JPS6352804B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6352804B2 JPS6352804B2 JP56202022A JP20202281A JPS6352804B2 JP S6352804 B2 JPS6352804 B2 JP S6352804B2 JP 56202022 A JP56202022 A JP 56202022A JP 20202281 A JP20202281 A JP 20202281A JP S6352804 B2 JPS6352804 B2 JP S6352804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulated
- resistor
- series
- circuit
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
- H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、入力側と出力側とが絶縁されてい
てかつ入力側から出力側の抵抗値を制御すること
が可能な絶縁型可変抵抗装置に関する。
てかつ入力側から出力側の抵抗値を制御すること
が可能な絶縁型可変抵抗装置に関する。
従来、この種の装置としては、LEDとホトト
ランジスタ、LEDとホトダイオード、LEDとCds
の如きホトカプラが多く用いられていた。しか
し、これらのものは、LEDの発光量を制御して
ホトトランジスタ・ホトダイオードあるいはCdS
の等価抵抗値を変えるものであるため、入出力特
性のバラツキが大きい欠点があつた。すなわち、
LEDの発光効率、LEDとホトトランジスタ等と
の結合度、ホトトランジスタ等の光電流特性など
のバラツキがそのまま入出力特性のバラツキとな
つていた。また、温度依存性が大きい欠点もあつ
た。さらにホトトランジスタやホトダイオードは
本質的に電流制御素子であるから、回路の変化に
より等価抵抗値が影響をうける欠点があつた。
ランジスタ、LEDとホトダイオード、LEDとCds
の如きホトカプラが多く用いられていた。しか
し、これらのものは、LEDの発光量を制御して
ホトトランジスタ・ホトダイオードあるいはCdS
の等価抵抗値を変えるものであるため、入出力特
性のバラツキが大きい欠点があつた。すなわち、
LEDの発光効率、LEDとホトトランジスタ等と
の結合度、ホトトランジスタ等の光電流特性など
のバラツキがそのまま入出力特性のバラツキとな
つていた。また、温度依存性が大きい欠点もあつ
た。さらにホトトランジスタやホトダイオードは
本質的に電流制御素子であるから、回路の変化に
より等価抵抗値が影響をうける欠点があつた。
この発明はこのように事情に鑑みてなされたも
ので、上記欠点を解消した絶縁型可変抵抗装置を
提供する。
ので、上記欠点を解消した絶縁型可変抵抗装置を
提供する。
以下、図に示す実施例に基いて、この発明を詳
説明する。
説明する。
第１図に示す１はこの発明の絶縁型可変抵抗装
置の一実施例であり、LED２ａとホトトランジ
タ２ｂとからなるホトカプラ２、そのホトカプラ
２のLED２ａをパルスドライブするパルスドラ
イブ回路３、前記ホトカプラ２のホトトランジス
タ２ｂの直列接続された抵抗器ｒおよびその抵抗
器ｒとホトトランジスタ２ｂとによる直列回路に
並列接続されたコンデンサｃを具備して基本的に
構成されている。
置の一実施例であり、LED２ａとホトトランジ
タ２ｂとからなるホトカプラ２、そのホトカプラ
２のLED２ａをパルスドライブするパルスドラ
イブ回路３、前記ホトカプラ２のホトトランジス
タ２ｂの直列接続された抵抗器ｒおよびその抵抗
器ｒとホトトランジスタ２ｂとによる直列回路に
並列接続されたコンデンサｃを具備して基本的に
構成されている。
ホトカプラ２は、LEDとホトダイオード、
LEDとCdSなどの組合せでもよく、またLEDと
ホトトランジスタ等との距離を遠く離してこれら
を光フアイバ等で結合したものであつてもよい。
LEDとCdSなどの組合せでもよく、またLEDと
ホトトランジスタ等との距離を遠く離してこれら
を光フアイバ等で結合したものであつてもよい。
パルスドライブ回路３は、第２図に示すよう
に、T0時間（たとえば10μsec.）毎にT1時間だけ
LED２ａにドライブ電流i0を供給するものであ
り、T1時間を０〜T0の間で任意に設定変更可能
にされている。また、ドライブ電流i0の大きさは
ホトトランジスタ２ｂを完全に導電させる大きさ
に設定されている。そこで、ホトトランジスタ２
ｂはT0時間毎にT1時間だけONされることにな
り、T0時間に対するT1時間の比すなわち通電率
αは０〜１の間で任意に変更できる。第３図に示
す３′は、上記パルスドライブ回路３の具体的な
一例であり、アンプA1およびA2から三角波発生
回路と、コンパレータA3とから構成されている。
ポテンシヨメータなどによつてコンパレータA3
の比較電圧Viを変えると、通電率αを０〜１の範
囲で変化できる。T0は、三角波の周期によつて
決定される。
に、T0時間（たとえば10μsec.）毎にT1時間だけ
LED２ａにドライブ電流i0を供給するものであ
り、T1時間を０〜T0の間で任意に設定変更可能
にされている。また、ドライブ電流i0の大きさは
ホトトランジスタ２ｂを完全に導電させる大きさ
に設定されている。そこで、ホトトランジスタ２
ｂはT0時間毎にT1時間だけONされることにな
り、T0時間に対するT1時間の比すなわち通電率
αは０〜１の間で任意に変更できる。第３図に示
す３′は、上記パルスドライブ回路３の具体的な
一例であり、アンプA1およびA2から三角波発生
回路と、コンパレータA3とから構成されている。
ポテンシヨメータなどによつてコンパレータA3
の比較電圧Viを変えると、通電率αを０〜１の範
囲で変化できる。T0は、三角波の周期によつて
決定される。
第１図を再び参照して説明すると、抵抗器ｒお
よびコンデンサＣの値はそれらによる時定数が前
記T0により十分大（たとえば100倍以上）になる
ように選定されている。
よびコンデンサＣの値はそれらによる時定数が前
記T0により十分大（たとえば100倍以上）になる
ように選定されている。
そこで、抵抗器ｒを流れる電流は実際にはパル
ス状であるが、コンデンサＣの働きを考慮した定
常状態を考えると、点Ｐ−Ｑ間の電位差Ｖは略一
定となり、かつ実質的に一定の電流Ｉが点Ｐ−Ｑ
間を流れると考えられる。
ス状であるが、コンデンサＣの働きを考慮した定
常状態を考えると、点Ｐ−Ｑ間の電位差Ｖは略一
定となり、かつ実質的に一定の電流Ｉが点Ｐ−Ｑ
間を流れると考えられる。
さて、定常状態でT0時間当りに点Ｐ−Ｑ間を
流れる電気量ｑを考えると、電流値が１であるか
ら、 ｑ＝Ｉ・T0 ……(1) である。ところが、実際に流れる電気量はホトト
ランジスタ２ｂを流れるものだけであるから、抵
抗器ｒの抵抗値をｒとして、 ｑ＝Ｖ／ｒ・T1 ……(2) である。これら(1)(2)式よりｑを消去して整理すれ
ば、 ｌ＝Ｖ／ｒ・T1／T0 ……(3) となる。
流れる電気量ｑを考えると、電流値が１であるか
ら、 ｑ＝Ｉ・T0 ……(1) である。ところが、実際に流れる電気量はホトト
ランジスタ２ｂを流れるものだけであるから、抵
抗器ｒの抵抗値をｒとして、 ｑ＝Ｖ／ｒ・T1 ……(2) である。これら(1)(2)式よりｑを消去して整理すれ
ば、 ｌ＝Ｖ／ｒ・T1／T0 ……(3) となる。
点Ｐ−Ｑ間の等価抵抗値Ｒは、(3)式を考慮し
て、 Ｒ＝Ｖ／１＝ｒ・T0／T1＝ｒ／α ……(4) ただし、T1／T0＝α となる。
て、 Ｒ＝Ｖ／１＝ｒ・T0／T1＝ｒ／α ……(4) ただし、T1／T0＝α となる。
(4)式より、点Ｐ−Ｑ間の等価抵抗値Ｒは、抵抗
器ｒの抵抗値ｒに比例し、通電率αに逆比例して
決まることが分るが、この装置１においてαは０
〜１の間で可変であるから、結局、等価抵抗値Ｒ
はｒ〜∞の間で可変である。
器ｒの抵抗値ｒに比例し、通電率αに逆比例して
決まることが分るが、この装置１においてαは０
〜１の間で可変であるから、結局、等価抵抗値Ｒ
はｒ〜∞の間で可変である。
第４図に示す１０は、上記装置１を利用したサ
ーモスタツト回路の一例である。この回路１０
は、サーミスタRTが低温であるときはコンパレ
ータ１１がリレーコイル１２を通電し、サーミス
タ（RT）が高温になるとリレーコイル１２の通
電を停止するように働く。この切変わりの動作点
は、次式が満たされる点である。
ーモスタツト回路の一例である。この回路１０
は、サーミスタRTが低温であるときはコンパレ
ータ１１がリレーコイル１２を通電し、サーミス
タ（RT）が高温になるとリレーコイル１２の通
電を停止するように働く。この切変わりの動作点
は、次式が満たされる点である。
R1＋Ｒ／RT＝R2／R3 ……(5)
この(5)式より、等価抵抗値Ｒを変えることによ
つて動作点を変えられることが分る。つまり、Ｒ
を大にすれば動作点は低温側に移動し、Ｒを小に
すれば動作点は高温側に移動する。
つて動作点を変えられることが分る。つまり、Ｒ
を大にすれば動作点は低温側に移動し、Ｒを小に
すれば動作点は高温側に移動する。
以上の説明から理解されるように、この発明の
絶縁型可変抵抗装置は、入力側と出力側とが絶縁
され、かつ入力信号に応じて出力がON／OFFさ
れる絶縁型スイツチ手段に対し、その入力側に前
記ON／OFFの時間比を可変制御する通電率制御
手段を接続すると共に、一方の出力側に抵抗器を
直列接続し、さらにその直列回路に並列にコンデ
ンサを接続してなるものであり、通電率を変化さ
せることによつて等価抵抗値を変更することがで
きる。そして、その等価抵抗値は前記(4)式で示さ
れるように通電率と抵抗器の抵抗値とで決まるか
ら、バラツキが従来より著しく小さくなる。ま
た、温度依存性も小さくなる。また、回路電圧に
等価抵抗値が影響されることもなくなる。さらに
通電率を制御する方式なので、アナログ的ノズル
に強く、入力側と出力側が絶縁されていることか
ら、絶縁型スイツチ手段と通電率制御手段とを遠
く離すことができ、遠隔制御システムに好適に利
用することができる特長もある。
