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JPH0250051B2 - - Google Patents
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JPH0250051B2 - - Google Patents

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JPH0250051B2
JPH0250051B2 JP57179659A JP17965982A JPH0250051B2 JP H0250051 B2 JPH0250051 B2 JP H0250051B2 JP 57179659 A JP57179659 A JP 57179659A JP 17965982 A JP17965982 A JP 17965982A JP H0250051 B2 JPH0250051 B2 JP H0250051B2
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JP
Japan
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nozzle
melt
mixture
sec
roll
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Application number
JP57179659A
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Japanese (ja)
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JPS5969431A (en
Inventor
Kenji Suzuki
Shuji Masuda
Yukihiro Oota
Mika Ookubo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Otsuka Chemical Co Ltd
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Original Assignee
Otsuka Chemical Co Ltd
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
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Publication date
Application filed by Otsuka Chemical Co Ltd, Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan filed Critical Otsuka Chemical Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、ビスマス−ガリウム系化合物材料の
製造法に関する。 近年エレクトロニクス及びその関連技術の発展
に伴つて、酸化ビスマス(Bi2O3)を主とする酸
化物系セラミツクス及びその単結晶の研究が活発
に行なわれており、特に光−電気、音−電気、雰
囲気ガス−電気、光音偏光、X線分光等の分野に
おける変換素子材料として、又触媒材料として盛
んに研究が行なわれている。Bi2O3とGa2O3との
安定な化合物としては、2、3の文献に記載され
ているのみで、これ等の単結晶化の研究は盛んに
行なわれているものの、非晶質部分を含む化合物
としての研究はあまり行われていない。 本発明は、少なくとも一部が非晶質からなるビ
スマス−ガリウム系化合物の製造法を提供するも
のである。 即ち、本発明は、酸化ビスマスと酸化ガリウム
との混合物を加熱溶融した後、104〜106℃/秒の
冷却速度で超急冷することを特徴とする
(Bi2O31-x・(Ga2O3x(但し、0.60≧x≧0.05)
なる組成を有する、非晶質部分を含むビスマス−
ガリウム系化合物材料の製造法に係るものであ
る。 本発明により得られるビスマス−ガリウム系化
合物材料は、光.電気変換素子、光センサー、光
メモリー材料、表示材料、触媒等として有用であ
る。 尚、本発明においては、“非晶質部分を含むビ
スマス−ガリウム系化合物材料”とは、非晶質中
に多結晶相を含む場合のみならず、非晶質単独の
場合をも包含する。 以下、本発明のビスマス−ガリウム系化合物材
料の製造法を説明する。 本発明に於いて使用する原料は、酸化ビスマス
