JPH0344565B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0344565B2 JPH0344565B2 JP59028934A JP2893484A JPH0344565B2 JP H0344565 B2 JPH0344565 B2 JP H0344565B2 JP 59028934 A JP59028934 A JP 59028934A JP 2893484 A JP2893484 A JP 2893484A JP H0344565 B2 JPH0344565 B2 JP H0344565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurities
- electron conjugated
- dedoping
- ions
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、電子デバイスの分野に利用される高
分子の製造方法に関する。 従来例の構成とその問題点 π電子共役型高分子重合体から、不純物を除く
方法として、電解法が知られている〔G.B.
Street、et.al.，Mol.Cryst.Liq.Gryst.，83，2533
（1982）〕。 これは、ピロールを過塩素酸銀の存在下、アセ
トニトリル中で電解酸化重合して、白金電極上に
ポリピロールフイルムをつくり、引き続き別の容
器に、過塩素酸テトラブチルアンモニウム塩を含
んだアセトニトリル溶液を用意し、この容器にポ
リピロールフイルムを移しかえて、電解還元によ
り、不純物として取り込まれた過塩素酸イオンを
除くという方法である。 しかしながら、この方法は湿式である点、脱ド
ープのコントロールが難しい点、電極が常に必要
な点等に問題を持つている。 発明の目的 本発明は、π電子共役型高分子重合体から乾式
で不純物を除く方法を提供することを目的とす
る。 発明の構成 本発明の高分子脱ドープ方法は、π電子共役型
高分子重合体を熱処理することにより、不純物を
除くことを特徴とするものである。高分子中の不
純物はπ電子共役型高分子とフアンデアワールス
による分子間結合，イオン結合、あるいは配位結
合で結びついている。そのため、これらの結合を
切るのに十分な熱エネルギーを加えることによつ
て、π電子共役型高分子重合体から不純物を除く
ことができる。 不純物としては、π電子共役型高分子重合体を
構成する化合物以外の化合物が考られる。その中
でも、π電子共役型高分子重合体の電気物性等に
影響を与えるものとして、メタノール，アセト
ン，ニトロベンゼン等の有機溶媒，五フツ化ヒ
素，三フツ化ホウ素，SO3等のルイス酸，塩素，
臭素，ヨウ素等のハロゲン，パーハロゲネートイ
オン，パーハロゲノボレートイオン，サルフエー
トイオン等のイオン，リチウム，ナトリウム，カ
リウム等の金属があげられる。本発明の脱ドープ
方法はこれらの不純物を除くのに有効である。 本発明の熱処理は、不活性雰囲気中で行なうと
とくによい。不活性雰囲気としては、窒素ガス，
ヘリウムガス，ネオンガス，アルゴンガス等の不
活性ガスを含む雰囲気か、あるいは10mmHg以下
の減圧下が良い。 熱処理温度は、熱処理時間と深い関係があり、
例えば、400℃なら20分、600℃なら１分、800℃
なら30秒程度である。熱処理温度が低いほど、熱
処理時間を長くする必要がある。熱処理温度とし
ては、100〜1000℃が有効である。 実施例の説明 実施例 １ 電解重合により、過塩素酸イオンをドーパント
として含むポリ−３−メチルチエニレンフイルム
を合成する（S.Hotta et al.Synthetic Metals，
６（1983）69）。このフイルムを窒素ガスで充満し
たガラス封管に入れ、封管を電気炉で600℃に１
分間加熱する。 実施例 ２ 実施例１で合成した過塩素酸イオンをドーパン
トとして含むポリ−３−メチルチエニレンフイル
ムを、１mmHgに保つたガラス封管に入れ、電気
炉で600℃，１分間加熱する。 比較例 １ 実施例１で合成し過塩素酸イオンをドーパント
として含むポリ−３−メチルチエニレンフイルム
を、G.B.Streetらの方法で電解還元により脱ドー
プする。 実施例１〜２，比較例１及び、脱ドープする前
のポリ−３−メチルチエニレンフイルム中の過塩
素酸イオン濃度を元素分析により測定し、また、
各々の試料の電気伝導度を測定した。その結果を
次表に示す。
分子の製造方法に関する。 従来例の構成とその問題点 π電子共役型高分子重合体から、不純物を除く
方法として、電解法が知られている〔G.B.
Street、et.al.，Mol.Cryst.Liq.Gryst.，83，2533
（1982）〕。 これは、ピロールを過塩素酸銀の存在下、アセ
トニトリル中で電解酸化重合して、白金電極上に
ポリピロールフイルムをつくり、引き続き別の容
器に、過塩素酸テトラブチルアンモニウム塩を含
んだアセトニトリル溶液を用意し、この容器にポ
リピロールフイルムを移しかえて、電解還元によ
り、不純物として取り込まれた過塩素酸イオンを
除くという方法である。 しかしながら、この方法は湿式である点、脱ド
ープのコントロールが難しい点、電極が常に必要
な点等に問題を持つている。 発明の目的 本発明は、π電子共役型高分子重合体から乾式
で不純物を除く方法を提供することを目的とす
る。 発明の構成 本発明の高分子脱ドープ方法は、π電子共役型
高分子重合体を熱処理することにより、不純物を
除くことを特徴とするものである。高分子中の不
純物はπ電子共役型高分子とフアンデアワールス
による分子間結合，イオン結合、あるいは配位結
合で結びついている。そのため、これらの結合を
切るのに十分な熱エネルギーを加えることによつ
て、π電子共役型高分子重合体から不純物を除く
ことができる。 不純物としては、π電子共役型高分子重合体を
構成する化合物以外の化合物が考られる。その中
でも、π電子共役型高分子重合体の電気物性等に
影響を与えるものとして、メタノール，アセト
ン，ニトロベンゼン等の有機溶媒，五フツ化ヒ
素，三フツ化ホウ素，SO3等のルイス酸，塩素，
臭素，ヨウ素等のハロゲン，パーハロゲネートイ
オン，パーハロゲノボレートイオン，サルフエー
トイオン等のイオン，リチウム，ナトリウム，カ
リウム等の金属があげられる。本発明の脱ドープ
方法はこれらの不純物を除くのに有効である。 本発明の熱処理は、不活性雰囲気中で行なうと
とくによい。不活性雰囲気としては、窒素ガス，
ヘリウムガス，ネオンガス，アルゴンガス等の不
活性ガスを含む雰囲気か、あるいは10mmHg以下
の減圧下が良い。 熱処理温度は、熱処理時間と深い関係があり、
例えば、400℃なら20分、600℃なら１分、800℃
なら30秒程度である。熱処理温度が低いほど、熱
処理時間を長くする必要がある。熱処理温度とし
ては、100〜1000℃が有効である。 実施例の説明 実施例 １ 電解重合により、過塩素酸イオンをドーパント
として含むポリ−３−メチルチエニレンフイルム
を合成する（S.Hotta et al.Synthetic Metals，
６（1983）69）。このフイルムを窒素ガスで充満し
たガラス封管に入れ、封管を電気炉で600℃に１
分間加熱する。 実施例 ２ 実施例１で合成した過塩素酸イオンをドーパン
トとして含むポリ−３−メチルチエニレンフイル
ムを、１mmHgに保つたガラス封管に入れ、電気
炉で600℃，１分間加熱する。 比較例 １ 実施例１で合成し過塩素酸イオンをドーパント
として含むポリ−３−メチルチエニレンフイルム
を、G.B.Streetらの方法で電解還元により脱ドー
プする。 実施例１〜２，比較例１及び、脱ドープする前
のポリ−３−メチルチエニレンフイルム中の過塩
素酸イオン濃度を元素分析により測定し、また、
各々の試料の電気伝導度を測定した。その結果を
次表に示す。
【表】
表に示すように、電解還元法では、不純物イオ
ンが１モル％含んだπ電子共役型高分子重合体フ
イルムしか得られず、その電気伝導度は10-8Scm
-1と絶縁体領域にならない。これに対して、熱処
理したπ電子共役型高分子重合体フイルムは、不
純物イオン濃度が、窒素中処理、１mmHg中処理
で、それぞれ0.27モル％，0.1モル％になり、電
気伝導度も10-12Scm-1と、絶縁体領域に下げるこ
とができた。 実施例では、電解重合により合成したπ電子共
役型高分子重合体についてのみ説明したが、有機
合成によるπ電子共役型高分子重合体でも本発明
の方法で同様に脱ドープできる。 従来法では、試料が電極と接触する必要があつ
たが、本発明の方法ではその制限がなく、任意の
状態で脱ドープできる。また、乾式であるから、
きわめて操作性が良い等の利点がある。 熱処理の熱源は、実施例では、電気炉を用いて
説明したが、試料を加熱できる熱源であればこれ
に限らない。レーザービームや電子線ビーム等を
不純物を含んだπ電子共役型高分子重合体フイル
ムに選択的に当てることにより、π電子共役型高
分子重合体フイルムにドープ，非ドープの部分を
つくり、電気伝導度や光の透過性などの物性の違
いを利用した記録方法等も本発明により、容易に
実施できる。 発明の効果 以上のように、本発明によれば、π電子共役型
高分子重合体から、乾式で、不純物を除くことが
でき、脱ドープの程度を制御できるのでπ電子共
役型高分子の重合体の物性をもコントロールでき
