JPH0554622B2 - - Google Patents
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- JPH0554622B2 JPH0554622B2 JP18102584A JP18102584A JPH0554622B2 JP H0554622 B2 JPH0554622 B2 JP H0554622B2 JP 18102584 A JP18102584 A JP 18102584A JP 18102584 A JP18102584 A JP 18102584A JP H0554622 B2 JPH0554622 B2 JP H0554622B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば半導体ペレツトの欠陥を検査
する外観検査装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a visual inspection apparatus for inspecting defects in semiconductor pellets, for example.
一般に集積回路の製造ラインでは、ウエハにマ
スクパターンを形成したのちダイシングして半導
体ペレツト毎に分割し、しかるのちボンデイング
等の後工程に供するようにしているが、この間の
工程は集積回路の品質を決める上で最も重要であ
り、傷や汚れ等の外観検査が不可欠である。この
ため従来では、例えばウエハにマスクパターンを
形成した状態で、顕微鏡による目視観察を行なつ
たり、ウエハのパターン形成面を撮像して隣接す
る各ペレツトのパターンを相互に比較することに
より欠陥の有無を検査している。しかるに半導体
ペレツトは、ウエハをダイシングして分割する際
に端部に割れや欠けを生じ易く、また各半導体ペ
レツトをトレーに収容する際にペレツトの表面に
汚れや潰れ、傷等が生じることがあるため、前記
ウエハの状態で欠陥無しと判定されたとしても半
導体ペレツトが良品であるとは必ずしも言えな
い。
Generally, on an integrated circuit production line, a mask pattern is formed on a wafer and then it is diced to separate it into semiconductor pellets, which are then subjected to post-processes such as bonding. This is the most important step in making a decision, and visual inspection for scratches, dirt, etc. is essential. For this reason, in the past, for example, a mask pattern was formed on a wafer and then visually observed using a microscope, or the pattern-formed surface of the wafer was imaged and the patterns of adjacent pellets were compared with each other to determine the presence or absence of defects. is being inspected. However, semiconductor pellets are prone to cracking or chipping at the edges when the wafer is divided by dicing, and when each semiconductor pellet is placed in a tray, the surface of the pellet may be contaminated, crushed, or scratched. Therefore, even if the wafer is determined to be defect-free, it cannot necessarily be said that the semiconductor pellet is a good product.
そこで最近では、半導体ペレツトの状態で欠陥
検査を行なうことが実施されている。しかしなが
ら、この半導体ペレツトの状態で検査を行なおう
とすると、ペレツトは各々分割された状態になつ
ているため、ウエハの検査で用いた隣接するパタ
ーンの撮像画像を相互に比較することにより検査
する手法は適用することができない。このため従
来では、検査者が顕微鏡による目視観察を行なう
ことにより検査している。しかるにこの様な目視
観察による検査は、検査能率および検査精度が低
いため、生産性の向上を図ることができなかつ
た。 Therefore, recently, defect inspection has been carried out in the state of semiconductor pellets. However, when attempting to inspect this semiconductor pellet, each pellet is in a divided state, so an inspection method that mutually compares captured images of adjacent patterns used in wafer inspection is required. cannot be applied. For this reason, conventionally, an inspector performs inspection by visual observation using a microscope. However, such inspection by visual observation has low inspection efficiency and inspection accuracy, and thus has not been able to improve productivity.
一方、半導体ペレツトを個々に撮像してその二
値化画像から欠陥を自動検出することも考えられ
ているが、従来ウエハの検査で用いられていた撮
像手段は被検査面に対し垂直上方から照明を行な
い、その反射像を垂直上方で撮像し、配線パター
ンを1本1本検査するものであつた。このため、
半導体ペレツトの端部等に発生する割れや欠け等
の欠陥については精度良く検出することができる
が、半導体ペレツトに多い汚れや潰れ等の表面欠
陥については高速度で安価に検出することができ
なかつた。 On the other hand, it is also being considered to image each semiconductor pellet individually and automatically detect defects from the binarized image, but the imaging means conventionally used for wafer inspection uses illumination from perpendicularly above the surface to be inspected. The reflected image was taken vertically upward, and each wiring pattern was inspected one by one. For this reason,
Defects such as cracks and chips that occur at the edges of semiconductor pellets can be detected with high accuracy, but surface defects such as dirt and crushing, which are common in semiconductor pellets, cannot be detected at high speed and at low cost. Ta.
本発明は、検査者に頼ることなく高能率に精度
良く欠陥の検出を行なうことができ、しかも如何
なる種類の欠陥であつても高精度にかつ構成簡易
にして検出することができる外観検査装置を提供
することを目的とする。
The present invention provides a visual inspection device that can detect defects with high efficiency and accuracy without relying on an inspector, and can detect any type of defects with high accuracy and with a simple configuration. The purpose is to provide.
本発明は、垂直落射照明を行う第1の照明手段
と、斜め上方から照明を行う第2の照明手段とを
設け、これら照明手段により被検査物に対しそれ
ぞれ照明を行い、かつこれら照明の駆動に応じて
被検査物を撮像して得られる撮像画像信号に対す
る二値化レベルを設定変更する。そして、第1の
照明手段による照明時の二値化パターン像から被
検査物の端部欠陥を検出し、第2の照明手段によ
る照明時の二値化パターン像から被検査物の表面
欠陥を検出する。
The present invention provides a first illumination means that performs vertical epi-illumination, and a second illumination means that performs illumination from diagonally above, illuminates the object to be inspected with each of these illumination means, and drives these illuminations. The setting of the binarization level for the captured image signal obtained by imaging the object to be inspected is changed according to the following. Then, edge defects of the object to be inspected are detected from a binary pattern image when illuminated by the first illumination means, and surface defects of the object to be inspected are detected from a binary pattern image when illuminated by the second illumination means. To detect.
第1図は、本発明の一実施例における外観検査
装置の構成を示すもので、1は基台、2はXYテ
ーブルを示している。このXYテーブル2は、ス
テツプモータ21,22により動作するもので、
テーブル上2aには被検査物としての半導体ペレ
ツト3がストツカ(図示せず)からコレツトによ
り取出されて載置される。一方、この半導体ペレ
ツト3の垂直上方には、支持軸51で支持された
状態で撮像装置5が配置されている。この撮像装
置5は、上記支持軸51に固定アーム52を昇降
自在に取着し、この固定アーム52に上記半導体
ペレツト3の被検査面を拡大する顕微鏡53およ
びこの顕微鏡53で拡大された画像を撮像する工
業用テレビジヨン(ITV)カメラ54を固定し
たものである。
FIG. 1 shows the configuration of a visual inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, where 1 indicates a base and 2 indicates an XY table. This XY table 2 is operated by step motors 21 and 22.
A semiconductor pellet 3 as an object to be inspected is taken out from a stocker (not shown) by a collector and placed on the table 2a. On the other hand, an imaging device 5 is disposed vertically above the semiconductor pellet 3 while being supported by a support shaft 51. This imaging device 5 has a fixed arm 52 attached to the support shaft 51 so as to be movable up and down, and a microscope 53 for enlarging the surface to be inspected of the semiconductor pellet 3 and an image enlarged by the microscope 53 on the fixed arm 52. An industrial television (ITV) camera 54 for imaging is fixed.
ところで、この撮像装置5には2つの相異なる
照明装置6,7が設けてある。このうち第1の照
明装置6は、第2図aに示す如く光源61の出力
光を半透鏡62で反射させることにより、前記
XYテーブル2に載置されている半導体ペレツト
3に対し垂直落射照明を行なうものである。一方
第2の照明装置7は、光源71と前記顕微鏡53
の先端部に固定された投光部72とからなり、光
源71の出力光を投光部72より第2図bに示す
如く半導体ペレツト3に対し斜め上方から照射
し、これにより半導体ペレツト3の被検査面を斜
め照明するものである。尚、この斜め照明の角度
は、半導体ペレツト3の表面に対し20度乃至30度
(150度乃至160度)が最適である。 By the way, this imaging device 5 is provided with two different illumination devices 6 and 7. Among these, the first illumination device 6 reflects the output light of the light source 61 with a semi-transparent mirror 62 as shown in FIG. 2a.
The semiconductor pellet 3 placed on the XY table 2 is vertically illuminated. On the other hand, the second illumination device 7 includes a light source 71 and the microscope 53.
The output light from the light source 71 is irradiated from the light projecting part 72 onto the semiconductor pellet 3 from diagonally above as shown in FIG. 2b. The surface to be inspected is illuminated obliquely. The angle of this oblique illumination is optimally 20 degrees to 30 degrees (150 degrees to 160 degrees) with respect to the surface of the semiconductor pellet 3.
さて、前記ITVカメラ54で得られた撮像画
像は、先ず二値化回路81で所定の二値化レベル
にしたがつて二値化されたのち撮像メモリ82に
一旦記憶され、しかるのち制御回路83に導入さ
れるようになつている。この制御回路83は、主
制御部としてのマイクロプロセツサを有するもの
で、第3図に示す如く撮像制御手段31、視野制
御手段32、位置制御手段33、端部欠陥検出手
段34、表面欠陥検査手段35および照明切換手
段36からなる各制御機能を備えている。撮像制
御手段31は、ITVカメラ54を駆動するとと
もに、二値化回路81に二値化レベルを設定しか
つ画像メモリ82の書き込みおよび読み出し各動
作を制御するものである。視野制御手段32は、
モータ駆動回路84を介して前記XYテーブル2
を駆動することにより、半導体ペレツト3に対す
るITVカメラ54の撮像視野を可変制御する。
位置検出手段33は、垂直落射照明により得られ
た画像から半導体ペレツト3の位置を検出するも
のである。また端部欠陥検出手段34は、前記垂
直落射照明のときに得られた二値化パターン像の
信号レベルを判定することにより割れや欠け等の
端部欠陥を検出する。また表面欠陥検出手段35
は、前記斜め照明を行なつた状態で得られる二値
化パターン像の信号レベルを判定することによ
り、半導体ペレツト3の汚れや潰れ、表面傷等の
表面欠陥を検出する。最後に照明切換手段36
は、前記第1の照明装置6の光源61および第2
の照明装置7の光源71を各別に駆動することに
より、半導体ペレツト3の被検査面に対し垂直落
射照明と斜め照明とを各々別々に行なうものであ
る。 Now, the captured image obtained by the ITV camera 54 is first binarized by the binarization circuit 81 according to a predetermined binarization level, and then temporarily stored in the image capture memory 82, and then the control circuit 83 It is beginning to be introduced in This control circuit 83 has a microprocessor as a main control section, and as shown in FIG. Each control function includes a means 35 and a lighting switching means 36. The imaging control means 31 drives the ITV camera 54, sets a binarization level in the binarization circuit 81, and controls writing and reading operations of the image memory 82. The visual field control means 32 is
The XY table 2 via the motor drive circuit 84
By driving the ITV camera 54, the imaging field of view of the semiconductor pellet 3 of the ITV camera 54 is variably controlled.
The position detecting means 33 detects the position of the semiconductor pellet 3 from an image obtained by vertical epi-illumination. Further, the edge defect detection means 34 detects edge defects such as cracks and chips by determining the signal level of the binarized pattern image obtained during the vertical epi-illumination. Also, surface defect detection means 35
By determining the signal level of the binary pattern image obtained under the oblique illumination, surface defects such as dirt, crushing, and surface scratches on the semiconductor pellet 3 are detected. Finally, the lighting switching means 36
is the light source 61 of the first lighting device 6 and the second
By driving the light sources 71 of the illumination device 7 separately, the surface to be inspected of the semiconductor pellet 3 is subjected to vertical epi-illumination and oblique illumination, respectively.
又、制御回路83は、照明切換手段36により
駆動する第1の照明装置6の光源又は第2の照明
装置7の光源71に応じて二値化回路81の二値
化レベルを設定変更する機能を有している。 The control circuit 83 also has a function of changing the setting of the binarization level of the binarization circuit 81 according to the light source of the first lighting device 6 or the light source 71 of the second lighting device 7 driven by the lighting switching means 36. have.
次に、以上のように構成された装置の動作を制
御回路8の制御手順に従つて説明する。第4図
a,bは、その制御手順を示すフローチヤートで
ある。 Next, the operation of the apparatus configured as described above will be explained according to the control procedure of the control circuit 8. FIGS. 4a and 4b are flowcharts showing the control procedure.
XYテーブル2上の所定の位置に半導体ペレツ
ト3をセツトし、この状態で検査開始スイツチ
(図示せず)を操作すると、制御回路83は先ず
ステツプ4aで第1の照明装置6の光源61に対
し駆動信号を発し、これにより半導体ペレツト3
に対して垂直落射照明を行なう。そしてこの状態
でステツプ4bによりITVカメラ54に駆動信
号を出力して撮像動作を開始させ、これにより得
られた撮像画像信号を二値化回路81で二値化さ
せたのち画像メモリ82に記憶させる。このとき
制御回路83は、半導体ペレツト3の位置検出用
としてそのボンデイングパツトを検出するため
に、二値化回路81に対し比較的高い二値化レベ
ルを設定する。この二値化レベルは、ボンデイン
グパツド部分の画像信号レベル(約0.8V)とボ
ンデイングパツドを除いた部分の画像信号レベル
(約0.4V)との中間値に設定される。第5図aは
その結果得られた二値化パターン像の一例を示す
もので、ボンデイングパツト部分3bのみが
“H”レベルとなつて検出される。そうして位置
検出用の二値化パターン像が得られると制御回路
83は、続いてステツプ4cで上記二値化パター
ン像からボンデイングパツド3bをパターン認識
により検出してその位置から半導体ペレツト3の
位置を検出する。そしてステツプ4dでモータ駆
動回路84を介してXYテーブル2を駆動して半
導体ペレツト3の位置を調整し、これにより撮像
視野の初期位置を設定する。 When the semiconductor pellet 3 is set at a predetermined position on the XY table 2 and an inspection start switch (not shown) is operated in this state, the control circuit 83 first controls the light source 61 of the first illumination device 6 in step 4a. A drive signal is emitted, which causes the semiconductor pellet 3 to
Perform vertical epi-illumination. In this state, in step 4b, a drive signal is output to the ITV camera 54 to start the imaging operation, and the obtained image signal is binarized by the binarization circuit 81 and then stored in the image memory 82. . At this time, the control circuit 83 sets a relatively high binarization level to the binarization circuit 81 in order to detect the bonding pad for detecting the position of the semiconductor pellet 3. This binarization level is set to an intermediate value between the image signal level of the bonding pad portion (approximately 0.8V) and the image signal level of the portion excluding the bonding pad (approximately 0.4V). FIG. 5a shows an example of the resulting binary pattern image, in which only the bonding pad portion 3b is detected as being at the "H" level. When the binary pattern image for position detection is obtained, the control circuit 83 then detects the bonding pad 3b from the binary pattern image by pattern recognition in step 4c, and detects the semiconductor pellet 3 from that position. Detect the position of. Then, in step 4d, the XY table 2 is driven via the motor drive circuit 84 to adjust the position of the semiconductor pellet 3, thereby setting the initial position of the imaging field of view.
さて、そうして撮像位置の位置決めを終了する
と制御回路83は、先ずステツプ4eでITVカ
メラ54を駆動して半導体ペレツト3の被検査面
を撮像させ、これにより得られた撮像画像信号を
二値化回路81で二値化させたのち画像メモリ8
2に記憶させる。ところで、このとき制御回路8
3は、二値化回路81に対し、ボンデイングパツ
ド部分を除いた部分を検出するために前記ボンデ
イングパツドの検出レベルよりも低い二値化レベ
ル、例えばボンデイングパツド部分を除いた部分
の画像信号レベル(0.4V)とストツカ4の画像
信号レベル(0.2V)の中間値に設定する。従つ
て、この二値化により画像メモリ82には例えば
第5図b,cに示す如くボンデイングパツド部分
を除いた部分3aが“H”レベルでXYテーブル
表面2aが“L”レベルとなる二値化パターン像
が記憶される。尚、第5図bは割れや欠け等の端
部欠陥が無い場合の二値化パターン像を、またc
は同欠陥が存在する場合の二値化パターン像の一
例を示している。そして制御回路83は、ステツ
プ4fで上記二値化パターン像におけるボンデイ
ングパツド部分を除いた部分3aの端部の信号レ
ベルを判定して端部欠陥の検出を行ない、続いて
ステツプ4gで端部欠陥の有無を判定する。尚、
この判定手段は、例えばITVカメラ54の出力
を走査線毎にデジタル化した信号から欠陥相当の
信号の有無を検出することにより行なう。そし
て、欠陥無しと判定した場合は、ステツプ4iで
前記XYテーブル2を駆動して半導体ペレツト3
に対するITVカメラ54の撮像視野で移動させ、
しかるのちステツプ4eに戻つて上記欠陥の検出
動作を繰返す。そして半導体ペレツト3の端部全
周に対し上記端部欠陥の検査を繰返し行ない、ス
テツプ4hで1ペレツトについての端部欠陥の検
査を終了したと判定すると、第4図bにステツプ
4jに移行する。一方これらの各端部欠陥の検査
中に、上記ステツプ4gで端部欠陥ありと判定す
ると、制御回路83はその時点でその半導体ペレ
ツトに対する検査を終了して第4図bのステツプ
4sに移行し、ここで上記半導体ペレツトの排除
指令を出力して次の半導体ペレツトに対する検査
に移行する。 After completing the positioning of the imaging position, the control circuit 83 first drives the ITV camera 54 in step 4e to take an image of the surface to be inspected of the semiconductor pellet 3, and converts the obtained image signal into a binary image signal. After being binarized by the conversion circuit 81, the image memory 8
2. By the way, at this time, the control circuit 8
3 is a signal to the binarization circuit 81 for detecting a portion excluding the bonding pad portion, at a binary conversion level lower than the detection level of the bonding pad, for example, an image of the portion excluding the bonding pad portion. Set to an intermediate value between the signal level (0.4V) and the stocker 4 image signal level (0.2V). Therefore, as a result of this binarization, the image memory 82 stores two images in which the portion 3a excluding the bonding pad portion is at the "H" level and the XY table surface 2a is at the "L" level, as shown in FIGS. 5b and 5c, for example. A value pattern image is stored. In addition, Fig. 5b shows the binarized pattern image when there are no edge defects such as cracks or chips, and Fig.
shows an example of a binarized pattern image when the same defect exists. Then, in step 4f, the control circuit 83 determines the signal level at the end of the portion 3a excluding the bonding pad portion in the binarized pattern image to detect an end defect, and then in step 4g, detects an end defect. Determine the presence or absence of defects. still,
This determination means is performed, for example, by detecting the presence or absence of a signal corresponding to a defect from a signal obtained by digitizing the output of the ITV camera 54 for each scanning line. If it is determined that there is no defect, the XY table 2 is driven to remove the semiconductor pellet 3 in step 4i.
The ITV camera 54 is moved in the imaging field of view,
Thereafter, the process returns to step 4e and the defect detection operation described above is repeated. Then, the inspection for edge defects is repeatedly performed on the entire circumference of the edge of the semiconductor pellet 3, and when it is determined in step 4h that the inspection for edge defects for one pellet has been completed, the process moves to step 4j as shown in FIG. 4b. . On the other hand, during the inspection for these end defects, if it is determined in step 4g that there is an end defect, the control circuit 83 ends the inspection of the semiconductor pellet at that point and proceeds to step 4s in FIG. 4b. At this point, a command to remove the semiconductor pellet is output, and the next semiconductor pellet is inspected.