と酸化ガリウムとの混合物であり、その組成割合
は(Bi2O31-x・(Ga2O3x(但し、0.60≧x≧
0.05)となる量比である。上記組成比の原料混合
物を加熱溶融し、これを超急冷する。加熱溶融
は、これ等原料混合物が充分に溶融する温度以上
で行なえば良く、好ましくは溶融温度よりも50〜
200℃程度高い温度範囲、特に好ましくは80〜150
℃程度高い温度で加熱する。加熱時の雰囲気とし
ては制限は特に無く、通常空気中で行う。次いで
原料混合物の融液を超急冷する。超急冷は、本発
明方法の必須の要件であつて、これによりはじめ
て非晶質含有化合物材料を収得することが出来
る。超急冷は、通常104〜106℃/秒程度の冷却速
度で行う。この超急冷は、上記冷却速度で冷却出
来る手段であれば広い範囲の各種の手段が採用出
来、高速回転中のロール表面上に原料混合物の融
液を吹出して液体状態の原子配置にて固化せしめ
る方法を代表例として挙げることが出来る。 以下図面を参照しつつ本発明方法の実施に際し
使用される融解原料混合物の急冷装置の一例を説
明する。 第1図は、架台1上に設置された急冷装置本体
3の正面図を示す。急冷装置は、誘電加熱用コイ
ル5、原料加熱用チユーブ7、該チユーブ7の支
持体9、融解原料吹出用のノズル11、急冷用ロ
ール13、ノズル11の冷却用ノズル15、渦流
防止エアノズル17、ノズル11の微調整機構1
9、エアシリンダー21、冷却された材料の受け
箱23、冷却材料取出口25等を主要構成部とし
ている。冷却用ロール13の内部に該ロール冷却
用のフアンを設置し且つロール表面側端部に空気
吹込み口を設けることにより、融解原料の急冷を
安定して行なうことが出来る。第2図は、支持体
9の詳細を示す。第2図において、支持体9は、
バルブ27を備えた冷却水導入路29、冷却水排
出路31、ニードルバルブ33を備えたブローエ
ア導入路35、ロール13の表面とノズル11と
の間隔微調整機構37及び原料融液を均一に押出
す為の整流用目皿39を備えている。 第1図及び第2図に示す急冷装置3を使用して
本発明方法を実施する場合、まず所定組成の原料
混合物を融液吹出し用ノズル11を有するチユー
ブ7内に収納する。このチユーブ7は、高温酸化
雰囲気状態で充分耐久性のある材質で作られ、た
とえば白金、白金−ロジウム、イリジウム、窒化
ケイ素、窒化ボロン等で作られたものが好まし
い。尚、原料融液と直接接触しない部分の材質
は、高融点のセラミツクス、ガラス、金属でも良
い。ノズル口の形状は、目的製品に応じて決定さ
れ、たとえば細い線状材料の場合は円い形状で、
巾の広い製品の場合にはスリツト状の形状のもの
を使用する。ノズル口の形状は、楕円形その他の
形状であつても良い。チユーブ7内に収納された
原料混合物は、次いでその融点以上の温度に加熱
され、融液とされた後、ノズル11の口部から高
速回転しているロール13の面上に一定ガス圧に
て吹出され、ロール表面上に急冷せしめられる。
ノズル口とロール面における原料融液の吹出し角
度は、目的化合物の巾が約3mm以下の場合はロー
ル面に対して垂直で良く、またその巾が約3mm以
上の場合はロール面垂線に対して0゜〜45゜である。
これ等の吹出し角度調整機構は、装置自体に所定
の角度を設定可能な構成として組込むことも出来
るが、好ましくはノズル自体を加工しておくのが
良い。 原料混合物の加熱方法は、特に制限されない
が、通常発熱体を有する炉、誘電加熱炉または集
光加熱炉で行う。原料融液の温度は、その融点よ
り50〜200℃好ましくは80〜150℃程度高い温度と
するのが良い。この際に、融液の温度が融点にあ
まり近過ぎると、融液をロール面上に吹き出して
いる間にノズル附近で冷却固化する恐れがあり、
逆にあまりにも高くなりすぎると、ロール面上で
の急冷が困難となる傾向がある。 ロール面上に融液を吹き出すために使用する加
圧用ガスとしては、不活性ガスが好ましく、たと
えばアルゴン、窒素、ヘリウム等でも良いが、融
液原料を酸化状態に維持する為には、乾燥圧縮空
気が好ましい。ガス圧は、ノズル口の大きさにも
よるが、通常0.1〜2.0Kg/cm2好ましくは0.5〜1.0
Kg/cm2程度である。また原料融液を吹き出す際の
ノズル口とロール面間の距離は、0.01〜1.0mm程
度が良く、より好ましくは0.05〜0.5mm程度であ
る。0.01mmよりも小さな場合、パドル量が非常に
少なくなり、均一な材料が得られず、一方、1.0
mmよりも大きい場合、パドル量が過剰になつた
り、又組成融液の界面張力により形成されるパド
ル厚さ以上の場合には、パドルが形成され難くな
