JPH0536440B2 - - Google Patents
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- JPH0536440B2 JPH0536440B2 JP16858787A JP16858787A JPH0536440B2 JP H0536440 B2 JPH0536440 B2 JP H0536440B2 JP 16858787 A JP16858787 A JP 16858787A JP 16858787 A JP16858787 A JP 16858787A JP H0536440 B2 JPH0536440 B2 JP H0536440B2
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Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアルカル土類金属の１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
からなり、化学堆積法などで用いられる薄膜形成
用素材に関する。
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
からなり、化学堆積法などで用いられる薄膜形成
用素材に関する。
アルカル土類金属の１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体の報告は
まだかつてされた例がない。
ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体の報告は
まだかつてされた例がない。
本発明者は、鋭意研究を行つた結果、アルカリ
土類金属の１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロペンタンジオナート錯体が薄膜形成用素材と
して有用であることを見い出し本発明を完成し
た。
土類金属の１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロペンタンジオナート錯体が薄膜形成用素材と
して有用であることを見い出し本発明を完成し
た。
すなわち、本発明の要旨は紫外線吸収測定装置
により測定された吸収波長が240nｍ〜350nｍで
あるアルカリ土類金属の１，１，１，５，５，５
−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体からな
る薄膜形成用素材に存する。
により測定された吸収波長が240nｍ〜350nｍで
あるアルカリ土類金属の１，１，１，５，５，５
−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体からな
る薄膜形成用素材に存する。
以下本発明について更に詳しく説明する。
本発明に係る薄膜形成用素材は、アルカリ土類
金属の１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
ペンタンジオナート錯体からなるもので、これに
より気相化学堆積法のような錯体の蒸気を利用し
た薄膜形成を可能ならしめたものである。
金属の１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
ペンタンジオナート錯体からなるもので、これに
より気相化学堆積法のような錯体の蒸気を利用し
た薄膜形成を可能ならしめたものである。
ここで、アルカリ土類金属の１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
としては１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオ
ロ−２，４−ペンタンジオナートバリウム錯体又
は１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−
２，４−ペンタンジオナートストロンチウム錯体
がある。
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
としては１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオ
ロ−２，４−ペンタンジオナートバリウム錯体又
は１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−
２，４−ペンタンジオナートストロンチウム錯体
がある。
また、アルカリ土類金属の１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
としては紫外線吸収測定装置で測定した吸収波長
が240nｍ〜350nｍである。
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
としては紫外線吸収測定装置で測定した吸収波長
が240nｍ〜350nｍである。
更に、アルカリ土類金属の１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
としては蒸気圧が100℃で40〜200mmHg、好まし
くは80〜160mmHgのものを用いることが好まし
い。
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
としては蒸気圧が100℃で40〜200mmHg、好まし
くは80〜160mmHgのものを用いることが好まし
い。
また、アルカリ土類金属の１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
は、不純物を少なくするため昇華精製したものを
用いることが好ましい。
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
は、不純物を少なくするため昇華精製したものを
用いることが好ましい。
本発明のアルカリ土類金属の１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
の製造に関する報告はない。
５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体
の製造に関する報告はない。
本発明の薄膜形成用素材を使用して薄膜を形成
する場合、液相堆積法または気相堆積法がある
が、特に気相堆積法が好ましい。
する場合、液相堆積法または気相堆積法がある
が、特に気相堆積法が好ましい。
本発明の薄膜形成用素材を使用して薄膜を形成
する場合、加圧下または常圧下または減圧下のい
ずれも可能であるが、常圧下または減圧下が好ま
しい。
する場合、加圧下または常圧下または減圧下のい
ずれも可能であるが、常圧下または減圧下が好ま
しい。
本発明の薄膜形成用素材を使用して薄膜を形成
する場合、基板はアルミナ、窒化アルミニウム、
酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウ
ム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム
などがある。
する場合、基板はアルミナ、窒化アルミニウム、
酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウ
ム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム
などがある。
本発明の薄膜形成用素材を使用して薄膜を形成
する場合、基板の温度は400℃〜1000℃であるが、
600℃〜800℃が好ましい。
する場合、基板の温度は400℃〜1000℃であるが、
600℃〜800℃が好ましい。
本発明の薄膜形成用素材を使用して薄膜を形成
する場合、照射する紫外線の波長は190nｍ〜
350nｍである。
する場合、照射する紫外線の波長は190nｍ〜
350nｍである。
本発明の薄膜形成用素材を使用して薄膜を形成
する場合、同伴ガスは酸素、空気、ヘリウム、ア
ルゴン、窒素の１種または２種以上の混合ガスで
ある。
する場合、同伴ガスは酸素、空気、ヘリウム、ア
ルゴン、窒素の１種または２種以上の混合ガスで
ある。
次にアルカリ土類金属の１，１，１，５，５，
５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体の製
造の一例を示す。
５−ヘキサフルオロペンタンジオナート錯体の製
造の一例を示す。
製造例 １
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペン
タンジオナートバリウム錯体の製造 5.8ｇの塩化バリウム・２水物を溶解させた水
溶液15mlを室温で攪拌し、これに１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタン
ジオンを10.0ｇ加えて、12時間攪拌することによ
り、無色透明又は白色の固体が生成した。この無
色透明又は白色の固体を過し、さらにヘキサン
10mlで洗浄した。
タンジオナートバリウム錯体の製造 5.8ｇの塩化バリウム・２水物を溶解させた水
溶液15mlを室温で攪拌し、これに１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタン
ジオンを10.0ｇ加えて、12時間攪拌することによ
り、無色透明又は白色の固体が生成した。この無
色透明又は白色の固体を過し、さらにヘキサン
10mlで洗浄した。
さらに、90〜100℃で、130mmHgという減圧条
件下で昇華させることにより、本発明の１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナ
ートバリウム錯体を得た。
件下で昇華させることにより、本発明の１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナ
ートバリウム錯体を得た。
製造例 ２
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペン
タンジオナートストロンチウム錯体の製造 5.0ｇの硝酸ストロンチウム・無水物を溶解さ
せた水溶液20mlを室温で攪拌し、これに１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペン
タンジオンを10ｇ加えて12時間攪拌することによ
り、無色透明又は白色の固体が生成した。この無
色透明又は白色の固体を過し、さらにヘキサン
10mlで洗浄した。
タンジオナートストロンチウム錯体の製造 5.0ｇの硝酸ストロンチウム・無水物を溶解さ
せた水溶液20mlを室温で攪拌し、これに１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペン
タンジオンを10ｇ加えて12時間攪拌することによ
り、無色透明又は白色の固体が生成した。この無
色透明又は白色の固体を過し、さらにヘキサン
10mlで洗浄した。
さらに90〜100℃で、100mmHgという減圧条件
下で昇華させることにより、本発明の１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナ
ートストロンチウム錯体を得た。
下で昇華させることにより、本発明の１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナ
ートストロンチウム錯体を得た。
薄膜の組成分析は、Ｘ線光電子分光装置
（XPS）を用いて行つた。
（XPS）を用いて行つた。
薄膜の膜厚測定は電子顕微鏡を用いた。
次に実施例を示し、本発明の効果を具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
有機金属気相化学堆積法用の装置を用い、酸化
ケイ素の基板を高周波誘導加熱装置で800℃に熱
した後、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオ
ロペンタンジオナートバリウム錯体の入つた容器
を50℃に保ちながら酸素を20ml／minの一定速度
で流し容器より出たガスを基板のある反応室へ送
つた。基板上で１，１，１，５，５，５−ヘキサ
フルオロペンタンジオナートバリウム錯体が分解
し、酸化バリウムの薄膜が形成された。この膜厚
を測定すると2μｍであつた。
ケイ素の基板を高周波誘導加熱装置で800℃に熱
した後、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオ
ロペンタンジオナートバリウム錯体の入つた容器
を50℃に保ちながら酸素を20ml／minの一定速度
で流し容器より出たガスを基板のある反応室へ送
つた。基板上で１，１，１，５，５，５−ヘキサ
フルオロペンタンジオナートバリウム錯体が分解
し、酸化バリウムの薄膜が形成された。この膜厚
を測定すると2μｍであつた。
実施例 ２
有機金属気相化学堆積法の装置を用い酸化アル
ミニウムの基板を200℃に熱した後、重水素ラン
プを基板に照射しながら１，１，１，５，５，５
−ヘキサフルオロペンタンジオナートストロンチ
ウム錯体の入つた容器を50℃に保ちながら酸素を
20ml／minの一定速度で流し、容器より出たガス
を基板のある反応室へ送つた。基板上で１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナ
ートストロンチウム錯体が分解し、酸化ストロン
チウムの薄膜が形成された。この膜厚を測定する
と1μｍであつた。
ミニウムの基板を200℃に熱した後、重水素ラン
プを基板に照射しながら１，１，１，５，５，５
−ヘキサフルオロペンタンジオナートストロンチ
ウム錯体の入つた容器を50℃に保ちながら酸素を
20ml／minの一定速度で流し、容器より出たガス
を基板のある反応室へ送つた。基板上で１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタンジオナ
ートストロンチウム錯体が分解し、酸化ストロン
チウムの薄膜が形成された。この膜厚を測定する
と1μｍであつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 紫外線吸収測定装置により測定された吸収波
長が240nｍ〜350nｍであるアルカリ土類金属の
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタ
ンジオナート錯体からなる薄膜形成用素材。 ２ 該アルカリ土類金属がバリウムである特許請
求第１項記載の薄膜形成用素材。 ３ 該アルカリ土類金属がストロンチウムである
特許請求第１項記載の薄膜形成用素材。 ４ 該錯体の蒸気圧が100℃で40〜200mmHgであ
る特許請求第１項記載の薄膜形成用素材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16858787A JPS6416742A (en) | 1987-07-08 | 1987-07-08 | Thin film-forming material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16858787A JPS6416742A (en) | 1987-07-08 | 1987-07-08 | Thin film-forming material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6416742A JPS6416742A (en) | 1989-01-20 |
| JPH0536440B2 true JPH0536440B2 (ja) | 1993-05-31 |
Family
ID=15870822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16858787A Granted JPS6416742A (en) | 1987-07-08 | 1987-07-08 | Thin film-forming material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6416742A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2551860B2 (ja) * | 1990-09-25 | 1996-11-06 | 東ソー・アクゾ株式会社 | 薄膜形成用金属錯体 |
-
1987
- 1987-07-08 JP JP16858787A patent/JPS6416742A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6416742A (en) | 1989-01-20 |
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