JPS6358191B2 - - Google Patents
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- JPS6358191B2 JPS6358191B2 JP55169837A JP16983780A JPS6358191B2 JP S6358191 B2 JPS6358191 B2 JP S6358191B2 JP 55169837 A JP55169837 A JP 55169837A JP 16983780 A JP16983780 A JP 16983780A JP S6358191 B2 JPS6358191 B2 JP S6358191B2
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Description
本発明は新規なシリカ被膜形成用塗布液の製造
方法に関するものである。
シリカ被膜を形成させる方法としては気相成長
法と塗布方法が知られている。気相成長法は特殊
な装置を必要とし被膜を形成させる基体の大きさ
に制限があり且つ量産が難しいと言う欠点がある
為近年塗布による方法が注目されて来た。塗布方
法により形成されたシリカ被膜はピンホールのな
い均一な膜であることが要求されるが、これに加
えて特に電子材料分野では不純物の少ない被膜が
要求されている。
このような要求にこたえる為に様々なシリカ被
膜形成用塗布液の製造方法が提案されている。
例えばカルボン酸とハロゲン化シランとアルコ
ールを反応させる方法が提案されている(特公昭
48−24665及び同52−16488)。これらの方法では
ハロゲン化シランを原料としこれにカルボン酸又
は無水カルボン酸を加えて反応させテトラカルボ
キシシランを得た後アルコールと反応させて塗布
液を得ているが、この方法ではハロゲン化シラン
とカルボン酸又は無水カルボン酸を反応させる際
テトラカルボキシシランが析出する為副生する塩
酸又はカルボキシクロライドの除去が極めて困難
で、この副生物を除く為に減圧蒸留若しくは再結
晶をする必要があるが、テトラカルボキシシラン
が結晶として析出する為に好ましくない副生物を
完全に除去することは極めて困難で高純度の反応
液を得ることができない。加えてこの方法ではテ
トラカルボキシシランとアルコールとを反応させ
て塗布液を得る為に反応工程が長く製造効率が極
めて悪いと言う欠点がある。更にハロゲン化シラ
ンとカルボン酸又は無水カルボン酸との反応によ
つて得られるテトラカルボキシシランは不安定で
外気に接すると直ちに分解し酸化けい素になる為
外気との遮蔽が不完全な場合には次の工程でアル
コールと反応させた際反応液がにごり反応液の濾
過効率が低下すると言う難点がある。
他方特開昭54−24831、同55−34258及び同55−
34276にはアルコキシシランとカルボン酸又は無
水カルボン酸とアルコールの混合液に反応促進剤
としての無機酸又は有機酸を加えて塗布液を得る
方法が提案されている。これらの方法は前記特公
昭48−24665及び同52−16488で提案されている方
法に比べると反応工程が簡略化されている点で秀
れているがカルボン酸又は無水カルボン酸を用い
る為に酸刺激臭が強く、また皮膚に接した場合に
は重いやけどを起こしたり、濃厚な蒸気を吸入し
た場合には鼻、のど、気管支を害し肺組織を害す
る等の危険性があり取扱いに極めて細かな配慮を
をほどこす必要がある。更に反応系に加えた反応
促進剤はしばしば好ましくない不純物として反応
液中に残存する為に純度の高い塗布液を得ること
ができない。
従つて反応工程が簡単で危険性がなく且つ好ま
しくない不純物を含まない高純度の塗布液製造方
法が望まれている。
本発明者らはかゝる要請にきたえるべく鋭意研
究を重ねた結果、反応工程が極めて簡単で且つ酸
刺激臭及び危険性のないシリカ被膜形成用塗布液
の製造方法を見出すに至つた。
即ち、本発明は一般式R′Si(OR)3(ここにR′は
OR又はアルキル基、アルケニル基、アリール基
もしくはアルアルキル基であり、Rはアルキル
基、アルケニル基、アリール基もしくはアルアル
キル基であり、1分子中に存在する複数のRは同
じものであつても異なつていてもよい。)で表わ
されるシラン誘導体又はその部分縮合体であるけ
い素化合物を、そのけい素原子に対して2―(n
−1)/nモル倍(但し、nは前記シラン誘導体
にあつては1を、前記部分縮合体にあつてはその
量体数(n量体)を表わす。)以上の水と、非酸
有機溶媒及び酸性の不均一系触媒の存在下に、こ
れらの混合液の沸点以下の温度で反応させ、これ
に必要に応じて溶媒を追加及び/又は除去するこ
とによりシリカ被膜形成用塗布液を製造する方法
を要旨とする。
本発明に用いる前記シラン誘導体は、反応速度
が比較的大きい点で前記一般式におけるR又は
R′の炭素数が1〜8であることが好ましい。
Rは、更に好ましくは炭素数1〜4、一層好ま
しくは1〜3のアルキル基もしくはアルケニル基
から選ばれる。ORは、前記けい素化合物が水と
反応したとき、ROHという構造をもつたアルコ
ールとして遊離して来、前記けい素化合物ないし
それが加水分解して生ずるヒドロキシシランない
しヒドロキシシラン縮合体の溶媒の成分となる。
これら化合物及び水の良溶媒を提供するという理
由から、Rの炭素数は1〜4、好ましくは1〜3
のアルキル基がよい。ブタノールは異臭を持つ点
からもあまり好ましいものではない。
R′がORのときは、前述のことがそのままあて
はまる。R′がORでない場合は、更に好ましい態
様はフエニル基又は炭素数1〜4のアルキル基も
しくはアルケニル基であり、一層好ましくは炭素
数1〜2のアルキル基もしくはアルケニル基であ
る。
前記部分縮合体は、前記シラン誘導体を、1モ
ル倍より少ない水と、有機溶媒及び酸触媒の存在
下反応させることにより製造することができるも
のであり、例えばテトラエトキシシランの4〜5
量体が「エチルシリケート40」という商標の下に
市販されている。
本発明に用いるけい素化合物として好ましいも
のの例を挙げれば、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリ
メトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エ
チルトリプロポキシシラン、プロピルトリメトキ
シシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピ
ルトリプロポキシシラン、フエニルトリメトキシ
シラン、フエニルトリエトキシシラン、フエニル
トリプロポキシシラン及びこれらの部分縮合体並
びにこれらの内2種以上の混合物を挙げることが
できる。
本発明に用いる非酸有機溶媒は、前記けい素化
合物ないしそれが加水分解されて生ずるヒドロキ
シシランないしヒドロキシシラン縮合体及び水に
対して相溶性にすぐれ、該ヒドロキシシラン縮合
体の溶液の良好な安定性を与えるものであること
が望ましい。用いうる溶媒としては、1価のアル
コール類例えばメチルアルコール、エチルアルコ
ール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、
エステル類例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
プロピル、ケトン類例えばアセトン、メチルエチ
ルケトン、アセチルアセトン等を挙げうる。これ
らのうち、1価のアルコール類特に炭素数1〜4
の1価アルコール以外のものは概して前記けい素
化合物等に対する溶解性に乏しく、用いるときは
1価のアルコール類特に炭素数1〜4の1価アル
コールと混合して用いることが好ましい。炭素数
1〜4の1価のアルコールの内でも、ブチルアル
コールは水との相溶性が比較的悪く、又不良臭を
持つているので、炭素数1〜3の1価アルコール
が好ましい。
本発明における反応の際に使用する前記非酸有
機溶媒の量は、前記けい素化合物1重量部に対し
て0.07〜10重量部、好ましくは0.4〜5重量部が
よい。該非酸有機溶媒の量が0.07重量部より少な
い場合には前記けい素化合物の濃度が高い為前記
反応混合物の反応が進むに従つて反応液の粘度が
徐々に増加し最終的にはゲル化を起こすおそれが
あり、塗布液としての性能を失うおそれがある。
他方前記非酸有機溶媒の量が10重量部よりも多い
場合には反応によつて生じたヒドロキシシラン縮
合体の濃度が低くこれを塗布液として使用した場
合には被膜の厚さが薄く用途によつては再塗布も
しくは数回くり返し塗布しなければ希望する被膜
の厚さに達しない。
本発明においては、前記従来法がアルコキシシ
ランの反応のために酢酸又は無水酢酸を使用する
ところ、この酢酸等に代えて水が使用される。本
発明においては酢酸のような低級カルボン酸又は
その酸無水物は前述の理由により反応混合物中に
0.8重量%以下であることが望ましい。好ましく
