株式会 社内 (72)発明者 門山 俊哉 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピユータエンジニアリング株式会 社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masahiro Yanai 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi Mobara factory (72) Inventor Tetsuaki Suzuki 3300 Hayano, Mobara-shi Chiba Hitachi Mobara factory (72) 72) Inventor Hisaya Keida 3300, Hayano, Mobara-shi, Chiba, within the Mobara Plant, Hitachi, Ltd. (72) Inventor, Seiichi Nishiyama 3300, Hayano, Mobara, Chiba, Ltd., within the Mobara, Hitachi, Ltd. (72) Inventor, Mitsuru Sekino Tokyo 1479, Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Hitachi In-house (72) Inventor, Hiroshi Nakakai Hiroshi Nakakai, Tokyo 1479, Kamimizu-honmachi, Kodaira, Tokyo In-house (72), Inventor, Toshiya Kadoyama, Tokyo 1479 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi Hitachi My Croco Rain Yuta engineering shares meeting house

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の磁気バブル転送パターン(14a,
14n)を連ねた、情報を記憶するための複数のマイナ
ーループ(1a,1b,1c)と、磁気バブルを分割複
製するレプリケートゲート(2c,2b,2a)と、該
ゲート部で磁気バブルを反対方向に転回して転送するコ
ーナ部において、二つの並行する直線部とそれらを結ぶ
斜線部とを有するショートバーパターン(13b,13
c)を、隣合う上記マイナーループ間に配置した磁気バ
ブルメモリ素子において、 上記斜線部の全部を切り欠いて{13D,第3図
(d),(e)}上記ショートバーパターンを二つのパ
ターンに分離したことを特徴とする磁気バブルメモリ素
子。
1. A plurality of magnetic bubble transfer patterns (14a,
14n), a plurality of minor loops (1a, 1b, 1c) for storing information, a replicated gate (2c, 2b, 2a) that divides and duplicates a magnetic bubble, and the magnetic bubble is opposed at the gate portion. A short bar pattern (13b, 13) having two parallel straight line portions and a diagonal line portion connecting the straight line portions in the corner portion which is turned and transferred in the direction.
c) In the magnetic bubble memory device arranged between the minor loops adjacent to each other, all the shaded portions are cut out {13D, FIG. 3 (d), (e)} The short bar pattern has two patterns. A magnetic bubble memory device characterized by being separated into.
JP11641684A 1984-06-08 1984-06-08 Magnetic bubble memory device Expired - Lifetime JPH067434B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11641684A JPH067434B2 (en) 1984-06-08 1984-06-08 Magnetic bubble memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11641684A JPH067434B2 (en) 1984-06-08 1984-06-08 Magnetic bubble memory device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60261097A JPS60261097A (en) 1985-12-24
JPH067434B2 true JPH067434B2 (en) 1994-01-26

Family

ID=14686529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11641684A Expired - Lifetime JPH067434B2 (en) 1984-06-08 1984-06-08 Magnetic bubble memory device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH067434B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60261097A (en) 1985-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH067434B2 (en) Magnetic bubble memory device
US4247912A (en) Magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins
US4528645A (en) Magnetic bubble memory device
JP2845467B2 (en) Dynamic semiconductor memory device
US4276614A (en) Ion-implanted magnetic bubble memory with merge port
JPH0625015Y2 (en) Semiconductor device
JPS5916192A (en) Magnetic bubble element
US4357682A (en) Conductorless transfer for magnetic bubble memories
US4358830A (en) Bubble memory with enhanced bit density storage area
JPS60179989A (en) Magnetic bubble transfer line
JPS6158917B2 (en)
JPH0616352B2 (en) Magnetic bubble transfer circuit
US4745578A (en) Magnetic bubble memory device
JPS61994A (en) Magnetic bubble memory device
JPS5858755B2 (en) Merge element for ion implantation bubble element
JPS60261098A (en) Magnetic bubble memory element
JPS61165879A (en) Matnetic bubble memory element
JPS60117483A (en) Magnetic bubble memory device
JPH0743939B2 (en) Superconducting circuit device
JPS6120955B2 (en)
JPS61264584A (en) Magnetic bubble memory element
JPH0646501B2 (en) Magnetic bubble memory device
JPS6149755B2 (en)
JPS62117186A (en) Magnetic bubble memory device
JPS61258388A (en) magnetic bubble element