さて、上記端部欠陥の検査を終了してステツプ
4jに移行すると制御回路83は、次にそれまで
駆動状態としていた第1の照明装置6の動作を停
止させ、それに代わつて第2の照明装置7の光源
71に駆動信号を出力して第2の照明装置7によ
る斜め照明を開始させる。つまり半導体ペレツト
3に対する照明の形態を切換える。そしてこの状
態で、先ずステツプ4kにより前記垂直落射照明
の時にステツプ4cで検出した半導体ペレツト3
の位置に応じて撮像視野の初期位置を設定し、し
かるのちステツプ4lでITVカメラ54を駆動
して半導体ペレツト3の被検査面を撮像させ、こ
れにより得られた撮像画像信号を二値化回路81
で所定の二値化レベルに従つて二値化させたのち
画像メモリ82に記憶させる。このとき、上記二
値化レベルは、ボンデイングパツド部分を除いた
部分3aの画像信号レベルと表面欠陥の画像信号
レベルとの中間値に設定されるため、表面欠陥が
存在しなければ第6図aのように全域が“L”レ
ベルとなり、一方表面欠陥がある場合には例えば
第6図bに示す如く欠陥部分3cが“H”レベル
となつて現われる。これは、斜め照明を行なうこ
とにより、正常なボンデイングパツド部分を除い
た部分3aでは照明光が全反射してITVカメラ
54に導入されていないのに対し、表面欠陥部分
3cでは斜め上方からの照明光が乱反射して
ITVカメラ54に導かれるためである。 Now, when the end defect inspection described above is completed and the process moves to step 4j, the control circuit 83 then stops the operation of the first lighting device 6 that has been in the driving state until then, and switches the second lighting device in its place. A drive signal is output to the light source 71 of No. 7 to start oblique illumination by the second illumination device 7. In other words, the form of illumination for the semiconductor pellet 3 is switched. In this state, first, in step 4k, the semiconductor pellet 3 detected in step 4c during the vertical epi-illumination is detected.
The initial position of the imaging field of view is set according to the position of 81
After the image is binarized according to a predetermined binarization level, it is stored in the image memory 82. At this time, the binarization level is set to an intermediate value between the image signal level of the portion 3a excluding the bonding pad portion and the image signal level of the surface defect, so if there is no surface defect, as shown in FIG. As shown in FIG. 6a, the entire area becomes "L" level, while if there is a surface defect, the defective portion 3c appears as "H" level as shown in FIG. 6b, for example. This is because by performing oblique illumination, the illumination light is totally reflected in the part 3a excluding the normal bonding pad part and is not introduced into the ITV camera 54, whereas in the surface defect part 3c, the illumination light is reflected diagonally from above. Illumination light is diffusely reflected
This is because it is guided by the ITV camera 54.
そして制御回路83は、そうして得られた二値
化パターン像からステツプ4mで半導体ペレツト
3表面の汚れや潰れ等の表面欠陥を“H”レベル
の画素数を計数することにより検出し、しかるの
ちステツプ4nで表面欠陥の有無の判定を行な
う。そして欠陥無しと判定した場合は、前記端部
欠陥の検出時と同様にステツプ4pで撮像視野の
位置をXYテーブル2により移動させる毎に表面
欠陥の検査動作を繰返し、1ペレツトの全域につ
いての検査を終了したとステツプ4oで判定した
時点で、ステツプ4rに移行して欠陥が無いこと
を示す信号、つまり良品信号を出力し、しかるの
ち次の半導体ペレツト3があればこの半導体ペレ
ツト3に対する検査に移行する。一方、上記各表
面欠陥の検査動作中に、上記ステツプ4nで欠陥
ありと判定した場合は、その時点でステツプ4s
に移行してここで排除指令を出力し、次の半導体
ペレツト3に対する検査に移行する。 Then, the control circuit 83 detects surface defects such as stains and crushing on the surface of the semiconductor pellet 3 from the thus obtained binary pattern image by counting the number of "H" level pixels in step 4m. Thereafter, in step 4n, the presence or absence of surface defects is determined. If it is determined that there are no defects, the surface defect inspection operation is repeated every time the position of the imaging field of view is moved by the XY table 2 in step 4p in the same way as when detecting the edge defects, and the entire area of one pellet is inspected. When it is determined in step 4o that the process has been completed, the process moves to step 4r to output a signal indicating that there are no defects, that is, a non-defective product signal, and then, if there is a next semiconductor pellet 3, this semiconductor pellet 3 is inspected. Transition. On the other hand, if it is determined in step 4n that there is a defect during the inspection operation for each surface defect, step 4s is performed at that point.
Then, an exclusion command is output, and the next semiconductor pellet 3 is inspected.
このように本実施例であれば、各半導体ペレツ
ト3毎に欠陥を自動検査でき、しかも垂直落射照
明と斜め照明とをそれぞれ行なつてこれらの照明
毎に割れや欠け等の端部欠陥と汚れや潰れ等の表
面欠陥とを各別に検出するようにしたことによつ
て、複雑な画像処理を行なうことなく簡単かつ高
速にしかも精度良く全ての欠陥を検出することが
できる。従つて構成簡易にして生産性を向上させ
ることができる。 In this way, with this embodiment, it is possible to automatically inspect each semiconductor pellet 3 for defects, and by performing vertical epi-illumination and oblique illumination, each of these illuminations can detect edge defects such as cracks and chips, and dirt. By detecting surface defects such as cracks and cracks separately, all defects can be detected easily, quickly, and accurately without performing complicated image processing. Therefore, the configuration can be simplified and productivity can be improved.
尚、本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、上記実施例では先ず垂直落射照明
を行なつて端部欠陥の検出を行ない、次に斜め照
明に切換えて表面欠陥の検出を行なうようにした
が、この順序は逆に設定してもよい。但しこの場
合は、斜め照明を行なう前に一旦垂直落射照明を
行なつて半導体ペレツト3の位置を検出する必要
がある。また前記実施例では半導体ペレツトの欠
陥を検査する場合について説明したが、端部欠陥
および表面欠陥が生じる製造物であれば、どのよ
うなものであつても同様に適用することができ
る。その他、各照明装置の構成や制御手順、制御
内容、欠陥の検出手段、撮像手段の構成、視野の
制御手段の構成等についても、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施できる。 Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, vertical epi-illumination is first performed to detect edge defects, and then diagonal illumination is switched to detect surface defects, but this order may be reversed. . However, in this case, it is necessary to once perform vertical epi-illumination to detect the position of the semiconductor pellet 3 before performing oblique illumination. Further, in the above embodiments, the case where semiconductor pellets are inspected for defects has been described, but the present invention can be similarly applied to any product in which end defects and surface defects occur. In addition, the configuration, control procedure, control content, defect detection means, imaging means, visual field control means, etc. of each illumination device can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.
以上詳記したように本発明によれば、垂直落射
照明と斜め照明とを切換えて、被検査物の割れや
欠け等の端部欠陥と、汚れや潰れ等の表面欠陥と
のそれぞれ被検査物を撮像したときの画像信号レ
ベルが異なる各種欠陥を、高精度に確実に、かつ
構成簡易にして検出することができる外観検査装
置を提供できる。
As described in detail above, according to the present invention, vertical epi-illumination and oblique illumination are switched to detect edge defects such as cracks and chips on the inspected object and surface defects such as dirt and crushing, respectively. It is possible to provide an external appearance inspection device that can detect various defects with different image signal levels when imaging the image with high accuracy, reliably, and with a simple configuration.
図は本発明の一実施例における外観検査装置を
説明するためのもので、第1図は同装置の全体の
構成を示す図、第2図a,bはそれぞれ垂直落射
照明および斜め照明を行なう照明装置の構成を模
式的に示した図、第3図は制御回路の機能を示す
ブロツク図、第4図a,bは制御回路の制御手順
を示すフローチヤート、第5図a〜cおよび第6
図a,bはそれぞれ作用説明に用いるための二値
化パターン像を示す模式図である。
1……基台、2……XYテーブル、3……半導
体ペレツト、3a……ボンヤデイングパツド部分
を除いた部分、3b……ボンデイングパツト部
分、3c……表面欠陥部分、5……撮像装置、5
3……顕微鏡、54……ITVカメラ、6……第
1の照明装置、7……第2の照明装置、81……
二値化回路、82……画像メモリ、83……制御
回路、84……モータ駆動回路。
The figures are for explaining a visual inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig. 1 shows the overall configuration of the apparatus, and Fig. 2 a and b show vertical epi-illumination and oblique illumination, respectively. 3 is a block diagram showing the functions of the control circuit, FIGS. 4a and 4b are flowcharts showing the control procedure of the control circuit, and FIGS. 6
Figures a and b are schematic diagrams showing binarized pattern images for use in explaining the operation. 1... Base, 2... XY table, 3... Semiconductor pellet, 3a... Portion excluding bonding pad portion, 3b... Bonding pad portion, 3c... Surface defect portion, 5... Imaging device, 5
3...Microscope, 54...ITV camera, 6...First illumination device, 7...Second illumination device, 81...
Binarization circuit, 82... image memory, 83... control circuit, 84... motor drive circuit.
Claims (1)
の照明手段と、 前記被検査物に対し斜め上方から照明を行う第
2の照明手段と、 これらの照明手段により各別に照明された前記
被検査物の被検査面をその垂直上方で撮像する撮
像装置と、 設定可変な二値化レベルを有し、前記撮像装置
により得られる撮像画像信号を二値化する二値化
回路と、 この二値化回路により二値化処理された撮像画
像装置を二値化パターン像を記憶する画像メモリ
と、 前記第1の照明手段又は前記第2の照明手段の
いずれか一方の照明手段を各別に駆動する照明切
換手段と、 この照明切換手段により駆動する前記第1の照
明手段又は前記第2の照明手段に応じて前記二値
化回路の二値化レベルを設定変更する二値化変更
手段と、 前記第1の照明手段による照明時に前記画像メ
モリに記憶される二値化パターン像から前記被検
査物の端部欠陥を検出する手段と、 前記第2の照明手段による照明時に前記画像メ
モリに記憶される二値化パターン像から前記被検
査物の表面欠陥を検出する手段と、 を具備したことを特徴とする外観検査装置。 2 被検査物は半導体ペレツトである特許請求の
範囲第1項記載の外観検査装置。[Claims] 1. A first device that performs vertical epi-illumination on an object to be inspected.
a second illumination means for illuminating the object to be inspected from diagonally above; and an imaging device for capturing an image of the inspected surface of the object to be inspected, which is separately illuminated by these illumination means, vertically above the object to be inspected. a binarization circuit that has a variable setting binarization level and binarizes a captured image signal obtained by the imaging device; and a captured image device that has been binarized by the binarization circuit. an image memory that stores a binarized pattern image; an illumination switching means that separately drives either the first illumination means or the second illumination means; and the illumination switching means that is driven by the illumination switching means. binarization changing means for changing the setting of the binarization level of the binarization circuit according to the first illumination means or the second illumination means; and storage in the image memory during illumination by the first illumination means. means for detecting an edge defect of the object to be inspected from a binary pattern image that is displayed; An appearance inspection device comprising: a means for detecting defects; and a means for detecting defects. 2. The appearance inspection apparatus according to claim 1, wherein the object to be inspected is a semiconductor pellet.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18102584A JPS6157837A (en) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Inspecting device for outer appearance |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP18102584A JPS6157837A (en) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Inspecting device for outer appearance |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS6157837A JPS6157837A (en) | 1986-03-24 |
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Family
ID=16093445
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18102584A Granted JPS6157837A (en) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Inspecting device for outer appearance |
Country Status (1)
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Families Citing this family (8)
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-
1984
- 1984-08-30 JP JP18102584A patent/JPS6157837A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157837A (en) | 1986-03-24 |
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