る傾向が生ずる場合がある。 ロールの材質は、熱伝導性の良い銅及びその合
金、硬質クロムメツキ層を有する上記材質、さら
には鋼、ステンレススチール等である。ロールの
周速度を5m/秒〜35m/秒、好ましくは10m/
秒〜20m/秒とし、原料融液を急冷することによ
り目的とする良質の非晶質部分を含む化合物材料
が得られる。この際ロール周速度が5m/秒以下
の場合には、非晶質化し難い傾向が生じるので、
あまり好ましくない。ロール周速度が35m/秒よ
りも大きくなると、得られる目的物材料の形状が
非常に薄膜化し、すべて鱗片状もしくは細粉状と
なるが、材料構造的にはやはり本発明の化合物材
料である。 融液原料を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気と
して減圧下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気
中で本発明化合物の製造を行なう場合には、高温
状態での原料融液の還元が発生し、組成原子中の
酸素原子の減少が起り、得られる材料に紫色もし
くは黒色等の着色が発生する。しかし乍ら、この
着色生成物も物性的には本発明化合物材料であ
り、着色された状態で使用可能である。 原料混合物をチユーブ内で加熱溶融せしめるに
際しては、該混合物をすべて完全に融液化するこ
とが必要である。しかし乍ら、該混合物が完全に
融液化する前に、一部融液化したものが、ノズル
先端から流出してしまう恐れがあるため、ノズル
先端を局部的に冷却して融液の流出を防止するこ
とが好ましい。ノズルを局部的に冷却する代表的
手段は、ノズル先端に冷却用ガスを吹きつける手
段であり、ガスとしてはアルゴン、ヘリウム、窒
素等の不活性ガスでも良いが、乾燥冷圧縮空気が
より好ましい。 本発明により得られる化合物材料は、通常50〜
10μm程度の厚さであり、非常にもろい材料であ
る。このためロール面で急冷され、固体化された
後、できる限り材料に応力が加えられない状態に
することが好ましい。応力付加となる原因の一つ
に大気中でのロール回転により発生する風切り現
象からくるロール表面空気層の大きな乱流があ
る。この乱流を防止するとともに急冷却すべき溶
融原料混合物とロール面との密着性をより良好と
するために、風切り防止用向流吹出しノズル即ち
第1図に示す渦流防止エアノズル17を設置する
か、ロール内部にフアンを固定設置する。後者の
場合は、ロールの自転によりロール表面側端部に
設けられた口径可変式の空気導入口よりロール内
部へ発生する乱流をすい込み、ロール軸正面より
排出し、ロール表面上空気をロール内部へ移動せ
しめ、これにより溶融物をロール面へより押しつ
け密着させ、さらに空気の吹込み移動によりロー
ル自体をも空冷することが出来る。また得られる
材料の寸法均一性を保持させるために、ロール表
面に回転方向とは直角に材料切断用の溝を設けて
おけば、一定寸法で切断された材料が得られる。 本発明で得られるビスマス−ガリウム系化合物
材料はその原料混合比により化合物の原子配列構
造が大きく変化し、具体的には、以下の如くに大
別される。先ず、0.15≦x≦0.60の場合には、非
晶質化合物100%のものが得られ、0.05≦x<
0.15の範囲では、δ−Bi2O3多結晶相少と非晶質
化合物との混合物が得られる。また0<x<0.05
の範囲では、δ−Bi2O3多結晶相を含む混合物が
得られる。第3図に本発明で得られる化合物材料
の生成範囲を示す。 使用する急冷装置の急冷用ロールの周速度が5
m/秒〜35m/秒の範囲内では、各組成域におい
て得られる材料の構造自体には大きな変化は認め
られない。 尚、本発明化合物材料の構造の同定に際して
は、X線回折及び偏光顕微鏡により結晶性の有無
の確認及び構造解析を行ない、基査型電子顕微鏡
により極小部分の観察を行なつた。 以下実施例及び参考例により本発明の特徴とす
るところをより一層明らかにする。 実施例 Bi2O3(純度99.9%)及びGa2O3(純度99.9%)を
使用し、所定の組成で配合し、均一に混合した
後、850℃で30分仮焼し、放冷後、粉砕して組成
物原料とした。得られた組成物原料を白金チユー
ブ(直径10mm×長さ150mm)に充填し、誘電加熱
コイル内に設置して、発振管繊条電圧13V、陽極
電圧10KV、格子電流120〜150mA、陽極電流1.2
〜1.8Aの条件下に誘電加熱した。完全に融液化
した原料を急冷用回転ロール表面上に乾燥圧縮空
気により吹き出し、急冷させた。 第1表及び第2表に組成、製造条件、得られた
材料の形状などを示すす。試料No.1〜20及び29は
リボン状の非晶質含有化合物材料を示す。試料No.
24は、ロールの回転速度が大きいため、薄片とな
つているが、形状に制約のない触媒などの分野で
は使用可能である。 なお、ノズル形状Aとあるのは、0.2mm×4mm
のスリツト状ノズルを示し、ノズル形状Bとある
のは、直径0.2mmの円形ノズルを示す。
The present invention relates to a method for producing a bismuth-gallium compound material. In recent years, with the development of electronics and related technologies, research has been actively conducted on oxide-based ceramics, mainly bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), and their single crystals. It has been actively researched as a conversion element material in fields such as atmospheric gas-electricity, photoacoustic polarization, and X-ray spectroscopy, and as a catalyst material. Stable compounds of Bi 2 O 3 and Ga 2 O 3 have only been described in a few documents, and although research into single crystallization of these compounds has been actively conducted, only amorphous compounds exist. Not much research has been conducted on compounds containing moieties. The present invention provides a method for producing a bismuth-gallium compound that is at least partially amorphous. That is, the present invention is characterized in that after a mixture of bismuth oxide and gallium oxide is heated and melted, it is ultra-quenched at a cooling rate of 10 4 to 10 6 °C/sec (Bi 2 O 3 ) 1-x . (Ga 2 O 3 ) x (However, 0.60≧x≧0.05)
Bismuth containing an amorphous portion having the composition
This invention relates to a method for producing gallium-based compound materials. The bismuth-gallium-based compound material obtained by the present invention has a high optical resistance. It is useful as electrical conversion elements, optical sensors, optical memory materials, display materials, catalysts, etc. In the present invention, the term "bismuth-gallium compound material containing an amorphous portion" includes not only a case where a polycrystalline phase is included in the amorphous portion, but also a case where the amorphous portion is present alone. The method for producing the bismuth-gallium compound material of the present invention will be described below. The raw material used in the present invention is a mixture of bismuth oxide and gallium oxide, and its composition ratio is (Bi 2 O 3 ) 1-x・(Ga 2 O 3 ) x (0.60≧x≧
0.05). A raw material mixture having the above composition ratio is heated and melted, and then cooled extremely rapidly. The heating and melting may be carried out at a temperature higher than the temperature at which these raw material mixtures are sufficiently melted, preferably at a temperature of 50 to 50°C higher than the melting temperature.
