JPS6161681B2 - - Google Patents
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- JPS6161681B2 JPS6161681B2 JP14709181A JP14709181A JPS6161681B2 JP S6161681 B2 JPS6161681 B2 JP S6161681B2 JP 14709181 A JP14709181 A JP 14709181A JP 14709181 A JP14709181 A JP 14709181A JP S6161681 B2 JPS6161681 B2 JP S6161681B2
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- semiconductor
- graphite sheet
- paste
- sheet
- electrode
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- Expired
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正特性磁器半導体の製造方法に関する
ものであり、例えば内燃機関の燃料霧化促進装
置、温風装置などに用いて好都合である。
ものであり、例えば内燃機関の燃料霧化促進装
置、温風装置などに用いて好都合である。
従来、正特性磁器半導体には無電解メツキ法に
よるオーミツク電極の表面に金属粉末を含むペー
ストの塗布焼付によるカバー電極が形成してあ
る。この半導体を加熱装置として用いた場合、そ
の半導体の熱を金属基板に良好に伝えるために半
導体と金属基板との間に熱伝導シートを介在させ
る方法が提案されている。
よるオーミツク電極の表面に金属粉末を含むペー
ストの塗布焼付によるカバー電極が形成してあ
る。この半導体を加熱装置として用いた場合、そ
の半導体の熱を金属基板に良好に伝えるために半
導体と金属基板との間に熱伝導シートを介在させ
る方法が提案されている。
このシートは一般には弾性をもつた合成樹脂と
金属粉末との混合物が従来知られている。
金属粉末との混合物が従来知られている。
しかしながら、従来のシートはその製造が面倒
であり、しかも金属基板と半導体との間に介在
（接着しない）する構造のため、組付時にシート
の位置がずれやすく、従つて組付性が非常に悪い
という問題を有している。
であり、しかも金属基板と半導体との間に介在
（接着しない）する構造のため、組付時にシート
の位置がずれやすく、従つて組付性が非常に悪い
という問題を有している。
そこで、本発明は上記の点に鑑み、熱伝導シー
トとしてグラフアイト製のシート（以下グラフア
イトシートと略す）を用い、半導体の表面に前記
ペーストを塗布した後にその塗布部にグラフアイ
トシートを接着し、その後に焼付けることによつ
てカバー電極とグラフアイトシートとを一体的に
結合することにより、上記の諸問題を解決しよう
とするものである。
トとしてグラフアイト製のシート（以下グラフア
イトシートと略す）を用い、半導体の表面に前記
ペーストを塗布した後にその塗布部にグラフアイ
トシートを接着し、その後に焼付けることによつ
てカバー電極とグラフアイトシートとを一体的に
結合することにより、上記の諸問題を解決しよう
とするものである。
以下本発明を第１図の具体的実施例により詳細
に説明する。本発明方法においては、まず従来公
知の方法によつてTiO2、BaCO3、PbO、SiO2、
Y2O3等を混合して焼成したチタン酸バリウム系
正特性磁器半導体１を得る。この半導体１は例え
ば円板状の形状を有している。半導体１は特定温
度で抵抗値が急増するキユーリー点をもつてい
る。次いで、半導体１の両面を公知の方法で研摩
して、その研摩表面に無電解メツキ法によりNi
製のオーミツク電極２を形成する。その後、この
オーミツク電極２の表面に、公知のAg粉末を含
むペーストを150メツシユ〜300メツシユのスクリ
ーンにより印刷する。このペースト面に、そのペ
ーストが充分乾燥して固まらない内に塗布後直ち
に厚み0.1〜0.5mmのグラフアイトシート４をその
ペースト自身の粘着力により接着し、その後全体
を150℃〜550℃の温度で焼成し、上記ペーストを
焼付ける。
に説明する。本発明方法においては、まず従来公
知の方法によつてTiO2、BaCO3、PbO、SiO2、
Y2O3等を混合して焼成したチタン酸バリウム系
正特性磁器半導体１を得る。この半導体１は例え
ば円板状の形状を有している。半導体１は特定温
度で抵抗値が急増するキユーリー点をもつてい
る。次いで、半導体１の両面を公知の方法で研摩
して、その研摩表面に無電解メツキ法によりNi
製のオーミツク電極２を形成する。その後、この
オーミツク電極２の表面に、公知のAg粉末を含
むペーストを150メツシユ〜300メツシユのスクリ
ーンにより印刷する。このペースト面に、そのペ
ーストが充分乾燥して固まらない内に塗布後直ち
に厚み0.1〜0.5mmのグラフアイトシート４をその
ペースト自身の粘着力により接着し、その後全体
を150℃〜550℃の温度で焼成し、上記ペーストを
焼付ける。
これにより、ペーストはカバー電極３となり、
かつグラフアイトシート４はこの電極３と一体的
に結合し、剥離することがなくなる。
かつグラフアイトシート４はこの電極３と一体的
に結合し、剥離することがなくなる。
なお、このグラフアイトシート４の上面には金
属基板５が取付けられており、このグラフアイト
シート４を介して半導体１が基板５にばね等を用
いて圧着してある。
属基板５が取付けられており、このグラフアイト
シート４を介して半導体１が基板５にばね等を用
いて圧着してある。
本発明は上述のごとく、グラフアイトシート４
がカバー電極３と一体的に結合しているため、上
記のように半導体１を金属基板５に組付ける際に
グラフアイトシート４がずれることがなく、組付
作業性が非常によくなる。また、カバー電極３と
グラフアイトシート４とを結合するのに接着剤を
使用しておらず、カバー電極３の焼付工程を利用
しているため、グラフアイトシート４の結合も非
常に簡単である。
がカバー電極３と一体的に結合しているため、上
記のように半導体１を金属基板５に組付ける際に
グラフアイトシート４がずれることがなく、組付
作業性が非常によくなる。また、カバー電極３と
グラフアイトシート４とを結合するのに接着剤を
使用しておらず、カバー電極３の焼付工程を利用
しているため、グラフアイトシート４の結合も非
常に簡単である。
次に、第２図〜第５図に実験結果を示す。
第２図は前記Agペーストのスクリーン印刷に
用いるスクリーンのメツシユサイズがガソリン混
合気に与える電力に与える影響を示している。ガ
ソリン混合気に与える電力（以下電力という）と
は第１図に示した構成において、金属基板５の表
面に定温度、定流量のガソリン混合気をあてた時
の半導体１が消費する電力である。メツシユサイ
ズが300メツシユ以上ではAgペーストの厚みが充
分でなく、グラフアイトシート４が良好に接着さ
れず電力は低下する。
用いるスクリーンのメツシユサイズがガソリン混
合気に与える電力に与える影響を示している。ガ
ソリン混合気に与える電力（以下電力という）と
は第１図に示した構成において、金属基板５の表
面に定温度、定流量のガソリン混合気をあてた時
の半導体１が消費する電力である。メツシユサイ
ズが300メツシユ以上ではAgペーストの厚みが充
分でなく、グラフアイトシート４が良好に接着さ
れず電力は低下する。
第３図は半導体１とグラフアイトシート４との
寸法差がシヨートに与える影響を示す。第３図の
シヨート率とは、第１図の構成にて振動耐久を行
ない、シヨート発生数／全数とした。第３図のｄ
寸法（半導体１の外縁とシート４の外縁との間の
寸法）が0.5mmより小さいと、シヨートを発生す
る。
寸法差がシヨートに与える影響を示す。第３図の
シヨート率とは、第１図の構成にて振動耐久を行
ない、シヨート発生数／全数とした。第３図のｄ
寸法（半導体１の外縁とシート４の外縁との間の
寸法）が0.5mmより小さいと、シヨートを発生す
る。
第４図はグラフアイトシート４の厚さが電力に
与える影響を示す。グラフアイトシート４の厚さ
が0.1mmより薄い場合、半導体１および金属基板
５の表面粗度および歪に充分追従できず、電力が
減少する。また、0.5mmより厚い場合、熱伝導性
が悪化し、電力が減少する。
与える影響を示す。グラフアイトシート４の厚さ
が0.1mmより薄い場合、半導体１および金属基板
５の表面粗度および歪に充分追従できず、電力が
減少する。また、0.5mmより厚い場合、熱伝導性
が悪化し、電力が減少する。
第５図はAgペーストの焼付温度が電力に与え
る影響を示す。焼付温度が550℃より高いと、グ
ラフアイトシート４が分解してしまい、熱伝導性
が悪化し、電力が減少する。
る影響を示す。焼付温度が550℃より高いと、グ
ラフアイトシート４が分解してしまい、熱伝導性
が悪化し、電力が減少する。
また、焼付温度が150℃より低い温度で焼付け
可能なAgペーストに使用できる材質は、耐熱性
を考慮すればない。
可能なAgペーストに使用できる材質は、耐熱性
を考慮すればない。
次に、本発明の方法により得た半導体を採用し
た加熱装置を第６，７，８図に示す。
た加熱装置を第６，７，８図に示す。
