JPS634933B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS634933B2 JPS634933B2 JP57123910A JP12391082A JPS634933B2 JP S634933 B2 JPS634933 B2 JP S634933B2 JP 57123910 A JP57123910 A JP 57123910A JP 12391082 A JP12391082 A JP 12391082A JP S634933 B2 JPS634933 B2 JP S634933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- signal
- value
- detected
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正確なマーク検出を可能にしたマーク
検出装置に関する。
検出装置に関する。
電子ビーム露光装置等の荷電粒子ビーム装置に
おいては、パターンが描画される被描画材料又は
該被描画材料を載置する為のステージ材料や該被
描画材料の周辺部に配置される周辺材料等に１個
若しくは複数のマークを設け、該材料上を荷電粒
子ビームで走査し、マークから発生した荷電粒子
ビーム信号に基づいてマークの位置を検出し、該
マーク位置に応じて予定された描画すべき位置を
補正し、材料上の所定の位置にパターンの描画を
行なつている。
おいては、パターンが描画される被描画材料又は
該被描画材料を載置する為のステージ材料や該被
描画材料の周辺部に配置される周辺材料等に１個
若しくは複数のマークを設け、該材料上を荷電粒
子ビームで走査し、マークから発生した荷電粒子
ビーム信号に基づいてマークの位置を検出し、該
マーク位置に応じて予定された描画すべき位置を
補正し、材料上の所定の位置にパターンの描画を
行なつている。
さて、この様なマーク検出において次の様な問
題がある。それは、マーク検出の為の荷電粒子ビ
ーム走査領域内にごみがあると、該ごみをマーク
と誤つて検出してしまうことである。従来、この
様な誤検出を防ぐため、次の様な方法が取られて
いた。第１図ａに示す様にビームでマークＭ上を
走査する際、或る位置Ｐからピーク信号（マーク
又はゴミのエツヂ部から発生する信号）が発生す
る迄の距離Ａ，Ｂ（第１図ｂ参照）を求め、更に
Ｂ―Ａを演算し、この値が許容値内にあるか否か
により、マーク検出をしたかゴミを検出したかを
判断していた。即ち、通常マークの幅は10μm程
度に作成されているので許容値を10μmとし、一
方通常ゴミの幅は大略10μmより大きいことに着
目し、検出されたＢ―Ａを許容値と比較し、許容
値より大きければゴミ、小さければマークを夫々
検出したと判断する。しかし、ここに大きな問題
が生じた。それは、偶然マーク検出の為の荷電粒
子ビーム走査領域内に10μmのゴミがあると、該
ゴミを検出したにも拘わらず、マーク検出したか
の如く判断されてしまう。しかも、通常Ｂ―Ａの
値を算出する迄に、１回の走査ではビームの変動
による誤差が大きい為、20〜30回の走査を行なつ
てＢ―Ａの平均値を求めている。従つて、前記正
しい検出が誤検出かを判断する迄に相当の時間
（例、80〜120m sec）がかかつてしまつた。以上
のことから、描画精度の向上及び描画全体に要す
る時間の短縮化に支障をきたしていた。
題がある。それは、マーク検出の為の荷電粒子ビ
ーム走査領域内にごみがあると、該ごみをマーク
と誤つて検出してしまうことである。従来、この
様な誤検出を防ぐため、次の様な方法が取られて
いた。第１図ａに示す様にビームでマークＭ上を
走査する際、或る位置Ｐからピーク信号（マーク
又はゴミのエツヂ部から発生する信号）が発生す
る迄の距離Ａ，Ｂ（第１図ｂ参照）を求め、更に
Ｂ―Ａを演算し、この値が許容値内にあるか否か
により、マーク検出をしたかゴミを検出したかを
判断していた。即ち、通常マークの幅は10μm程
度に作成されているので許容値を10μmとし、一
方通常ゴミの幅は大略10μmより大きいことに着
目し、検出されたＢ―Ａを許容値と比較し、許容
値より大きければゴミ、小さければマークを夫々
検出したと判断する。しかし、ここに大きな問題
が生じた。それは、偶然マーク検出の為の荷電粒
子ビーム走査領域内に10μmのゴミがあると、該
ゴミを検出したにも拘わらず、マーク検出したか
の如く判断されてしまう。しかも、通常Ｂ―Ａの
値を算出する迄に、１回の走査ではビームの変動
による誤差が大きい為、20〜30回の走査を行なつ
てＢ―Ａの平均値を求めている。従つて、前記正
