JPH0547512B2 - - Google Patents
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- JPH0547512B2 JPH0547512B2 JP5388489A JP5388489A JPH0547512B2 JP H0547512 B2 JPH0547512 B2 JP H0547512B2 JP 5388489 A JP5388489 A JP 5388489A JP 5388489 A JP5388489 A JP 5388489A JP H0547512 B2 JPH0547512 B2 JP H0547512B2
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Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は歯科用材料あるいはガスタービン用材
料のような耐熱高強度材料などの製造に適用でき
る金属とセラミツクスとの接合方法に関する。
料のような耐熱高強度材料などの製造に適用でき
る金属とセラミツクスとの接合方法に関する。
[従来の技術]
近年セラミツクスのもつ美観や耐熱姓と金属の
もつ強度や加工性とを兼備した材料として金属と
セラミツクスとの複合材料が種々開発されてい
る。
もつ強度や加工性とを兼備した材料として金属と
セラミツクスとの複合材料が種々開発されてい
る。
例えば歯科補綴修復物は貴金属合金とセラミツ
クス(陶材)を接合させた審美性のある金属焼付
ポーセレンと称する材料が主流となつている。こ
の場合両者の接合は、貴金属材料をSn、Inある
いはFeなどの元素を微量添加した合金とし、セ
ラミツクス焼成時に微量添加元素が合金表面に析
出して形成した選択酸化物によつて、セラミツク
スと貴金属材料とを化学結合させる方法がとられ
ている。
クス(陶材)を接合させた審美性のある金属焼付
ポーセレンと称する材料が主流となつている。こ
の場合両者の接合は、貴金属材料をSn、Inある
いはFeなどの元素を微量添加した合金とし、セ
ラミツクス焼成時に微量添加元素が合金表面に析
出して形成した選択酸化物によつて、セラミツク
スと貴金属材料とを化学結合させる方法がとられ
ている。
しかし最近では経済性の点あるいはセラミツク
スの強度を補う必要性から、弾性係数の高いNi
−Cr系、Co−Cr系、Fe系等の卑金属合金が利用
されている。
スの強度を補う必要性から、弾性係数の高いNi
−Cr系、Co−Cr系、Fe系等の卑金属合金が利用
されている。
[発明が解決しようとする課題]
卑金属合金をセラミツクスとの複合材料に用い
た場合には、貴金属合金材料と同様の接合方法を
行うと、合金表面に析出する酸化物と合金並びに
セラミツクスとの密着性が悪いために、合金とセ
ラミツクスとが剥離し易く、良好な接合体が得ら
れない。
た場合には、貴金属合金材料と同様の接合方法を
行うと、合金表面に析出する酸化物と合金並びに
セラミツクスとの密着性が悪いために、合金とセ
ラミツクスとが剥離し易く、良好な接合体が得ら
れない。
[課題を解決するための手段]
本発明は上記問題点を解決するためのものであ
り、卑金属合金成形体の表面に合金とセラミツク
スとの双方に接合し易い金属層を形成することに
よつて良好な接合体を得るものである。
り、卑金属合金成形体の表面に合金とセラミツク
スとの双方に接合し易い金属層を形成することに
よつて良好な接合体を得るものである。
すなわち、本発明は卑金属合金成形体を予備加
熱処理して表面に金属チタンをスパツタリングに
より積層した後、これにセラミツクスを焼成接合
することを特徴とする金属とセラミツクスとの接
合方法である。
熱処理して表面に金属チタンをスパツタリングに
より積層した後、これにセラミツクスを焼成接合
することを特徴とする金属とセラミツクスとの接
合方法である。
卑金属合金としてはNi−10〜20%Cr系、Co−
Cr系、Fe系などの合金が用いられる。Fe系合金
の一例としてはFe33〜40%、Ni17〜20%、Cr17
〜20%、Co17〜20%、Mn1.3〜1.5%、Si0.4〜0.5
%、Mo6〜10%の組成のものが挙げられる。か
かる卑金属合金は例えばロストワツクス法により
成形し、ついで予備加熱処理をする。予備加熱処
理は鋳造応力の緩和、鋳造時の偏析除去、脱ガス
等を考慮した処理であるが、例えば900℃で5分
間行う。そしてスパツタリングにより形成する金
属チタンの膜厚は2000〜3000Åの範囲がよい。
Cr系、Fe系などの合金が用いられる。Fe系合金
の一例としてはFe33〜40%、Ni17〜20%、Cr17
〜20%、Co17〜20%、Mn1.3〜1.5%、Si0.4〜0.5
%、Mo6〜10%の組成のものが挙げられる。か
かる卑金属合金は例えばロストワツクス法により
成形し、ついで予備加熱処理をする。予備加熱処
理は鋳造応力の緩和、鋳造時の偏析除去、脱ガス
等を考慮した処理であるが、例えば900℃で5分
間行う。そしてスパツタリングにより形成する金
属チタンの膜厚は2000〜3000Åの範囲がよい。
この金属チタンスパツタ膜は酸化物層の形成が
極力押えられるような条件で形成させる。
極力押えられるような条件で形成させる。
ついでセラミツクス素材を該金属チタンスパツ
タ層に密着させて焼結する。使用するセラミツク
スは例えば歯科用の場合、SiO2、Al2O3、K2O、
ZrA2などを主成分とするフリツト磁器が挙げら
れる。その他耐熱性セラミツクス材料等が挙げら
れる。
タ層に密着させて焼結する。使用するセラミツク
スは例えば歯科用の場合、SiO2、Al2O3、K2O、
ZrA2などを主成分とするフリツト磁器が挙げら
れる。その他耐熱性セラミツクス材料等が挙げら
れる。
焼結は通常下塗と上塗の2段階で行う。下塗は
低真空で500〜780℃、3〜4分ついで大気中で
780〜800℃、1分程度行い、上塗は低真空で500
〜770℃、3〜4分、ついで大気中で770〜800℃
1分程度行う。
低真空で500〜780℃、3〜4分ついで大気中で
780〜800℃、1分程度行い、上塗は低真空で500
〜770℃、3〜4分、ついで大気中で770〜800℃
1分程度行う。
[作用]
卑金属合金成形体表面に積層した金属チタンス
パツタ層がセラミツクス層を密着させて焼成接合
する場合に、TiとCr、NiあるいはTiとCr、Fe、
CoさらにはNiと複合酸化物を形成して、合金層
とセラミツクスとの密着性を良くする。
パツタ層がセラミツクス層を密着させて焼成接合
する場合に、TiとCr、NiあるいはTiとCr、Fe、
CoさらにはNiと複合酸化物を形成して、合金層
とセラミツクスとの密着性を良くする。
[実施例]
実施例 1
Ni−20wt%Cr合金を用いロストワツクス法に
より歯科用材料を作製した。次にセラミツクスと
の接合面を細いエメリペーパーで均一に仕上げ、
アルコールにて脱脂および超音波洗浄後、900℃
で5分間加熱の予備加熱処理を施す。
より歯科用材料を作製した。次にセラミツクスと
の接合面を細いエメリペーパーで均一に仕上げ、
アルコールにて脱脂および超音波洗浄後、900℃
で5分間加熱の予備加熱処理を施す。
次に前処理後の合金材表面にスパツタリング装
置を用いて金属チタンを2000〜3000Åの膜厚にな
るようにスパツタする。その際金属チタンが酸化
物に変化することのないようにする。
置を用いて金属チタンを2000〜3000Åの膜厚にな
るようにスパツタする。その際金属チタンが酸化
物に変化することのないようにする。
上記の方法により形成した金属チタンスパツタ
層に、SiO2、Al2O3、K2O、ZrO2を主成分とする
歯科用セラミツクスを被覆して800℃にて焼成し
た。
層に、SiO2、Al2O3、K2O、ZrO2を主成分とする
歯科用セラミツクスを被覆して800℃にて焼成し
た。
第1図は金属チタンスパツタ層を形成したとき
の電子顕微鏡(日立製S−570型)写真と線分析
(KEVEX社製の分析器DELTAによる)結果を
示すものである。
の電子顕微鏡(日立製S−570型)写真と線分析
(KEVEX社製の分析器DELTAによる)結果を
示すものである。
第2図はセラミツクスを被覆して焼成したもの
の電子顕微鏡写真と線分析結果を示すもので、合
金とセラミツクスとが強固に接合している様子が
うかがわれ、点分析の結果からもTi、Crなどが
界面から数μmセラミツクス中に拡散しているこ
とが判る。
の電子顕微鏡写真と線分析結果を示すもので、合
金とセラミツクスとが強固に接合している様子が
うかがわれ、点分析の結果からもTi、Crなどが
界面から数μmセラミツクス中に拡散しているこ
とが判る。
上記の方法により第3図に示すような合金1と
セラミツクス2との接合試験片をつくり、引張試
験を行つたところ、接合強さは330〜590Kgf/cm2
の値を示し、かつ破断状況も界面で剥離せず、セ
ラミツクス部で破断して良好な接合体が得られ
た。
セラミツクス2との接合試験片をつくり、引張試
験を行つたところ、接合強さは330〜590Kgf/cm2
の値を示し、かつ破断状況も界面で剥離せず、セ
ラミツクス部で破断して良好な接合体が得られ
た。
実施例 2
Fe:33.5wt%、Ni:19.5wt%、Cr:19.5wt%、
Co:19.5wt%、Mo:6.0wt%、Mn1.5wt%、
Si:0.5wt%よりなるオーステナイト系合金を用
い、他は実施例1と同様にしてセラミツクスと接
合した。
Co:19.5wt%、Mo:6.0wt%、Mn1.5wt%、
Si:0.5wt%よりなるオーステナイト系合金を用
い、他は実施例1と同様にしてセラミツクスと接
合した。
第4図は合金表面に金属チタンスパツタ層を形
成したときの電子顕微鏡写真並びに線分析結果を
示すものである。第5図はセラミツクスと焼成結
合したものについてのもので合金とセラミツクス
とが強固に接合している様子がうかがわれ、線分
析結果ではTi、Cr、Feなどがセラミツクスに含
まれているSiなどと拡散層を形成している様子が
うかがわれる。
成したときの電子顕微鏡写真並びに線分析結果を
示すものである。第5図はセラミツクスと焼成結
合したものについてのもので合金とセラミツクス
とが強固に接合している様子がうかがわれ、線分
析結果ではTi、Cr、Feなどがセラミツクスに含
まれているSiなどと拡散層を形成している様子が
うかがわれる。
この条件のものについて実施例1と同様に引張
試験を行つたところ、120〜480Kgf/cm2の接合強
さで、破断強度も界面剥離せず、セラミツクス部
で破談した。
試験を行つたところ、120〜480Kgf/cm2の接合強
さで、破断強度も界面剥離せず、セラミツクス部
で破談した。
比較例 1
Ni−20wt%Cr合金を用いて実施例1と同様に
して歯科用材料をつくり、前処理を施した。次に
前処理後の合金材表面にスパツタリング装置を用
いて金属Ti層をスパツタリングにより形成した。
この金属Ti層を800℃で60分酸化処理し、この上
に実施例1と同様に歯科用セラミツクス層を形成
し、同様の試験をしたところ、第6図に見られる
ように合金と酸化物層間のところどころに間〓が
認められた。これを第3図の試験片により引張試
験を行つたところ、酸化物層間あるいは酸化物層
内で剥離がおこつた。
して歯科用材料をつくり、前処理を施した。次に
前処理後の合金材表面にスパツタリング装置を用
いて金属Ti層をスパツタリングにより形成した。
この金属Ti層を800℃で60分酸化処理し、この上
に実施例1と同様に歯科用セラミツクス層を形成
し、同様の試験をしたところ、第6図に見られる
ように合金と酸化物層間のところどころに間〓が
認められた。これを第3図の試験片により引張試
験を行つたところ、酸化物層間あるいは酸化物層
内で剥離がおこつた。
比較例 2
実施例2のオーステナイト系合金を用い、比較
例1と同様にしてセラミツクスと接合した。第7
図および第8図はその電子顕微鏡写真で、これを
引張試験に付したところ、酸化物層間あるいは酸
化物層内で剥離が起つた。
例1と同様にしてセラミツクスと接合した。第7
図および第8図はその電子顕微鏡写真で、これを
引張試験に付したところ、酸化物層間あるいは酸
化物層内で剥離が起つた。
[発明の効果]
本発明によれば卑金属合金形成体とセラミツク
スとの良好な接合体が容易に得られ、歯科用材料
あるいは耐熱高強度などの製造に有用である。
スとの良好な接合体が容易に得られ、歯科用材料
あるいは耐熱高強度などの製造に有用である。
第1図は実施例1における金属チタンスパツタ
層を形成したときの組織を示す電子顕微鏡写真、
第2図はセラミツクスを接合したときの金属組織
を示す電子顕微鏡写真、第3図は試験片の平面図
並びに側面図、第4図は実施例2の金属チタンス
パツタ層を形成したときの組織を示す電子顕微鏡
写真、第5図は同じくセラミツクスを接合したと
きの金属組織を示す電子顕微鏡写真、第6図は比
較例における酸化処理後の金属組織を示す電子顕
微鏡写真、第7、8図は比較例2における酸化処
理後の金属組織を示す電子顕微鏡写真をそれぞれ
示す。 1……合金、2……セラミツクス。
層を形成したときの組織を示す電子顕微鏡写真、
第2図はセラミツクスを接合したときの金属組織
を示す電子顕微鏡写真、第3図は試験片の平面図
並びに側面図、第4図は実施例2の金属チタンス
パツタ層を形成したときの組織を示す電子顕微鏡
写真、第5図は同じくセラミツクスを接合したと
きの金属組織を示す電子顕微鏡写真、第6図は比
較例における酸化処理後の金属組織を示す電子顕
微鏡写真、第7、8図は比較例2における酸化処
理後の金属組織を示す電子顕微鏡写真をそれぞれ
示す。 1……合金、2……セラミツクス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 卑金属合金成形体を予備加熱処理して、表面
に金属チタンをスパツタリングにより積層した
後、これにセラミツクスを焼成接合することを特
徴とする金属とセラミツクスとの接合方法。 2 卑金属合金がNi−Cr系、Co−Cr系、Fe系の
合金である請求項1記載の金属とセラミツクスと
の接合方法。 3 スパツタリングにより形成する金属チタンの
膜厚が2000〜3000Åである請求項1記載の金属と
セラミツクスとの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5388489A JPH02233567A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 金属とセラミックスとの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5388489A JPH02233567A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 金属とセラミックスとの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02233567A JPH02233567A (ja) | 1990-09-17 |
| JPH0547512B2 true JPH0547512B2 (ja) | 1993-07-16 |
Family
ID=12955166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5388489A Granted JPH02233567A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 金属とセラミックスとの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02233567A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5432568B2 (ja) * | 2009-04-08 | 2014-03-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 金属/セラミック接合体及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-08 JP JP5388489A patent/JPH02233567A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02233567A (ja) | 1990-09-17 |
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