第６図は金属基板５と底板８とにより半導体１
を収納したものであり、図中７はスプリングであ
る。これは例えば内燃機関の吸気管のライザ壁に
固定され、ライザヒータとして用いる。
を収納したものであり、図中７はスプリングであ
る。これは例えば内燃機関の吸気管のライザ壁に
固定され、ライザヒータとして用いる。
第７図および第８図は円筒５，９の間に半導体
１を配設し、かつ正電極板６と絶縁材８を配設し
て複数のＵ字形ばね７で半導体１を圧接したもの
である。これは例えば内燃機関の気化器と吸気管
との間に配置して円筒５の内側に燃料混合気を流
す。
１を配設し、かつ正電極板６と絶縁材８を配設し
て複数のＵ字形ばね７で半導体１を圧接したもの
である。これは例えば内燃機関の気化器と吸気管
との間に配置して円筒５の内側に燃料混合気を流
す。
なお、本発明において、グラフアイトシート４
は半導体１および金属基板５の歪および表面粗度
をその弾性力にて吸収し、密着性の向上となり極
めて良好な伝熱特性を示す。グラフアイトシート
４は電気伝導性も優れる。
は半導体１および金属基板５の歪および表面粗度
をその弾性力にて吸収し、密着性の向上となり極
めて良好な伝熱特性を示す。グラフアイトシート
４は電気伝導性も優れる。
第９図にその効果を示す。Ａは本発明の例、Ｂ
は半導体および金属基板を研摩し、両者を直接圧
着した例、Ｃは研摩せずに両者を直接圧着した例
を示す。
は半導体および金属基板を研摩し、両者を直接圧
着した例、Ｃは研摩せずに両者を直接圧着した例
を示す。
なお、本発明において、電極２，３の材質はオ
ーミツク接触であり、かつ接触抵抗が低ければ上
述の実施例に限らず、なんでもよい。
ーミツク接触であり、かつ接触抵抗が低ければ上
述の実施例に限らず、なんでもよい。
第１図は本発明により得た半導体を用いた加熱
装置を示す断面図、第２図〜第５図は本発明の説
明に供する特性図、第６図および第７図は本発明
により得た半導体を用いた加熱装置を示す断面
図、第８図は第７図のＡ部拡大断面図、第９図は
本発明の効果の説明に供する特性図である。 １……半導体、２，３……電極、４……グラフ
アイトシート。
装置を示す断面図、第２図〜第５図は本発明の説
明に供する特性図、第６図および第７図は本発明
により得た半導体を用いた加熱装置を示す断面
図、第８図は第７図のＡ部拡大断面図、第９図は
本発明の効果の説明に供する特性図である。 １……半導体、２，３……電極、４……グラフ
アイトシート。
Claims (1)
- １ 正特性磁器半導体の表面に電極を形成すると
ともに、その表面に金属粉末を含むペーストを塗
布焼付けてカバー電極を形成する際に、そのペー
ストを塗布後にグラフアイト製のシートをそのペ
ースト塗布面に接着し、その後焼付けて前記シー
トを前記カバー電極に一体的に結合する正特性磁
器半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14709181A JPS5848407A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14709181A JPS5848407A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848407A JPS5848407A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6161681B2 true JPS6161681B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15422266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14709181A Granted JPS5848407A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431573U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246693A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14709181A patent/JPS5848407A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431573U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848407A (ja) | 1983-03-22 |
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