Temperature range as high as 200℃, especially preferably 80~150℃
Heat at a temperature about ℃ higher. There are no particular restrictions on the atmosphere during heating, and heating is usually performed in air. Next, the melt of the raw material mixture is ultra-quenched. Ultra-quenching is an essential requirement of the method of the present invention, and only through this is it possible to obtain an amorphous-containing compound material. Ultra-quenching is usually performed at a cooling rate of about 10 4 to 10 6 °C/sec. A wide variety of methods can be used for this ultra-quenching as long as it can be cooled at the above-mentioned cooling rate, and the melt of the raw material mixture is blown out onto the surface of the roll rotating at high speed and solidified in the atomic arrangement of the liquid state. The method can be cited as a representative example. An example of a quenching apparatus for a molten raw material mixture used in carrying out the method of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a front view of the rapid cooling device main body 3 installed on the pedestal 1. As shown in FIG. The quenching device includes a dielectric heating coil 5, a raw material heating tube 7, a support 9 for the tube 7, a nozzle 11 for blowing out the molten raw material, a quenching roll 13, a cooling nozzle 15 for the nozzle 11, an eddy current prevention air nozzle 17, Fine adjustment mechanism 1 of nozzle 11
9, an air cylinder 21, a receiving box 23 for the cooled material, a cooling material outlet 25, etc. are the main components. By installing a fan for cooling the roll inside the cooling roll 13 and providing an air blowing port at the end of the roll surface, the molten raw material can be rapidly cooled stably. FIG. 2 shows details of the support 9. In FIG. 2, the support 9 is
A cooling water introduction path 29 equipped with a valve 27, a cooling water discharge path 31, a blow air introduction path 35 equipped with a needle valve 33, a mechanism 37 for finely adjusting the distance between the surface of the roll 13 and the nozzle 11, and a mechanism for uniformly pressing the raw material melt. It is equipped with a perforated plate 39 for rectifying the flow. When carrying out the method of the present invention using the quenching device 3 shown in FIGS. 1 and 2, a raw material mixture of a predetermined composition is first stored in a tube 7 having a nozzle 11 for blowing out the melt. The tube 7 is preferably made of a material that is sufficiently durable under high-temperature oxidizing atmosphere conditions, such as platinum, platinum-rhodium, iridium, silicon nitride, boron nitride, or the like. Note that the material of the portion that does not come into direct contact with the raw material melt may be high melting point ceramics, glass, or metal. The shape of the nozzle opening is determined depending on the target product; for example, for thin wire materials, it is circular;
For wide products, use a slit-shaped one. The shape of the nozzle opening may be oval or other shape. The raw material mixture stored in the tube 7 is then heated to a temperature equal to or higher than its melting point to form a melt, and then is poured from the mouth of the nozzle 11 onto the surface of the roll 13 rotating at high speed under constant gas pressure. It is blown out and quenched onto the roll surface.
The blowing angle of the raw material melt between the nozzle opening and the roll surface may be perpendicular to the roll surface if the width of the target compound is approximately 3 mm or less, and perpendicular to the roll surface if the width is approximately 3 mm or more. It is between 0° and 45°.
Although these blowout angle adjustment mechanisms can be incorporated into the device itself as a configuration capable of setting a predetermined angle, it is preferable to process the nozzle itself. The heating method for the raw material mixture is not particularly limited, but it is usually carried out in a furnace equipped with a heating element, a dielectric heating furnace, or a condensing heating furnace. The temperature of the raw material melt is preferably 50 to 200°C, preferably 80 to 150°C higher than its melting point. At this time, if the temperature of the melt is too close to the melting point, there is a risk that the melt will cool and solidify near the nozzle while being blown onto the roll surface.
On the other hand, if the temperature is too high, rapid cooling on the roll surface tends to become difficult. The pressurizing gas used to blow the melt onto the roll surface is preferably an inert gas, such as argon, nitrogen, helium, etc., but in order to maintain the melt raw material in an oxidized state, dry compression is recommended. Air is preferred. The gas pressure depends on the size of the nozzle opening, but is usually 0.1 to 2.0 Kg/ cm2 , preferably 0.5 to 1.0.
It is about Kg/ cm2 . Further, the distance between the nozzle opening and the roll surface when blowing out the raw material melt is preferably about 0.01 to 1.0 mm, more preferably about 0.05 to 0.5 mm. If smaller than 0.01mm, the paddle amount will be very small and uniform material cannot be obtained, while 1.0
If the thickness is larger than mm, the amount of puddles becomes excessive, and if the thickness exceeds the puddle thickness formed by the interfacial tension of the composition melt, there may be a tendency for puddles to be difficult to form. The material of the roll includes copper and its alloy having good thermal conductivity, the above-mentioned materials having a hard chrome plating layer, steel, stainless steel, and the like. The circumferential speed of the roll is 5 m/sec to 35 m/sec, preferably 10 m/sec.
By rapidly cooling the raw material melt at a speed of 20 m/sec to 20 m/sec, the target compound material containing a high-quality amorphous portion can be obtained. At this time, if the roll circumferential speed is 5 m/sec or less, it tends to be difficult to become amorphous.
I don't like it very much. When the circumferential speed of the roll is higher than 35 m/sec, the shape of the target material obtained becomes extremely thin and becomes scaly or fine powder, but in terms of material structure, it is still the compound material of the present invention. When producing the compound of the present invention under reduced pressure or high vacuum or in an inert gas atmosphere as the atmosphere in which the melt raw material is blown onto the rotating roll surface, reduction of the raw material melt at high temperature occurs, Oxygen atoms in the composition atoms decrease, and the resulting material becomes colored purple or black. However, this colored product is also physically a compound material of the present invention and can be used in a colored state. When heating and melting the raw material mixture in a tube, it is necessary to completely melt the mixture. However, before the mixture is completely molten, some of the molten material may flow out from the nozzle tip, so the nozzle tip is locally cooled to prevent the melt from flowing out. It is preferable to do so. A typical means for locally cooling the nozzle is to blow a cooling gas onto the tip of the nozzle, and the gas may be an inert gas such as argon, helium, nitrogen, etc., but dry, cold compressed air is more preferable. The compound material obtained by the present invention usually has a
It is approximately 10 μm thick and is a very brittle material. For this reason, after the material is rapidly cooled and solidified on the roll surface, it is preferable that stress is not applied to the material as much as possible. One of the causes of stress addition is the large turbulent flow in the air layer on the roll surface caused by the wind phenomenon caused by roll rotation in the atmosphere. In order to prevent this turbulence and to improve the adhesion between the molten raw material mixture to be rapidly cooled and the roll surface, a countercurrent blowout nozzle for preventing wind blowing, that is, an air nozzle 17 for preventing swirling as shown in FIG. 1 may be installed. , a fan is fixedly installed inside the roll. In the latter case, the turbulent flow generated inside the roll due to rotation of the roll is absorbed into the roll through a variable-diameter air inlet provided at the end of the roll surface, and is discharged from the front of the roll axis, allowing air to flow over the roll surface. By moving the melt into the interior, the melt is pressed more tightly against the roll surface, and the roll itself can also be cooled by air blowing and movement. Further, in order to maintain the dimensional uniformity of the obtained material, if grooves for cutting the material are provided on the roll surface at right angles to the rotation direction, the material can be cut to a constant size. The atomic arrangement structure of the bismuth-gallium compound material obtained by the present invention varies greatly depending on the mixing ratio of raw materials, and specifically, it can be roughly classified as follows. First, when 0.15≦x≦0.60, a 100% amorphous compound is obtained, and when 0.05≦x<
In the range of 0.15, a mixture of a small amount of δ-Bi 2 O 3 polycrystalline phase and an amorphous compound is obtained. Also 0<x<0.05
In the range of , a mixture containing a δ-Bi 2 O 3 polycrystalline phase is obtained. FIG. 3 shows the production range of the compound material obtained by the present invention. The peripheral speed of the quenching roll of the quenching device used is 5.
Within the range of m/sec to 35 m/sec, no major changes are observed in the structure of the material obtained in each composition range. In order to identify the structure of the compound material of the present invention, the presence or absence of crystallinity was confirmed and structural analysis was performed using X-ray diffraction and a polarizing microscope, and the extremely small portion was observed using a basic electron microscope. The features of the present invention will be further clarified by Examples and Reference Examples below. Example Bi 2 O 3 (purity 99.9%) and Ga 2 O 3 (purity 99.9%) were used and mixed in a prescribed composition, mixed uniformly, then calcined at 850°C for 30 minutes, and then left to cool. It was ground and used as a raw material for a composition. The obtained composition raw material was filled into a platinum tube (diameter 10 mm x length 150 mm), placed inside a dielectric heating coil, and heated with an oscillating tube fiber voltage of 13 V, anode voltage of 10 KV, grid current of 120 to 150 mA, and anode current of 1.2
Dielectric heating was performed under conditions of ~1.8A. The completely molten raw material was blown out onto the surface of a rotating rapid cooling roll using dry compressed air to rapidly cool it. Tables 1 and 2 show the composition, manufacturing conditions, shape of the obtained material, etc. Samples Nos. 1-20 and 29 show ribbon-shaped amorphous-containing compound materials. Sample No.
24 is a thin piece due to the high roll rotation speed, but it can be used in fields such as catalysts where there are no restrictions on shape. In addition, nozzle shape A is 0.2mm x 4mm.
The nozzle shape B indicates a circular nozzle with a diameter of 0.2 mm.

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】 参考例 1 (Bi2O31-x・(Ga2O3xにおいてx=0.40に相
当する上記実施例の試料No.7、8、9及び10につ
いてのX線回折結果を第4図に示す。 急冷用ロールの周速度が5.18m/秒(急冷速度
=2.5×104℃/秒;試料No.10)から34.54m/秒
(急冷速度=7.1×104℃/秒;試料No.7)の範囲
内で得られた材料の原子配列構造には、大きな変
化がないことが明らかである。 参考例 2 (Bi2O31-x・(Ga2O3xにおいてx=0.40に相
当する上記実施例の試料No.8の示差熱分析結果を
第5図に示す。 第5図において、Tcは結晶化温度、Tgはガラ
ス転位点、mpは融点をそれぞれ示す。 参考例 3 (Bi2O31-x・(Ga2O3xにおいてx=0.60に相
当する上記実施例の試料No.1の外観を示す写真を
参考図面として示す。 参考例 4 上記実施例の試料No.2の走査型電子顕微鏡写真
(20000倍)を参考図面として示す。 参考例 5 (Bi2O31-x・(Ga2O3xにおいてx=0.60及び
x=0.40に相当する上記実施例の試料No.1及びNo.
8の赤外線吸収スペクトルを第6図として示す。
[Table] Reference Example 1 X-ray diffraction results for Samples No. 7, 8, 9, and 10 of the above example corresponding to x=0.40 at (Bi 2 O 3 ) 1-x・(Ga 2 O 3 ) x is shown in Figure 4. The peripheral speed of the quenching roll ranged from 5.18 m/sec (quenching rate = 2.5 x 10 4 °C/sec; sample No. 10) to 34.54 m/sec (quenching rate = 7.1 x 10 4 °C/sec; sample No. 7). It is clear that there is no significant change in the atomic arrangement structure of the material obtained within the range of . Reference Example 2 FIG. 5 shows the differential thermal analysis results of sample No. 8 of the above example, which corresponds to x=0.40 in (Bi 2 O 3 ) 1-x ·(Ga 2 O 3 ) x . In FIG. 5, Tc represents the crystallization temperature, Tg represents the glass transition point, and mp represents the melting point. Reference Example 3 A photograph showing the appearance of sample No. 1 of the above example corresponding to x=0.60 in (Bi 2 O 3 ) 1-x ·(Ga 2 O 3 ) x is shown as a reference drawing. Reference Example 4 A scanning electron micrograph (20,000x magnification) of sample No. 2 of the above example is shown as a reference drawing. Reference Example 5 (Bi 2 O 3 ) 1-x・(Ga 2 O 3 ) Sample No. 1 and No. of the above example corresponding to x=0.60 and x=0.40 in x .
The infrared absorption spectrum of No. 8 is shown in FIG.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明方法において使用される融解
原料の急冷装置の一例の正面図、第2図は、第1
図に示す急冷装置の一部拡大詳細図、第3図は本
発明化合物材料の組成範囲を示す図面、第4図は
本発明化合物材料の若干のX線回折図、第5図
は、本発明による一材料の示差熱分析図、第6図
は、本発明による一材料の赤外線吸収スペクトル
をそれぞれ示す。 1……架台、3……急冷装置本体、5……誘電
加熱用コイル、7……原料加熱用チユーブ、9…
…原料加熱用チユーブの支持体、11……融解原
料吹出用ノズル、13……急冷用ロール、15…
…ノズル11の冷却用ノズル、17……渦流防止
エアノズル、19……ノズル11の微調整機構、
21……エアシリンダー、23……冷却された材
料の受け箱、25……冷却材料取り出口、27…
…バルブ、29……冷却水導入路、31……冷却
水排出路、33……ニードルバルブ、35……ブ
ローエア導入路、37……ロール13とノズル1
1との間隔微調整機構、39……整流用目皿。
FIG. 1 is a front view of an example of a quenching device for melted raw materials used in the method of the present invention, and FIG.
3 is a drawing showing the composition range of the compound material of the present invention, FIG. 4 is an X-ray diffraction diagram of some of the compound material of the present invention, and FIG. FIG. 6 shows the infrared absorption spectrum of a material according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Frame, 3... Rapid cooling device main body, 5... Dielectric heating coil, 7... Raw material heating tube, 9...
...Support for raw material heating tube, 11... Nozzle for blowing out molten raw material, 13... Roll for rapid cooling, 15...
... Cooling nozzle for nozzle 11, 17 ... Eddy current prevention air nozzle, 19 ... Fine adjustment mechanism for nozzle 11,
21...Air cylinder, 23...Cooled material receiving box, 25...Cooled material outlet, 27...
... Valve, 29 ... Cooling water introduction path, 31 ... Cooling water discharge path, 33 ... Needle valve, 35 ... Blow air introduction path, 37 ... Roll 13 and nozzle 1
Fine adjustment mechanism for spacing with 1, 39... perforated plate for rectification.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 酸化ビスマスと酸化ガリウムとの混合物を加
熱溶融せしめた後、融解物を104〜106℃/秒の冷
却速度で超急冷することを特徴とする(Bi2O31-
・(Ga2O3x(但し、0.60≧x≧0.05)なる組成
を有する、非晶質部分を含むビスマス−ガリウム
系化合物材料の製造法。 2 酸化ビスマスと酸化ガリウムとの混合物を加
熱溶融せしめた後、融解物を固体に接触させるこ
とにより104〜106℃/秒の冷却速度で超急冷させ
る特許請求の範囲第1項に記載の非晶質部分を含
むビスマス−ガリウム系化合物材料の製造法。 3 スリツト状、円形もしくは楕円形の吹出し口
を設けたノズルを備えた加熱用チユーブに酸化ビ
スマスと酸化ガリウムとの混合物を投入し、該混
合物の融点より50〜200℃高い温度で加熱溶融さ
せた後、5〜35m/秒の周速度で回転するロール
表面上に上記ノズルを経て該溶融物を吹き出して
104〜106℃/秒の冷却速度で超急冷させる特許請
求の範囲第1項または第2項に記載の非晶質部分
を含むビスマス−ガリウム系化合物材料の製造
法。
[Claims] 1. A method characterized by heating and melting a mixture of bismuth oxide and gallium oxide, and then ultra-quenching the melt at a cooling rate of 10 4 to 10 6 °C/sec (Bi 2 O 3 ) 1-
A method for producing a bismuth-gallium-based compound material containing an amorphous portion and having a composition of x · (Ga 2 O 3 ) x (where 0.60≧x≧0.05). 2. A method according to claim 1, in which a mixture of bismuth oxide and gallium oxide is heated and melted, and then the melt is brought into contact with a solid to be ultra-quenched at a cooling rate of 10 4 to 10 6 °C/sec. A method for producing a bismuth-gallium compound material containing an amorphous portion. 3. A mixture of bismuth oxide and gallium oxide was placed in a heating tube equipped with a nozzle with a slit-shaped, circular, or oval outlet, and the mixture was heated and melted at a temperature 50 to 200°C higher than the melting point of the mixture. After that, the melt is blown out through the nozzle onto the surface of a roll rotating at a circumferential speed of 5 to 35 m/sec.
A method for producing a bismuth-gallium compound material containing an amorphous portion according to claim 1 or 2, wherein the material is ultra-quenched at a cooling rate of 10 4 to 10 6 °C/sec.
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