る。
ンが１モル％含んだπ電子共役型高分子重合体フ
イルムしか得られず、その電気伝導度は10-8Scm
-1と絶縁体領域にならない。これに対して、熱処
理したπ電子共役型高分子重合体フイルムは、不
純物イオン濃度が、窒素中処理、１mmHg中処理
で、それぞれ0.27モル％，0.1モル％になり、電
気伝導度も10-12Scm-1と、絶縁体領域に下げるこ
とができた。 実施例では、電解重合により合成したπ電子共
役型高分子重合体についてのみ説明したが、有機
合成によるπ電子共役型高分子重合体でも本発明
の方法で同様に脱ドープできる。 従来法では、試料が電極と接触する必要があつ
たが、本発明の方法ではその制限がなく、任意の
状態で脱ドープできる。また、乾式であるから、
きわめて操作性が良い等の利点がある。 熱処理の熱源は、実施例では、電気炉を用いて
説明したが、試料を加熱できる熱源であればこれ
に限らない。レーザービームや電子線ビーム等を
不純物を含んだπ電子共役型高分子重合体フイル
ムに選択的に当てることにより、π電子共役型高
分子重合体フイルムにドープ，非ドープの部分を
つくり、電気伝導度や光の透過性などの物性の違
いを利用した記録方法等も本発明により、容易に
実施できる。 発明の効果 以上のように、本発明によれば、π電子共役型
高分子重合体から、乾式で、不純物を除くことが
でき、脱ドープの程度を制御できるのでπ電子共
役型高分子の重合体の物性をもコントロールでき
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 不純物を含むπ電子共役型高分子重合体を熱
処理することにより、不純物を除くことを特徴と
する高分子の脱ドープ方法。 ２ 不純物が、有機溶媒，ルイス酸，ハロゲン，
イオン，金属の少なくとも１つである特許請求の
範囲第１項記載の高分子の脱ドープ方法。 ３ 熱処理を不活性雰囲気中で行なう特許請求の
範囲第１項記載の高分子の脱ドープ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59028934A JPS60173014A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 高分子の脱ド−プ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59028934A JPS60173014A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 高分子の脱ド−プ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173014A JPS60173014A (ja) | 1985-09-06 |
| JPH0344565B2 true JPH0344565B2 (ja) | 1991-07-08 |
Family
ID=12262225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59028934A Granted JPS60173014A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 高分子の脱ド−プ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173014A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310621A (ja) * | 1986-03-12 | 1988-01-18 | Katsumi Yoshino | 高導電性物質の製造方法 |
| JP2502795B2 (ja) * | 1990-07-31 | 1996-05-29 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551324A (en) * | 1978-06-15 | 1980-01-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Production of aromatic polyamide fiber |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP59028934A patent/JPS60173014A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60173014A (ja) | 1985-09-06 |
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