JPH0566772B2 - - Google Patents
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- JPH0566772B2 JPH0566772B2 JP3867284A JP3867284A JPH0566772B2 JP H0566772 B2 JPH0566772 B2 JP H0566772B2 JP 3867284 A JP3867284 A JP 3867284A JP 3867284 A JP3867284 A JP 3867284A JP H0566772 B2 JPH0566772 B2 JP H0566772B2
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は各々がnビツトからなる2組のデータ
が一致しているか否かを判別する回路に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a circuit that determines whether two sets of data, each consisting of n bits, match.
(従来技術)
第1図は8ビツトのデータ一致判定回路の論理
図であり、各々のデータの各ビツトごとに排他的
論理和をとり、さらにこれらの出力の論理和をと
ることにより、2組のデータが一致しているか否
かを表わす信号を出力する。この種の従来回路は
排他的論理和ゲート8個と8入力のORゲートと
の組合せや、排他的否定論理和ゲート8個と8入
力のNANDゲートの組合せで構成されていた。
電界効果トランジスタを用いた排他的否定論理和
ゲートとして第2図で示す回路が知られており、
このゲートを用いてデータ一致判定回路を構成す
れば第3図で示す回路となる。このように従来回
路では多入力のNANDゲートを必要とするため、
多入力ゲートの論理しきい値や駆動能力を一定に
保つたままデータ幅を増加しようとすると多入力
ゲート内の電界効果トランジスタに駆動能力の大
きなトランジスタが必要となり、金物量(LSI上
に占める面積など)が増加するという問題があつ
た。特にデータ幅を8ビツトから16ビツト、16ビ
ツトから32ビツトと増加させると、従来のデータ
一致判定回路では金物量が増加し、LSI化に適さ
ない。このため、金物量が少なくLSI化に適した
データ一致判定回路が望まれていた。(Prior art) Figure 1 is a logic diagram of an 8-bit data match determination circuit. A signal indicating whether or not the data match is output. Conventional circuits of this type were constructed of a combination of eight exclusive OR gates and an eight-input OR gate, or a combination of eight exclusive OR gates and an eight-input NAND gate.
The circuit shown in Figure 2 is known as an exclusive NOR gate using field effect transistors.
If a data match determination circuit is constructed using this gate, the circuit shown in FIG. 3 will be obtained. In this way, conventional circuits require multi-input NAND gates, so
If you try to increase the data width while keeping the logic threshold and drive capacity of a multi-input gate constant, a transistor with a large drive capacity will be required for the field effect transistor in the multi-input gate. There was a problem of an increase in the number of people (such as In particular, when the data width is increased from 8 bits to 16 bits or from 16 bits to 32 bits, the amount of hardware increases in the conventional data match determination circuit, making it unsuitable for LSI implementation. For this reason, there has been a desire for a data match determination circuit that requires less metal and is suitable for LSI implementation.
(発明の目的)
本発明はワイヤード接続可能で素子数が少ない
排他的論理和回路で構成されることを特徴とし、
その目的は、広いデータ幅を持つ2組のデータの
一致、不一致を判定する回路として金物量が小さ
くLSI化に適したデータ一致判定回路を提供する
ことにある。(Object of the invention) The present invention is characterized in that it is configured with an exclusive OR circuit that can be wired and has a small number of elements.
The purpose is to provide a data match determination circuit that has a small amount of hardware and is suitable for LSI implementation as a circuit for determining whether two sets of data having a wide data width match or do not match.
(発明の構成)
上記の目的を達成するため、本発明は第1電界
効果トランジスタのソース端子と第2電界効果ト
ランジスタのゲート端子を接続した第1の接続部
と第1電界効果トランジスタのゲート端子と第2
電界効果トランジスタのソース端子を接続した第
2の接続部の各々を2つの被判定データの入力端
子とする前記1対の電界効果トランジスタの各ド
レイン端子をダイオードのカソード端子へ接続し
て得られる単位回路をn個設け、前記n個のダイ
オードのアノード端子を負荷素子の一方の端子に
接続し、該負荷素子の他方の端子を電源に接続
し、前記n個のダイオードと前記負荷素子の接続
部を出力端子とすることを特徴とするデータ一致
判定回路を発明の要旨とするものである。(Structure of the Invention) In order to achieve the above object, the present invention provides a first connection portion connecting a source terminal of a first field effect transistor and a gate terminal of a second field effect transistor, and a gate terminal of the first field effect transistor. and second
A unit obtained by connecting each drain terminal of the pair of field effect transistors to a cathode terminal of a diode, in which each of the second connection parts connected to the source terminals of the field effect transistors is an input terminal for two data to be determined. n circuits are provided, the anode terminals of the n diodes are connected to one terminal of a load element, the other terminal of the load element is connected to a power supply, and a connection part between the n diodes and the load element is provided. The gist of the invention is a data match determination circuit characterized in that the output terminal is .
次に本発明の実施例を添付図面について説明す
る。なお実施例は一つの例示であつて、本発明の
精神を逸脱しない範囲で、種々の変更あるいは改
良を行いうることは云うまでもない。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the embodiments are merely illustrative, and it goes without saying that various changes and improvements can be made without departing from the spirit of the present invention.
第4図は本発明の実施例を示したものであり、
2組の2ビツトデータの一致、不一致を識別する
回路例である。図においてQ1〜Q6は電界効果
トランジスタ、1は負荷素子、2は出力端子、3
は電界効果トランジスタQ1.Q2,Q3の接続
点、4は電界効果トランジスタQ4,Q5,Q6
の接続点、5〜8はデータ入力端子、9は単位回
路である。本回路は単位回路9が2個と負荷素子
1で構成され、各単位回路9はデータ比較を行う
電界効果トランジスタQ2,Q3(あるいは電界
効果トランジスタQ5,Q6)とワイヤード接続
を可能にするために付加した電界効果トランジス
タQ1(あるいは電界効果トランジスタQ4)よ
り構成される。 FIG. 4 shows an embodiment of the present invention,
This is an example of a circuit that identifies whether two sets of 2-bit data match or do not match. In the figure, Q1 to Q6 are field effect transistors, 1 is a load element, 2 is an output terminal, and 3
is a field effect transistor Q1. Connection point of Q2 and Q3, 4 is field effect transistor Q4, Q5, Q6
, 5 to 8 are data input terminals, and 9 is a unit circuit. This circuit is composed of two unit circuits 9 and a load element 1, and each unit circuit 9 is connected to field effect transistors Q2 and Q3 (or field effect transistors Q5 and Q6) for data comparison in order to enable wired connection. It is composed of an additional field effect transistor Q1 (or field effect transistor Q4).
例えば単位回路9の1つの構成について説明す
ると、電界効果トランジスタQ2のソースを第1
の入力端子5とし、電界効果トランジスタQ3の
ソースを第2の入力端子6とし、前記の電界効果
トランジスタQ2,Q3のドレインを互に接続
し、この接続点3に電界効果トランジスタQ1の
ソースを接続し、この電界効果トランジスタQ1
のドレインを出力端子2に接続すると共に、電界
効果トランジスタQ2のゲートを入力端子6に接
続し、電界効果トランジスタQ3のゲートを入力
端子5に接続する。また電界効果トランジスタQ
1のゲートを出力端子2に接続して構成されてい
るものである。 For example, to explain one configuration of the unit circuit 9, the source of the field effect transistor Q2 is connected to the first
, the source of the field effect transistor Q3 is the second input terminal 6, the drains of the field effect transistors Q2 and Q3 are connected to each other, and the source of the field effect transistor Q1 is connected to this connection point 3. And this field effect transistor Q1
The drain of the field effect transistor Q2 is connected to the output terminal 2, the gate of the field effect transistor Q2 is connected to the input terminal 6, and the gate of the field effect transistor Q3 is connected to the input terminal 5. Also, field effect transistor Q
1 is connected to an output terminal 2.
次に動作について説明する。 Next, the operation will be explained.
D1,D0とD1′,D0′の2組のデータを比
較するため、データ入力端子5にD0、データ入
力端子6にD0′、データ入力端子7にD1、デ
ータ入力端子8にD1′を入力する。入力データ
D0,D0′がともにローレベルの時電界効果ト
ランジスタQ2,Q3はカツトオフ状態となる。
入力データD0,D0′がともにハイレベルの時、
接続点3はハイレベルまで上昇するが、出力端子
2がローレベルであつても、電界効果トランジス
タQ1のため接続点3から出力端子2には電流が
流れない。このため、出力端子2を介し他の入力
端子へ電流が流れ込むことによつて出力端子2の
電位が上昇する現象が生じない。また入力データ
D0,D0′のうち一方がハイレベルで他方がロ
ーレベルの場合、電界効果トランジスタQ2ある
いはQ3のいずれかがオン状態となる。例えば、
入力データD0がローレベルで入力データD0′
がハイレベルの場合、電界効果トランジスタQ2
がオン状態となり、接続点3の電位をローレベル
に下げるよう電界効果トランジスタQ2を介して
データ入力端子5へ電流が流れ、出力端子2の電
位をローレベルに下げる。電界効果トランジスタ
Q4,Q5,Q6で構成される単位回路9も同様
の動作を行う。したがつて、入力データD0とD
0′、入力データD1とD1′のうち少なくとも1
組が不一致の時、入力データがローレベルである
入力端子へ電流が流れ出力端子2はローレベルと
なる。一方、入力データD0とD0′、入力デー
タD1とD1′のすべての組が一致する時、出力
端子2はハイレベルとなる。 In order to compare two sets of data, D1, D0 and D1', D0', input D0 to data input terminal 5, D0' to data input terminal 6, D1 to data input terminal 7, and D1' to data input terminal 8. do. When input data D0, D0' are both at low level, field effect transistors Q2, Q3 are in a cut-off state.
When input data D0 and D0' are both high level,
Although the connection point 3 rises to a high level, even if the output terminal 2 is at a low level, no current flows from the connection point 3 to the output terminal 2 because of the field effect transistor Q1. Therefore, a phenomenon in which the potential of the output terminal 2 increases due to current flowing into other input terminals via the output terminal 2 does not occur. Further, when one of the input data D0 and D0' is at a high level and the other is at a low level, either field effect transistor Q2 or Q3 is turned on. for example,
When input data D0 is low level, input data D0'
is at a high level, the field effect transistor Q2
turns on, current flows through the field effect transistor Q2 to the data input terminal 5 to lower the potential at the connection point 3 to a low level, and lowers the potential at the output terminal 2 to a low level. The unit circuit 9 composed of field effect transistors Q4, Q5, and Q6 also operates in a similar manner. Therefore, input data D0 and D
0', at least one of the input data D1 and D1'
When the pairs do not match, a current flows to the input terminal whose input data is at a low level, and the output terminal 2 becomes at a low level. On the other hand, when all the sets of input data D0 and D0' and input data D1 and D1' match, the output terminal 2 becomes high level.
以上の説明は2ビツトデータのデータ一致判定
回路に対して行つたが、一般にnビツトデータの
データ一致判定回路は単位回路9をn個用いるこ
とによつて実現できる。第5図は本回路を8ビツ
トデータの一致判定回路に応用した例であり、バ
ツフア回路を付加しても29個の素子で構成でき、
配線も単純であり、少ない金物量で実現できる。
一方、従来のデータ一致判定回路第3図の場合に
は、33個の素子を必要とする、排他的否定論理和
ゲートと多入力ゲートの接続のために配線が複雑
となる、多入力ゲートの電界効果トランジスタに
駆動能力の大きなトランジスタを必要とするなど
の原因により、大きな金物量を必要とする。 Although the above explanation has been given to a data match determination circuit for 2-bit data, a data match determination circuit for n-bit data can generally be realized by using n unit circuits 9. Figure 5 shows an example in which this circuit is applied to an 8-bit data match judgment circuit, and even if a buffer circuit is added, it can be configured with 29 elements.
The wiring is also simple and can be realized with a small amount of hardware.
On the other hand, in the case of the conventional data match judgment circuit shown in Fig. 3, wiring is complicated due to the connection of the exclusive NOR gate and the multi-input gate, which requires 33 elements. A large amount of metal is required due to the fact that the field effect transistor requires a transistor with a large driving ability.
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば判定すべ
きデータ幅にかかわらず、3個の電界効果トラン
ジスタからなる単位回路9を付加することによつ
てnビツトデータの一致判定を行うことができ、
金物量の少ない簡単な回路構成でnビツトデータ
のデータ一致判定回路を実現できる。したがつ
て、nが大きな場合でも本データ一致判定回路は
少ない金物量で実現でき、高密度化を要求される
LSIの回路として適している効果を有するもので
ある。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, irrespective of the data width to be determined, by adding the unit circuit 9 consisting of three field effect transistors, it is possible to determine the coincidence of n-bit data. can be done,
A data match determination circuit for n-bit data can be realized with a simple circuit configuration that requires a small amount of metal materials. Therefore, even when n is large, this data matching judgment circuit can be implemented with a small amount of metal, and high density is required.
It has an effect that is suitable as an LSI circuit.
第1図はデータ一致判定回路の論理図、第2図
は排他的否定論理和ゲート、第3図は従来技術に
よるデータ一致判定回路、第4図は本発明による
データ一致判定回路、第5図は本発明を8ビツト
データの一致判定回路に応用した例である。
D0〜D7……入力データI、D0′〜D7′…
…入力データ、Q1〜Q6……電界効果トラン
ジスタ、1……負荷素子、2……出力端子、3…
…電界効果トランジスタQ1,Q2,Q3の接続
点、4……電界効果トランジスタQ4,Q5,Q
6の接続点、5〜8……データ入力端子、9……
単位回路。
FIG. 1 is a logic diagram of a data match determination circuit, FIG. 2 is an exclusive NOR gate, FIG. 3 is a data match determination circuit according to the prior art, FIG. 4 is a data match determination circuit according to the present invention, and FIG. 5 This is an example in which the present invention is applied to a match determination circuit for 8-bit data. D0-D7...Input data I, D0'-D7'...
...Input data, Q1-Q6...Field effect transistor, 1...Load element, 2...Output terminal, 3...
...Connection point of field effect transistors Q1, Q2, Q3, 4...Field effect transistors Q4, Q5, Q
6 connection points, 5 to 8...data input terminals, 9...
unit circuit.
Claims (1)
2電界電界効果トランジスタのゲート端子を接続
した第1の接続部と第1電界効果トランジスタの
ゲート端子と第2電界効果トランジスタのソース
端子を接続した第2の接続部の各々を2つの被判
定データの入力端子とする前記1対の電界効果ト
ランジスタの各ドレイン端子をダイオードのカソ
ード端子へ接続して得られる単位回路をn個設
け、前記n個のダイオードのアノード端子を負荷
素子の一方の端子に接続し、該負荷素子の他方の
端子を電源に接続し、前記n個のダイオードと前
記負荷素子の接続部を出力端子とすることを特徴
とするデータ一致判定回路。1 A first connection portion connecting the source terminal of the first field effect transistor and the gate terminal of the second field effect transistor; and a second connection portion connecting the gate terminal of the first field effect transistor and the source terminal of the second field effect transistor. n unit circuits are provided by connecting each drain terminal of the pair of field effect transistors to a cathode terminal of a diode, each of the connection portions of which are input terminals for the two data to be determined, and each of the n diodes data characterized in that an anode terminal of the load element is connected to one terminal of a load element, the other terminal of the load element is connected to a power source, and a connection portion between the n diodes and the load element is an output terminal. Matching judgment circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867284A JPS60183631A (en) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | Data coincidence discriminating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867284A JPS60183631A (en) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | Data coincidence discriminating circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60183631A JPS60183631A (en) | 1985-09-19 |
| JPH0566772B2 true JPH0566772B2 (en) | 1993-09-22 |
Family
ID=12531758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3867284A Granted JPS60183631A (en) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | Data coincidence discriminating circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60183631A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01188932A (en) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Sharp Corp | Coincidence detecting circuit |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP3867284A patent/JPS60183631A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60183631A (en) | 1985-09-19 |
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