絶縁型可変抵抗装置は、入力側と出力側とが絶縁
され、かつ入力信号に応じて出力がON／OFFさ
れる絶縁型スイツチ手段に対し、その入力側に前
記ON／OFFの時間比を可変制御する通電率制御
手段を接続すると共に、一方の出力側に抵抗器を
直列接続し、さらにその直列回路に並列にコンデ
ンサを接続してなるものであり、通電率を変化さ
せることによつて等価抵抗値を変更することがで
きる。そして、その等価抵抗値は前記(4)式で示さ
れるように通電率と抵抗器の抵抗値とで決まるか
ら、バラツキが従来より著しく小さくなる。ま
た、温度依存性も小さくなる。また、回路電圧に
等価抵抗値が影響されることもなくなる。さらに
通電率を制御する方式なので、アナログ的ノズル
に強く、入力側と出力側が絶縁されていることか
ら、絶縁型スイツチ手段と通電率制御手段とを遠
く離すことができ、遠隔制御システムに好適に利
用することができる特長もある。
第１図はこの発明の絶縁型可変抵抗装置の一実
施例の構成説明図、第２図は第１図に示す装置に
おけるLEDのドライブ電流波形図、第３図は第
１図に示す装置におけるパルスドライブ回路の具
体的一例の回路構成図、第４図は第１図に示す装
置を用いたサーモスタツト回路の構成説明図であ
る。 １……絶縁型可変抵抗装置、２……ホトカプ
ラ、３……パルスドライブ回路、ｒ……抵抗器、
Ｃ……コンデンサ。
施例の構成説明図、第２図は第１図に示す装置に
おけるLEDのドライブ電流波形図、第３図は第
１図に示す装置におけるパルスドライブ回路の具
体的一例の回路構成図、第４図は第１図に示す装
置を用いたサーモスタツト回路の構成説明図であ
る。 １……絶縁型可変抵抗装置、２……ホトカプ
ラ、３……パルスドライブ回路、ｒ……抵抗器、
Ｃ……コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入力側と出力側とが絶縁され、かつ入力信号
に応じて出力がON／OFFされる絶縁型スイツチ
手段に対し、その入力側に前記ON／OFFの時間
比を可変制御する通電率制御手段を接続すると共
に、一方の出力側に抵抗器を直列接続し、さらに
その直列回路に並列にコンデンサを接続して形成
される直並列回路を、抵抗器を介して直流電源に
接続し、前記直並列回路の抵抗器とコンデンサと
による放電時定数を前記直並列回路の両端電圧が
略一定になるように設定してなる絶縁型可変抵抗
装置。 ２ 絶縁型スイツチ手段が、ホトカプラである特
許請求の範囲第１項記載の絶縁型可変抵抗装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202022A JPS58102575A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 絶縁型可変抵抗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202022A JPS58102575A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 絶縁型可変抵抗装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102575A JPS58102575A (ja) | 1983-06-18 |
| JPS6352804B2 true JPS6352804B2 (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=16450620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56202022A Granted JPS58102575A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 絶縁型可変抵抗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102575A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338067A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-07 | Hitachi Metals Ltd | Steel pipe storage conveyor |
| JPS5452448A (en) * | 1977-10-03 | 1979-04-25 | Toshiba Corp | Signal transfer circuit |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56202022A patent/JPS58102575A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58102575A (ja) | 1983-06-18 |
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