JPS6314494B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6314494B2 JPS6314494B2 JP57019098A JP1909882A JPS6314494B2 JP S6314494 B2 JPS6314494 B2 JP S6314494B2 JP 57019098 A JP57019098 A JP 57019098A JP 1909882 A JP1909882 A JP 1909882A JP S6314494 B2 JPS6314494 B2 JP S6314494B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- ultraviolet
- molding
- transparent resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に係
り、特に紫外線消去型書換え可能読出し専用記憶
装置（以下UV−EP−ROMと称す）の製造方法
に関する。
り、特に紫外線消去型書換え可能読出し専用記憶
装置（以下UV−EP−ROMと称す）の製造方法
に関する。
UV−EP−ROMは、紫外線を半導体素子に照
射することによつて半導体素子に記憶された内容
（電荷）が放電され消去し得ることを特徴とする。
したがつて、かかる容器においては半導体素子の
上方（能動側）は紫外線を透過する材料で構成さ
れていなければならない。
射することによつて半導体素子に記憶された内容
（電荷）が放電され消去し得ることを特徴とする。
したがつて、かかる容器においては半導体素子の
上方（能動側）は紫外線を透過する材料で構成さ
れていなければならない。
従来のUV−EP−ROMの容器は上記機能を満
すためにセラミツク等の絶縁基体で主要部を構成
し、半導体素子上方には紫外線透過性材料、例え
ばサフアイア、透過性アルミナで作られた窓を有
する気密封止型半導体装置が多用されていた。こ
の紫外線透過性材料は、非常に高価であり、かつ
気密封止するために、材料間の熱膨脹係数の整合
を図らなければならず、半導体装置の使用状態を
シユミレートした環状試験における気密性、耐機
械的衝撃性等においてしばしば問題を生じてい
た。そこで紫外線透過性樹脂を使用し価格的に安
価なものを得ようとした場合を考えてみると、紫
外線透過性樹脂は熱膨張係数が大きいため、半導
体装置全体に使用するには装置の信頼性上大きな
問題となる。つまりUV−EP−ROMを樹脂封止
型にするためには必要部分にのみ紫外線透過性樹
脂を使用し、他の部分は従来通りの樹脂を使用す
ることが必要とされる。したがつて半導体装置の
組立工程における封入工程以外の工程では従来通
りの方法で作製し得るが、樹脂封入工程のみは２
種の樹脂を各々必要な部分のみにまざらず充填し
一体とするという困難がある。また、部分的な封
入を行なつた場合にはリードフレームのボンデイ
ングフインガーの間を通つて樹脂が流れ出て不必
要な部分にまで流れ出る等の問題点もある。
すためにセラミツク等の絶縁基体で主要部を構成
し、半導体素子上方には紫外線透過性材料、例え
ばサフアイア、透過性アルミナで作られた窓を有
する気密封止型半導体装置が多用されていた。こ
の紫外線透過性材料は、非常に高価であり、かつ
気密封止するために、材料間の熱膨脹係数の整合
を図らなければならず、半導体装置の使用状態を
シユミレートした環状試験における気密性、耐機
械的衝撃性等においてしばしば問題を生じてい
た。そこで紫外線透過性樹脂を使用し価格的に安
価なものを得ようとした場合を考えてみると、紫
外線透過性樹脂は熱膨張係数が大きいため、半導
体装置全体に使用するには装置の信頼性上大きな
問題となる。つまりUV−EP−ROMを樹脂封止
型にするためには必要部分にのみ紫外線透過性樹
脂を使用し、他の部分は従来通りの樹脂を使用す
ることが必要とされる。したがつて半導体装置の
組立工程における封入工程以外の工程では従来通
りの方法で作製し得るが、樹脂封入工程のみは２
種の樹脂を各々必要な部分のみにまざらず充填し
一体とするという困難がある。また、部分的な封
入を行なつた場合にはリードフレームのボンデイ
ングフインガーの間を通つて樹脂が流れ出て不必
要な部分にまで流れ出る等の問題点もある。
本発明は係る欠点を除去し、改良された樹脂封
止型半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
止型半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
本発明の要脂は、UV−EP−ROMを樹脂封止
する際、紫外線透過性樹脂によつて半導体素子表
面を覆うように充填し、かかる樹脂が完全に硬化
する前に、他の樹脂を成形型に注入し、全体とし
て硬化させることにある。
する際、紫外線透過性樹脂によつて半導体素子表
面を覆うように充填し、かかる樹脂が完全に硬化
する前に、他の樹脂を成形型に注入し、全体とし
て硬化させることにある。
この様な製造方法を採用すれば、完成した半導
体装置は従来の半導体装置、例えばDIP形態と変
わりない形態となつて、互換性や取扱いに便宜で
ある。
体装置は従来の半導体装置、例えばDIP形態と変
わりない形態となつて、互換性や取扱いに便宜で
ある。
また、２種の異なつた性質の樹脂を、夫々の樹
脂の特性を考慮して成形することができ、一度に
成形してしまうことによる欠点を除去してより高
信頼の半導体装置とすることができる。
脂の特性を考慮して成形することができ、一度に
成形してしまうことによる欠点を除去してより高
信頼の半導体装置とすることができる。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。第１図は、本発明の第１の実施例である。リ
ードフレーム１にマウント、ボンデイングされた
半導体素子２上に、紫外線透過性樹脂３をポツテ
ングする。ポツテングされた樹脂３は第１図Ａに
示すように小山状になる。リードフレームのボン
デイングフインガー部等の間隙から樹脂が流れ出
ないように、ゴム、樹脂等の薄膜（図示せず）を
リードフレームの裏面に密着させておくことが効
果的である。これらは、ポツテング後に取り除け
る様になつていてもよいし、後の成形において、
本体の樹脂内に残留する態様であつてもよい。
る。第１図は、本発明の第１の実施例である。リ
ードフレーム１にマウント、ボンデイングされた
半導体素子２上に、紫外線透過性樹脂３をポツテ
ングする。ポツテングされた樹脂３は第１図Ａに
示すように小山状になる。リードフレームのボン
デイングフインガー部等の間隙から樹脂が流れ出
ないように、ゴム、樹脂等の薄膜（図示せず）を
リードフレームの裏面に密着させておくことが効
果的である。これらは、ポツテング後に取り除け
る様になつていてもよいし、後の成形において、
本体の樹脂内に残留する態様であつてもよい。
ポツテングされた樹脂は、キユアされると徐々
に反応して硬化してくるが、その外形を維持でき
る程度に硬化した後成形型５内にセツトする。そ
の様子を第１図Ｂに示す。この様にすると、紫外
線透過性樹脂のポツテングされた頭部は成形型に
よつて若干おしつぶされた様になり、紫外線透過
性樹脂を少量で最大の表面積を得ることができる
とともに、かかる樹脂と成形型との接触部に成形
のための樹脂の侵入を避けることができる。
に反応して硬化してくるが、その外形を維持でき
る程度に硬化した後成形型５内にセツトする。そ
の様子を第１図Ｂに示す。この様にすると、紫外
線透過性樹脂のポツテングされた頭部は成形型に
よつて若干おしつぶされた様になり、紫外線透過
性樹脂を少量で最大の表面積を得ることができる
とともに、かかる樹脂と成形型との接触部に成形
のための樹脂の侵入を避けることができる。
これは、成形後に成形樹脂の除去工程を省略で
きることになつて、よりコストの低い半導体装置
を得ることができる効果がある。
きることになつて、よりコストの低い半導体装置
を得ることができる効果がある。
さらに、紫外線透過性樹脂のキユア温度と成形
のための樹脂のキユア温度とが必ずしも一致せ
ず、同時に成形するとすれば両者の熱膨張係数が
整合しないため、ボンデイングワイヤーや半導体
素子に無用のストレスを加えることになつて、ル
ーズコンタクトやペレツト、クラツク等の原因と
なるところ、本発明の如く、比較的熱膨張係数の
大きい紫外線透過性樹脂を成形のための樹脂が方
囲する如く硬化するので、紫外線透過性樹脂には
圧縮力を加える形式となつて、紫外線透過性樹脂
の膨張収縮を規制するとともに、成形のための樹
脂からの熱による引張力の影響を軽減することが
でき、より高信頼の半導体装置とすることができ
る。
のための樹脂のキユア温度とが必ずしも一致せ
ず、同時に成形するとすれば両者の熱膨張係数が
整合しないため、ボンデイングワイヤーや半導体
素子に無用のストレスを加えることになつて、ル
ーズコンタクトやペレツト、クラツク等の原因と
なるところ、本発明の如く、比較的熱膨張係数の
大きい紫外線透過性樹脂を成形のための樹脂が方
囲する如く硬化するので、紫外線透過性樹脂には
圧縮力を加える形式となつて、紫外線透過性樹脂
の膨張収縮を規制するとともに、成形のための樹
脂からの熱による引張力の影響を軽減することが
でき、より高信頼の半導体装置とすることができ
る。
ポツテング技術は従来の技術を用いることがで
き、この点においても、現行設備を有効に活用し
得ることになる。この実施例に用いられる紫外線
を透過する樹脂の例としては信越シリコーン社の
KJR−8030S、KJR−8650S等がある。その樹脂
中での紫外線がとどく距離は前者が７mmで後者が
1.5mmである。KJR−8030Sの場合は180〜200nｍ
の波長を出すオゾン線発生封体高圧水銀灯で出力
1.6kWのものを使用し13.5cmの距離から５〜10
〔sec〕照射、KJR−8650Sの場合は出力2.0kWの
上記水銀灯で10cmの距離から１〜２〔sec〕照射す
ると最初のポツテイングされた外形を維持できる
程度に硬化する。
き、この点においても、現行設備を有効に活用し
得ることになる。この実施例に用いられる紫外線
を透過する樹脂の例としては信越シリコーン社の
KJR−8030S、KJR−8650S等がある。その樹脂
中での紫外線がとどく距離は前者が７mmで後者が
1.5mmである。KJR−8030Sの場合は180〜200nｍ
の波長を出すオゾン線発生封体高圧水銀灯で出力
1.6kWのものを使用し13.5cmの距離から５〜10
〔sec〕照射、KJR−8650Sの場合は出力2.0kWの
上記水銀灯で10cmの距離から１〜２〔sec〕照射す
ると最初のポツテイングされた外形を維持できる
程度に硬化する。
尚、完全硬化照射条件は、KJR−8030Sでは上
記条件下で30〔sec〕、KJR−8650Sの場合は上記
条件下で６〜10〔sec〕である。
記条件下で30〔sec〕、KJR−8650Sの場合は上記
条件下で６〜10〔sec〕である。
第２図は本発明の第２の実施例である。第２の
実施例においては、第１の実施例と異なり、ポツ
テングではなく、一定の成形型内で紫外線透過性
樹脂を硬化させる。この場合においても、該樹脂
は完全に硬化させてはならない。したがつて、使
用する成形型６は、通常の金型のほか成形型との
離形性を向上させるため、テフロンの如き材料に
よるコーテング層を設けておくとか、ゴムライニ
ングをしておくと良い。また、リードフレームの
ボンデイングフインガー部からの樹脂もれを防ぐ
ために、上型の締付部６′に耐熱性のゴム又はゴ
ムライニングを使用することも有効である。
実施例においては、第１の実施例と異なり、ポツ
テングではなく、一定の成形型内で紫外線透過性
樹脂を硬化させる。この場合においても、該樹脂
は完全に硬化させてはならない。したがつて、使
用する成形型６は、通常の金型のほか成形型との
離形性を向上させるため、テフロンの如き材料に
よるコーテング層を設けておくとか、ゴムライニ
ングをしておくと良い。また、リードフレームの
ボンデイングフインガー部からの樹脂もれを防ぐ
ために、上型の締付部６′に耐熱性のゴム又はゴ
ムライニングを使用することも有効である。
第１の実施例では、ポツテングするため樹脂の
粘度管理を厳しくしなければならないのに対し、
成形型であれば、樹脂の粘度管理は厳格でなくて
もよく、かわりに管理容易な温度や時間で成形の
状態をコントロールすることができ、成形された
紫外線透過性樹脂の特性を活すことができる。次
に完全に硬化していない状態で、全体を成形する
ための成形型５内にセツテングすることは第１の
実施例の場合と同様であり、かつ、紫外線透過性
樹脂と成形型５との間に成形のための樹脂が侵入
しない効果も同様である。
粘度管理を厳しくしなければならないのに対し、
成形型であれば、樹脂の粘度管理は厳格でなくて
もよく、かわりに管理容易な温度や時間で成形の
状態をコントロールすることができ、成形された
紫外線透過性樹脂の特性を活すことができる。次
に完全に硬化していない状態で、全体を成形する
ための成形型５内にセツテングすることは第１の
実施例の場合と同様であり、かつ、紫外線透過性
樹脂と成形型５との間に成形のための樹脂が侵入
しない効果も同様である。
第１の実施例、第２の実施例において、共通す
る効果として、半硬化した紫外線透過性樹脂の表
面をフレネルレンズ状に成形して収光性を向上さ
せることができることもあげられる。
る効果として、半硬化した紫外線透過性樹脂の表
面をフレネルレンズ状に成形して収光性を向上さ
せることができることもあげられる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図であ
る。 ここに、１……リードフレーム、２……半導体
素子、３……紫外線透過性樹脂、４……全体を成
形する樹脂を充填すべき空胴、５……成形型、６
……紫外線透過性樹脂成形型、６′……締付部、
である。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図であ
る。 ここに、１……リードフレーム、２……半導体
素子、３……紫外線透過性樹脂、４……全体を成
形する樹脂を充填すべき空胴、５……成形型、６
……紫外線透過性樹脂成形型、６′……締付部、
である。
Claims (1)
- １ 紫外線透過性樹脂を少なくとも半導体素子上
に設け、該紫外線透過性樹脂が完全に硬化せずそ
の外形を維持できる程度に熱硬化する工程と、こ
の状態でパツケージ外形を定める成形型に入れ成
形用の樹脂を該成形型内に充填して硬化する工程
とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019098A JPS58137219A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019098A JPS58137219A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137219A JPS58137219A (ja) | 1983-08-15 |
| JPS6314494B2 true JPS6314494B2 (ja) | 1988-03-31 |
Family
ID=11989992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57019098A Granted JPS58137219A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137219A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541748A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory device |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP57019098A patent/JPS58137219A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58137219A (ja) | 1983-08-15 |
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