JPS628750B2 - - Google Patents
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- JPS628750B2 JPS628750B2 JP54116468A JP11646879A JPS628750B2 JP S628750 B2 JPS628750 B2 JP S628750B2 JP 54116468 A JP54116468 A JP 54116468A JP 11646879 A JP11646879 A JP 11646879A JP S628750 B2 JPS628750 B2 JP S628750B2
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- Japan
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- capacitor
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- circuit device
- terminal
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- Expired
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 206010000117 Abnormal behaviour Diseases 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コンデンサを外付け素子として用い
る半導体集積回路装置の電気的特性の測定法に関
し、特に時間短縮効果のある測定法を提供しよう
とするものである。
る半導体集積回路装置の電気的特性の測定法に関
し、特に時間短縮効果のある測定法を提供しよう
とするものである。
従来、半導体集積回路装置の外付け素子として
大容量のコンデンサが接続された場合、あるい
は、コンデンサの接続された端子の内部インピー
ダンスが大きい場合、コンデンサが充電されて、
定常状態になるまでに長い時間を取られ、そのの
ち測定を開始していたため、半導体集積回路装置
の特性検査を行う場合、この時間の損失は極めて
大きい。
大容量のコンデンサが接続された場合、あるい
は、コンデンサの接続された端子の内部インピー
ダンスが大きい場合、コンデンサが充電されて、
定常状態になるまでに長い時間を取られ、そのの
ち測定を開始していたため、半導体集積回路装置
の特性検査を行う場合、この時間の損失は極めて
大きい。
第１図は、従来の方法による半導体集積回路装
置の電気的特性を測定する場合の１例を示す回路
接続図で、この回路において電源電圧Vcc投入後
の被測定半導体集積回路装置DUTの端子２とコ
ンデンサＣfの接続点Ａの電位Ｖは、第２図に示
す様に変化する。Toは電源投入時刻を表わす。
この場合、コンデンサＣfの容量が非常に大き
く、かつ半導体集積回路装置DUTの端子−２か
ら見た内部インピーダンスが大きい場合、Ａ点の
電位が第２図で示すV1に到達するまでの時間T1
は非常に長くなり、その時間は、コンデンサＣf
及び端子２の内部インピーダンスに比例する。特
性の測定は、電源電圧を投入して時間（T1―
T0）後に、すなわち、回路が定常状態に達した
後、開始するため、測定に要する時間が長くなる
が、特に低周波増幅用半導体集積回路において
は、Ｃfを例えば100μＦのように大きくとるので
ＲfＣfに比例する時間（T1―T0）は数秒の大きさ
になり、この時間は大量に試験する場合に累積さ
れて極めて大きな時間損失となる。
置の電気的特性を測定する場合の１例を示す回路
接続図で、この回路において電源電圧Vcc投入後
の被測定半導体集積回路装置DUTの端子２とコ
ンデンサＣfの接続点Ａの電位Ｖは、第２図に示
す様に変化する。Toは電源投入時刻を表わす。
この場合、コンデンサＣfの容量が非常に大き
く、かつ半導体集積回路装置DUTの端子−２か
ら見た内部インピーダンスが大きい場合、Ａ点の
電位が第２図で示すV1に到達するまでの時間T1
は非常に長くなり、その時間は、コンデンサＣf
及び端子２の内部インピーダンスに比例する。特
性の測定は、電源電圧を投入して時間（T1―
T0）後に、すなわち、回路が定常状態に達した
後、開始するため、測定に要する時間が長くなる
が、特に低周波増幅用半導体集積回路において
は、Ｃfを例えば100μＦのように大きくとるので
ＲfＣfに比例する時間（T1―T0）は数秒の大きさ
になり、この時間は大量に試験する場合に累積さ
れて極めて大きな時間損失となる。
本発明はこのような欠点を除去し、外付けコン
デンサを速やかに充電せしめて測定開始までの時
間損失を軽減できる外付けコンデンサを有する半
導体集積回路装置の電気的特性測定法を提供する
ことを目的とする。
デンサを速やかに充電せしめて測定開始までの時
間損失を軽減できる外付けコンデンサを有する半
導体集積回路装置の電気的特性測定法を提供する
ことを目的とする。
本発明によれば、コンデンサを外付けして用い
る半導体集積回路装置の電気的特性測定法におい
て、被測定用半導体集積回路装置のコンデンサを
外付けする端子を、まず電源投入時には発振等の
異常動作を防止するに足る小容量の第１のコンデ
ンサに接続し、かつ該第１のコンデンサの充電電
位を電圧利得１倍の電流増幅器を介して正規容量
の第２のコンデンサに伝達。次いで前記第２のコ
ンデンサの充電電位が所定値に達してから前記第
２のコンデンサに切換えて測定を開始することを
特徴とするコンデンサを外付けして用いる半導体
集積回路装置の電気的特性測定法が得られる。
る半導体集積回路装置の電気的特性測定法におい
て、被測定用半導体集積回路装置のコンデンサを
外付けする端子を、まず電源投入時には発振等の
異常動作を防止するに足る小容量の第１のコンデ
ンサに接続し、かつ該第１のコンデンサの充電電
位を電圧利得１倍の電流増幅器を介して正規容量
の第２のコンデンサに伝達。次いで前記第２のコ
ンデンサの充電電位が所定値に達してから前記第
２のコンデンサに切換えて測定を開始することを
特徴とするコンデンサを外付けして用いる半導体
集積回路装置の電気的特性測定法が得られる。
次に実施例に従い、図面を用いて本発明を説明
する。
する。
第３図は本発明の一実施例を説明するための回
路接続図で、最初DUTの端子２（コンデンサを
外付けする端子）はスイツチＳを介してコンデン
サC1に接続されている。コンデンサC1の容量は
DUTの発振を防止し安定に動作させるために必
要とされる最小限の値、例えば数十ピコフアラツ
ドに選ぶ。C1はこのように小さな容量をもつの
で電源投入後の充電によりＡ点の電位は速やかに
立上つて定常値V1に達する。Ａ点の電位は電圧
ホロワ６を介して他端を接地された大容量のコン
デンサＣfの一端に伝達され、コンデンサＣfを速
やかに充電する。Ｃfの電位はC1の電位に追随し
て急速に立上がり、その速さは電圧ホロワ６の電
流増幅率に比例する。第４図ａ及びｂはそれぞれ
コンデンサC1およびＣfの充電電位の変化を示す
曲線で、T1′，T1″はそれぞれ定常電位V1に達す
る時刻である。DUTの端子電圧すなわちV1が
個々のDUTによつて大きく異なるとしても、C1
の電位を検出してＣfを充電する方法であるた
め、DUTの個々によつて定まる電位にすること
ができる。
路接続図で、最初DUTの端子２（コンデンサを
外付けする端子）はスイツチＳを介してコンデン
サC1に接続されている。コンデンサC1の容量は
DUTの発振を防止し安定に動作させるために必
要とされる最小限の値、例えば数十ピコフアラツ
ドに選ぶ。C1はこのように小さな容量をもつの
で電源投入後の充電によりＡ点の電位は速やかに
立上つて定常値V1に達する。Ａ点の電位は電圧
ホロワ６を介して他端を接地された大容量のコン
デンサＣfの一端に伝達され、コンデンサＣfを速
やかに充電する。Ｃfの電位はC1の電位に追随し
て急速に立上がり、その速さは電圧ホロワ６の電
流増幅率に比例する。第４図ａ及びｂはそれぞれ
コンデンサC1およびＣfの充電電位の変化を示す
曲線で、T1′，T1″はそれぞれ定常電位V1に達す
る時刻である。DUTの端子電圧すなわちV1が
個々のDUTによつて大きく異なるとしても、C1
の電位を検出してＣfを充電する方法であるた
め、DUTの個々によつて定まる電位にすること
ができる。
この回路による電気的特性の測定はC1とＣfの
電位がともに定常電位となつた後、すみやかにス
イツチＳにより、Ａ点をコンデンサＣf側に切換
えれば、直ちに開始することができる。それには
例えば、電源投入に伴なつて発生する電圧
Vcc′を遅延回路７を通してトランジスタ８のベ
ースに加えてこれを導通させてリレーのコイル９
に電流を流し、スイツチＳを切換えるようにすれ
ばよい。端子１０はリレー電源（図示していな
い）に接続されているものとする。遅延回路の遅
延時間は（T1″―T0）より小さくなければよい。
あるいはスイツチＳは半導体スイツチを用いて、
Ｃfの電位が所定値に達したことを検出して切換
えるようにしてもよいことはいうまでもない。
電位がともに定常電位となつた後、すみやかにス
イツチＳにより、Ａ点をコンデンサＣf側に切換
えれば、直ちに開始することができる。それには
例えば、電源投入に伴なつて発生する電圧
Vcc′を遅延回路７を通してトランジスタ８のベ
ースに加えてこれを導通させてリレーのコイル９
に電流を流し、スイツチＳを切換えるようにすれ
ばよい。端子１０はリレー電源（図示していな
い）に接続されているものとする。遅延回路の遅
延時間は（T1″―T0）より小さくなければよい。
あるいはスイツチＳは半導体スイツチを用いて、
Ｃfの電位が所定値に達したことを検出して切換
えるようにしてもよいことはいうまでもない。
以上詳細に説明したように本発明によれば、電
源投入後、測定開始までの待時間（従来は（T1
―T0）、本発明では（T1″―T0））を極めて短かく
できる（（T1―T0）≫（T1″―T0））ので、半導体
集積回路装置の測定時間の無駄を省いて時間短縮
できる効果がある。
源投入後、測定開始までの待時間（従来は（T1
―T0）、本発明では（T1″―T0））を極めて短かく
できる（（T1―T0）≫（T1″―T0））ので、半導体
集積回路装置の測定時間の無駄を省いて時間短縮
できる効果がある。
第１図は、従来のコンデンサを外付け素子とし
て用いる半導体集積回路装置の電気的特性の測定
法を説明するための回路接続図、第２図は第１図
のＡ点の電位の時間的変化を示す曲線図、第３図
は本発明の測定法を説明するための回路接続図、
第４図ａおよびｂはそれぞれ第３図のコンデン
サ、C1およびＣfの充電電位の時間的変化を示す
曲線図である。 IN…信号入力端、Esig…試験信号、DUT…被
測定半導体集積回路装置、C0，C1，Ｃf…コンデ
ンサ、Ｓ…スイツチ、Vcc…電源電圧、OUT…
DUTの出力端、１，２，３，４，５…DUTの端
子を指示する記号、６…電圧ホロワ、７…遅延回
路、８…トランジスタ、９…コイル、１０…リレ
ー電源用端子。
て用いる半導体集積回路装置の電気的特性の測定
法を説明するための回路接続図、第２図は第１図
のＡ点の電位の時間的変化を示す曲線図、第３図
は本発明の測定法を説明するための回路接続図、
第４図ａおよびｂはそれぞれ第３図のコンデン
サ、C1およびＣfの充電電位の時間的変化を示す
曲線図である。 IN…信号入力端、Esig…試験信号、DUT…被
測定半導体集積回路装置、C0，C1，Ｃf…コンデ
ンサ、Ｓ…スイツチ、Vcc…電源電圧、OUT…
DUTの出力端、１，２，３，４，５…DUTの端
子を指示する記号、６…電圧ホロワ、７…遅延回
路、８…トランジスタ、９…コイル、１０…リレ
ー電源用端子。
Claims (1)
- １ コンデンサを外付けして用いる半導体集積回
路装置の電気的特性測定法において、被測定用半
導体集積回路装置のコンデンサを外付けする端子
を、まず電源投入時には異常動作を防止し装置を
安定に動作させるに足る小容量の第１のコンデン
サに接続し、かつ該第１のコンデンサの充電電位
を電圧利得１倍の電流増幅器を介して正規容量の
第２のコンデンサに伝達し、次いで前記第２のコ
ンデンサの充電電位が所定値に達してから前記第
２のコンデンサに切換えて測定を開始することを
特徴とするコンデンサを外付けして用いる半導体
集積回路装置の電気的特性測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11646879A JPS5640772A (en) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | Electric characteristic measurement method for semiconductor integrated circuit device using capacitor mounted externally |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11646879A JPS5640772A (en) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | Electric characteristic measurement method for semiconductor integrated circuit device using capacitor mounted externally |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5640772A JPS5640772A (en) | 1981-04-17 |
| JPS628750B2 true JPS628750B2 (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=14687843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11646879A Granted JPS5640772A (en) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | Electric characteristic measurement method for semiconductor integrated circuit device using capacitor mounted externally |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5640772A (ja) |
-
1979
- 1979-09-11 JP JP11646879A patent/JPS5640772A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5640772A (en) | 1981-04-17 |
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