JPH0564709B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0564709B2 JPH0564709B2 JP8288888A JP8288888A JPH0564709B2 JP H0564709 B2 JPH0564709 B2 JP H0564709B2 JP 8288888 A JP8288888 A JP 8288888A JP 8288888 A JP8288888 A JP 8288888A JP H0564709 B2 JPH0564709 B2 JP H0564709B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- dichloride
- silicon phthalocyanine
- vacuum
- producing
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 41
- JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M sipc iv Chemical compound [OH-].[Si+4].CN(C)CCC[Si](C)(C)[O-].C=1C=CC=C(C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=N3)C=1C3=CC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 22
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Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコンフタロシアニンポリマー薄
膜の製法に関するものである。
膜の製法に関するものである。
従来の技術
従来よりシリコンフタロシアニンは一次元導電
体として注目され、フタロシアニナトシリコンジ
ハイドロオキサイドを真空条件下で加熱し脱水重
合することにより、一次元結晶構造を有するシリ
コンフタロシアニンポリマー粉末を形成する方法
が知られている（ジヤーナル オブ ザ アメリ
カン ケミカル ソサイテイ；J.Am.Chem.
Soc.1983、105、1539〜1567）。
体として注目され、フタロシアニナトシリコンジ
ハイドロオキサイドを真空条件下で加熱し脱水重
合することにより、一次元結晶構造を有するシリ
コンフタロシアニンポリマー粉末を形成する方法
が知られている（ジヤーナル オブ ザ アメリ
カン ケミカル ソサイテイ；J.Am.Chem.
Soc.1983、105、1539〜1567）。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、一次元導電体としてのシリコン
フタロシアニンの機能を引き出すためには、配向
性をもつた薄膜の形成が必要であり、ポリマー粉
末をバインダー等に分散させて薄膜化する等の従
来の方法では配向性を制御することができない。
フタロシアニンの機能を引き出すためには、配向
性をもつた薄膜の形成が必要であり、ポリマー粉
末をバインダー等に分散させて薄膜化する等の従
来の方法では配向性を制御することができない。
本発明は、以上のような従来の課題に鑑み、良
好な配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することを目的とする。
好な配向性を有するシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜を形成することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術
的な手段は、フタロシアニナトシリコンジクロラ
イドを真空蒸着等により薄膜化し、大気中または
−OH基を含むガス雰囲気中で加熱処理するシリ
コンフタロシアニンポリマー薄膜の製法にある。
的な手段は、フタロシアニナトシリコンジクロラ
イドを真空蒸着等により薄膜化し、大気中または
−OH基を含むガス雰囲気中で加熱処理するシリ
コンフタロシアニンポリマー薄膜の製法にある。
また本発明の他の技術的な手段としては、−
OH基を含むガス雰囲気中でフタロシアニナトシ
リコンジクロライドを薄膜化するか、または−
OH基を有する物質とフタロシアニナトシリコン
ジクロライドとを同時に蒸着して薄膜化し、真空
中で加熱処理するシリコンフタロシアニンポリマ
ー薄膜の製法にある。
OH基を含むガス雰囲気中でフタロシアニナトシ
リコンジクロライドを薄膜化するか、または−
OH基を有する物質とフタロシアニナトシリコン
ジクロライドとを同時に蒸着して薄膜化し、真空
中で加熱処理するシリコンフタロシアニンポリマ
ー薄膜の製法にある。
更に本発明の他の技術的な手段としては、フタ
ロシアニナトシリコンジクロライドを蒸着後、−
OH基を有する物質を蒸着し、更に真空中で加熱
処理するシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の
製法にある。
ロシアニナトシリコンジクロライドを蒸着後、−
OH基を有する物質を蒸着し、更に真空中で加熱
処理するシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の
製法にある。
作 用
本発明は、フタロシアニナトシリコンジクロラ
イドを真空蒸着等により薄膜化し、この薄膜を大
気中または−OH基を含むガス雰囲気中で加熱処
理するか、若しくはこの薄膜上に−OH基を有す
る物質を蒸着後に真空中で加熱処理するか、又は
−OH基を含むガス雰囲気中でフタロシアニナト
シリコンジクロライドを薄膜化するか、若しくは
−OH基を有する物質とフタロシアニナトシリコ
ンジクロライドとを同時に蒸着して薄膜化し真空
中で加熱処理することにより、配向性を有するシ
リコンフタロシアニンポリマー薄膜を形成するこ
とができる。
イドを真空蒸着等により薄膜化し、この薄膜を大
気中または−OH基を含むガス雰囲気中で加熱処
理するか、若しくはこの薄膜上に−OH基を有す
る物質を蒸着後に真空中で加熱処理するか、又は
−OH基を含むガス雰囲気中でフタロシアニナト
シリコンジクロライドを薄膜化するか、若しくは
−OH基を有する物質とフタロシアニナトシリコ
ンジクロライドとを同時に蒸着して薄膜化し真空
中で加熱処理することにより、配向性を有するシ
リコンフタロシアニンポリマー薄膜を形成するこ
とができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
フタロシアニナトシリコンジクロライドを石英
るつぼに入れ、10-5torr台の真空中において400
℃に加熱して真空蒸着することにより、Ge基板
上に膜厚約4000Åの薄膜を形成した。さらに、こ
の薄膜をガラス管内に入れ、油回転ポンプにより
10-2〜10-3torrの真空に保ちながら電気炉中に入
れ、360℃で１時間加熱処理を行なつた。このよ
うにして得られた薄膜のIRスペクトルを第１図
に、Ｘ線回折パターンを第２図に示す。IRスペ
クトルは、シリコンフタロシアニンポリマー粉末
のものと一致しており、この薄膜がシリコンフタ
ロシアニンポリマー薄膜であることが確認でき
た。また、Ｘ線回折パターンからこの薄膜は結晶
配向性を有していることがわかつた。
るつぼに入れ、10-5torr台の真空中において400
℃に加熱して真空蒸着することにより、Ge基板
上に膜厚約4000Åの薄膜を形成した。さらに、こ
の薄膜をガラス管内に入れ、油回転ポンプにより
10-2〜10-3torrの真空に保ちながら電気炉中に入
れ、360℃で１時間加熱処理を行なつた。このよ
うにして得られた薄膜のIRスペクトルを第１図
に、Ｘ線回折パターンを第２図に示す。IRスペ
クトルは、シリコンフタロシアニンポリマー粉末
のものと一致しており、この薄膜がシリコンフタ
ロシアニンポリマー薄膜であることが確認でき
た。また、Ｘ線回折パターンからこの薄膜は結晶
配向性を有していることがわかつた。
薄膜の加熱処理の雰囲気としては、大気中のほ
か−OH基を含むガス雰囲気中でも同様の結果が
得られた。
か−OH基を含むガス雰囲気中でも同様の結果が
得られた。
また他の実施例として、−OH基を含むガス雰
囲気中でフタロシアニナトシリコンジクロライド
をGe基板上に形成し、さらに真空中で加熱処理
しても同様の結果が得られた。この場合−OH基
を有する物質とフタロシアニナトシリコンジクロ
ライドとを上記の同様にして真空蒸着して薄膜化
しそれを真空中で加熱しても良い。
囲気中でフタロシアニナトシリコンジクロライド
をGe基板上に形成し、さらに真空中で加熱処理
しても同様の結果が得られた。この場合−OH基
を有する物質とフタロシアニナトシリコンジクロ
ライドとを上記の同様にして真空蒸着して薄膜化
しそれを真空中で加熱しても良い。
更に他の実施例としては、上述のようにフタロ
シアニナトシリコンジクロライドを石英るつぼに
入れ、10-5torr台の真空中において真空蒸着して
Ge基板上に薄膜を形成し、さらにこの上に−OH
基を有する物質を蒸着した後、真空中で加熱処理
を行つても同様の結果が得られた。
シアニナトシリコンジクロライドを石英るつぼに
入れ、10-5torr台の真空中において真空蒸着して
Ge基板上に薄膜を形成し、さらにこの上に−OH
基を有する物質を蒸着した後、真空中で加熱処理
を行つても同様の結果が得られた。
発明の効果
以上のように本発明は、フタロシアニナトシリ
コンジクロライドを蒸着原料として用い、蒸着雰
囲気やその後の加熱処理条件を考慮することによ
り、よい配向性を有するシリコンフタロシアニン
ポリマー薄膜を形成することができ、その効果は
大なるものがある。
コンジクロライドを蒸着原料として用い、蒸着雰
囲気やその後の加熱処理条件を考慮することによ
り、よい配向性を有するシリコンフタロシアニン
ポリマー薄膜を形成することができ、その効果は
大なるものがある。
第１図は本発明の一実施例における、シリコン
フタロシアニンポリマー薄膜のIRスペクトル図、
第２図はシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の
Ｘ線回折パターンである。
フタロシアニンポリマー薄膜のIRスペクトル図、
第２図はシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の
Ｘ線回折パターンである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フタロシアニナトシリコンジクロライドを薄
膜化し、その薄膜を加熱処理することを特徴とす
るシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法。 ２ 真空蒸着によりフタロシアニナトシリコンジ
クロライドを薄膜することを特徴とする請求項１
記載のシリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製
法。 ３ 大気中で加熱処理することを特徴とする請求
項１記載のシリコンフタロシアニンポリマー薄膜
の製法。 ４ −OH基を含むガス雰囲気中で加熱処理する
ことを特徴とする請求項１記載のシリコンフタロ
シアニンポリマー薄膜の製法。 ５ −OH基を含むガス雰囲気中でフタロシアニ
ナトシリコンジクロライドを薄膜化し、真空中で
加熱処理することを特徴とする請求項１記載のシ
リコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法。 ６ 請求項１記載のフタロシアニナトシリコンジ
クロライドと、−OH基を有する物質とを同時に
蒸着して薄膜化し、真空中で加熱処理することを
特徴とするシリコンフタロシアニンポリマー薄膜
の製法。 ７ フタロシアニナトシリコンジクロライドを蒸
着により薄膜化した後、−OH基を有する物質を
蒸着し、更に真空中で加熱処理することを特徴と
する請求項１記載のシリコンフタロシアニンポリ
マー薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8288888A JPH01255658A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | シリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8288888A JPH01255658A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | シリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255658A JPH01255658A (ja) | 1989-10-12 |
| JPH0564709B2 true JPH0564709B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=13786810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8288888A Granted JPH01255658A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | シリコンフタロシアニンポリマー薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255658A (ja) |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8288888A patent/JPH01255658A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01255658A (ja) | 1989-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |