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JPH023566B2 - - Google Patents
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JPH023566B2 - - Google Patents

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JPH023566B2
JPH023566B2 JP3920081A JP3920081A JPH023566B2 JP H023566 B2 JPH023566 B2 JP H023566B2 JP 3920081 A JP3920081 A JP 3920081A JP 3920081 A JP3920081 A JP 3920081A JP H023566 B2 JPH023566 B2 JP H023566B2
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frequency
circuit
power supply
storage section
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Toshifumi Sakata
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Nippon Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J5/00Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
    • H03J5/02Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with variable tuning element having a number of predetermined settings and adjustable to a desired one of these settings
    • H03J5/0245Discontinuous tuning using an electrical variable impedance element, e.g. a voltage variable reactive diode, in which no corresponding analogue value either exists or is preset, i.e. the tuning information is only available in a digital form
    • H03J5/0254Discontinuous tuning using an electrical variable impedance element, e.g. a voltage variable reactive diode, in which no corresponding analogue value either exists or is preset, i.e. the tuning information is only available in a digital form the digital values being transfered to a D/A converter
    • H03J5/0263Discontinuous tuning using an electrical variable impedance element, e.g. a voltage variable reactive diode, in which no corresponding analogue value either exists or is preset, i.e. the tuning information is only available in a digital form the digital values being transfered to a D/A converter the digital values being held in an auxiliary non erasable memory

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はラジオ受信機やテレビ受像機等のデジ
タル・チユーニング・システムを構成するコント
ローラに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a controller that constitutes a digital tuning system such as a radio receiver or a television receiver.

第1図にフエーズ・ロツクド・ループ(PLL)
方式のデジタル・チユーニング・システムを用い
たラジオ受信機の一般的構成を示す。アンテナ1
6で受信された信号は高周波増幅部(RF)1で
増幅された後、混合部(MIX)2で電圧制御発
振器(VCO)7からのフエーズ・ロツクド・ル
ープにより制御された局部発振周波数と混合さ
れ、中間周波信号に変換される。この中間周波信
号は中間周波増幅部(IF)3で増幅され、検波
部(DET)4で音声信号に検波された後、低周
波増幅部(AF)5で増幅されてスピーカ6から
音声として取り出される。FMステレオ放送の受
信機にあつては、検波部(DET)4の後に左右
のステレオ分離を行うステレオ復調器(図示せ
ず)が挿入されるのが一般である。
Figure 1 shows a phase locked loop (PLL).
This figure shows the general configuration of a radio receiver using a digital tuning system. antenna 1
The signal received at 6 is amplified by a radio frequency amplifier (RF) 1, and then mixed by a mixer (MIX) 2 with a local oscillation frequency controlled by a phase locked loop from a voltage controlled oscillator (VCO) 7. and converted to an intermediate frequency signal. This intermediate frequency signal is amplified by an intermediate frequency amplifier (IF) 3, detected into an audio signal by a detector (DET) 4, and then amplified by a low frequency amplifier (AF) 5 and extracted as audio from a speaker 6. It will be done. In a receiver for FM stereo broadcasting, a stereo demodulator (not shown) is generally inserted after the detection section (DET) 4 to perform left and right stereo separation.

局部発振周波数を決めるフエーズ・ロツクド・
ループは、電圧制御発振器(VCO)7,プリス
ケーラ8,プログラマブル・カウンター(P・カ
ウンタ)9,位相比較器11,基準周波数発振器
(Fref)12,ロー・パス・フイルター(LPF)
10とプログラマブル・カウンター9の分周比を
決めるコントローラ13と操作スイツチ14と付
属回路としての表示器15からなつている。操作
スイツチ14によつて希望受信周波数が設定され
ると、コントローラ13は表示器15に希望周波
数又は受信チヤンネルさらには放送局名等を表示
するとともに、希望受信周波数に応じた局部発振
周波数が電圧制御発振器7から出力されるように
プログラマブル・カウンター9の分周比を設定す
る。このようにしてフエーズ・ロツクド・ループ
の動作状態が設定される。次に、電圧制御発振器
7からの発信周波数は一旦プリスケーラ8によつ
てプリスケーラの持つ分周比分だけ分周されて周
波数が下げられ、この周波数をプログラマブル・
カウンター9で定められた分周比分だけさらに周
波数が下げられて、位相比較器11で基準周波数
発振器12からの基準周波数と位相比較され、そ
の位相比較出力がローパス・フイルター10で直
流化されて、電圧制御発振器7を構成する可変容
量ダイオード(図示せず)に加えられ、その容量
変化により局部発振周波数を制御している。
Phase locked frequency that determines the local oscillation frequency
The loop includes a voltage controlled oscillator (VCO) 7, a prescaler 8, a programmable counter (P counter) 9, a phase comparator 11, a reference frequency oscillator (Fref) 12, and a low pass filter (LPF).
10, a controller 13 for determining the frequency division ratio of the programmable counter 9, an operation switch 14, and a display 15 as an auxiliary circuit. When the desired reception frequency is set by the operation switch 14, the controller 13 displays the desired frequency, reception channel, broadcasting station name, etc. on the display 15, and the local oscillation frequency corresponding to the desired reception frequency is controlled by voltage. The frequency division ratio of the programmable counter 9 is set so that the oscillator 7 outputs the frequency. In this way, the operating state of the phase locked loop is set. Next, the oscillation frequency from the voltage controlled oscillator 7 is once divided by the prescaler's frequency division ratio by the prescaler 8 to lower the frequency.
The frequency is further lowered by the frequency division ratio determined by the counter 9, the phase is compared with the reference frequency from the reference frequency oscillator 12 by the phase comparator 11, and the phase comparison output is converted into DC by the low-pass filter 10. It is added to a variable capacitance diode (not shown) constituting the voltage controlled oscillator 7, and controls the local oscillation frequency by changing its capacitance.

デジタル・チユーニング・システムでは通常複
数の希望受信周波数を記憶するメモリ機能を持つ
ている。メモリに記憶する方法としては操作スイ
ツチ14に設けられたスイツチを1回づつ押して
周波数を更新する機能あるいは、前記のスイツチ
をある一定時間以上押し続けると離すまで連続送
りで周波数を更新する機能等を使つて1つづつ希
望周波数に設定してからメモリ内へ書き込む方法
や、0〜9までのテン・キーを使つて希望周波数
を1つづつ設定してからメモリ内へ書き込む方法
によつて達成されている。
Digital tuning systems usually have a memory function that stores multiple desired reception frequencies. The method of storing the frequency in the memory includes a function that updates the frequency by pressing the switch provided on the operation switch 14 once at a time, or a function that updates the frequency continuously by pressing the switch for more than a certain period of time until it is released. This can be achieved by setting the desired frequencies one by one using the numeric keypad and then writing them into the memory, or by using the numeric keys 0 to 9 to set the desired frequencies one by one and then writing them into the memory. ing.

以上の様な方法で一旦メモリされた複数の周波
数情報は、ラジオ受信機あるいはテレビ受像機等
では、セツトのメイン電源(動作電源)が切断さ
れている時は、大容量のコンデンサ又は電池等の
保持電源で長時間保持されるように構成されてい
る。複数の周波数情報の記憶には、ランダム・ア
クセス・メモリ(以下、RAMと略す)が使用さ
れのが一般である。
Multiple frequency information once stored in memory using the above method is stored in a large capacity capacitor or battery when the main power supply (operating power supply) of the set is cut off in a radio receiver or television receiver. It is configured to be held for a long time by the holding power supply. Random access memory (hereinafter abbreviated as RAM) is generally used to store multiple frequency information.

RAMの内容は保持電源の電圧値が一定値に以
下になると破壊されので、かかる状態を検出して
このRAMの内容をメイン電源投入時に初期状態
に設定する停電検出回路が内蔵されている。すな
わち、保持電源供給源にRAMの他に、電位によ
つて出力状態が変化し、その状態が保たれるよう
な判別回路(プリツプ・プロツプ等で構成され
る)が接続される。この判別回路は、保持電源の
電圧がある電位以上であれば、前記のフリツプ・
フロツプの出力状態を例えば0とし、ある電位以
下になると強制的に1となるように構成してあ
る。つまり、フリツプ・フロツプの状態が1にな
ると電源が遮断されたことが判定され、そして周
波数情報が記憶されているRAM内容の状態にか
かわらず、再び受信機の動作電源が投入されたと
きには、そのRAMの内容を初期設定状態にする
機能が働く(以下、これをパワー・オン・クリア
ー機能と呼ぶ)。
The contents of the RAM will be destroyed if the voltage value of the holding power supply falls below a certain value, so a power failure detection circuit is built in to detect this state and set the contents of the RAM to the initial state when the main power is turned on. That is, in addition to the RAM, the holding power supply source is connected to a discrimination circuit (consisting of a prep-prop, etc.) whose output state changes depending on the potential and whose output state is maintained. This discrimination circuit determines that if the voltage of the holding power supply is higher than a certain potential, the above-mentioned flip
The output state of the flop is set to 0, for example, and the output state is forcibly set to 1 when the potential falls below a certain level. In other words, when the state of the flip-flop becomes 1, it is determined that the power has been cut off, and regardless of the state of the RAM contents in which frequency information is stored, when the receiver's operating power is turned on again, A function that sets the contents of RAM to its initial state is activated (hereinafter referred to as the power-on clear function).

パワー・オン・クリアー機能は、ラジオ受信機
であれば受信周波数範囲のうち最低周波数かもし
くは最高周波数が、テレビ受像機であれば1チヤ
ンネル等が呼び出されるようにRAM内を初期設
定状態にするのが一般的である。
The power-on-clear function initializes the RAM so that the lowest or highest frequency in the receiving frequency range is called for a radio receiver, or channel 1 for a television receiver. is common.

今、前記フリツプ・フロツプが1となる電位を
VT1、RAMのデータが変化(破壊)するスレツ
シユホールド電圧をVT2とする。VT1,VT2の関係
が常にVT1=VT2であれば問題ない。通常RAMお
よび停電検出用のフリツプ・フロツプは集積化さ
れ同一チツプ上に作られるが、その回路構成の違
い等によつて各々のスレツシユホールド電圧
VT1,VT2間に差が生じる。また、集積回路の生
産工程における条件等によつても停電検出用フリ
ツプ・フロツプのスレツシユホールド電圧VT1
RAMのスレツシユホールド電圧VT2が異なるた
め、生産ロツド間によつての差が生じる。また使
用する周囲の温度によつてもVT1,VT2は変動す
る。従つて、従来の停電検出用回路においては、
VT1=VT2の関係があらゆる条件下で成立するよ
う設計することはまず不可能である。
Now, the potential at which the flip-flop becomes 1 is
V T1 and the threshold voltage at which the RAM data changes (destroys) are V T2 . There is no problem if the relationship between V T1 and V T2 is always V T1 = V T2 . Normally, RAM and flip-flops for power failure detection are integrated and made on the same chip, but due to differences in their circuit configurations, their respective threshold voltages may vary.
A difference occurs between V T1 and V T2 . In addition, the threshold voltage V T1 of the flip-flop for power failure detection may vary depending on the conditions in the integrated circuit production process.
Because the threshold voltage V T2 of the RAM is different, there are differences between production rods. V T1 and V T2 also vary depending on the ambient temperature in which the device is used. Therefore, in the conventional power failure detection circuit,
It is almost impossible to design so that the relationship V T1 =V T2 holds true under all conditions.

VT1<VT2の関係となると、RAMのデータがす
でに破壊されていても、停電が検出されない期間
があり、この間にセツトの動作電源が投入される
とRAMが初期設定状態になれない。従つて、希
望しない周波数が呼び出されたり、関係のない表
示を行う等の誤動作をするためセツトとしては不
良として取り扱われる。
When the relationship V T1 <V T2 exists, even if the data in the RAM has already been destroyed, there is a period in which a power outage is not detected, and if the operating power of the set is turned on during this period, the RAM will not be able to return to its initial setting state. Therefore, the set is treated as defective because it malfunctions, such as calling an undesired frequency or displaying an irrelevant display.

以上のような理由から従来の停電検出回路で
は、VT1>VT2の関係が成立するように設計がな
されている。しかし前述したように生産工程での
条件あるいは周囲温度等の環境によるVT1,VT2
のバラツキがあるため△VT=VT2−VT1の値を十
分大きくしないとVT2<VT1となりうることがあ
る。
For the above reasons, conventional power failure detection circuits are designed so that the relationship VT1 > VT2 holds true. However, as mentioned above, V T1 and V T2 may vary depending on the conditions in the production process or the environment such as ambient temperature.
Because of the variation in ΔV T =V T2 −V T1, if the value of ΔV T =V T2 −V T1 is not made sufficiently large, V T2 <V T1 may occur.

VT2を十分VT1より大きくすれば誤動作等の問
題はなくなるが、保持される電圧の限界が高くな
り、その結果大容量コンデンサまたは電池等の保
持電源で保持できる期間が短かくなりセツトとし
ては大きな欠点となる。
If V T2 is made sufficiently larger than V T1 , problems such as malfunctions will disappear, but the limit of the voltage that can be held will be higher, and as a result, the period that can be held by a holding power source such as a large capacity capacitor or battery will be shortened. This is a big drawback.

本発明の目的は上記の問題点に鑑みセツトの動
作電源投入時に誤動作がなく、かつ保持期間を長
くできる停電検出回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, it is an object of the present invention to provide a power failure detection circuit that does not malfunction when power is turned on for operation of a set and that can extend the holding period.

本発明によれば、デジタル・チユーニング・シ
ステムを構成するコントローラに複数の周波数情
報を記憶できる第1のメモリと同一の保持電源が
供給される第2のメモリを備え、さらに第2のメ
モリのデータを検出する手段とを具備し、初期動
作電源印加時に第2のメモリへある特定の情報を
記憶させ保持電源印加状態から動作電源印加状態
へ変化したとき第2のメモリへ書き込まれてある
特定情報の変化を検出することにより、セツトの
動作電源投入時に誤動作がなく、かつ保持期間を
長くできる停電検出回路を内蔵したデジタル選局
装置を得る。
According to the present invention, a controller constituting a digital tuning system is provided with a second memory that is supplied with the same holding power as a first memory capable of storing a plurality of frequency information, and further includes a second memory that can store data in the second memory. and detecting means for storing certain information in the second memory when the initial operating power is applied, and storing certain specific information in the second memory when changing from the holding power application state to the operating power application state. By detecting the change in , a digital channel selection device is provided with a built-in power failure detection circuit that does not cause malfunction when power is turned on and can extend the holding period.

次に図面を参照して本発明をより詳細に説明す
る。
Next, the present invention will be explained in more detail with reference to the drawings.

第2図に本発明の一実施例としての停電検出回
路の構成を示す。第1のメモリ17は複数個の周
波数情報を記憶するメモリで、プログラマブル・
カウンタ9に出力する分周比あるいは2進化され
たチヤンネル番号等が記憶される。複数個の周波
数情報を記憶する第1のメモリ17は、操作スイ
ツチ14に設けられた複数個のプリセツト・スイ
ツチに対応して各々アドレスが定められている。
周波数情報を書き込む場合は、押されたプリセツ
ト・スイツチに対応した第1のメモリ17のアド
レスが制御回路19より指定され、読み出し/書
き込み回路20より出力された情報がそのアドレ
スへ書き込まれる。制御回路19は第1のメモリ
17へ書き込む情報を読み出し/書き込み回路2
0へ送ると共に読み出し/書き込み回路20より
読み出されたメモリの内容を判断してそれに対応
した制御機能を行う。呼び出しの場合も同様に制
御回路19が第1のメモリ17のアドレスを指定
し、指定されたメモリの内容が出力され読み出
し/書き込み回路20より読み出される。
FIG. 2 shows the configuration of a power failure detection circuit as an embodiment of the present invention. The first memory 17 is a memory that stores a plurality of frequency information, and is programmable.
A frequency division ratio, a binary coded channel number, etc. to be output to the counter 9 are stored. The first memory 17, which stores a plurality of pieces of frequency information, has addresses corresponding to the plurality of preset switches provided in the operation switch 14, respectively.
When writing frequency information, the control circuit 19 specifies the address of the first memory 17 corresponding to the pressed preset switch, and the information output from the read/write circuit 20 is written to that address. The control circuit 19 reads/writes information to be written into the first memory 17 through the read/write circuit 2
0, the content of the memory read out by the read/write circuit 20 is determined, and a corresponding control function is performed. In the case of calling, the control circuit 19 similarly specifies the address of the first memory 17, and the contents of the specified memory are output and read by the read/write circuit 20.

通常動作を開始するときには、まずメインSW
(動作電源)22が接続される。このとき+Bの
電源がダイオード24を介して保持電源21に蓄
えられ、さらにコントローラ13内の第1のメモ
リ17および第2のメモリ18に印加されると同
時にダイオード25を介して制御回路19へも印
加される。最初の動作電源投入時には保持電源2
1には電荷が蓄えられていないため第1のメモリ
17および第2のメモリ18のデータは破壊され
ていると考えてよい。
When starting normal operation, first turn on the main SW
(Operating power supply) 22 is connected. At this time, +B power is stored in the holding power supply 21 via the diode 24, and is further applied to the first memory 17 and the second memory 18 in the controller 13, and is also applied to the control circuit 19 via the diode 25. applied. Hold power supply 2 when first operating power is turned on.
Since no charge is stored in memory 1, the data in first memory 17 and second memory 18 can be considered to have been destroyed.

次に制御回路19はダイオード25を介して入
力された信号の立上りをトリガして第2のメモリ
18のアドレスを指定する。指定されたアドレス
の内容は読み出し/書き込み回路20より読み出
され、検出回路23においてあらかじめ用意され
てあるある特定の値(例えば、4ビツト構成で
“1100”)と比較される。この値は、読み出し専用
メモリ(ROM)やラツチ回路等へ格納されてい
る。このとき読み出された第2のメモリ18の内
容が検出回路23の値と等しければ通常動作を行
い、等しくなければ検出回路23より制御回路1
9へ制御信号が出力される。この制御信号により
読み出し/書き込み回路20および制御回路19
は、第1のメモリ17を初期設定状態にし、第2
のメモリ18には検出回路23にあらかじめ用意
されてあるある特定の値(″1100〃)と等しい値
を書き込みさらには通常動作に移る。
Next, the control circuit 19 specifies the address of the second memory 18 by triggering the rising edge of the signal input through the diode 25. The contents of the designated address are read out by the read/write circuit 20 and compared with a certain predetermined value (for example, "1100" in a 4-bit configuration) in the detection circuit 23. This value is stored in a read-only memory (ROM), a latch circuit, etc. If the contents of the second memory 18 read at this time are equal to the value of the detection circuit 23, normal operation is performed;
A control signal is output to 9. This control signal causes the read/write circuit 20 and the control circuit 19 to
sets the first memory 17 to the initial setting state and sets the second memory 17 to the initial setting state.
A value equal to a specific value ("1100") prepared in advance in the detection circuit 23 is written into the memory 18, and the process then proceeds to normal operation.

次にメインSW22が切り離されると、制御回
路19にはダイオード25を介してローレベルの
信号が入力され動作を停止し、さらに第1のメモ
リ17および第2のメモリ18のデータは保持電
源21に蓄えられた電荷によりスレツシユホール
ド電圧まで保持される。
Next, when the main SW 22 is disconnected, a low level signal is input to the control circuit 19 via the diode 25 to stop the operation, and the data in the first memory 17 and second memory 18 is transferred to the holding power supply 21. The stored charge holds the voltage up to the threshold voltage.

保持電源21の電位が第1のメモリ17およぴ
第2のメモリ18のスレツシユホールド電圧以上
であるとき、再びメインSW22が接続され動作
電源が印加されれば、第1のメモリ17および第
2のメモリ18共にそのデータが保持されている
ため、検出回路23で比較される第2のメモリ1
8の内容は検出回路23にあらかじめ用意されて
あるある特定の値(“1100”)と等しい。
When the potential of the holding power supply 21 is higher than the threshold voltage of the first memory 17 and the second memory 18, when the main SW 22 is connected again and the operating power is applied, the first memory 17 and the second memory 18 are Since both the second memories 18 hold the data, the second memory 18 which is compared in the detection circuit 23
The content of 8 is equal to a specific value (“1100”) prepared in advance in the detection circuit 23.

従つて、検出回路23より制御回路19への制
御信号は出力されず通常動作を行う。
Therefore, no control signal is output from the detection circuit 23 to the control circuit 19, and normal operation is performed.

保持電源21の電位が第1のメモリ17および
第2のメモリ18のスレツシユホールド電圧以下
であれば第2のメモリ18のデータ(“1100”)は
破壊されているため検出回路23より制御信号が
出力されて第1のメモリ17および第2のメモリ
18の初期設定が行なわれる。この後、操作スイ
ツチ14により選局動作が行なわれると、その情
報が第1のメモリ17の中に書き込まれる。
If the potential of the holding power supply 21 is lower than the threshold voltage of the first memory 17 and second memory 18, the data (“1100”) in the second memory 18 has been destroyed, so the detection circuit 23 outputs the control signal. is output, and the first memory 17 and second memory 18 are initialized. Thereafter, when a channel selection operation is performed by the operation switch 14, the information is written into the first memory 17.

ここでダイオード24は保持電源21からの逆
方向電流防止用ダイオードであり、ダイオード2
5は第1のメモリ17および第2のメモリ18へ
印加される動作電源と等しい電圧が検出回路23
へ印加されるためのレベル合せ用ダイオードであ
る。
Here, the diode 24 is a diode for preventing reverse current from the holding power supply 21;
5 indicates that a voltage equal to the operating power supply applied to the first memory 17 and the second memory 18 is applied to the detection circuit 23.
This is a leveling diode for applying voltage to

通常コントローラ13は集積回路が使用され
る。従つて第1のメモリ17および第2のメモリ
18共に同一チツプ上に作られ、しかも同じ回路
構成であるため生産工程における条件は共に等し
くなり、その結果各々のスレツシユホールド電圧
も等しくなる。また使用する周囲温度による影響
も同一チツプ上にあり、また同じ回路構成である
ため全く等しく影響され、温度によるバラツキ幅
も等しくなり、各々のスレツシユホールド電圧は
常に等しくなる。従来の停電検出回路の説明と同
様な記号を用いれば第1のメモリ17のスレツシ
ユホールド電圧は同様にVT2、第2のメモリ18
のそれはVT1とそのまま置きかえて考えることが
でき、さらにVT1=VT2の関係が成り立つ。
Typically, the controller 13 uses an integrated circuit. Therefore, since the first memory 17 and the second memory 18 are both manufactured on the same chip and have the same circuit configuration, the conditions in the production process are the same, and as a result, the threshold voltages of each are also the same. Furthermore, since the chips are on the same chip and have the same circuit configuration, they are affected by the ambient temperature in the same way, and the variation width due to temperature is also the same, so that the threshold voltages of each are always the same. Using the same symbols as in the explanation of the conventional power failure detection circuit, the threshold voltage of the first memory 17 is V T2 , and the threshold voltage of the second memory 18 is V T2 .
can be directly replaced with V T1 , and the relationship V T1 = V T2 holds true.

尚、第2図においては第1のメモリ17と第2
のメモリ18のブロツクを分けて説明したが、第
2のメモリ18は第1のメモリ17の使用しない
空いたアドレスに置いてもよい。従つて、マイク
ロプロセツサ等でコントローラ13を達成するよ
うな場合は、マイクロプロセツサ内のRAM部に
第1のメモリ17および第2のメモリ18とも置
くことができ、なんらコストアツプにはつながら
ない。またRAMの内容はスレツシユホールド電
圧以下においては、全て0か又は全て1になるも
のがほとんどであるため、第2のメモリ18に書
き込む特定の値は、“0000”又は“1111”以外の
値である上述の“1100”の他に“1010”さらには
“0101”といつた値を用いればよい。勿論、4ビ
ツト以外でもよい。
In addition, in FIG. 2, the first memory 17 and the second
Although the blocks of the memory 18 have been described separately, the second memory 18 may be placed in an unused address of the first memory 17. Therefore, when the controller 13 is implemented using a microprocessor or the like, both the first memory 17 and the second memory 18 can be placed in the RAM section within the microprocessor, and this does not lead to any increase in costs. Furthermore, since most of the contents of RAM are all 0 or all 1 below the threshold voltage, the specific value written to the second memory 18 must be a value other than "0000" or "1111". In addition to the above-mentioned "1100", values such as "1010" or even "0101" may be used. Of course, it may be other than 4 bits.

以上説明した実施例によればあらゆる条件下に
おいてVT1=VT2の関係を保つことができるため、
保持電圧をRAMのスレツシユホールド電圧の限
界まで下げることができる。保持電圧が下がれば
それにともなつて保持電源から消費される電流も
小さくなり、その結果大容量コンデンサ又は電池
等の保持電源で保持される期間は従来の停電検出
回路に比して十分長くなる。さらにVT2<VT1
関係になることがないため動作電源投入時の誤動
作は起こりえない。
According to the embodiment described above, the relationship V T1 =V T2 can be maintained under all conditions, so
The holding voltage can be lowered to the limit of the RAM threshold voltage. As the holding voltage decreases, the current consumed from the holding power source also decreases, and as a result, the period during which the holding power source such as a large capacity capacitor or battery is held is sufficiently longer than in conventional power failure detection circuits. Furthermore, since there is no relationship of V T2 <V T1 , malfunctions cannot occur when the operating power is turned on.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は一般的なPLL方式のデジタル・チユ
ーニング・システムを用いたラジオ受信機のブロ
ツク図、第2図は本発明の一実施例を示す回路図
である。 1……高周波増幅部、2……混合部、3……中
間周波増幅部、4……検波部、5……低周波増幅
部、6……スピーカ、7……電圧制御発振器、8
……プリスケーラ、9……プログラマブル・カウ
ンタ、10……ロー・パス・フイルタ、11……
位相比較器、12……基準周波数発振器、13…
…コントローラ、14……操作スイツチ、15…
…表示器、16……アンテナ、17……複数の周
波数情報を記憶するメモリ、18……停電検出用
の情報を記憶するメモリ、19……制御回路、2
0……読み出し/書き込み回路、21……保持電
源用大容量コンデンサ、22……メイン・スイツ
チ、23……停電検出回路、24,25……ダイ
オード、26……抵坑。
FIG. 1 is a block diagram of a radio receiver using a general PLL type digital tuning system, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. 1...High frequency amplification section, 2...Mixing section, 3...Intermediate frequency amplification section, 4...Detection section, 5...Low frequency amplification section, 6...Speaker, 7...Voltage controlled oscillator, 8
...Prescaler, 9...Programmable counter, 10...Low pass filter, 11...
Phase comparator, 12...Reference frequency oscillator, 13...
...Controller, 14...Operation switch, 15...
...Display device, 16...Antenna, 17...Memory for storing a plurality of frequency information, 18...Memory for storing information for power failure detection, 19...Control circuit, 2
0...Read/write circuit, 21...Large capacity capacitor for holding power supply, 22...Main switch, 23...Power failure detection circuit, 24, 25...Diode, 26...Resistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 選局操作により入力され周波数情報を記憶で
きる第1の記憶部と、電源電圧の印加により所定
の情報が格納されると共に所定値以下の電圧供給
により上記所定の情報が破壊される第2の記憶部
と、該第2の記憶部の内容を検出する検出手段
と、該検出手段の出力により上記第1の記憶部の
内容を初期状態にする手段とを具備してなるデジ
タル選局装置。
1 A first storage section that can store frequency information input by a channel selection operation, and a second storage section that stores predetermined information by applying a power supply voltage and destroys the predetermined information by supplying a voltage below a predetermined value. A digital channel selection device comprising: a storage section; a detection means for detecting the contents of the second storage section; and means for bringing the contents of the first storage section into an initial state based on the output of the detection means.
JP3920081A 1981-03-18 1981-03-18 Digital channel selecting device Granted JPS57152721A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04129940A (en) * 1990-09-19 1992-04-30 Fuji Xerox Co Ltd Paper dust removing device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH04129940A (en) * 1990-09-19 1992-04-30 Fuji Xerox Co Ltd Paper dust removing device

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