JPH0564711B2 - - Google Patents
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- JPH0564711B2 JPH0564711B2 JP8289088A JP8289088A JPH0564711B2 JP H0564711 B2 JPH0564711 B2 JP H0564711B2 JP 8289088 A JP8289088 A JP 8289088A JP 8289088 A JP8289088 A JP 8289088A JP H0564711 B2 JPH0564711 B2 JP H0564711B2
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- Japan
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- thin film
- substrate
- vacuum
- silicon phthalocyanine
- polymer thin
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M sipc iv Chemical compound [OH-].[Si+4].CN(C)CCC[Si](C)(C)[O-].C=1C=CC=C(C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=N3)C=1C3=CC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 3
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- JHKWXZZEBNEOAE-UHFFFAOYSA-N dihydroxysilicon Chemical compound O[Si]O JHKWXZZEBNEOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコンフタロシアニンポリマー薄
膜の製法に関するものである。
膜の製法に関するものである。
従来の技術
従来よりシリコンフタロシアニンは一次元導電
体として注目され、フタロシアニナトシリコンジ
ハイドロオキサイドを真空条件下で加熱し脱水重
合することにより、一次元結晶構造を有するシリ
コンフタロシアニンポリマー粉末を形成する方法
が知られている（ジヤーナル オブ ザ アメリ
カン ケミカル ソサイエテイ；J.Am.Chem.
Soc.1983、105、1539〜1567）。
体として注目され、フタロシアニナトシリコンジ
ハイドロオキサイドを真空条件下で加熱し脱水重
合することにより、一次元結晶構造を有するシリ
コンフタロシアニンポリマー粉末を形成する方法
が知られている（ジヤーナル オブ ザ アメリ
カン ケミカル ソサイエテイ；J.Am.Chem.
Soc.1983、105、1539〜1567）。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、一次元導電体としてのシリコン
フタロシアニンの機能を引き出すためには、配向
性をもつた薄膜の形成が必要であり、ポリマー粉
末をバインダー等に分散させて薄膜化する等の従
来の方法では配向性を制御することができない。
フタロシアニンの機能を引き出すためには、配向
性をもつた薄膜の形成が必要であり、ポリマー粉
末をバインダー等に分散させて薄膜化する等の従
来の方法では配向性を制御することができない。
本発明は、以上のような従来の課題に鑑み、良
好な配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することを目的とする。
好な配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術
的な手段は、吸湿性を有する基板又は予め−OH
基を有する物質で表面処理された基板上にフタロ
シアニナトシリコンジクロライドを真空蒸着して
薄膜化し、更に真空中で熱処理するシリコンフタ
ロシアニンポリマー薄膜の製法にある。
的な手段は、吸湿性を有する基板又は予め−OH
基を有する物質で表面処理された基板上にフタロ
シアニナトシリコンジクロライドを真空蒸着して
薄膜化し、更に真空中で熱処理するシリコンフタ
ロシアニンポリマー薄膜の製法にある。
また本発明の他の技術的な手段としては、−
OH基を有する物質を真空蒸着により予め形成さ
れた基板上にフタロシアニナトシリコンジクロラ
イドを真空蒸着した後、真空中で熱処理するシリ
コンフタロシアニンポリマー薄膜の製法にある。
OH基を有する物質を真空蒸着により予め形成さ
れた基板上にフタロシアニナトシリコンジクロラ
イドを真空蒸着した後、真空中で熱処理するシリ
コンフタロシアニンポリマー薄膜の製法にある。
作 用
本発明は、吸湿性を有する基板、−OH基を有
する物質で予め表面処理された基板、又は−OH
基を有する物質を真空蒸着により予め形成された
基板上にフタロシアニナトシリコンジクロライド
を真空蒸着し、更に真空中で熱処理することによ
り、配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することができる。
する物質で予め表面処理された基板、又は−OH
基を有する物質を真空蒸着により予め形成された
基板上にフタロシアニナトシリコンジクロライド
を真空蒸着し、更に真空中で熱処理することによ
り、配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
フタロシアニナトシリコンジクロライドを石英
るつぼに入れ、10-5torr台の真空中で400℃に加
熱して真空蒸着することにより、KBr基板上に
膜厚約1μｍの薄膜を形成した。さらに真空条件
下で360℃、１時間加熱処理を行なつた。このよ
うにして得られた薄膜のIRスペクトルを図に示
す。IRスペクトルはシリコンフタロシアニンポ
リマー粉末のものと一致しており、この薄膜がシ
リコンフタロシアニンポリマー薄膜であることが
確認できた。またＸ線回折パターンからこの薄膜
は結晶配向性を有していることがわかつた。
るつぼに入れ、10-5torr台の真空中で400℃に加
熱して真空蒸着することにより、KBr基板上に
膜厚約1μｍの薄膜を形成した。さらに真空条件
下で360℃、１時間加熱処理を行なつた。このよ
うにして得られた薄膜のIRスペクトルを図に示
す。IRスペクトルはシリコンフタロシアニンポ
リマー粉末のものと一致しており、この薄膜がシ
リコンフタロシアニンポリマー薄膜であることが
確認できた。またＸ線回折パターンからこの薄膜
は結晶配向性を有していることがわかつた。
基板としては、上記KBrの他、吸湿性を有す
るものであれば良い。
るものであれば良い。
また予め−OH基を有する物質で表面処理され
た基板上に上記と同様の方法で薄膜を形成し、更
に加熱処理を行つた場合も前実施例と同様の効果
が得られた。
た基板上に上記と同様の方法で薄膜を形成し、更
に加熱処理を行つた場合も前実施例と同様の効果
が得られた。
更に−OH基を有する物質を予め真空蒸着によ
り形成した基板を用い、この基板上に前記実施例
と同様の条件でフタロシアニナトシリコンジクロ
ライドを真空蒸着し、さらに真空中で熱処理する
ことによつても同様の効果が得られた。
り形成した基板を用い、この基板上に前記実施例
と同様の条件でフタロシアニナトシリコンジクロ
ライドを真空蒸着し、さらに真空中で熱処理する
ことによつても同様の効果が得られた。
発明の効果
以上のように本発明は、吸湿性基板、−OH基
を有する物質で処理された基板、又は−OH基を
有する物質を真空蒸着により形成された基板上
に、フタロシアニナトシリコンジクロライドを真
空蒸着し、更に真空中で熱処理することにより良
好な配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することができ、その効果は大な
るものである。
を有する物質で処理された基板、又は−OH基を
有する物質を真空蒸着により形成された基板上
に、フタロシアニナトシリコンジクロライドを真
空蒸着し、更に真空中で熱処理することにより良
好な配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することができ、その効果は大な
るものである。
図は本発明の一実施例における、シリコンフタ
ロシアニンポリマー薄膜のIRスペクトル図であ
る。
ロシアニンポリマー薄膜のIRスペクトル図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にフタロシアニナトシリコンジクロラ
イドを真空蒸着した後、真空中で熱処理したこと
を特徴とするシリコンフタロシアニンポリマー薄
膜の製法。 ２ 基板が吸湿性を有することを特徴とする請求
項１記載のシリコンフタロシアニンポリマー薄膜
の製法。 ３ 吸湿性を有する基板がKBrであることを特
徴とする請求項１記載のシリコンフタロシアニン
ポリマー薄膜の製法。 ４ 基板が予め−OH基を有する物質で表面処理
されたことを特徴とする請求項１記載のシリコン
フタロシアニンポリマー薄膜の製法。 ５ 請求項１の基板上に−OH基を有する物質が
真空蒸着により予め形成されていることを特徴と
する請求項１記載のシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8289088A JPH01255660A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | シリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8289088A JPH01255660A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | シリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255660A JPH01255660A (ja) | 1989-10-12 |
| JPH0564711B2 true JPH0564711B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=13786868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8289088A Granted JPH01255660A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | シリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255660A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5544691B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2014-07-09 | 国立大学法人弘前大学 | 有機光触媒フィルムの製造方法 |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8289088A patent/JPH01255660A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01255660A (ja) | 1989-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |