Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS626390B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS626390B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS626390B2
JPS626390B2 JP52077420A JP7742077A JPS626390B2 JP S626390 B2 JPS626390 B2 JP S626390B2 JP 52077420 A JP52077420 A JP 52077420A JP 7742077 A JP7742077 A JP 7742077A JP S626390 B2 JPS626390 B2 JP S626390B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
base
collector
resistor
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52077420A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5412218A (en
Inventor
Hajime Takano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7742077A priority Critical patent/JPS5412218A/en
Publication of JPS5412218A publication Critical patent/JPS5412218A/en
Publication of JPS626390B2 publication Critical patent/JPS626390B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control

Landscapes

  • Television Receiver Circuits (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はテレビジヨン受像機の映像中間周波
(VIF)回路に用いるキード(Keyed)AGC(自
動利得制御)回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a keyed AGC (automatic gain control) circuit used in a video intermediate frequency (VIF) circuit of a television receiver.

テレビジヨンの負変調波を受信する受像機の
AGCには、普通せん頭値形AGCが用いられる
が、この方法ではあいつぐ二つの水平同期信号の
間の期間に外部から大きいインパルス性の雑音が
入ると、その雑音によつても動作してしまうの
で、受像機の利得が変化する。この影響を除くた
めに、水平同期信号の期間だけを選び出して
AGCに用い、他の期間は動作しないようにした
ものをキードAGCという。
A receiver that receives negatively modulated waves from television.
Peak value type AGC is normally used for AGC, but with this method, if large impulsive noise enters from the outside during the period between two horizontal synchronization signals, it will also operate due to that noise. Therefore, the gain of the receiver changes. In order to eliminate this effect, only the period of the horizontal synchronization signal is selected.
Keyed AGC is used for AGC and does not operate during other periods.

従来のこの種の回路を第1図に示し説明する
と、図において、IN1は負方向の水平パルスが印
加される入力端子、IN2は映像信号が印加される
入力端子、OUTはAGC出力が得られる出力端子
である。Q1,Q2は第1および第2のトランジス
タで、そのエミツタは共通に接続され、これらは
差動増幅回路を構成し、第2のトランジスタQ2
のベースに入力端子IN2からの映像信号を印加
し、第1のトランジスタQ1のベースには電源Vcc
と接地間に直列に接続された抵抗R1と変抵抗器
VRおよび抵抗R2からなる可変電圧回路により比
較電位が印加されている。そして第1および第2
のトランジスタQ1,Q2のベースにそれぞれ加え
られる信号電位相互を比較して第2のトランジス
タQ2のコレクタから出力を取り出すことができ
る。
A conventional circuit of this kind is shown in Fig. 1. In the figure, IN 1 is an input terminal to which a negative horizontal pulse is applied, IN 2 is an input terminal to which a video signal is applied, and OUT is an AGC output terminal. This is the output terminal obtained. Q 1 and Q 2 are first and second transistors, whose emitters are connected in common, and these constitute a differential amplifier circuit, and the second transistor Q 2
The video signal from the input terminal IN 2 is applied to the base of the first transistor Q 1, and the power supply Vcc is applied to the base of the first transistor Q 1 .
a resistor R 1 and a resistor connected in series between and ground
A comparison potential is applied by a variable voltage circuit consisting of VR and resistor R2 . and the first and second
By comparing the signal potentials applied to the bases of the second transistors Q 1 and Q 2 , an output can be taken out from the collector of the second transistor Q 2 .

このとき、第2のトランジスタQ2のベースに
加えられる映像信号のうち、主として水平帰線期
間または水平同期信号期間あるいは水平帰線期間
のペデスタル部分(以下、この3種の期間を水平
パルス期間と呼称する)の電位のみを、第1のト
ランジスタQ1のベースに印加される比較信号と
比較するために、強制的に水平パルス期間以外の
み、第2のトランジスタQ2の第1のトランジス
タQ1に対する比較機能を失わせ、かつ出力端子
OUTに得られるAGC出力を低電位レベルまたは
高電位レベルにクランプするために、第2のトラ
ンジスタQ2のエミツタ・コレクタ間を短絡する
ための第3のトランジスタQ3を設け、そのエミ
ツタとコレクタをそれぞれ第2のトランジスタ
Q2のエミツタとコレクタに共通接続し、第3の
トランジスタQ3のベースに水平パルス(期間)
を印加する。ここで、第1図においては、入力端
子IN1に負方向の水平パルスを加え、抵抗R3,R4
およびツエナーダイオードZDによつて水平パル
ス期間のみ第3のトランジスタQ3をオフとする
ように構成されている。
At this time, of the video signal applied to the base of the second transistor Q 2 , the pedestal portion of the horizontal retrace period, horizontal synchronization signal period, or horizontal retrace period (hereinafter, these three types of periods are referred to as horizontal pulse periods). The first transistor Q 1 of the second transistor Q 2 is forced only outside the horizontal pulse period in order to compare the potential of only the potential of the second transistor Q 2 with the comparison signal applied to the base of the first transistor Q 1 and output terminal
In order to clamp the AGC output obtained at OUT to a low potential level or a high potential level, a third transistor Q3 is provided to short-circuit the emitter and collector of the second transistor Q2 . each second transistor
Commonly connected to the emitter and collector of Q 2 and horizontal pulse (period) to the base of the third transistor Q 3
Apply. Here, in Fig. 1, a negative horizontal pulse is applied to the input terminal IN 1 , and the resistors R 3 and R 4
The third transistor Q3 is turned off only during the horizontal pulse period by the Zener diode ZD.

Q4は第1および第2のトランジスタQ1,Q2
らなる差動増幅回路に供給する定電流源用の第4
のトランジスタ、R5は第4のトランジスタQ4
エミツタと接地間に挿入された定電流源用の抵
抗、R6は同バイアス用抵抗、Dは同バイアス用
ダイオード、R7は同バイアス用抵抗である。そ
してR8は第2のトランジスタQ2のコレクタと電
源Vccとの間に接続された負荷抵抗、Eは回路上
の接地、Sはバイポーラモノリシツク集積回路
(以下、ICと略称する)構造上のサブストレー
ト、すなわち接地記号である。
Q4 is a fourth constant current source that supplies the differential amplifier circuit consisting of the first and second transistors Q1 and Q2 .
transistor, R5 is a constant current source resistor inserted between the emitter of the fourth transistor Q4 and ground, R6 is a bias resistor, D is a bias diode, and R7 is a bias resistor. It is. R8 is a load resistor connected between the collector of the second transistor Q2 and the power supply Vcc, E is the ground on the circuit, and S is the ground on the bipolar monolithic integrated circuit (hereinafter abbreviated as IC) structure. Substrate, or ground symbol.

しかしながら、このような回路においては、つ
ぎのような欠点があつた。
However, such a circuit has the following drawbacks.

すなわち、第1図に示す回路をICで構成した
場合、水平パルス期間以外の期間において第3の
トランジスタQ3のベース電位が抵抗R4およびツ
エナーダイオードZDで決まる電位にクランプさ
れ、一方、AGC回路の出力ダイナミツクレンジ
の要求から抵抗R8による電位降下を大きくとる
要求があるため、出力端子OUTの電位がa点の
電位よりも低くなり、第3のトランジスタQ3
ベース・コレクタ間は順方向にバイアスされ、後
述するIC構造からくるサブストレート層をコレ
クタ、第3のトランジスタQ3のベースをエミツ
タ、第3のトランジスタQ3のコレクタをベース
とする垂直方向のpnpトランジスタが発生し、電
源Vccより抵抗R4〜トランジスタR3のベース〜ト
ランジスタQ3のサブストレート層を経由する不
用な電流が流れていた。
That is, when the circuit shown in FIG. 1 is configured with an IC, the base potential of the third transistor Q3 is clamped to the potential determined by the resistor R4 and the Zener diode ZD during periods other than the horizontal pulse period, while the AGC circuit Due to the output dynamics range requirement, there is a demand for a large potential drop across the resistor R8 , so the potential at the output terminal OUT becomes lower than the potential at point a, and the voltage between the base and collector of the third transistor Q3 is A vertically oriented pnp transistor is generated, with the substrate layer from the IC structure described later as the collector, the base of the third transistor Q 3 as the emitter, and the collector of the third transistor Q 3 as the base. An unnecessary current was flowing from Vcc through the resistor R4 , the base of the transistor R3 , and the substrate layer of the transistor Q3 .

本発明は以上の点に鑑み、このような欠点を除
去すべくなされたもので、その目的は前述の欠点
を除去するとともに回路構成を簡素化し得るキー
ドAGC回路を提供することにある。
In view of the above points, the present invention has been made to eliminate such drawbacks, and its purpose is to provide a keyed AGC circuit that can eliminate the aforementioned drawbacks and simplify the circuit configuration.

このような目的を達成するために、本発明は、
一対のトランジスタのエミツタを共通に接続して
差動増幅回路を構成する第1のトランジスタのベ
ースにAGC調整用可変電圧を印加し、第2のト
ランジスタのベースに検波された複合映像信号を
印加し、かつ第1のトランジスタのベースに第3
のトランジスタのコレクタまたはエミツタを接続
し、第3のトランジスタのエミツタまたはコレク
タを接地または電源ラインに接続し、第3のトラ
ンジスタのベースに抵抗を介してキードAGCの
ための水平同期パルスまたは水平パルスを供給す
るようにしたもので、以下図面に基づき本発明の
実施例を詳細に説明する。
In order to achieve such an objective, the present invention
A variable voltage for AGC adjustment is applied to the base of a first transistor that configures a differential amplifier circuit by connecting the emitters of a pair of transistors in common, and a detected composite video signal is applied to the base of a second transistor. , and a third transistor at the base of the first transistor.
Connect the collector or emitter of the transistor, connect the emitter or collector of the third transistor to ground or power line, and connect the horizontal sync pulse or horizontal pulse for keyed AGC through the resistor to the base of the third transistor. Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第2図は本発明によるキードAGC回路の一実
施例を示す回路図である。第2図において第1図
と同一符号のものは相当部分を示し、IN11は水平
同期パルスまたは水平パルスが印加される入力端
子、IN12は検波された複合映像信号が印加される
入力端子である。ここで、入力端子IN11および
IN12は第1図に示す入力端子IN1,IN2にそれぞれ
対応する。そして、エミツタを共通に接続して差
動増幅回路を構成する第1および第2のトランジ
スタQ11,Q12のうち、第1のトランジスタQ11
コレクタは電源Vccに接続され、ベースは電源
Vccと接地との間に直列接続された抵抗R1、可変
抵抗器VR、抵抗R2からなる可変電圧回路の可変
抵抗器VRの可動子に接続され、AGC調整用可変
電圧(比較電位)が印加されるように構成されて
いる。また、第2のトランジスタQ12のコレクタ
は出力端子OUTに接続されると共に、抵抗R8
介して電源Vccに接続され、ベースは検波された
複合映像信号が印加される入力端子IN12に接続さ
れている。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the keyed AGC circuit according to the present invention. In Figure 2, the same numbers as in Figure 1 indicate corresponding parts, IN 11 is the input terminal to which the horizontal synchronizing pulse or horizontal pulse is applied, and IN 12 is the input terminal to which the detected composite video signal is applied. be. Here, input terminals IN 11 and
IN 12 corresponds to input terminals IN 1 and IN 2 shown in FIG. 1, respectively. Of the first and second transistors Q 11 and Q 12 whose emitters are commonly connected to form a differential amplifier circuit, the collector of the first transistor Q 11 is connected to the power supply Vcc, and the base is connected to the power supply Vcc.
It is connected to the mover of the variable resistor VR of a variable voltage circuit consisting of a resistor R1 , a variable resistor VR, and a resistor R2 connected in series between Vcc and ground, and the variable voltage (comparison potential) for AGC adjustment is connected to the movable element of the variable resistor VR. is configured to be applied. In addition, the collector of the second transistor Q12 is connected to the output terminal OUT and also to the power supply Vcc via the resistor R8 , and the base is connected to the input terminal IN12 to which the detected composite video signal is applied. has been done.

一方、第3のトランジスタQ13のコレクタは第
2のトランジスタQ12のベースに接続され、第3
のトランジスタQ13のエミツタは接地され、ベー
スは抵抗R3を介して水平同期パルスまたは水平
パルスが印加される入力端子IN11に接続されてい
る。
On the other hand, the collector of the third transistor Q13 is connected to the base of the second transistor Q12, and the collector of the third transistor Q13 is connected to the base of the second transistor Q12.
The emitter of the transistor Q 13 is grounded, and the base is connected via a resistor R 3 to the input terminal IN 11 to which the horizontal synchronization pulse or horizontal pulse is applied.

また、上記差動増幅回路に供給する定電流源用
の第4のトランジスタQ14のコレクタは第1およ
び第2のトランジスタQ11,Q12のエミツタ共通
接続点に接続され、第4のトランジスタQ14のエ
ミツタは抵抗R5を介して接地され、ベースは電
源Vccと接地間に直列接続して挿入された抵抗
R6、ダイオードD、抵抗R7からなるバイアス回
路の抵抗R6とダイオードDとの接続点に接続さ
れている。
Further, the collector of the fourth transistor Q14 for a constant current source supplied to the differential amplifier circuit is connected to the common connection point of the emitters of the first and second transistors Q11 and Q12 , The emitter of 14 is grounded through resistor R5 , and the base is a resistor inserted in series between the power supply Vcc and ground.
It is connected to the connection point between resistor R 6 and diode D of a bias circuit consisting of R 6 , diode D, and resistor R 7 .

このように構成された回路において、第2およ
び第1のトランジスタQ12,Q11のベースにそれ
ぞれ映像信号と比較電位を加え、第1および第2
のトランジスタQ11,Q12に加えられる信号電位
相互を比較して第2のトランジスタQ12または第
1のトランジスタQ11のコレクタから出力を取り
出すことができる。これと同時に第3のトランジ
スタQ13のベースに抵抗R3を介して負または正の
水平パルスを印加してb点の電位を接地(または
電源電位)または第3のトランジスタQ13によつ
て拘束しないようにすることによつてキード
AGCを達成することができる。
In the circuit configured in this way, a video signal and a comparison potential are applied to the bases of the second and first transistors Q 12 and Q 11 , respectively, and the first and second
By comparing the signal potentials applied to the transistors Q 11 and Q 12 , an output can be taken out from the collector of the second transistor Q 12 or the first transistor Q 11 . At the same time, a negative or positive horizontal pulse is applied to the base of the third transistor Q13 via the resistor R3 , and the potential at point b is constrained by grounding (or power supply potential) or by the third transistor Q13 . keyed by avoiding
AGC can be achieved.

第3図は第1図および第2図の動作説明に供す
る図で、第1図に示す第3のトランジスタQ3
対応する第3のトランジスタQ13のIC構造を示す
ものである。第3図において、NEDBはN形エミ
ツタ拡散層、Eはその電極、PBDBはP形ベース
拡散層、Bはその電極、NCEBはN形コレクタエ
ピタキシヤル層、Cはその電極、PSDBはP形分
離拡散層、Sはその電極、PSSBはP形サブスト
レート層である。そして、このP形サブストレー
ト層PSSBはP形分離拡散層PSDBと構造上同一
導電形でつながつており、他のIC上の素子から
も電気的に分離されている。IOMはICを構成す
るための絶縁酸化膜である。ここで、電極C,
E,Bはそれぞれ第3のトランジスタQ13のコレ
クタ、エミツタ、ベースに対応する。
FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of FIGS. 1 and 2, and shows the IC structure of a third transistor Q 13 corresponding to the third transistor Q 3 shown in FIG. 1. In Figure 3, NEDB is the N-type emitter diffusion layer, E is its electrode, PBDB is the P-type base diffusion layer, B is its electrode, NCEB is the N-type collector epitaxial layer, C is its electrode, and PSDB is the P-type isolation layer. The diffusion layer, S is its electrode, and PSSB is the P-type substrate layer. This P-type substrate layer PSSB is structurally connected to the P-type isolation diffusion layer PSDB with the same conductivity type, and is electrically isolated from the elements on other ICs. IOM is an insulating oxide film used to configure ICs. Here, electrode C,
E and B correspond to the collector, emitter, and base of the third transistor Q13 , respectively.

このように構成されたICの通常の動作におい
ては、N形エミツタ拡散層NEDB、P形ベース拡
散層PBDB、N形コレクタエピタキシヤル層
NCEBがそれぞれエミツタ、ベース、コレクタの
npnトランジスタQ13として、エミツタEが最も
低い電位、ベースBがエミツタEより約0.7V高
い順方向電位、コレクタCがエミツタEより十分
高い電位を保ち、正常な動作を行う。しかるにト
ランジスタQ13が飽和してコレクタCの電位がエ
ミツタEの電位に近づくと、ベースBがコレクタ
Cよりも電位が高くなり、この値が約0.7V付近
になるとベースB〜コレクタCが順方向バイアス
となり、P形分離拡散層PSDBおよびP形サブス
トレート層PSSBをコレクタ層とし、P形ベース
拡散層PBDBがP形エミツタ層、N形コレクタエ
ピタキシヤル層NCEBがN形ベース層とするpnp
トランジスタが発生する。
In normal operation of an IC configured in this way, an N-type emitter diffusion layer NEDB, a P-type base diffusion layer PBDB, and an N-type collector epitaxial layer are formed.
NCEB is the emituta, base, and collector respectively.
As the npn transistor Q13 , the emitter E maintains the lowest potential, the base B maintains a forward potential approximately 0.7 V higher than the emitter E, and the collector C maintains a sufficiently higher potential than the emitter E, thereby operating normally. However, when the transistor Q13 is saturated and the potential of the collector C approaches the potential of the emitter E, the potential of the base B becomes higher than that of the collector C, and when this value becomes around 0.7V, the base B to collector C will move in the forward direction. It becomes a bias, and the P-type isolation diffusion layer PSDB and the P-type substrate layer PSSB are used as the collector layer, the P-type base diffusion layer PBDB is the P-type emitter layer, and the N-type collector epitaxial layer NCEB is the N-type base layer.
Transistor occurs.

さて、本発明をICに適用した場合、第3のト
ランジスタQ13が飽和してトランジスタQ13のベ
ースをエミツタ、サブストレートをコレクタとす
る寄生pnpが生じてトランジスタQ13のベースよ
りサブストレートに電流が流れるが、これは水平
パルス信号が第3のトランジスタQ13のベース〜
エミツタを順方向ドライブする電流の一部であ
り、また前記電流は抵抗R3によつて任意の電流
に調節できるものであり、第1図に示す如き回路
の電源Vccから流れる不用な電流をなくすことが
できる。
Now, when the present invention is applied to an IC, the third transistor Q13 is saturated and a parasitic PNP occurs with the base of the transistor Q13 as the emitter and the substrate as the collector, and current flows from the base of the transistor Q13 to the substrate. flows, but this means that the horizontal pulse signal is connected to the base of the third transistor Q13 ~
This is part of the current that drives the emitter in the forward direction, and this current can be adjusted to any desired current by resistor R3 , eliminating unnecessary current flowing from the power supply Vcc of the circuit shown in Figure 1. be able to.

以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、複雑な手段を用いることなく、簡単な回路構
成によつて、不用な電流をなくすことができると
共にキードAGCの機能を発揮することができる
ので、実用上の効果は極めて大である。また、構
成の簡素化にともなつて低コスト化できるととも
に消費電力の軽減または本発明を用いたテレビジ
ヨン受像機の性能ならびに信頼性を向上するとい
う点においても極めて有効である。
As is clear from the above description, according to the present invention, unnecessary current can be eliminated and the function of keyed AGC can be achieved with a simple circuit configuration without using complicated means. Therefore, the practical effect is extremely large. Further, it is extremely effective in reducing costs due to the simplification of the configuration, reducing power consumption, and improving the performance and reliability of a television receiver using the present invention.

このように本発明によれば、従来のこの種の回
路に比して多大の効果があり、テレビジヨン受像
機のVIF回路に用いるキードAGC回路としては独
自のものである。
As described above, the present invention has significant effects compared to conventional circuits of this type, and is unique as a keyed AGC circuit used in the VIF circuit of a television receiver.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のキードAGC回路の一例を示す
回路図、第2図は本発明によるキードAGC回路
の一実施例を示す回路図、第3図は第1図および
第2図の動作説明に供する図である。 Q11〜Q14……トランジスタ、R1〜R8……抵
抗、VR……可変抵抗器。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional keyed AGC circuit, Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a keyed AGC circuit according to the present invention, and Fig. 3 is an explanation of the operation of Figs. 1 and 2. FIG. Q 11 to Q 14 ...Transistor, R1 to R8 ...Resistor, VR...Variable resistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 一対のトランジスタのエミツタを共通に接続
して差動増幅回路を構成する第1のトランジスタ
のベースにAGC調整用可変電圧を印加し、第2
のトランジスタのベースに検波された複合映像信
号を印加し、かつ前記第1のトランジスタのベー
スに第3のトランジスタのコレクタまたはエミツ
タを接続し、該第3のトランジスタのエミツタま
たはコレクタを接地または電源ラインに接続し、
該第3のトランジスタのベースに抵抗を介してキ
ードAGCのための水平同期パルスまたは水平パ
ルスを供給するようにしたことを特徴とするキー
ドAGC回路。
1 A variable voltage for AGC adjustment is applied to the base of the first transistor, which configures a differential amplifier circuit by connecting the emitters of a pair of transistors in common, and
A detected composite video signal is applied to the base of the transistor, and the collector or emitter of a third transistor is connected to the base of the first transistor, and the emitter or collector of the third transistor is connected to ground or a power supply line. connect to,
A keyed AGC circuit characterized in that a horizontal synchronizing pulse or a horizontal pulse for keyed AGC is supplied to the base of the third transistor via a resistor.
JP7742077A 1977-06-28 1977-06-28 Keyed agc circuit Granted JPS5412218A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7742077A JPS5412218A (en) 1977-06-28 1977-06-28 Keyed agc circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7742077A JPS5412218A (en) 1977-06-28 1977-06-28 Keyed agc circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5412218A JPS5412218A (en) 1979-01-29
JPS626390B2 true JPS626390B2 (en) 1987-02-10

Family

ID=13633456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7742077A Granted JPS5412218A (en) 1977-06-28 1977-06-28 Keyed agc circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5412218A (en)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5132227A (en) * 1974-09-13 1976-03-18 Hitachi Ltd TORANJISUTAZOFUKUKAIRO

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5412218A (en) 1979-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4410859A (en) Signal amplifier circuit arrangement with output current limiting function
US3786200A (en) Amplifier for use in communication systems
US4977336A (en) Schmitt-trigger circuit having no discrete resistor
JPS6027211B2 (en) Circuit device for electronically supplying alternating voltage
US4275417A (en) Aperture correction signal processing circuit
JPS626390B2 (en)
US4031416A (en) Semiconductor amplification means combining two cascaded transistor amplifiers of high inverse impedances
JP2553676B2 (en) Clamp circuit
US4014038A (en) Automatic gray scale control circuit for a color television receiver
GB2187350A (en) A broadband amplifier incorporating a circuit device effective to improve frequency response
US4652923A (en) Circuit for signal processing in a picture display device
JPS6311839B2 (en)
JPH08181885A (en) Clamp circuit and sync signal removing circuit using the same
JPS6010147Y2 (en) switching circuit
JPH0619686B2 (en) Power supply circuit
US4371793A (en) Dual-mode control signal generating apparatus
JPS5925496B2 (en) Muting circuit in audio equipment
JPS5915237B2 (en) video amplification circuit
JPH0750857B2 (en) Signal switching device
JP2725388B2 (en) Video signal average level detection circuit
JPH0139014Y2 (en)
JP2925243B2 (en) Video signal switching circuit
JP2687160B2 (en) Switch circuit
JPS59218039A (en) Monolithic switch circuit
JPH07105901B2 (en) Black level correction device