は0.5重量%以下、更に好ましくは0.2重量%以
下、最も好ましくは不存在がよい。他の有機又は
無機の酸もなるべく反応系に液体として実質的に
存在させないことが望ましい。
本発明において使用する水は純水が好ましい。
使用する水の量は、前記シラン誘導体の場合、そ
の1モルに対して2モル以上好ましくは10モル以
下更に好ましくは2.5〜6モル一層好ましくは3
〜4モルがよい。前記部分縮合体の場合の好まし
い水の使用量については、前記シラン誘導体から
該部分縮合体になる迄に、該部分縮合体をn量体
とすれば、該部分縮合体のけい素原子1モル当た
り(n―1)/nモルの水が消費されているの
で、その分だけ前記シラン誘導体の場合に必要と
される水の量として示された数値より少ない数値
が適用される。これらの水の使用量の範囲の下限
を上述のように規定したのは、水が少ない程反応
によつて生成するヒドロキシシラン縮合体の架橋
度が大きくなりにくく、基体上に塗布して得られ
る被膜表面の均一性が悪くなる傾向があるからで
ある。他方、上限を上述のように規定したのは、
水が多い程水が過剰となつて反応液中に残存する
ため基体上に塗布して得られる被膜の均一性が損
われ、また塗布液の安定性が悪くなるからであ
る。
本発明に使用する酸性の不均一系触媒としては
酸性イオン交換樹脂及び担体に無機酸を担持させ
た固体酸性触媒を挙げることができる。
酸性イオン交換樹脂としてはスルホン酸系の強
酸性カチオン及び超強酸性カチオン交換樹脂が好
ましく、例えば商品名ダイヤイオンSK、同PK、
同HPK、アンバーライトIR及びナフイオン等が
挙げられる。通常市販の酸性イオン交換樹脂は
Na形でH形に置換されているものもあるがH形
のものでも完全にH形に置換されていない。従つ
てH形への置換の程度が不完全である場合には反
応液中にNaイオンが溶出し不純物として混入す
る為特にNaイオンが問題となる電子工業材料分
野への使用は制限される。従つて反応促進剤とし
て使用する前にH形への置換の程度を高度にする
ことが望ましい。この前処理の方法は既に公知の
方法に従つて行なえば良い。
酸性イオン交換樹脂の使用量は、前記けい素化
合物、非酸有機溶媒及び水の混合液に対して5〜
50重量%、好ましくは5〜20重量%の範囲が適当
である。粒子状でカラムに充填したり、多層の薄
膜状として、これらの間に反応混合物を流通させ
る場合は、50重量%を越えて、前記流通を可能た
らしめる上限の割合迄使用しうる。
担体に無機酸を担持させた触媒としては、シリ
カ、アルミナ―シリカ、ジルコニア、活性炭等に
硫酸又はりん酸を担持させたものを使用すること
ができる。担体への無機酸の担持の方法は公知の
方法に従つて行なうことができる。例えば担体を
乾燥後上記無機酸水溶液を加えて含浸させこれを
200〜400℃に焼成して得ることができる。担体に
対する無機酸の担持量は通常1〜10重量%程度が
好ましい。
かゝる担持された固体酸性触媒量は前記けい素
化合物、非酸有機溶媒及び水の混合液に対して5
〜50重量%好ましくは5〜20重量%の範囲で使用
するのがよい。この固体酸性触媒を粒子状でカラ
ムに充填したり、多層の薄膜状として、これらの
間に反応混合物を流通させる場合は、50重量%を
越えて、前記流通を可能たらしめる上限の割合迄
使用しうることは勿論である。
本発明の塗布液を製造するには所定の前記けい
素化合物、所定の水及び所定の非酸有機溶媒を混
合しこれに所定の酸性不均一系触媒を加えて撹拌
する。反応が進むに従つてヒドロキシシラン縮合
体が生成し前記けい素化合物及び水の量が減少す
る。この際反応容器の温度を反応液の沸点を越え
ない温度に加温することによつて反応時間を短縮
させることができる。反応液中の前記けい素化合
物の含有量が1%以下になる迄反応を続けた後不
均一の触媒を濾過分離を行なうことによつてヒド
ロキシシラン縮合体を主成分とする高純度の反応
生成物を得ることができる。
本発明の目的とする塗布液を製造する他の方法
として前記けい素化合物と非酸有機溶媒の混合液
に反応促進剤を加えた後全体の水量が前記けい素
化合物1モルに対して好ましくは〔3―(n―
1)/n〕〜〔4―(n―1)/n〕になるよう
に注入して反応させ混合液中の前記けい素化合物
の濃度が1%以下になる迄反応させることによつ
ても製造することができる。
得られた反応生成液は必要に応じて有機溶媒を
除き及び/又は加え所望する溶媒組成と濃度に調
整し、好ましくは濾過した後塗布液として使用さ
れる。
かゝる方法によつて製造すれば酸による激しい
臭気に悩まされることもなく皮膚への接触や酸蒸
気による目、鼻、口、気管支等への危険性に対す
る配慮も必要なく極めて安全で容易に且つ効率良
く高純度の塗布液を得ることができる。加うるに
反応生成液に必要に応じて有機溶剤を加え所望す
る溶媒組成の塗布液を任意に調整し得る利点があ
る。
濃度及び溶媒組成を調整する為に用いる有機溶
剤の種類は塗布液の使用目的によつても異るが、
メチルアルコール、エチルアルコール、プロピル
アルコール、ブチルアルコール等のアルコール
類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエ
ステル類、アセトン、メチルエチルケトン、アセ
チルアセトン等のケトン類及びこれらの混合物が
挙げられる。
本発明の塗布液には、必要に応じてガラス質形
成剤又は有機高分子膜形成剤を加えることもでき
る。
ガラス質形成剤としては、アルコール及びエス
テル類を主成分とする有機溶剤に可溶な化合物で
例えば五酸化りん、りん酸、無水ほう酸、オルト
ひ酸、三塩化アンチモン、酢酸鉛、酢酸亜鉛、酢
酸アルミニウム及びこれらの混合物を挙げること
ができる。
有機高分子膜形成剤は、アルコール及びエステ
ル類を主成分とする有機溶剤に可溶な化合物で且
つ滑らかな被膜を形成するのに適し且つ焼成によ
つて容易に分解し揮散する性質を持つた有機高分
子化合物がよく、例えばポリビニルアセタール、
ポリビニルブチラール、ポリビニルエーテル、エ
チルセルロース等を挙げることができる。
かゝる添加剤の濃度は、ガラス質形成剤の場合
には、被膜の硬さ、エツチングスピード、吸湿性
等の関係から塗布液中のけい素化合物の量に対し
0.5〜10重量%の範囲で使用するのが好適である。
又有機高分子膜形成剤の場合には、粘度と形成さ
れる被膜の厚さの関係から塗布液に対して2〜10
重量%を使用するのが好適である。
本発明によつて得られる塗布液を施すのに適し
た基材としてはアルコール及びエステル類を主成
分とする有機溶剤に浸されない材質例えばガラ
ス、セラミツクス、マイカ等の無機材料やシリコ
ン、ゲルマニウム、ガリウム等の周期率表の第3
族及び4族の半導体、更にはアルミニウム、銅、
鉄、銀、金、ステンレス鋼等の金属材料、ポリエ
ステル、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリ
ル樹脂等(いずれもホモポリマー、コポリマーを
含む)のプラスチツクス等があげられる。
本発明の塗布液をこれら基材に塗布する方法と
してはスピンナー法、浸漬引上げ法、スプレー
法、印刷法、刷毛塗り法等従来公知の方法で行な
うことができる。かゝる公知の方法で塗布した後
空気中もしくは不活性気体中で100℃以上の温度
で焼成することにより表面が均一でピンホールの
ない厚さ0.005〜2μの高純度シリカ系連続被膜を
容易に形成被着させることができる。
かゝる方法で得られる高純度被膜は耐摩耗性、
耐薬品性に優れていることからアルミニウム、
鉄、銅、金等の金属材料やポリエステル、ポリイ
ミド等のプラスチツク表面の保護に用いられる。
又半導体表面に塗布することによつて表面保護や
不純物拡散剤としても好適であり、更には電子材
料部品の絶縁膜や液晶表示素子材料の表面安定化
膜(パツシベーシヨン膜)や液晶の配向剤として
も使用できる。
本発明によつて得られる塗布液は非常に安定で
あり、密閉容器中に入れて室温下に放置しても6
月以上の間、何ら白濁も、沈殿も生じない。
次に本発明を実施例によつて更に具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
実施例 1
撹拌機、冷却器及び温度計を付けた300mlの三
つ口フラスコにテトラメトキシシラン46g、水16
g及びエタノール110gを入れ、この混合溶液に
前処理をほどこした強酸性イオン交換樹脂9.5g
を加え撹拌しつゝ60℃で反応せしめた。反応液中
のテトラメトキシシランの濃度が1重量%以下に
なつたことをガスクロマトグラフイーで確認した
後反応を止め、エタノール73%、メタノール26%
及びテトラメトキシシラン0.05%の液組成を持つ
反応生成液を得た。この反応生成液を濾過して強
酸性イオン交換樹脂を除いた後原子吸光分析、元
素分析及び電位差滴定法で分析したところ、表―
1に示す結果を得た。この表において数字の単位
はppmである。
The present invention relates to a novel method for producing a coating liquid for forming a silica film. Vapor growth methods and coating methods are known as methods for forming silica films. Since the vapor phase growth method requires special equipment, has limitations on the size of the substrate on which the film is formed, and is difficult to mass-produce, the coating method has attracted attention in recent years. The silica film formed by the coating method is required to be a uniform film without pinholes, but in addition to this, especially in the field of electronic materials, a film with few impurities is required. In order to meet these demands, various methods for producing coating liquids for forming silica films have been proposed. For example, a method has been proposed in which a carboxylic acid, a halogenated silane, and an alcohol are reacted (Tokuko Sho
48-24665 and 52-16488). In these methods, halogenated silane is used as a raw material, and carboxylic acid or carboxylic anhydride is added to it to react to obtain tetracarboxysilane, which is then reacted with alcohol to obtain a coating solution. When reacting carboxylic acid or carboxylic acid anhydride, tetracarboxysilane precipitates, so it is extremely difficult to remove the by-product hydrochloric acid or carboxy chloride, and vacuum distillation or recrystallization is required to remove this by-product. Since tetracarboxysilane precipitates as crystals, it is extremely difficult to completely remove undesirable by-products, making it impossible to obtain a highly pure reaction solution. In addition, this method has the drawback that the reaction process is long and the production efficiency is extremely low since the coating liquid is obtained by reacting tetracarboxysilane and alcohol. Furthermore, tetracarboxysilane obtained by the reaction of halogenated silane and carboxylic acid or carboxylic acid anhydride is unstable and immediately decomposes into silicon oxide when exposed to the outside air, so if shielding from the outside air is incomplete, There is a drawback that when reacted with alcohol in the next step, the reaction solution becomes cloudy and the filtration efficiency of the reaction solution decreases. On the other hand, JP-A No. 54-24831, No. 55-34258 and No. 55-
No. 34276 proposes a method of obtaining a coating liquid by adding an inorganic or organic acid as a reaction accelerator to a mixed solution of alkoxysilane and carboxylic acid or carboxylic anhydride and alcohol. These methods are superior to the methods proposed in the above-mentioned Japanese Patent Publications No. 48-24665 and No. 52-16488 in that the reaction steps are simplified, but because they use carboxylic acids or carboxylic anhydrides, It has a strong pungent odor, and if it comes in contact with the skin, it can cause severe burns, and if the thick vapor is inhaled, it can harm the nose, throat, bronchial tubes, and lung tissue, so be extremely careful when handling it. Consideration needs to be given. Furthermore, the reaction accelerator added to the reaction system often remains in the reaction solution as an undesirable impurity, making it impossible to obtain a highly pure coating solution. Therefore, there is a need for a method for producing a highly pure coating liquid that has simple reaction steps, is non-hazardous, and does not contain undesirable impurities. The inventors of the present invention have conducted extensive research to meet these demands, and as a result have discovered a method for producing a coating liquid for forming a silica film, which has an extremely simple reaction process and is free from acidic odor and danger. That is, the present invention has the general formula R′Si(OR) 3 (where R′ is
OR or an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or an aralkyl group; R is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or an aralkyl group; even if multiple R's present in one molecule are the same They can be different. ) or a partial condensate thereof, a silicon compound represented by 2-(n
−1)/n mole times (where n represents 1 in the case of the silane derivative and the number of mer (n mer) in the case of the partial condensate) and a non-acid A coating solution for forming a silica film is prepared by reacting in the presence of an organic solvent and an acidic heterogeneous catalyst at a temperature below the boiling point of the mixed solution, and adding and/or removing the solvent as necessary. The gist is the manufacturing method. The silane derivative used in the present invention has a relatively high reaction rate, and R or
It is preferable that R' has 1 to 8 carbon atoms. R is more preferably selected from an alkyl group or an alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably 1 to 3 carbon atoms. OR is liberated as an alcohol with the structure ROH when the silicon compound reacts with water, and is a component of the solvent of the silicon compound or the hydroxysilane or hydroxysilane condensate produced by its hydrolysis. becomes.
In order to provide a good solvent for these compounds and water, R has 1 to 4 carbon atoms, preferably 1 to 3 carbon atoms.
An alkyl group is preferable. Butanol is not very preferable because it has a strange odor. When R′ is OR, the above applies as is. When R' is not OR, a more preferred embodiment is a phenyl group or an alkyl group or alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably an alkyl group or alkenyl group having 1 to 2 carbon atoms. The partial condensate can be produced by reacting the silane derivative with less than 1 mole of water in the presence of an organic solvent and an acid catalyst.
mer is commercially available under the trademark "ethyl silicate 40". Preferred examples of silicon compounds used in the present invention include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and ethyltriethoxysilane. Silane, ethyltripropoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, propyltripropoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltripropoxysilane and partial condensates thereof, and two of these Mention may be made of mixtures of more than one species. The non-acid organic solvent used in the present invention has excellent compatibility with the silicon compound, hydroxysilane or hydroxysilane condensate produced by hydrolysis thereof, and water, and provides good stability of the solution of the hydroxysilane condensate. It is desirable that it be something that gives sex. Examples of solvents that can be used include monohydric alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, butyl alcohol,
Esters such as methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, acetylacetone, etc. may be mentioned. Among these, monohydric alcohols, especially carbon atoms 1 to 4
Alcohols other than monohydric alcohols generally have poor solubility in the silicon compounds and the like, and when used, they are preferably mixed with monohydric alcohols, particularly monohydric alcohols having 1 to 4 carbon atoms. Among monohydric alcohols having 1 to 4 carbon atoms, butyl alcohol has relatively poor compatibility with water and has an unpleasant odor, so monohydric alcohols having 1 to 3 carbon atoms are preferred. The amount of the non-acid organic solvent used in the reaction in the present invention is preferably 0.07 to 10 parts by weight, preferably 0.4 to 5 parts by weight, per 1 part by weight of the silicon compound. When the amount of the non-acid organic solvent is less than 0.07 parts by weight, the concentration of the silicon compound is high, so as the reaction of the reaction mixture progresses, the viscosity of the reaction mixture gradually increases, eventually causing gelation. There is a risk that the performance as a coating liquid may be lost.
On the other hand, when the amount of the non-acid organic solvent is more than 10 parts by weight, the concentration of the hydroxysilane condensate produced by the reaction is low, and when this is used as a coating solution, the thickness of the film is too thin to be suitable for the application. In some cases, the desired film thickness cannot be achieved without reapplication or repeated application several times. In the present invention, whereas the conventional method uses acetic acid or acetic anhydride for the reaction of alkoxysilane, water is used instead of acetic acid or the like. In the present invention, a lower carboxylic acid such as acetic acid or its acid anhydride is added to the reaction mixture for the reasons mentioned above.
The content is preferably 0.8% by weight or less. Preferably it is 0.5% by weight or less, more preferably 0.2% by weight or less, and most preferably absent. It is also desirable that other organic or inorganic acids are not substantially present in the reaction system as a liquid. The water used in the present invention is preferably pure water.
In the case of the silane derivative, the amount of water used is 2 mol or more, preferably 10 mol or less, more preferably 2.5 to 6 mol, and still more preferably 3 mol, per 1 mol of the silane derivative.
-4 mol is good. Regarding the preferable amount of water to be used in the case of the partial condensate, if the partial condensate is an n-mer, 1 mole of silicon atoms in the partial condensate is required to form the partial condensate from the silane derivative. Since (n-1)/n mol of water per unit is consumed, a value correspondingly lower than that indicated for the amount of water required in the case of the silane derivative applies. The reason why the lower limit of the range of the amount of water to be used was specified as above is because the less water is used, the less likely it is that the degree of crosslinking of the hydroxysilane condensate produced by the reaction will become large. This is because the uniformity of the coating surface tends to deteriorate. On the other hand, the upper limit was stipulated as mentioned above.
This is because the more water there is, the more water remains in the reaction solution, which impairs the uniformity of the coating obtained by coating on the substrate and deteriorates the stability of the coating solution. Examples of the acidic heterogeneous catalyst used in the present invention include acidic ion exchange resins and solid acidic catalysts in which an inorganic acid is supported on a carrier. As the acidic ion exchange resin, sulfonic acid-based strongly acidic cation and super acidic cation exchange resins are preferable, such as Diaion SK, Diaion PK,
Examples include HPK, Amberlite IR, and Nafion. Commercially available acidic ion exchange resins are
Some Na forms are substituted with H forms, but even those with H forms are not completely substituted with H forms. Therefore, if the degree of substitution to the H type is incomplete, Na ions will be eluted into the reaction solution and mixed as impurities, which will limit the use in the field of electronic materials where Na ions are particularly problematic. Therefore, it is desirable to achieve a high degree of substitution into the H form before use as a reaction promoter. This pretreatment method may be carried out according to a known method. The amount of acidic ion exchange resin used is 5 to 50% of the mixture of the silicon compound, non-acidic organic solvent, and water.
A range of 50% by weight, preferably from 5 to 20% by weight, is suitable. When the reaction mixture is packed in a column in the form of particles or in the form of a multi-layered thin film, and the reaction mixture is allowed to flow between these layers, it may be used in an amount exceeding 50% by weight up to the upper limit that allows the above-mentioned flow. As the catalyst in which an inorganic acid is supported on a carrier, those in which sulfuric acid or phosphoric acid is supported on silica, alumina-silica, zirconia, activated carbon, etc. can be used. The inorganic acid can be supported on the carrier according to a known method. For example, after drying the carrier, add the above inorganic acid aqueous solution to impregnate it.
It can be obtained by firing at 200-400℃. The amount of inorganic acid supported on the carrier is usually preferably about 1 to 10% by weight. The amount of the supported solid acidic catalyst is 5% based on the mixture of the silicon compound, non-acidic organic solvent and water.
It is preferable to use it in a range of 50% to 50% by weight, preferably 5 to 20% by weight. If this solid acidic catalyst is packed in a column in the form of particles or in the form of a multi-layered thin film, and the reaction mixture is to be distributed between these, the proportion used exceeds 50% by weight, up to the upper limit that allows the above-mentioned distribution. Of course it is possible. To produce the coating liquid of the present invention, a predetermined silicon compound, a predetermined water, and a predetermined non-acidic organic solvent are mixed, a predetermined acidic heterogeneous catalyst is added thereto, and the mixture is stirred. As the reaction progresses, a hydroxysilane condensate is produced and the amounts of the silicon compound and water decrease. At this time, the reaction time can be shortened by heating the reaction vessel to a temperature that does not exceed the boiling point of the reaction solution. After continuing the reaction until the content of the silicon compound in the reaction solution becomes 1% or less, the heterogeneous catalyst is separated by filtration to produce a highly pure reaction product containing a hydroxysilane condensate as the main component. can get things. As another method for producing the coating liquid targeted by the present invention, after adding a reaction accelerator to the mixture of the silicon compound and the non-acid organic solvent, the total amount of water is preferably adjusted to 1 mole of the silicon compound. [3-(n-
1)/n] to [4-(n-1)/n] and react until the concentration of the silicon compound in the mixture becomes 1% or less. can be manufactured. The obtained reaction product liquid is adjusted to a desired solvent composition and concentration by removing and/or adding an organic solvent as necessary, and is preferably used as a coating liquid after being filtered. If produced by such a method, it is extremely safe and easy, without being bothered by the strong odor caused by the acid, and there is no need to take into account the risk of contact with the skin or the risk of acid vapor to the eyes, nose, mouth, bronchi, etc. Moreover, a highly pure coating liquid can be obtained efficiently. In addition, there is an advantage that an organic solvent can be added to the reaction product liquid as necessary to adjust a coating liquid having a desired solvent composition. The type of organic solvent used to adjust the concentration and solvent composition varies depending on the purpose of use of the coating solution.
Examples include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, and butyl alcohol, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, and butyl acetate, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and acetylacetone, and mixtures thereof. A glass-forming agent or an organic polymer film-forming agent may be added to the coating liquid of the present invention, if necessary. Examples of glass-forming agents include compounds soluble in organic solvents containing alcohol and esters as main components, such as phosphorus pentoxide, phosphoric acid, boric anhydride, orthoarsenic acid, antimony trichloride, lead acetate, zinc acetate, and acetic acid. Mention may be made of aluminum and mixtures thereof. Organic polymer film-forming agents are compounds that are soluble in organic solvents and whose main components are alcohols and esters. Organic polymer compounds are preferred, such as polyvinyl acetal,
Examples include polyvinyl butyral, polyvinyl ether, and ethyl cellulose. In the case of glass-forming agents, the concentration of such additives is determined based on the amount of silicon compounds in the coating solution, taking into account the hardness of the film, etching speed, hygroscopicity, etc.
It is preferable to use it in a range of 0.5 to 10% by weight.
In addition, in the case of organic polymer film-forming agents, 2 to 10% of the coating liquid is
Preferably, weight percentages are used. Substrates suitable for applying the coating solution obtained according to the present invention include materials that cannot be soaked in organic solvents containing alcohol and esters as main components, such as inorganic materials such as glass, ceramics, and mica, and silicon, germanium, and gallium. The third periodic table of
Group and Group 4 semiconductors, as well as aluminum, copper,
Examples include metal materials such as iron, silver, gold, and stainless steel, and plastics such as polyester, polyimide, polycarbonate, and acrylic resin (all including homopolymers and copolymers). The coating solution of the present invention can be applied to these substrates by conventionally known methods such as a spinner method, a dipping method, a spray method, a printing method, and a brush coating method. After coating with such a known method, it is baked at a temperature of 100°C or higher in air or inert gas to easily form a continuous high-purity silica film with a thickness of 0.005 to 2 μm with a uniform surface and no pinholes. It can be formed and deposited on. The high-purity coating obtained by this method has wear resistance,
Aluminum because of its excellent chemical resistance,
Used to protect the surfaces of metal materials such as iron, copper, and gold, and plastics such as polyester and polyimide.
It is also suitable as a surface protection agent and an impurity diffusion agent when applied to the surface of a semiconductor, and can also be used as an insulating film for electronic material parts, a surface stabilization film (passivation film) for liquid crystal display material, and an alignment agent for liquid crystals. can also be used. The coating liquid obtained by the present invention is very stable, and even if left at room temperature in a closed container,
No clouding or precipitation occurs for over a month. EXAMPLES Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto. Example 1 46 g of tetramethoxysilane and 16 g of water were placed in a 300 ml three-necked flask equipped with a stirrer, condenser and thermometer.
g and 110 g of ethanol, and this mixed solution was pretreated with 9.5 g of strongly acidic ion exchange resin.
was added and stirred to react at 60°C. After confirming by gas chromatography that the concentration of tetramethoxysilane in the reaction solution was 1% by weight or less, the reaction was stopped and 73% ethanol and 26% methanol were added.
A reaction product liquid having a liquid composition of 0.05% and tetramethoxysilane was obtained. After filtering this reaction product solution to remove the strongly acidic ion exchange resin, it was analyzed by atomic absorption spectrometry, elemental analysis, and potentiometric titration.
The results shown in 1 were obtained. In this table, the unit of numbers is ppm.
【表】
次にこの反応液に酢酸エチルを加えて固形分
6.0%(150℃で3時間加熱した場合の残留固形
分)になるように調整して塗布液とし、スピンナ
ーを用いてガラス板上に塗布し150℃で30分、次
いで500℃で30分間焼成したところ、表―2に示
すシリカ被膜が得られた。[Table] Next, add ethyl acetate to this reaction solution to determine the solid content.
Adjust the coating solution to 6.0% (residual solid content when heated at 150℃ for 3 hours), apply it on a glass plate using a spinner, and bake at 150℃ for 30 minutes and then at 500℃ for 30 minutes. As a result, a silica coating shown in Table 2 was obtained.
【表】
これらの被膜を走査型電子顕微鏡で観察した結
果ピンホール及びクラツクのない均一且つ平滑な
膜面であつた。
この被膜の物理的性質は次の通りであつた。
エツチング速度 400Å/min(1mol%HF)
熱膨脹係数 6×10-7/℃
比抵抗 8×1015Ω・cm
また前記塗布液の一部を密閉容器中に10月間室
温にて放置したが、何ら白濁も沈殿も生じなかつ
た。
実施例 2
実施例1と同様の反応容器にテトラエトキシシ
ラン63gへ、水22g及びエタノール110gを入れ、
酸化ジルコニウムに硫酸を担持させて得られる固
体触媒を20g加えて60℃で反応を行なつた。
酸化ジルコニウムに硫酸を担持させる方法は次
の処理に従つて行なつた。即ち硝酸ジルコニウム
の水溶液にアンモニア水を加えて水酸化ジルコニ
ウムを沈殿させ生成した水酸化ジルコニウムを純
水で充分洗浄し100℃で24時間乾燥する。次いで
1規定の硝酸110mlを乾燥した水酸化ジルコニウ
ム100gに含浸させた後100℃で24時間乾燥する。
更にこれを空気中で500℃にて3時間焼成する。
反応液中のテトラエトキシシランの濃度が1重
量%以下になつたところで反応を止め、触媒を除
去しエタノール98.5重量%及びテトラエトキシシ
ラン1.0重量%の液組成を有する反応液を得た。
この反応液の分析値は表―1のものと同じであつ
た。
この反応液に酢酸エチルを加えて固形分3.2%
になるように調整した。この調整液100mlにりん
酸2.5gを加えて撹拌溶解後0.2μのフイルターで
濾過しこれをP型シリコン上にスピンナー
3000rpmで塗布した。塗布後300℃で10分予熱後
1150℃で1時間拡散を行なつた。拡散後HF溶液
にてシリカ被膜を除去しシート抵抗と表面ドーパ
ント濃度を測定したところ夫々9.3Ω/cm2及び3
×1020atoms/cm3であつた。
また、上記固形分3.2%の調整液をスピンナー
3000rpmで約10秒ソーダガラス板上に塗布し、
150℃で30分間加熱後更に500℃で30分間焼成し
た。このコートしたガラス板に透明電極を形成せ
しめ、これにシクロヘキサンカルボン酸系の液晶
を用いて液晶セルを作りこのセルを80℃の温度に
所定時間保持した後、32Hz3Vの直流電圧を加え
て液晶の電流変化を調べたところ図―1に示す結
果を得た。
なお、この図において、符号は次のことを示
す。
Jo:初期電流値
Jt:t時間保持したセルの電流値
(a):ソーダガラスに塗布しなかつた場合
(b):ソーダガラスに塗布した場合
この様に塗布液をソーダガラスにコーテイング
することによつて液晶表示セルの寿命は極めて長
くなることが明らかである。
また前記調整液の一部を密閉容器中に入れ室温
下10月間放置したが、何ら白濁も沈殿も生じなか
つた。[Table] When these films were observed using a scanning electron microscope, they were found to be uniform and smooth without pinholes or cracks. The physical properties of this film were as follows. Etching rate: 400 Å/min (1 mol% HF) Coefficient of thermal expansion: 6 x 10 -7 /°C Specific resistance: 8 x 10 15 Ω・cm A portion of the coating solution was left in a closed container at room temperature for 10 months, but no damage occurred. Neither cloudiness nor precipitation occurred. Example 2 Into a reaction vessel similar to Example 1, 63 g of tetraethoxysilane, 22 g of water, and 110 g of ethanol were added.
20g of a solid catalyst obtained by supporting sulfuric acid on zirconium oxide was added, and a reaction was carried out at 60°C. The method for supporting sulfuric acid on zirconium oxide was carried out according to the following process. That is, aqueous ammonia is added to an aqueous solution of zirconium nitrate to precipitate zirconium hydroxide, and the resulting zirconium hydroxide is thoroughly washed with pure water and dried at 100° C. for 24 hours. Next, 100 g of dried zirconium hydroxide was impregnated with 110 ml of 1N nitric acid, and then dried at 100° C. for 24 hours.
This is further baked in air at 500°C for 3 hours. The reaction was stopped when the concentration of tetraethoxysilane in the reaction solution became 1% by weight or less, and the catalyst was removed to obtain a reaction solution having a liquid composition of 98.5% by weight of ethanol and 1.0% by weight of tetraethoxysilane.
The analytical values of this reaction solution were the same as those in Table 1. Ethyl acetate was added to this reaction solution to obtain a solid content of 3.2%.
I adjusted it so that Add 2.5g of phosphoric acid to 100ml of this adjusted solution, stir to dissolve, filter through a 0.2μ filter, and apply it on a P-type silicone using a spinner.
It was applied at 3000 rpm. After application, preheat at 300℃ for 10 minutes
Diffusion was carried out at 1150°C for 1 hour. After diffusion, the silica film was removed using an HF solution, and the sheet resistance and surface dopant concentration were measured to be 9.3Ω/cm 2 and 3, respectively.
× 1020 atoms/ cm3 . In addition, the above adjustment solution with a solid content of 3.2% was added to a spinner.
Apply on soda glass plate for about 10 seconds at 3000 rpm,
After heating at 150°C for 30 minutes, it was further baked at 500°C for 30 minutes. A transparent electrode is formed on this coated glass plate, and a liquid crystal cell is made using cyclohexanecarboxylic acid liquid crystal. After this cell is maintained at a temperature of 80°C for a predetermined time, a DC voltage of 32Hz3V is applied to the liquid crystal cell. When we investigated the current changes, we obtained the results shown in Figure 1. Note that in this figure, the symbols indicate the following. Jo: Initial current value Jt: Current value of the cell held for t time (a): When not applied to soda glass (b): When applied to soda glass In this way, the coating liquid is coated on soda glass. Therefore, it is clear that the life of the liquid crystal display cell becomes extremely long. Further, a portion of the above-mentioned adjustment solution was placed in a closed container and left at room temperature for 10 months, but neither cloudiness nor precipitation occurred.
図―1は実施例4において述べた、本発明塗布
液を液晶セルに使用した場合の液晶の電流変化を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing changes in liquid crystal current when the coating liquid of the present invention described in Example 4 is used in a liquid crystal cell.
Claims (1)
ル基、アルケニル基、アリール基もしくはアルア
ルキル基であり、Rはアルキル基、アルケニル
基、アリール基もしくはアルアルキル基であり、
1分子中に存在する複数のRは同じものであつて
も異なつていてもよい。)で表わされるシラン誘
導体又はその部分縮合体であるけい素化合物をそ
のけい素原子に対して2―(n−1)/nモル倍
(但し、nは前記シラン誘導体にあつては1を、
前記部分縮合体にあつてはその量体数(n量体)
を表わす。)以上の水と、非酸有機溶媒及び酸性
の不均一系触媒の存在下に、これらの混合液の沸
点以下の温度で反応させ、これに必要に応じて溶
媒を追加及び/又は除去することを特徴とするシ
リカ被膜形成用塗布液の製造方法。 2 前記一般式R′Si(OR)3においてRが炭素数1
〜8のアルキル基、アルケニル基、アリール基も
しくはアルアルキル基であり、R′がORまたは炭
素数1〜8のアルキル基、、アルケニル基、アリ
ール基もしくはアルアルキル基であることを特徴
とする第1項記載の方法。 3 Rが炭素数1〜4のアルキル基もしくはアル
ケニル基であることを特徴とする第2項記載の方
法。 4 Rが炭素数1〜3のアルキル基もしくはアル
ケニル基であることを特徴とする第3項記載の方
法。 5 R′がOR又は炭素数1〜4のアルキル基、ア
ルケニル基もしくはフエニル基であることを特徴
とする第1項ないし第4項のいずれかに記載の方
法。 6 R′がOR又は1〜2のアルキル基もしくはア
ルケニル基であることを特徴とする第5項記載の
方法。 7 前記非酸有機溶媒が1価アルコールを主成分
とするものであることを特徴とする第1項ないし
第6項のいずれかに記載の方法。 8 前記アルコールが炭素原子数1〜4の1価ア
ルコールであることを特徴とする第7項記載の方
法。 9 前記アルコールが炭素原子数1〜3の1価ア
ルコールであることを特徴とする第8項記載の方
法。 10 前記けい素化合物を、その分子中のけい素
原子に対して〔2―(n―1)/n〕〜〔10―
(n―1)/n〕モル倍好ましくは〔2.5―(n―
1)/n〕〜〔6―(n―1)/n〕モル倍更に
好ましくは〔3―(n―1)/n〕〜〔4―(n
―1)/n〕モル倍の水と反応させることを特徴
とする第1項ないし第9項のいずれかに記載の方
法。 11 前記けい素化合物に対して、前記非酸有機
溶媒を0.07〜10重量倍存在させて前記反応を行な
うことを特徴とする第1項ないし第10項のいず
れかに記載の方法。 12 前記けい素化合物に対して、前記非酸有機
溶媒を0.12〜1重量倍存在させて前記反応を行な
うことを特徴とする第11項記載の方法。 13 前記酸性の不均一系触媒が酸性イオン交換
樹脂であることを特徴とする第1項ないし第12
項のいずれかに記載の方法。 14 前記酸性イオン交換樹脂がスルホン酸系の
強酸性カチオン交換樹脂又は超強酸性カチオン交
換樹脂であることを特徴とする第13項記載の方
法。 15 前記酸性の不均一系触媒が担体に無機酸を
担持させて後焼成した固体酸性触媒であることを
特徴とする第1項ないし第12項のいずれかに記
載の方法。 16 前記無機酸が硫酸又はりん酸であることを
特徴とする第15項記載の方法。 17 前記担体がシリカ系担体、シリカ―アルミ
ナ系担体、ジルコニヤ系担体及び活性炭系担体の
内から選ばれた少なくとも1種であることを特徴
とする第15又は16項記載の方法。[Claims] 1 General formula R′Si(OR) 3 (where R′ is OR or an alkyl group, alkenyl group, aryl group, or aralkyl group, and R is an alkyl group, alkenyl group, aryl group, or is an aralkyl group,
A plurality of R's present in one molecule may be the same or different. ) of a silicon compound which is a silane derivative or a partial condensate thereof represented by 2-(n-1)/n mole times the silicon atom (where n is 1 in the case of the above-mentioned silane derivative,
In the case of the partial condensate, the number of mer (n-mer)
represents. ) with the above water in the presence of a non-acidic organic solvent and an acidic heterogeneous catalyst at a temperature below the boiling point of the mixture, and adding and/or removing the solvent as necessary. A method for producing a coating liquid for forming a silica film, characterized by: 2 In the general formula R′Si(OR) 3 , R has 1 carbon number
-8 alkyl group, alkenyl group, aryl group or aralkyl group, and R' is OR or an alkyl group, alkenyl group, aryl group or aralkyl group having 1 to 8 carbon atoms. The method described in Section 1. 3. The method according to item 2, wherein R is an alkyl group or an alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms. 4. The method according to item 3, wherein R is an alkyl group or an alkenyl group having 1 to 3 carbon atoms. 5. The method according to any one of items 1 to 4, wherein R' is OR or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkenyl group, or a phenyl group. 6. The method according to item 5, wherein R' is OR or 1 to 2 alkyl or alkenyl groups. 7. The method according to any one of Items 1 to 6, wherein the non-acid organic solvent contains a monohydric alcohol as a main component. 8. The method according to item 7, wherein the alcohol is a monohydric alcohol having 1 to 4 carbon atoms. 9. The method according to item 8, wherein the alcohol is a monohydric alcohol having 1 to 3 carbon atoms. 10 The silicon compound has a ratio of [2-(n-1)/n] to [10-
(n-1)/n] mole times preferably [2.5-(n-
1)/n] to [6-(n-1)/n], more preferably [3-(n-1)/n] to [4-(n
-1)/n] The method according to any one of Items 1 to 9, characterized in that the reaction is carried out with water in an amount twice the molar amount. 11. The method according to any one of Items 1 to 10, characterized in that the reaction is carried out in the presence of the non-acidic organic solvent in an amount of 0.07 to 10 times the weight of the silicon compound. 12. The method according to item 11, wherein the reaction is carried out in the presence of the non-acidic organic solvent in an amount of 0.12 to 1 times the weight of the silicon compound. 13 Items 1 to 12, wherein the acidic heterogeneous catalyst is an acidic ion exchange resin.
The method described in any of the paragraphs. 14. The method according to item 13, wherein the acidic ion exchange resin is a sulfonic acid-based strongly acidic cation exchange resin or a super-strongly acidic cation exchange resin. 15. The method according to any one of Items 1 to 12, wherein the acidic heterogeneous catalyst is a solid acidic catalyst obtained by supporting an inorganic acid on a carrier and post-calcining the same. 16. The method according to item 15, wherein the inorganic acid is sulfuric acid or phosphoric acid. 17. The method according to item 15 or 16, wherein the carrier is at least one selected from a silica carrier, a silica-alumina carrier, a zirconia carrier, and an activated carbon carrier.
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|---|---|---|---|
| JP16983780A JPS5794057A (en) | 1980-12-02 | 1980-12-02 | Preparation of coating solution for forming silica coat |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPS5794057A JPS5794057A (en) | 1982-06-11 |
| JPS6358191B2 true JPS6358191B2 (en) | 1988-11-15 |
Family
ID=15893833
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
| US5292799A (en) * | 1992-07-31 | 1994-03-08 | Suzuki Sangyo Co., Ltd. | Solvent-free, cold-setting organosiloxane composition and its use |
| US5668212A (en) * | 1992-10-06 | 1997-09-16 | Shizu Naito | Aqueous organosiloxane liquid composition and its use |
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Family Cites Families (2)
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| US3304318A (en) * | 1962-08-27 | 1967-02-14 | Dow Corning | Method for hydrolyzing alkoxysilanes |
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1980
- 1980-12-02 JP JP16983780A patent/JPS5794057A/en active Granted
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