JPH054813B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH054813B2 JPH054813B2 JP61281074A JP28107486A JPH054813B2 JP H054813 B2 JPH054813 B2 JP H054813B2 JP 61281074 A JP61281074 A JP 61281074A JP 28107486 A JP28107486 A JP 28107486A JP H054813 B2 JPH054813 B2 JP H054813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- semiconductor pellet
- package member
- bonding pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置のワイヤボンデイング方
法、特にワイヤボンデイングに方向性のある、い
わゆるウエツジボンデイングのワイヤボンデイン
グ方法に関する。
法、特にワイヤボンデイングに方向性のある、い
わゆるウエツジボンデイングのワイヤボンデイン
グ方法に関する。
（従来の技術）
従来、上記ボンデイング方法としては、例えば
特公昭61−20134号公報等が提案されている。
特公昭61−20134号公報等が提案されている。
これを第４図に基づいて説明すると、試料であ
る半導体ペレツト１とパツケージ部材３を回転さ
せて、半導体ペレツト１のボンデイングパツト２
とパツケージ部材３のボンデイングリード４との
間にウエツジツールを往復させてワイヤ５のボン
デイングを行うのであるが、この場合、ボンデイ
ングパツド２とボンデイングリード４とを結ぶル
ープ方向直線とウエツジツールの進行方向とを一
致させる必要がある。このため、半導体ペレツト
１の位置ずれとパツケージ部材３の位置ずれを含
んだ上記ループ方向直線がウエツジツールの進行
方向、即ちUSトランジユーサに振幅方向と一致
するように試料を回転させることでボンデイング
を可能ならしめている。このループ方向直線とウ
エツジツールの進行方向とのなす角度θNは、通常
パターン認識装置により半導体ペレツトの２ケ所
の位置を認識してΔx、Δyの基準座標（予め記憶
させた座標）からのずれ量を求め、Ｘ、Ｙ、θの
各方向のずれ量を算出し、この算出されたずれ量
により各ボンデイングパツド２とボンデイングリ
ード４の位置を算出するとともに、ボンデイング
のループ方向のＸ−Ｙ座標軸からの傾きにより求
められる。
る半導体ペレツト１とパツケージ部材３を回転さ
せて、半導体ペレツト１のボンデイングパツト２
とパツケージ部材３のボンデイングリード４との
間にウエツジツールを往復させてワイヤ５のボン
デイングを行うのであるが、この場合、ボンデイ
ングパツド２とボンデイングリード４とを結ぶル
ープ方向直線とウエツジツールの進行方向とを一
致させる必要がある。このため、半導体ペレツト
１の位置ずれとパツケージ部材３の位置ずれを含
んだ上記ループ方向直線がウエツジツールの進行
方向、即ちUSトランジユーサに振幅方向と一致
するように試料を回転させることでボンデイング
を可能ならしめている。このループ方向直線とウ
エツジツールの進行方向とのなす角度θNは、通常
パターン認識装置により半導体ペレツトの２ケ所
の位置を認識してΔx、Δyの基準座標（予め記憶
させた座標）からのずれ量を求め、Ｘ、Ｙ、θの
各方向のずれ量を算出し、この算出されたずれ量
により各ボンデイングパツド２とボンデイングリ
ード４の位置を算出するとともに、ボンデイング
のループ方向のＸ−Ｙ座標軸からの傾きにより求
められる。
次に、ボンデイングしようとするループ方向
を、試料を前記角度θNだけ回転させることによ
り、ウエツジツールの進行方向（Ｘ−Ｙ座標のＹ
軸に一致）に合せるとともに、回転したことによ
りＸ−Ｙ方向に移動する分を算出して、回転後の
ボンデイングパツド２上にウエツジツールを移動
させてボンデイングを行う。
を、試料を前記角度θNだけ回転させることによ
り、ウエツジツールの進行方向（Ｘ−Ｙ座標のＹ
軸に一致）に合せるとともに、回転したことによ
りＸ−Ｙ方向に移動する分を算出して、回転後の
ボンデイングパツド２上にウエツジツールを移動
させてボンデイングを行う。
そして、順次、回転とXY移動→ボンデイング
パツド２へのボンデイング→XY移動→ボンデイ
ングリード４へのボンデイング→回転とXY移動
→次のボンデイングパツド２へのボンデイング、
というように次々とボンデイングを行うものであ
つた。
パツド２へのボンデイング→XY移動→ボンデイ
ングリード４へのボンデイング→回転とXY移動
→次のボンデイングパツド２へのボンデイング、
というように次々とボンデイングを行うものであ
つた。
この場合、ボンデイング位置の精度から、一般
にボンデイングパツド２のピツチＢは150μｍ、
その幅Ｃは100μｍ程度必要で、200ピンのゲート
アレイで半導体ペレツト１の４辺にボンデイング
パツド２を並べると、半導体ペレツト１のサイズ
Ａは、 Ａ＝１／４×200（pin）×0.15（mm）＝7.5（mm） 程度の大きさであつた。
にボンデイングパツド２のピツチＢは150μｍ、
その幅Ｃは100μｍ程度必要で、200ピンのゲート
アレイで半導体ペレツト１の４辺にボンデイング
パツド２を並べると、半導体ペレツト１のサイズ
Ａは、 Ａ＝１／４×200（pin）×0.15（mm）＝7.5（mm） 程度の大きさであつた。
（発明が解決しようとする問題点）
近時、半導体製品の多ピン化により高密度でボ
ンデイングする必要性が増大し、ボンデイングパ
ツドのピツチを縮小しないと半導体ペレツトのサ
イズが必要以上に大きくなりコストが増大する。
また半導体ペレツトサイズの縮小によるコストダ
ウンを図る場合においても同様にボンデイングパ
ツド周辺のサイズにより制限を受ける。
ンデイングする必要性が増大し、ボンデイングパ
ツドのピツチを縮小しないと半導体ペレツトのサ
イズが必要以上に大きくなりコストが増大する。
また半導体ペレツトサイズの縮小によるコストダ
ウンを図る場合においても同様にボンデイングパ
ツド周辺のサイズにより制限を受ける。
このため、ボンデイングパツドピツチやボンデ
イングパツドサイズの縮小を実現するために大き
な障害となつているのは、ボンデイング位置の精
度で、目標とするボンデイング位置から回転方向
のずれ等により外れると、ボンデイングパツドあ
るいはボンデイングリードから接合部がはみ出
し、接合不良や配線のシヨート等が生じてしま
う。
イングパツドサイズの縮小を実現するために大き
な障害となつているのは、ボンデイング位置の精
度で、目標とするボンデイング位置から回転方向
のずれ等により外れると、ボンデイングパツドあ
るいはボンデイングリードから接合部がはみ出
し、接合不良や配線のシヨート等が生じてしま
う。
しかしながら、上記従来例においては、位置ず
れの要因として、パターン認識の誤差やＸ−Ｙテ
ーブルの精度等、一般のボンデイング装置と同様
の要因と、回転試料の位置決め精度や回転分解能
等のウエツジボンデイング装置特有の要因があ
り、試料の大型化により誤差が増大する。更に、
回転後のＸ−Ｙ座標を計算しなくてはならないた
め、計算誤差も加わつてしまうといつた問題点が
あつた。
れの要因として、パターン認識の誤差やＸ−Ｙテ
ーブルの精度等、一般のボンデイング装置と同様
の要因と、回転試料の位置決め精度や回転分解能
等のウエツジボンデイング装置特有の要因があ
り、試料の大型化により誤差が増大する。更に、
回転後のＸ−Ｙ座標を計算しなくてはならないた
め、計算誤差も加わつてしまうといつた問題点が
あつた。
本発明は上記問題点に鑑み、ウエツジボンデイ
ングにおけるボンデイング位置の精度を高め、ボ
ンデイング密度を上げて、より微細な半導体装置
を提供するとともに、半導体ペレツト及び半導体
装置の面積を縮小し、特に多ピンのLSIやゲート
アレイなどのコストの低減を目的としたものであ
る。
ングにおけるボンデイング位置の精度を高め、ボ
ンデイング密度を上げて、より微細な半導体装置
を提供するとともに、半導体ペレツト及び半導体
装置の面積を縮小し、特に多ピンのLSIやゲート
アレイなどのコストの低減を目的としたものであ
る。
（問題点を解決するための手段と作用）
本発明は上記ボンデイング位置の精度を高める
にあたり、大きな障害となつている回転方向の誤
差要因を排除するため、試料を回転させループ方
向をウエツジツール方向に略一致させた後に、位
置ずれの検出を行いボンデイングを実行するもの
であり、ループ方向を平行にそろえたボンデイン
グパツド及びボンデイングリードの配置として、
そろえたグループ毎に回転と回転後の位置ずれの
検出を行うようにすることもできる。
にあたり、大きな障害となつている回転方向の誤
差要因を排除するため、試料を回転させループ方
向をウエツジツール方向に略一致させた後に、位
置ずれの検出を行いボンデイングを実行するもの
であり、ループ方向を平行にそろえたボンデイン
グパツド及びボンデイングリードの配置として、
そろえたグループ毎に回転と回転後の位置ずれの
検出を行うようにすることもできる。
また、ループ方向を半導体ペレツトの一辺と平
行にそろえることにより、ワイヤの幅方向につい
てボンデイングパツドのサイズを更に縮小するよ
うにすることができ、ボンデイングパツドの形状
を、正方形からワイヤの幅方向を縮小した長方形
とすることができ、ボンデイングパツドのピツチ
の縮小を容易にすることができるものである。
行にそろえることにより、ワイヤの幅方向につい
てボンデイングパツドのサイズを更に縮小するよ
