JPH0232607B2 - - Google Patents
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- JPH0232607B2 JPH0232607B2 JP59193136A JP19313684A JPH0232607B2 JP H0232607 B2 JPH0232607 B2 JP H0232607B2 JP 59193136 A JP59193136 A JP 59193136A JP 19313684 A JP19313684 A JP 19313684A JP H0232607 B2 JPH0232607 B2 JP H0232607B2
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- modulation tube
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空容器中に電子源と電気光学結晶
を配置し、電子源から放出される電子を前記結晶
に蓄積し、前記蓄積電荷に対応する屈折率を生ぜ
しめ、その屈折率変化をレーザで読み出す空間光
変調管に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention includes an electron source and an electro-optic crystal placed in a vacuum container, electrons emitted from the electron source being accumulated in the crystal, and the accumulated charges being stored in the crystal. The present invention relates to a spatial light modulation tube that generates a corresponding refractive index and reads out the change in the refractive index with a laser.
（従来の技術）
まず、空間光変調管の基本的な動作と、製造方
法を簡単に説明して、従来の書込み・消去に要す
る時間の問題に言及する。(Prior Art) First, the basic operation and manufacturing method of a spatial light modulation tube will be briefly explained, and the problem of the time required for conventional writing and erasing will be mentioned.
第１図は、本発明による空間光変調管を示す概
略図である。 FIG. 1 is a schematic diagram showing a spatial light modulation tube according to the present invention.
光電面、電極、電気光学結晶等の基本的配列は
従来の装置と異ならないので、第１図を用いて説
明する。 The basic arrangement of the photocathode, electrodes, electro-optic crystal, etc. is the same as the conventional device, and will be explained using FIG. 1.
空間光変調管のガラス容器３の内面の光電面４
にインコヒーレント光で照明された入力パターン
１からの像がレンズ２を介して入射させられる。
光電面４は入射像に対応した光電子を放出する。
その光電子は加速集束レンズ系５を介してマイク
ロチヤンネルプレート６に入射させられ、数千倍
に増倍される。 Photocathode 4 on the inner surface of the glass container 3 of the spatial light modulation tube
An image from an input pattern 1 illuminated with incoherent light is made incident through a lens 2.
The photocathode 4 emits photoelectrons corresponding to the incident image.
The photoelectrons are made incident on the microchannel plate 6 via the accelerating and focusing lens system 5, and are multiplied several thousand times.
前記増倍された電子はLiNbO3などの電気光学
結晶８の表面に蓄積され、結晶８の屈折率を電荷
像に対応して変化させる。 The multiplied electrons are accumulated on the surface of an electro-optic crystal 8 such as LiNbO 3 and change the refractive index of the crystal 8 in accordance with the charge image.
レーザ光源１０からのレーザ光でハーフミラー
９を介して結晶８に照射すると、レーザ光の像１
１（コヒーレント像）が得られる。 When the crystal 8 is irradiated with a laser beam from the laser light source 10 through the half mirror 9, an image 1 of the laser beam is formed.
1 (coherent image) is obtained.
このレーザ光の像１１はコヒーレント並列光演
算を行うことができる。なお図中７は２次電子捕
集電極である。 This laser beam image 11 can be used to perform coherent parallel optical calculations. Note that 7 in the figure is a secondary electron collecting electrode.
次に、電荷像の書込み・消去方法について、空
間光変調管の出力部分を示した第２図を用いて説
明する。 Next, a method for writing and erasing a charge image will be explained using FIG. 2, which shows the output portion of the spatial light modulation tube.
電荷蓄積面８ｂの結晶表面電圧をVs、結晶背
面８ａの電圧をVbとすると、読み出しレーザ光
の明暗の変化に相当する結晶印加電圧Vx（Vx＝
Vs−Vb）は電気光学結晶の物理量とレーザ波長
に依存する半波長電圧Vπで表される。 If the crystal surface voltage of the charge storage surface 8b is Vs, and the voltage of the crystal back surface 8a is Vb, then the crystal applied voltage Vx (Vx=
Vs-Vb) is expressed as a half-wave voltage Vπ that depends on the physical quantities of the electro-optic crystal and the laser wavelength.
空間光変調管の書込み・消去は半波長電圧Vπ
に対応する電荷量Qπを電荷蓄積面８ｂに供給す
ることにより行われ、電荷量Qπの供給は結晶表
面物質の入射１次電子に対する２次電子放出特性
を利用している。 Writing and erasing of the spatial light modulation tube is performed using half-wave voltage Vπ
This is done by supplying a charge amount Qπ corresponding to the charge storage surface 8b to the charge storage surface 8b, and the supply of the charge amount Qπ utilizes the secondary electron emission characteristics of the crystal surface material for incident primary electrons.
空間光変調管の書込み・消去動作において、結
晶表面物質の２次電子放出比δの入射１次電子加
速電圧すなわち、結晶表面電圧Vs依存性は、一
般に第３図のように表される。 In writing and erasing operations of a spatial light modulation tube, the dependence of the secondary electron emission ratio δ of the crystal surface material on the incident primary electron acceleration voltage, that is, the crystal surface voltage Vs, is generally expressed as shown in FIG.
Vcは２次電子捕集電極電圧であり、捕集電極
が無い場合のδ曲線は図中の点線で示されるが、
捕集電極があると結晶表面電圧VsがVc以上のと
き、結晶表面から放出された電子は全て結晶表面
に引き戻されるため、δの実効値はゼロとなりδ
曲線は図中の実線で示したように変形される。 Vc is the voltage of the secondary electron collecting electrode, and the δ curve without the collecting electrode is shown by the dotted line in the figure.
With a collection electrode, when the crystal surface voltage Vs is higher than Vc, all the electrons emitted from the crystal surface are pulled back to the crystal surface, so the effective value of δ becomes zero and δ
The curve is deformed as shown by the solid line in the figure.
書込み・消去動作において、δ＞１領域（正電
荷供給）、δ＜１領域（負電荷供給）の応答時間
をそれぞれτδ，τ0とする。 In the write/erase operation, the response times in the δ>1 region (positive charge supply) and the δ<1 region (negative charge supply) are defined as τδ and τ 0 , respectively.
応答時間τδ，τ0は図中の斜線部Ａ，Ｂの面積に
依存する。 The response times τδ and τ 0 depend on the areas of the shaded areas A and B in the figure.
簡単な計算によりτδ，τ0は(1)のように記述され
る。 By simple calculation, τδ and τ 0 can be written as (1).
τ0＝（εVπ／ｌ）・（１／αJ0）
τδ＝τ0／（−１） …(1)
ここにおいて
ｌ：結晶の厚さ
ε：結晶の厚さ方向の誘電率
J0：マイクロチヤンネルプレート
の出力電流密度
：斜線部Ａのδ平均値
α：電子の二次電子捕集電極透過率
応答時間τ0は、δ＜１領域を用いるため(1)式に
示されるように電荷蓄積面８ｂの表面物質には依
存せず、結晶の物理量εVπ／ｌおよびマイクロチ
ヤンネルプレートの出力電流密度J0、電子の二次
電子捕集電極透過率αのみに関係する。 τ 0 = (εVπ/l)・(1/αJ 0 ) τδ=τ 0 /(-1) ...(1) where l: Crystal thickness ε: Dielectric constant in the crystal thickness direction J 0 : Micro Channel plate output current density: Average value of δ in the shaded area A α: Transmittance of the secondary electron collecting electrode Response time τ 0 is the charge accumulation as shown in equation (1) since the region δ<1 is used. It does not depend on the surface material of the surface 8b, but is related only to the physical quantity εVπ/l of the crystal, the output current density J 0 of the microchannel plate, and the transmittance α of the secondary electron collecting electrode.
一方、δ＞１領域を用いる動作において、(1)式
より第３図中の斜線部Ａのδ平均値が大きな物
質、即ちδmaxの大きな物質ほど応答時間τδは短
くなることがわかる。 On the other hand, in the operation using the δ>1 region, it can be seen from equation (1) that the response time τδ becomes shorter as the material has a larger δ average value in the shaded area A in FIG. 3, that is, the material has a larger δmax.
前述のような空間光変調管を作る場合、通常ガ
ラス容器３中に集束（電子）レンズ系５、マイク
ロチヤンネルプレート６，２次電子捕集電極７、
電気光学結晶８を組み込んだ後に光電面４を製作
する。 When making a spatial light modulation tube as described above, a focusing (electron) lens system 5, a microchannel plate 6, a secondary electron collection electrode 7,
After incorporating the electro-optic crystal 8, the photocathode 4 is manufactured.
このとき、容器を10-7トール程度の高真空にす
ると共に350℃位の高温で加熱して容器中の不要
なガスを追い出す必要がある。 At this time, it is necessary to make the container a high vacuum of about 10 -7 Torr and heat it to a high temperature of about 350°C to expel unnecessary gas from the container.
したがつて、空間光変調管に用いられる電荷蓄
積面物質は高真空・高温で光学的、機械的に安定
かつ長時間電荷蓄積可能な高い表面電気抵抗値を
維持しなければならない。 Therefore, the charge storage surface material used in the spatial light modulation tube must be optically and mechanically stable at high vacuum and high temperatures, and must maintain a high surface electrical resistance value that allows charge storage for a long time.
従来は、電荷蓄積面の物質として、電気光学結
晶の研磨面、あるいは前記電気光学結晶の研磨面
にSiO2薄膜を被覆したものを用いていた。 Conventionally, the material for the charge storage surface has been the polished surface of an electro-optic crystal, or the polished surface of the electro-optic crystal coated with a SiO 2 thin film.
前記のような電気光学結晶を用いて、半波長電
圧Vπ＝1.3KV、厚さ350μｍのLiNbO3結晶を用
い、マイクロチヤンネルプレート６の出力電流密
度2μA／cm2の条件の下で測定した、応答時間τδ，
τ0は２次電子捕集電極電圧Vcに応じて第４図に
示すように変化し、いずれも100ｍ sec以上の時
間を要した。 The response was measured using an electro-optic crystal as described above, using a half-wave voltage Vπ = 1.3 KV, a LiNbO 3 crystal with a thickness of 350 μm, and an output current density of 2 μA/cm 2 of the microchannel plate 6. time τδ,
τ 0 varied as shown in FIG. 4 depending on the secondary electron collecting electrode voltage Vc, and in each case, a time of 100 m sec or more was required.
（発明の目的）
本発明の目的は、書込み・消去動作の応答時間
の短い空間光変調管を提供することにある。(Object of the Invention) An object of the present invention is to provide a spatial light modulation tube with short response times for writing and erasing operations.
（発明の構成）
前記目的を達成するために本発明による空間光
変調管は、電気光学結晶の電子源に対面する電荷
蓄積面に高温で安定かつ電荷蓄積可能な高い表面
電気抵抗値を維持し高い２次電子放出効率を有す
る誘電体膜を有する空間光変調管であつて、前記
誘電体膜の材料はMgF2、BaF2、CaF2、NaF、
LiF、SrF2、CeF3、Na3AlF6のフツ化物のうち
の１種類であるかもしくはMgO、Al2O3、ZrO2、
HfO2、Ta2O5、Nb2O5の酸化物のうちの１種類
で構成されている。(Structure of the Invention) In order to achieve the above object, the spatial light modulation tube according to the present invention maintains a high surface electrical resistance value that allows stable charge storage at high temperatures on the charge storage surface of the electro-optic crystal facing the electron source. A spatial light modulation tube having a dielectric film having high secondary electron emission efficiency, the material of the dielectric film being MgF 2 , BaF 2 , CaF 2 , NaF,
One of the fluorides of LiF, SrF 2 , CeF 3 , Na 3 AlF 6 or MgO, Al 2 O 3 , ZrO 2 ,
It is composed of one of the oxides of HfO 2 , Ta 2 O 5 , and Nb 2 O 5 .
（実施例）
本発明における空間光変調管の実施例装置の基
本的構成および動作は、先に第１図に関連して説
明したところと異ならない。(Embodiment) The basic configuration and operation of the embodiment of the spatial light modulation tube according to the present invention are the same as those described above with reference to FIG.
本発明では、電荷像の書込み・消去動作におい
て、応答速度の向上を達成するために、前記電気
光学結晶の電荷蓄積面に高真空・高温で安定かつ
２次電子放出効率の大きな薄膜物質を形成する。 In the present invention, in order to improve response speed in charge image writing/erasing operations, a thin film material is formed on the charge storage surface of the electro-optic crystal that is stable at high vacuum and high temperature and has high secondary electron emission efficiency. do.
空間光変調管の電荷蓄積面に、真空蒸着法また
は高周波スパツタ蒸着法により形成されたMgO，
ZrO2、Al2O3、BaF2、CaF2の表面電気抵抗値を
10-7トール程度の高真空中で室温から350℃まで
加熱して測定した結果、加熱温度にかかわらず
1016Ω／□以上の値を維持し、膜のはがれは生じ
なかつた。また、光学的にも安定であることがわ
かつた。 MgO, which is formed by vacuum evaporation or high-frequency sputtering evaporation, on the charge storage surface of the spatial light modulation tube.
Surface electrical resistance values of ZrO 2 , Al 2 O 3 , BaF 2 , CaF 2
As a result of heating from room temperature to 350℃ in a high vacuum of about 10 -7 Torr, the results showed that regardless of the heating temperature,
A value of 10 16 Ω/□ or higher was maintained, and no peeling of the film occurred. It was also found to be optically stable.
前記各薄膜で被覆された電気光学結晶LiNbO3
を用いて、第１図に関連して説明した空間光変調
管を作成し、前記ガス抜き熱処理を行つた後、空
間光変調管を実際に動作させた。 Electro-optic crystal LiNbO 3 coated with each of the above thin films
The spatial light modulation tube described in connection with FIG. 1 was prepared using the following method, and after the degassing heat treatment was performed, the spatial light modulation tube was actually operated.
その結果、電荷像を１時間以上蓄積することが
できた。 As a result, it was possible to accumulate charge images for over 1 hour.
半波長電圧1.3KV、厚さ350μｍのLiNbO3結晶
を用い、マイクロチヤンネルプレート６の出力電
流密度2μA／cm2の条件の下で、空間光変調管の応
答時間を測定したところ、δ＜１領域の応答時間
τ0は結晶の電荷蓄積面を被覆した物質によらず、
また２次電子捕集電極電圧Vcにも依存せず一定
値100ｍ sec程度であつた。 When we measured the response time of the spatial light modulation tube under the conditions of a half-wave voltage of 1.3 KV, a LiNbO 3 crystal with a thickness of 350 μm, and an output current density of 2 μA/cm 2 of the microchannel plate 6, we found that it was in the δ<1 region. The response time τ 0 is independent of the material covering the charge storage surface of the crystal,
Moreover, it did not depend on the secondary electron collecting electrode voltage Vc, and was a constant value of about 100 m sec.
一方、δ＞１領域の応答時間τδは前記物質に依
存し、Vc増加と伴に増加する傾向を示す。 On the other hand, the response time τδ in the δ>1 region depends on the substance and tends to increase as Vc increases.
(1)式より予測されるようにτδをτ0で規格化する
ことにより応答時間τδ／τ0は電荷蓄積面物質の
の値のみに依存する量となる。そこで、LiNbO3
結晶、SiO2、ZrO2、Al2O3、MgO、BaF2、CaF2
各物質について、薄膜の特性のみに着目し、各
測定データについてτδ／τ0＝（−１）-1のデータ
としてプロツトした。第５図に本発明による空間
光変調管おいて、δ＞１領域の応答時間τδをδ＜
１領域の応答時間τ0で規格化したτδ／τ0の２次電
子捕集電極電圧依存性を示す。 As predicted from equation (1), by normalizing τδ by τ 0 , the response time τδ/τ 0 becomes a quantity that depends only on the value of the charge storage surface material. Therefore, LiNbO 3
Crystal, SiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , MgO, BaF 2 , CaF 2
For each substance, attention was paid only to the characteristics of the thin film, and each measurement data was plotted as data of τδ/τ 0 =(−1) −1 . FIG. 5 shows the response time τδ in the δ>1 region in the spatial light modulation tube according to the present invention.
The dependence of τδ/τ 0 on the secondary electron collecting electrode voltage, normalized by the response time τ 0 in one region, is shown.
以上により、結晶の電荷蓄積面にZrO2、
Al2O3、MgO、BaF2、CaF2の各膜を蒸着するこ
とにより、従来のLiNbO3結晶のみ、あるいは
SiO2膜を被覆した場合に比べてτδに関して高速
動作が達成された。 As a result of the above, ZrO 2 and
By depositing Al 2 O 3 , MgO, BaF 2 , and CaF 2 films, it is possible to replace only conventional LiNbO 3 crystals or
Faster operation with respect to τδ was achieved compared to the case coated with SiO 2 film.
特に、MgO、BaF2、CaF2を用いれば、従来の
２倍以上の高速動作が可能となる。 In particular, if MgO, BaF 2 , or CaF 2 is used, high-speed operation more than twice as fast as conventional methods is possible.
前述した、高い２次電子放出効率を有する誘電
体の他にも良い材料がある。MgF2、NaF、LiF、
CeF3、SrF2、Na3AlF6、HfO2、Ta2O5、Nb2O5
を用い、前記製法により得られた各誘電体膜につ
いても高真空中での前記熱処理後もはがれは無
く、1016Ω／□以上の高い表面電気抵抗値を維持
することができる。そして、前記空間光変調管に
使用した結果１時間以上の電荷像蓄積が可能で、
従来に比べ前記δ＞１領域での応答時間が短縮さ
れることを確認した。 There are other good materials in addition to the dielectric materials that have high secondary electron emission efficiency as described above. MgF2 , NaF, LiF,
CeF 3 , SrF 2 , Na 3 AlF 6 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5
The dielectric films obtained by the above manufacturing method do not peel off even after the heat treatment in a high vacuum, and can maintain a high surface electrical resistance value of 10 16 Ω/□ or more. As a result of using it in the spatial light modulation tube, it is possible to accumulate a charge image for more than 1 hour.
It has been confirmed that the response time in the δ>1 region is shorter than that of the conventional method.
以上の実施例は電気光学結晶の電荷蓄積面に高
い２次電子放出効率を有する誘電体を形成した場
合であるが、強いレーザ光像を得るために、前記
結晶面に高真空・高温で安定かつ電荷蓄積可能な
高い表面電気抵抗値を維持する誘電体多層ミラー
を製作した後、その上に前記誘電体膜を形成して
も良い。 The above example is a case in which a dielectric material with high secondary electron emission efficiency is formed on the charge storage surface of an electro-optic crystal. After manufacturing a dielectric multilayer mirror that maintains a high surface electrical resistance value capable of accumulating charges, the dielectric film may be formed thereon.
上記実施例では、電子源として光電面の場合を
示したが、電子銃を電子源として書込みを行う形
式の場合も、本発明は同様に適用できる。 In the above embodiment, a photocathode is used as the electron source, but the present invention can be similarly applied to a type of writing using an electron gun as the electron source.
（発明の効果）
以上説明したように、本発明による空間光変調
管では、電気光学結晶の表面に前述の高真空・高
温で安定かつ電荷蓄積可能な高い表面電気抵抗値
を維持し、２次電子放出効率の大きな誘電体膜を
用いている。(Effects of the Invention) As explained above, in the spatial light modulation tube according to the present invention, the surface of the electro-optic crystal maintains a high surface electrical resistance value capable of stably accumulating charges at high vacuum and high temperature, and A dielectric film with high electron emission efficiency is used.
したがつて、従来の空間光変調管に比較して２
次電子放出効率が１以上の結晶表面電圧領域を用
いる応答動作において、高速化が達成された。 Therefore, compared to the conventional spatial light modulation tube, the
Speed-up has been achieved in response operation using a crystal surface voltage region with secondary electron emission efficiency of 1 or more.
したがつて、本発明による空間光変調管には、
結晶表面でのより高速な画像演算（加減、論理演
算）が可能となり、新しい分野での広い応用が期
待できる。 Therefore, the spatial light modulation tube according to the present invention includes:
This enables faster image operations (addition, subtraction, logical operations) on the crystal surface, and is expected to have wide applications in new fields.
第１図は本発明による空間光変調管の基本構成
を示す断面図である。第２図は本発明による空間
光変調管の電荷増倍、電荷蓄積およびレーザ光出
力部分の部分断面図である。第３図は本発明によ
る空間光変調管において、電気光学結晶の電荷蓄
積面に形成された薄膜物質の２次電子放出比δの
結晶表面電圧Vs依存性を示したグラフである。
第４図は従来の空間光変調管において、δ＞１お
よびδ＜１領域の応答時間τδ，τ0の２次電子捕集
電極電圧依存性を示したグラフである。第５図は
本発明による空間光変調管において、δ＞１領域
の応答時間τδをδ＜１領域の応答時間τ0で規格化
したτδ／τ0の２次電子捕集電極電圧依存性を示し
たグラフである。
１……入力パターン、２……レンズ、３……ガ
ラス容器、４……光電面、５……集束（電子）レ
ンズ系、６……マイクロチヤンネルプレート、７
……２次電子捕集電極、８……電気光学結晶、８
ａ……透明電極、８ｂ……電荷蓄積面（２次電子
放出効率の大きな誘電体膜）、９……ハーフミラ
ー、１０……レーザ光源、１１……レーザ光像。
FIG. 1 is a sectional view showing the basic configuration of a spatial light modulation tube according to the present invention. FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the charge multiplication, charge storage, and laser light output portions of the spatial light modulation tube according to the present invention. FIG. 3 is a graph showing the dependence of the secondary electron emission ratio δ of the thin film material formed on the charge storage surface of the electro-optic crystal on the crystal surface voltage Vs in the spatial light modulation tube according to the present invention.
FIG. 4 is a graph showing the dependence of the response time τδ, τ 0 on the secondary electron collecting electrode voltage in the δ>1 and δ<1 regions in a conventional spatial light modulation tube. Figure 5 shows the secondary electron collecting electrode voltage dependence of τδ/τ 0 , where the response time τδ in the δ>1 region is normalized by the response time τ 0 in the δ<1 region, in the spatial light modulation tube according to the present invention. This is the graph shown. 1... Input pattern, 2... Lens, 3... Glass container, 4... Photocathode, 5... Focusing (electronic) lens system, 6... Microchannel plate, 7
...Secondary electron collecting electrode, 8...Electro-optic crystal, 8
a... Transparent electrode, 8b... Charge storage surface (dielectric film with high secondary electron emission efficiency), 9... Half mirror, 10... Laser light source, 11... Laser light image.
Claims (1)
に高温で安定かつ電荷蓄積可能な高い表面電気抵
抗値を維持し高い２次電子放出効率を有する誘電
体膜を有する空間光変調管であつて、前記誘電体
膜の材料はMgF2、BaF2、CaF2、NaF、LiF、
SrF2、CeF3、Na3AlF6のフツ化物のうちの１種
類であるかもしくはMgO、Al2O3、ZrO2、
HfO2、Ta2O5、Nb2O5の酸化物のうちの１種類
で構成したことを特徴とする空間光変調管。 ２ 前記電気光学結晶はLiNbO3である特許請求
の範囲第１項記載の空間光変調管。 ３ 前記電気光学結晶の電荷蓄積面を高真空・高
温で安定かつ電荷蓄積可能な表面電気抵抗値を維
持する誘電体多層膜ミラーで被覆した後、その表
面に前記誘電体膜を被覆して構成される特許請求
の範囲第１項記載の空間光変調管。[Scope of Claims] 1. A space having a dielectric film on the charge storage surface facing the electron source of the electro-optic crystal that maintains a high surface electrical resistance value capable of stably storing charge at high temperatures and has high secondary electron emission efficiency. In the light modulation tube, the material of the dielectric film is MgF 2 , BaF 2 , CaF 2 , NaF, LiF,
One of the fluorides of SrF 2 , CeF 3 , Na 3 AlF 6 or MgO, Al 2 O 3 , ZrO 2 ,
A spatial light modulation tube comprising one of oxides of HfO 2 , Ta 2 O 5 , and Nb 2 O 5 . 2. The spatial light modulation tube according to claim 1, wherein the electro-optic crystal is LiNbO 3 . 3 The charge storage surface of the electro-optic crystal is coated with a dielectric multilayer mirror that maintains a surface electrical resistance value that allows stable charge storage under high vacuum and high temperature, and then the surface is coated with the dielectric film. A spatial light modulation tube according to claim 1.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19313684A JPS6170525A (en) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | Space light modulating tube |
| US06/727,250 US4717893A (en) | 1984-05-04 | 1985-04-25 | Spatial light modulator |
| GB08511386A GB2161020B (en) | 1984-05-04 | 1985-05-03 | Spatial light modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19313684A JPS6170525A (en) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | Space light modulating tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170525A JPS6170525A (en) | 1986-04-11 |
| JPH0232607B2 true JPH0232607B2 (en) | 1990-07-23 |
Family
ID=16302873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19313684A Granted JPS6170525A (en) | 1984-05-04 | 1984-09-14 | Space light modulating tube |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH03282515A (en) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Fujitsu General Ltd | Display device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0234366B2 (en) * | 1981-10-09 | 1990-08-02 | Hamamatsu Photonics Kk | KUKANHENCHOSOCHI |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP19313684A patent/JPS6170525A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6170525A (en) | 1986-04-11 |
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