しい検出が誤検出かを判断する迄に相当の時間
（例、80〜120m sec）がかかつてしまつた。以上
のことから、描画精度の向上及び描画全体に要す
る時間の短縮化に支障をきたしていた。
本発明はこの様な点に鑑みてなされたもので、
通常凹凸状マークの高さは1μm程度であり、ゴミ
の高さ（径）は大略10μmより大きく、即ち、材
料面に対するマークの高さ方向の変化に対して、
ゴミの高さ方向の変化が著しく大きいこと、ビー
ム走査で該ゴミから検出される反射電子の量が著
しく多いこと及び該反射電子による信号量が高さ
方向の変化に大略対応していることに着目し、ビ
ームでマーク上を走査する際、検出される信号の
振幅値を測定し、該振幅値が基準値より大きいか
小さいかにより該検出が正しい検出か誤つた検出
かを判別するようになした新規なマーク検出装置
を提供するものである。
通常凹凸状マークの高さは1μm程度であり、ゴミ
の高さ（径）は大略10μmより大きく、即ち、材
料面に対するマークの高さ方向の変化に対して、
ゴミの高さ方向の変化が著しく大きいこと、ビー
ム走査で該ゴミから検出される反射電子の量が著
しく多いこと及び該反射電子による信号量が高さ
方向の変化に大略対応していることに着目し、ビ
ームでマーク上を走査する際、検出される信号の
振幅値を測定し、該振幅値が基準値より大きいか
小さいかにより該検出が正しい検出か誤つた検出
かを判別するようになした新規なマーク検出装置
を提供するものである。
第２図は本発明の一実施例を示したマーク検出
装置の概略を示すものである。
装置の概略を示すものである。
図中１は電子銃で、該電子銃から射出された電
子ビーム２は偏向器３により、例えば凸状のマー
ク５（第３図参照）の設けられた材料４上を走査
する。６は該材料から発生する反射電子を検出す
る反射電子検出器、７はアンプ、８は波形整形回
路である。９は該波形整形回路の出力信号のピー
クツーピーク値を測定する振幅検出回路である。
１０はあらかじめマークから得られる信号のピー
クツーピーク値より僅かに大きい値を基準値とし
てセツトしておき、前記振幅検出回路９の出力信
号値をこの基準値と比較し、該基準値より小さい
場合、マーク検出が行なわれたことを示す信号
（例“１”）を制御装置１１へ送り、大きい場合、
ゴミ検出が行なわれたことを示す信号（例“０”）
を制御装置１１へ送る判別回路である。１２は前
記制御装置１１の指令により、走査中のビームの
或る位置（例、走査開始位置）からクロツクパル
ス発生器１３からのクロツクパルスを計数し始
め、ピークが発生する迄計数するカウンタであ
る。実際には該カウンタは２つのカウンタからな
り、１つはクロツクパルスの計数開始から初めて
のピークが発生する迄のクロツクパルス数を計数
するもので、もう１つはクロツクパルス数開始か
ら２つめのピークが発生する迄のクロツクパルス
数を計数するもので、各々計数したものを前記制
御装置１１へ送る。該制御装置は前記判別回路１
０から“１”信号が入つて来た時、前記カウンタ
１２からの計数値からマーク中心位置を演算する
と共に、該カウンタをリセツトさせ、“０”信号
が入つて来た時、前記カウンタ１２からの計数値
を無視すると共に該カウンタをリセツトさせ更
に、前記偏向器３にアンプ１４を介して走査信号
を送つている走査信号発生器１５に、走査開始点
を例えばＹ方向に少しずらし、そこから例えばＸ
方向にビームを走査させるような指令を送る。
子ビーム２は偏向器３により、例えば凸状のマー
ク５（第３図参照）の設けられた材料４上を走査
する。６は該材料から発生する反射電子を検出す
る反射電子検出器、７はアンプ、８は波形整形回
路である。９は該波形整形回路の出力信号のピー
クツーピーク値を測定する振幅検出回路である。
１０はあらかじめマークから得られる信号のピー
クツーピーク値より僅かに大きい値を基準値とし
てセツトしておき、前記振幅検出回路９の出力信
号値をこの基準値と比較し、該基準値より小さい
場合、マーク検出が行なわれたことを示す信号
（例“１”）を制御装置１１へ送り、大きい場合、
ゴミ検出が行なわれたことを示す信号（例“０”）
を制御装置１１へ送る判別回路である。１２は前
記制御装置１１の指令により、走査中のビームの
或る位置（例、走査開始位置）からクロツクパル
ス発生器１３からのクロツクパルスを計数し始
め、ピークが発生する迄計数するカウンタであ
る。実際には該カウンタは２つのカウンタからな
り、１つはクロツクパルスの計数開始から初めて
のピークが発生する迄のクロツクパルス数を計数
するもので、もう１つはクロツクパルス数開始か
ら２つめのピークが発生する迄のクロツクパルス
数を計数するもので、各々計数したものを前記制
御装置１１へ送る。該制御装置は前記判別回路１
０から“１”信号が入つて来た時、前記カウンタ
１２からの計数値からマーク中心位置を演算する
と共に、該カウンタをリセツトさせ、“０”信号
が入つて来た時、前記カウンタ１２からの計数値
を無視すると共に該カウンタをリセツトさせ更
に、前記偏向器３にアンプ１４を介して走査信号
を送つている走査信号発生器１５に、走査開始点
を例えばＹ方向に少しずらし、そこから例えばＸ
方向にビームを走査させるような指令を送る。
斯くの如き装置において、マーク検出の為に試
料上をビームで走査した時、第４図ａに示す如き
信号が振幅検出回路９に入つた時、（第３図に示
す如きゴミ１６上をビームが走査した時）該検出
回路はこの信号のピークツーピークの値D1を検
出してこれを判別回路１０へ送る。該判別回路は
このピークツーピーク値D1と基準値D0（第４図参
照）を比較し、D1＞D0からビームがゴミを検出
したことを表わす“０”信号を制御装置１１へ送
る。該制御装置はカウンタ１２からの出力を無視
し該カウンタをリセツトさせると共に、ビームの
走査開始点を変えるよう走査信号発生器１５へ指
令を送る。又、第４図ｂに示す如き信号が振幅検
出回路９に入つた時（第３図に示す如きマーク５
上をビームが走査した時）、該検出回路はこの信
号のピークツーピーク値D2を検出してこれを判
別回路１０へ送る。該判別回路はこのピークツー
ピーク値D2と基準値D0を比較し、D2＜D0からビ
ームがマークを検出したことを表わす“１”信号
を制御装置１１へ送る。該制御装置はカウンタ１
２からの出力、即ち、走査開始点からピークP1
が検出される迄のクロツクパルス数E1と、走査
開始点P2が検出される迄のクロツクパルス数E2
の差の絶対値｜E1―E2｜の1/2を演算してマーク
位置を測定する。
料上をビームで走査した時、第４図ａに示す如き
信号が振幅検出回路９に入つた時、（第３図に示
す如きゴミ１６上をビームが走査した時）該検出
回路はこの信号のピークツーピークの値D1を検
出してこれを判別回路１０へ送る。該判別回路は
このピークツーピーク値D1と基準値D0（第４図参
照）を比較し、D1＞D0からビームがゴミを検出
したことを表わす“０”信号を制御装置１１へ送
る。該制御装置はカウンタ１２からの出力を無視
し該カウンタをリセツトさせると共に、ビームの
走査開始点を変えるよう走査信号発生器１５へ指
令を送る。又、第４図ｂに示す如き信号が振幅検
出回路９に入つた時（第３図に示す如きマーク５
上をビームが走査した時）、該検出回路はこの信
号のピークツーピーク値D2を検出してこれを判
別回路１０へ送る。該判別回路はこのピークツー
ピーク値D2と基準値D0を比較し、D2＜D0からビ
ームがマークを検出したことを表わす“１”信号
を制御装置１１へ送る。該制御装置はカウンタ１
２からの出力、即ち、走査開始点からピークP1
が検出される迄のクロツクパルス数E1と、走査
開始点P2が検出される迄のクロツクパルス数E2
の差の絶対値｜E1―E2｜の1/2を演算してマーク
位置を測定する。
尚、判別回路１０からゴミ検出信号が出力され
た時、表示装置にゴミを検出したことを表示させ
るようにしてもよい。更に、該表示に従つて手動
にて走査信号発生器やカウンタを操作してもよ
い。又、ゴミを検出してもカウンタを止めないで
そのままマークも検出し、判別回路からの判別信
号によりマークを検出した時のカウンタ値を求め
て、マーク位置を検出するようにしてもよい。
た時、表示装置にゴミを検出したことを表示させ
るようにしてもよい。更に、該表示に従つて手動
にて走査信号発生器やカウンタを操作してもよ
い。又、ゴミを検出してもカウンタを止めないで
そのままマークも検出し、判別回路からの判別信
号によりマークを検出した時のカウンタ値を求め
て、マーク位置を検出するようにしてもよい。
本発明によれば、マーク検出において、正しく
マークが検出されたのか、誤つてゴミが検出され
たのかが精確に判別され、しかも、マークとゴミ
とではその検出信号の振幅値に著しい差がある
為、この判別の為に何度もマーク走査を行なうこ
とはないので、マーク検出に要する時間が大幅に
短縮化される。以上のことから、描画精度の向上
及び描画全体に要する時間の短縮化がなされた。
マークが検出されたのか、誤つてゴミが検出され
たのかが精確に判別され、しかも、マークとゴミ
とではその検出信号の振幅値に著しい差がある
為、この判別の為に何度もマーク走査を行なうこ
とはないので、マーク検出に要する時間が大幅に
短縮化される。以上のことから、描画精度の向上
及び描画全体に要する時間の短縮化がなされた。
第１図は従来のマーク検出を示したもの、第２
図は本発明の一実施例を示したマーク検出装置、
第３図及び第４図は該装置の動作の説明を補足す
る為のものである。 ２…電子ビーム、３…偏向器、４…試料、５…
マーク、６…反射電子検出器、９…振幅検出回
路、１０…判別回路、１１…制御装置、１５…走
査信号発生器。
図は本発明の一実施例を示したマーク検出装置、
第３図及び第４図は該装置の動作の説明を補足す
る為のものである。 ２…電子ビーム、３…偏向器、４…試料、５…
マーク、６…反射電子検出器、９…振幅検出回
路、１０…判別回路、１１…制御装置、１５…走
査信号発生器。
Claims (1)
- １ 荷電粒子ビームをマークが設けられた材料上
で走査させる手段、該材料上から発生した荷電粒
子ビームを検出するビーム検出手段、該検出した
ビーム信号の振幅値を測定する振幅検出手段、該
測定振幅値を予めセツトした基準振幅値と比較
し、該測定振幅値が該基準振幅値より小さい場合
と大きい場合とを判別した信号を発生する判別回
路、及び、該判別回路が前者の場合を判別した信
号を発生した時に前記ビーム検出手段からのビー
ム信号に基づいてマーク位置を測定し、後者の場
合を判別した信号を発生した時に前記ビーム検出
手段からのビーム信号をマーク位置測定に対し無
視する制御手段から成るマーク検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123910A JPS5914636A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | マ−ク検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123910A JPS5914636A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | マ−ク検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914636A JPS5914636A (ja) | 1984-01-25 |
| JPS634933B2 true JPS634933B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=14872365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57123910A Granted JPS5914636A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | マ−ク検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914636A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116007558B (zh) * | 2022-12-30 | 2025-08-26 | 深圳市磐锋精密技术有限公司 | 电子产品的内部灰尘检测处理方法、装置和计算机设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5127917A (en) * | 1974-09-02 | 1976-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Supiika |
| JPS5615040A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mark detector |
| JPS5690204A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Pattern check device |
| JPS56149687A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Printed end detector |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57123910A patent/JPS5914636A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5914636A (ja) | 1984-01-25 |
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