うにすることができ、ボンデイングパツドの形状
を、正方形からワイヤの幅方向を縮小した長方形
とすることができ、ボンデイングパツドのピツチ
の縮小を容易にすることができるものである。
（実施例）
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示し、
半導体ペレツト１の周囲にはボンデイングパツド
２が、パツケージ部材３にはボンデイングリード
４が夫々形成され、このボンデイングパツド２と
ボンデイングリード４とはボンデイングワイヤ５
で接続されているとともに、パツケージ封止部材
６により封止されている。
半導体ペレツト１の周囲にはボンデイングパツド
２が、パツケージ部材３にはボンデイングリード
４が夫々形成され、このボンデイングパツド２と
ボンデイングリード４とはボンデイングワイヤ５
で接続されているとともに、パツケージ封止部材
６により封止されている。
このワイヤ５の接合部は、超音波により上下方
向に潰れており、この潰れた形状はワイヤ５の長
さ方向と幅方向とで２対１程度となつており、ワ
イヤ５が26Φμｍを使用した時には、80μｍ対40μ
ｍ程度で、この形状に見合つた100μｍ対60μｍ
（幅Ｃ＝60μｍ）の長方形のボンデイングパツド
２の大きさとしている。また、ボンデイングパツ
ド２のピツチＢは80μｍとし、これにより200ピ
ンのゲートアレイで半導体ペレツト１の４辺のボ
ンデイングパツド２をならべたときの半導体ペレ
ツト１のサイズＡは、 Ａ＝１／４×200（pin）×0.08（mm）＝４（mm） としている。このように、従来のものと比較して
小形化を図ることができるのは以下のように、位
置精度が高いからである。
向に潰れており、この潰れた形状はワイヤ５の長
さ方向と幅方向とで２対１程度となつており、ワ
イヤ５が26Φμｍを使用した時には、80μｍ対40μ
ｍ程度で、この形状に見合つた100μｍ対60μｍ
（幅Ｃ＝60μｍ）の長方形のボンデイングパツド
２の大きさとしている。また、ボンデイングパツ
ド２のピツチＢは80μｍとし、これにより200ピ
ンのゲートアレイで半導体ペレツト１の４辺のボ
ンデイングパツド２をならべたときの半導体ペレ
ツト１のサイズＡは、 Ａ＝１／４×200（pin）×0.08（mm）＝４（mm） としている。このように、従来のものと比較して
小形化を図ることができるのは以下のように、位
置精度が高いからである。
即ち、半導体ペレツト１及びパツケージ部材３
の位置ずれと、その検出補正について、平面的な
模式図である第１図に基づいて説明する。
の位置ずれと、その検出補正について、平面的な
模式図である第１図に基づいて説明する。
通常、パツケージ部材３の位置L′は、メモリし
たボンデイング位置座標l1〜l4の中心xyからず
れを生じ、その中心Lはθ方向にθLの傾きがあ
る。また、半導体ペレツト１の位置P′は、同じく
メモリしたボンデイング位置座標p1〜p4の中心
ｘｙからずれを生じ、その中心pはθ方向にθpの
傾きがある。
たボンデイング位置座標l1〜l4の中心xyからず
れを生じ、その中心Lはθ方向にθLの傾きがあ
る。また、半導体ペレツト１の位置P′は、同じく
メモリしたボンデイング位置座標p1〜p4の中心
ｘｙからずれを生じ、その中心pはθ方向にθpの
傾きがある。
この両位置P′、L′にある試料１、５を回転させ
る中心Oxyは、上記ボンデイング座標p1〜p4、l1
〜l4の中心と略一致させるように、予め座標修正
Ｍを行う。なお、本実施例においては、この修正
に多小の誤差があつてもボンデイング位置のずれ
を生じないが、パターン認識のためのカメラ中心
（図示せず）とウエツジツールの中心の距離は、
ボンデイング位置のずれの原因となるため、正確
に合せてメモリしておく必要があることは従来と
同様である。
る中心Oxyは、上記ボンデイング座標p1〜p4、l1
〜l4の中心と略一致させるように、予め座標修正
Ｍを行う。なお、本実施例においては、この修正
に多小の誤差があつてもボンデイング位置のずれ
を生じないが、パターン認識のためのカメラ中心
（図示せず）とウエツジツールの中心の距離は、
ボンデイング位置のずれの原因となるため、正確
に合せてメモリしておく必要があることは従来と
同様である。
そして、半導体ペレツト１の位置P′の２ケ所と
パツケージ部材３の位置L′の２ケ所のパターン認
識を実行し、４ケ所のずれ量から、ボンデイング
パツド２の１のボンデイング位置p1′とボンデイ
ングリード４の１のボンデイング位置l1′のXY方
向の位置ずれΔxp、Δyp及びΔxL、ΔyLを計算し、
p3′とl3′とを結ぶ線分（ループ方向）が基準座標
軸Ｘ−Ｙとのなす角θ3を求める。
パツケージ部材３の位置L′の２ケ所のパターン認
識を実行し、４ケ所のずれ量から、ボンデイング
パツド２の１のボンデイング位置p1′とボンデイ
ングリード４の１のボンデイング位置l1′のXY方
向の位置ずれΔxp、Δyp及びΔxL、ΔyLを計算し、
p3′とl3′とを結ぶ線分（ループ方向）が基準座標
軸Ｘ−Ｙとのなす角θ3を求める。
次に、両試料の位置P′、L′を、上記角度θ3回転
させるとともに、このθ3回転させた時の、再度パ
ターン認識のための、メモリした位置座標から計
算するターゲツト予想位置に、カメラをＸ−Ｙ移
動させ、上記θ3回転後のターゲツトの２ケ所のパ
ターン認識を行う。このカメラ中心とウエツジツ
ール中心の距離にθ3回転後の位置ずれ量を加味し
て、ウエツジツールをボンデイングパツド２の１
のボンデイング位置P1′に移動させ、順次p1′と
l1′、p2′とl2′……p4′とl4′のワイヤボンデイング
を
行うが、その間θ回転は固定である。
させるとともに、このθ3回転させた時の、再度パ
ターン認識のための、メモリした位置座標から計
算するターゲツト予想位置に、カメラをＸ−Ｙ移
動させ、上記θ3回転後のターゲツトの２ケ所のパ
ターン認識を行う。このカメラ中心とウエツジツ
ール中心の距離にθ3回転後の位置ずれ量を加味し
て、ウエツジツールをボンデイングパツド２の１
のボンデイング位置P1′に移動させ、順次p1′と
l1′、p2′とl2′……p4′とl4′のワイヤボンデイング
を
行うが、その間θ回転は固定である。
図示のθ3とθ4は線分p3′〜p4′とl3′〜l4′が等し
く、
p3′〜l3′とp4′〜l4′が異なることから分るように一
致しないが、自動ダイボンデイング装置によるパ
ツケージ部材への半導体ペレツトボンデイング精
度が一定レベルにあり、ダイボンデイング誤差
（θp＋θL）が±2°程度に充分収まり、θ3とθ4との
誤
差が極微少角になつている。このため、ボンデイ
ングリード４の面積にある程度余裕がある本実施
例では、リード座標のずれを無視してウエツジツ
ールの方向にボンデイングしても実害がない。
く、
p3′〜l3′とp4′〜l4′が異なることから分るように一
致しないが、自動ダイボンデイング装置によるパ
ツケージ部材への半導体ペレツトボンデイング精
度が一定レベルにあり、ダイボンデイング誤差
（θp＋θL）が±2°程度に充分収まり、θ3とθ4との
誤
差が極微少角になつている。このため、ボンデイ
ングリード４の面積にある程度余裕がある本実施
例では、リード座標のずれを無視してウエツジツ
ールの方向にボンデイングしても実害がない。
なお、本実施例ではボンデイングリード４を２
段としているが、ボンデイングリードの面積に余
裕のない場合には、リード座標のずれを無視せ
ず、ウエツジツールの方向と異なるループ方向に
ワイヤを張る場合もあるが、微少角のため実害が
ない。
段としているが、ボンデイングリードの面積に余
裕のない場合には、リード座標のずれを無視せ
ず、ウエツジツールの方向と異なるループ方向に
ワイヤを張る場合もあるが、微少角のため実害が
ない。
本実施例では、試料１、３を４つのグループに
分け、これを90°ずつ回転させて、それぞれの回
転後のパターン認識とグループ内のボンデイング
を行つているが、逆方向となる反対側のループ方
向も平行であるから、４つのグループを２つのグ
ループに統合して、グループの半分はボンデイン
グパツドからボンデイングリードにボンデイング
し、反対側の半分はボンデイングリードからボン
デイングパツドにボンデイングすることにより、
パターン認識と試料回転の時間を半分に減らすよ
うにすることもできる。この場合、生産性の向上
を図ることができるとともに、試料の回転範囲が
90°＋αの小さな回転で済み、試料を加熱するた
めのヒータを試料に備える場合等に有利となる。
分け、これを90°ずつ回転させて、それぞれの回
転後のパターン認識とグループ内のボンデイング
を行つているが、逆方向となる反対側のループ方
向も平行であるから、４つのグループを２つのグ
ループに統合して、グループの半分はボンデイン
グパツドからボンデイングリードにボンデイング
し、反対側の半分はボンデイングリードからボン
デイングパツドにボンデイングすることにより、
パターン認識と試料回転の時間を半分に減らすよ
うにすることもできる。この場合、生産性の向上
を図ることができるとともに、試料の回転範囲が
90°＋αの小さな回転で済み、試料を加熱するた
めのヒータを試料に備える場合等に有利となる。
なお、パターン認識の回数は、機械的な位置決
め精度、パツケージ部材側製作精度等の良否によ
り増減させ、例えば半導体ペレツト側のみのパタ
ーン認識、あるいは半導体ペレツト側の各２ケ
所、ペレツト側の各１ケ所としても良い。
め精度、パツケージ部材側製作精度等の良否によ
り増減させ、例えば半導体ペレツト側のみのパタ
ーン認識、あるいは半導体ペレツト側の各２ケ
所、ペレツト側の各１ケ所としても良い。
また、本実施例では、ワイヤボンデイングによ
り接続しているが、リボンによるボンデイングパ
ツドとボンデイングリードとの接続、あるいはテ
ープによるボンデイングパツドの接続に応用する
こともできる。
り接続しているが、リボンによるボンデイングパ
ツドとボンデイングリードとの接続、あるいはテ
ープによるボンデイングパツドの接続に応用する
こともできる。
本発明は上記のような構成であるので、試料を
回転させることにより生ずる、回転機構のバツク
ラツシ、回転位置検出の誤差、回転中心を求めて
座標中心を修正する誤差、電気的位置決め誤差、
座標の回転した位置を求める計算誤差等の種々の
誤差を無くして、位置精度の高いボンデイングを
実現することができ、特に大形化し、回転半径の
大きな試料（半導体装置）に顕著にこの効果が現
れる。
回転させることにより生ずる、回転機構のバツク
ラツシ、回転位置検出の誤差、回転中心を求めて
座標中心を修正する誤差、電気的位置決め誤差、
座標の回転した位置を求める計算誤差等の種々の
誤差を無くして、位置精度の高いボンデイングを
実現することができ、特に大形化し、回転半径の
大きな試料（半導体装置）に顕著にこの効果が現
れる。
このように、位置精度を向上させることによ
り、半導体製品のボンデイングパツド周辺サイズ
の縮小を図ることができ、半導体ペレツトサイズ
の縮小によるコストダウンと、パツケージの小型
化を実現することができる。
り、半導体製品のボンデイングパツド周辺サイズ
の縮小を図ることができ、半導体ペレツトサイズ
の縮小によるコストダウンと、パツケージの小型
化を実現することができる。
なお、半導体ペレツトの一辺と平行に接続する
ことにより生ずる、ボンデイングパツドの幅方向
の縮小は、ネイルヘツドボンデイング（ボールボ
ンデイング）等にはない利点で、ウエツジボンデ
イングゆえの利点であるが、従来のように各ワイ
ヤ毎に回転させていたのでは、精度低下のためこ
の利点を生かすことができなかつたが、本発明に
よりこの利点を充分生かすことが可能であるとい
つた効果がある。
ことにより生ずる、ボンデイングパツドの幅方向
の縮小は、ネイルヘツドボンデイング（ボールボ
ンデイング）等にはない利点で、ウエツジボンデ
イングゆえの利点であるが、従来のように各ワイ
ヤ毎に回転させていたのでは、精度低下のためこ
の利点を生かすことができなかつたが、本発明に
よりこの利点を充分生かすことが可能であるとい
つた効果がある。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示し、
第１図は半導体ペレツトとパツケージ部材との位
置ずれの補正の状態を模式的に示す平面図、第２
図はボンデイング後の半導体装置を示す平面図、
第３図は同じく断面図、第４図は従来例を示す第
２図相当図である。 １……半導体ペレツト、２……ボンデイングパ
ツド、３……パツケージ部材、４……ボンデイン
グリード、５……ワイヤ。
第１図は半導体ペレツトとパツケージ部材との位
置ずれの補正の状態を模式的に示す平面図、第２
図はボンデイング後の半導体装置を示す平面図、
第３図は同じく断面図、第４図は従来例を示す第
２図相当図である。 １……半導体ペレツト、２……ボンデイングパ
ツド、３……パツケージ部材、４……ボンデイン
グリード、５……ワイヤ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パツケージ部材と半導体ペレツトを回転さ
せ、パツケージ部材と半導体ペレツトの接続位置
をボンデイング工具の方向に合わせワイヤでボン
デイングを行うワイヤボンデイング方法におい
て、ボンデイングしようとするループ方向と基準
座標軸とのなす角θを検出し、この第一情報によ
りパツケージ部材と半導体ペレツトをθ回転さ
せ、しかる後、再度少なくとも前記半導体ペレツ
トのＸ、Ｙ及びθ方向の位置を検出して、Ｘ、Ｙ
方向の位置情報を補正して第二情報となし、この
第二情報によりボンデイング工具を第１のボンデ
イング位置から第２のボンデイング位置まで移動
させてワイヤのボンデイングを行うことを特徴と
するワイヤボンデイング方法。 ２ パツケージ部材のボンデイングリードと半導
体ペレツトのボンデイングパツドを、ワイヤを接
続する方向が平行又は近似的に平行なグループに
グループ分けし、このグループ毎にθ方向の補正
回転を行つた後、各グループについての位置を検
出し、この位置情報により前記各グループのボン
デイングを行うことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のワイヤボンデイング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281074A JPS63133638A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281074A JPS63133638A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133638A JPS63133638A (ja) | 1988-06-06 |
| JPH054813B2 true JPH054813B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=17633956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61281074A Granted JPS63133638A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133638A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5176557B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-04-03 | 三菱電機株式会社 | 電極パターンおよびワイヤボンディング方法 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61281074A patent/JPS63133638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63133638A (ja) | 1988-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6868176B2 (en) | Image processing method and device | |
| US4759073A (en) | Bonding apparatus with means and method for automatic calibration using pattern recognition | |
| JP3137687B2 (ja) | ターゲットボンディング点自動教育方法 | |
| US6917699B2 (en) | Image processing method, an image processing device and a bonding apparatus | |
| US7330582B2 (en) | Bonding program | |
| TWI259563B (en) | Surface mount chip package | |
| US7931186B2 (en) | Method of teaching eyepoints for wire bonding and related semiconductor processing operations | |
| JPH054813B2 (ja) | ||
| JP3157751B2 (ja) | 半導体基板のダイシング方法 | |
| JP2630692B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH03129862A (ja) | ガラス封止型半導体装置 | |
| JPH02116145A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2592337B2 (ja) | テープボンディング方法 | |
| JP3128163B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH021369B2 (ja) | ||
| JPS6125258Y2 (ja) | ||
| JP2977953B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS6223112A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0141026B2 (ja) | ||
| JP3007458B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS6169142A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| US20050067678A1 (en) | Methods and apparatus for determining pad height for a wire-bonding operation in an integrated circuit | |
| JPH0447973B2 (ja) | ||
| JPH01296634A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH0563098B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |