JPH0568550B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0568550B2 JPH0568550B2 JP60082387A JP8238785A JPH0568550B2 JP H0568550 B2 JPH0568550 B2 JP H0568550B2 JP 60082387 A JP60082387 A JP 60082387A JP 8238785 A JP8238785 A JP 8238785A JP H0568550 B2 JPH0568550 B2 JP H0568550B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical
- solution
- copper plating
- circulation
- chemical copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1683—Control of electrolyte composition, e.g. measurement, adjustment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、析出金属自体がめつき反応の触媒と
して働く自己触媒反応によつて、金属銅を析出さ
せる無電解銅めつき（化学銅めつき）装置に係
り、特に光沢のある機械的性質の優れた良質の化
学銅めつきを安定して得るために好適な薬液補給
構造を有する化学銅めつき装置に関するものであ
る。
して働く自己触媒反応によつて、金属銅を析出さ
せる無電解銅めつき（化学銅めつき）装置に係
り、特に光沢のある機械的性質の優れた良質の化
学銅めつきを安定して得るために好適な薬液補給
構造を有する化学銅めつき装置に関するものであ
る。
印刷回路基板のスルーホール（Through
Hole）や導体配線パターン（Pattern）形成に化
学銅めつき法を用いる、いわゆるアデイテイブプ
ロセス（Additive Process）は、電子工業分野
において周知の方法として工業的に大規模に使用
されている。ここで用いられている化学銅めつき
液は、一般に２価銅イオン、銅イオンの錯化剤、
銅イオンの還元剤およびアルカリ金属の水酸化物
を必須成分として含んでいるものであり、めつき
反応で消費される成分を補給しながら化学銅めつ
きを行なうのが一般的な使用方法である。すなわ
ち、化学銅めつき液中の必須成分濃度を常に一定
値に管理することにより数μｍ以上の厚めつきを
施すものである。このめつき液中の必須成分の濃
度管理については従来から種々の方法が提案され
ており、その一例が特開昭54−143734ならびに特
開昭56−120943に開示されている。
Hole）や導体配線パターン（Pattern）形成に化
学銅めつき法を用いる、いわゆるアデイテイブプ
ロセス（Additive Process）は、電子工業分野
において周知の方法として工業的に大規模に使用
されている。ここで用いられている化学銅めつき
液は、一般に２価銅イオン、銅イオンの錯化剤、
銅イオンの還元剤およびアルカリ金属の水酸化物
を必須成分として含んでいるものであり、めつき
反応で消費される成分を補給しながら化学銅めつ
きを行なうのが一般的な使用方法である。すなわ
ち、化学銅めつき液中の必須成分濃度を常に一定
値に管理することにより数μｍ以上の厚めつきを
施すものである。このめつき液中の必須成分の濃
度管理については従来から種々の方法が提案され
ており、その一例が特開昭54−143734ならびに特
開昭56−120943に開示されている。
しかし、これらの方法は、めつき液の必須成分
濃度を所定の値に保つために、単に薬液の補給を
行ない濃度管理するだけであつて、補給する薬液
成分の溶解ならびに混合を十分に行なつて、たえ
ず均一な成分濃度のもとで光沢のある良質のめつ
きを安して施すという配慮ならびに認識は全然な
されていなかつた。すなわち、化学銅めつき液へ
の薬液補給成分は、少なくとも２価銅（Cu2+）
イオン塩の水溶液、Cu2+イオンの還元剤、アル
カリ金属の水酸化物を含む水溶液であるが、これ
らの濃度の高い薬液成分をめつき液に補給する
と、めつき液への補給部分では、めつき液中の平
均した成分濃度よりも濃度が大となるために、め
つき液が不安定となり、これが化学めつき反応に
著しい悪影響を与え安定した良質のめつきを施す
ことができなくなるので、このような問題が生じ
ない薬液成分の補給方法ならびに補給構造を持つ
化学銅めつき装置の開発が強く望まれていた。
濃度を所定の値に保つために、単に薬液の補給を
行ない濃度管理するだけであつて、補給する薬液
成分の溶解ならびに混合を十分に行なつて、たえ
ず均一な成分濃度のもとで光沢のある良質のめつ
きを安して施すという配慮ならびに認識は全然な
されていなかつた。すなわち、化学銅めつき液へ
の薬液補給成分は、少なくとも２価銅（Cu2+）
イオン塩の水溶液、Cu2+イオンの還元剤、アル
カリ金属の水酸化物を含む水溶液であるが、これ
らの濃度の高い薬液成分をめつき液に補給する
と、めつき液への補給部分では、めつき液中の平
均した成分濃度よりも濃度が大となるために、め
つき液が不安定となり、これが化学めつき反応に
著しい悪影響を与え安定した良質のめつきを施す
ことができなくなるので、このような問題が生じ
ない薬液成分の補給方法ならびに補給構造を持つ
化学銅めつき装置の開発が強く望まれていた。
本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を
解消し、化学銅めつき液に必須成分を含む濃度の
高い薬液成分を補給する場合において、めつき液
と十分に混合、溶解して均一な成分濃度のめつき
液となし、めつき液の安定性を損なわない薬液補
給構造を持つ化学銅めつき装置を提供することに
ある。
解消し、化学銅めつき液に必須成分を含む濃度の
高い薬液成分を補給する場合において、めつき液
と十分に混合、溶解して均一な成分濃度のめつき
液となし、めつき液の安定性を損なわない薬液補
給構造を持つ化学銅めつき装置を提供することに
ある。
本発明者らは、化学銅めつき操作において、め
つき反応によつて消費された成分の不足分を補給
するためには、通常、その不足した成分を含む農
厚な薬液を補給するが、補給した薬液が十分にめ
つき液に溶解、拡散し均一な濃度のめつき液にな
らないと、化学めつきが著しく不安定となり、本
来の自己触媒的なめつき反応以外によつても銅が
析出してしまうことを知つた。すなわち、補給す
る薬液と化学銅めつき液との成分濃度の違いによ
つて、めつき槽壁面、配管の機器内および配管内
面に銅が析出することや、プリント回路基板にめ
つきを施す場合には、目的とするスルーホール部
や導体配線パターン部以外の絶縁材料上にも銅が
析出して、回路間を短絡するなど極めて好ましく
ない現象が発生する。
つき反応によつて消費された成分の不足分を補給
するためには、通常、その不足した成分を含む農
厚な薬液を補給するが、補給した薬液が十分にめ
つき液に溶解、拡散し均一な濃度のめつき液にな
らないと、化学めつきが著しく不安定となり、本
来の自己触媒的なめつき反応以外によつても銅が
析出してしまうことを知つた。すなわち、補給す
る薬液と化学銅めつき液との成分濃度の違いによ
つて、めつき槽壁面、配管の機器内および配管内
面に銅が析出することや、プリント回路基板にめ
つきを施す場合には、目的とするスルーホール部
や導体配線パターン部以外の絶縁材料上にも銅が
析出して、回路間を短絡するなど極めて好ましく
ない現象が発生する。
そして本発明者らは、化学銅めつき液は上述し
たごとくアルカリ金属の水酸化物を多量に含む強
アルカリ性の溶液であり、これにCu2+イオンの
補給薬液、例えば硫酸銅溶液を加えると瞬間的に
銅水酸化物の沈澱が生成する。この沈澱は、化学
銅めつき液中に過剰のCu2+イオンの錯価剤を含
むために十分な時間をかけ平衡に達するまで放置
すればすべて溶解するが、しかし生産ラインにお
ける化学銅めつき操作においては、めつき液の濃
度管理に遅れが生じるので十分な時間をかけるこ
とはできない。したがつて、沈澱した銅水酸化物
が未溶解のままめつき操作を行なうと、この沈澱
がプリント回路基板の導体配線パターン部以外の
絶縁材料上に吸着されてめつきの核となり不要な
銅めつきが形成されてしまうという問題が発生す
る。この問題は、Cu2+イオンの還元剤であるホ
ルムアルデヒドあるいはアルカリ金属の水酸化物
の補給においても同様であり、Cu2+イオンの補
給の場合とは異なり銅水酸化物の沈澱を生成する
ことはないが、濃厚な補給液が未分散のままめつ
き槽内のめつき反応部分に達したり、あるいは、
上述のCu2+イオンの水酸化物と接触することに
よつて化学銅めつきの安定性を著しく低下させて
しまうことを知り、それらの問題の解決方法を
種々探策した結果本発明を完成するに至つた。
たごとくアルカリ金属の水酸化物を多量に含む強
アルカリ性の溶液であり、これにCu2+イオンの
補給薬液、例えば硫酸銅溶液を加えると瞬間的に
銅水酸化物の沈澱が生成する。この沈澱は、化学
銅めつき液中に過剰のCu2+イオンの錯価剤を含
むために十分な時間をかけ平衡に達するまで放置
すればすべて溶解するが、しかし生産ラインにお
ける化学銅めつき操作においては、めつき液の濃
度管理に遅れが生じるので十分な時間をかけるこ
とはできない。したがつて、沈澱した銅水酸化物
が未溶解のままめつき操作を行なうと、この沈澱
がプリント回路基板の導体配線パターン部以外の
絶縁材料上に吸着されてめつきの核となり不要な
銅めつきが形成されてしまうという問題が発生す
る。この問題は、Cu2+イオンの還元剤であるホ
ルムアルデヒドあるいはアルカリ金属の水酸化物
の補給においても同様であり、Cu2+イオンの補
給の場合とは異なり銅水酸化物の沈澱を生成する
ことはないが、濃厚な補給液が未分散のままめつ
き槽内のめつき反応部分に達したり、あるいは、
上述のCu2+イオンの水酸化物と接触することに
よつて化学銅めつきの安定性を著しく低下させて
しまうことを知り、それらの問題の解決方法を
種々探策した結果本発明を完成するに至つた。
本発明は、例えば第１図に示すように、化学銅
めつき液２の一部を循環ポンプ３，３′，３″を介
して化学銅めつき槽１に還流するめつき液の循環
流路を設け、循環ポンプ３，３′，３″の上流に補
給薬液６，７，８の注入口を設けることによつ
て、循環ポンプ３，３′，３″の機械的回転力を利
用して、補給薬液６，７，８を機械的に強制撹拌
することを第１の特徴とするものであつて、この
ような薬液補給方式による補給構造を有する化学
銅めつき装置を用いることによつて、濃厚な補給
薬液を瞬時に混合、分散して化学銅めつき液との
接触を大とすることができ、補給する薬液成分の
速やかな溶解、拡散を可能とするものである。
めつき液２の一部を循環ポンプ３，３′，３″を介
して化学銅めつき槽１に還流するめつき液の循環
流路を設け、循環ポンプ３，３′，３″の上流に補
給薬液６，７，８の注入口を設けることによつ
て、循環ポンプ３，３′，３″の機械的回転力を利
用して、補給薬液６，７，８を機械的に強制撹拌
することを第１の特徴とするものであつて、この
ような薬液補給方式による補給構造を有する化学
銅めつき装置を用いることによつて、濃厚な補給
薬液を瞬時に混合、分散して化学銅めつき液との
接触を大とすることができ、補給する薬液成分の
速やかな溶解、拡散を可能とするものである。
さらに、本発明の第２の特徴は、例えば上記第
１図に示すごとく、めつき液の循環ポンプを有す
る循環流路を複数経路設け、補給薬液６，７，８
の注入口を、それぞれ異なる循環流路にそれぞれ
個別に設けることであつて、このような構造にす
ることによつて循環流路内での高濃度の補給薬液
の相互接触をさけ、化学銅めつき液の安定性をさ
らに向上させることができるものである。
１図に示すごとく、めつき液の循環ポンプを有す
る循環流路を複数経路設け、補給薬液６，７，８
の注入口を、それぞれ異なる循環流路にそれぞれ
個別に設けることであつて、このような構造にす
ることによつて循環流路内での高濃度の補給薬液
の相互接触をさけ、化学銅めつき液の安定性をさ
らに向上させることができるものである。
そして、本発明の好ましい薬液の補給構造は、
循環流路に設けられた循環ポンプの上流側に補給
する薬液の注入口を設けるものであり、薬液の注
入口は循環ポンプに可及的に近接させることが好
ましい。また、薬液注入口はめつき液の循環流路
の配管内で、流体力学的に流速の大なる化学銅め
つき液中に補給液が注入される構造であることが
好ましい。
循環流路に設けられた循環ポンプの上流側に補給
する薬液の注入口を設けるものであり、薬液の注
入口は循環ポンプに可及的に近接させることが好
ましい。また、薬液注入口はめつき液の循環流路
の配管内で、流体力学的に流速の大なる化学銅め
つき液中に補給液が注入される構造であることが
好ましい。
また、本発明においては、特別に補給薬液の撹
拌設備を設ける必要がなく、化学めつき液の循環
流路を利用することだけで本発明の目的を達成す
ることもできる。
拌設備を設ける必要がなく、化学めつき液の循環
流路を利用することだけで本発明の目的を達成す
ることもできる。
以下に本発明の実施例ならびに従来技術である
比較例を挙げ、本発明の特徴をさらに詳細に説明
する。なお、本発明の実施例ならびに従来技術に
よる比較例において共通する実験条件は次のとお
りである。
比較例を挙げ、本発明の特徴をさらに詳細に説明
する。なお、本発明の実施例ならびに従来技術に
よる比較例において共通する実験条件は次のとお
りである。
化学銅めつき槽にはポリプロピレンを用い、50
の化学銅めつき液を70℃に加熱して試験した。
めつき液には、めつき負荷1dm2／のプリント
回路基板を浸漬して15時間のめつき操作を行なつ
た。めつき液の循環ポンプは15／分の流量を有
するマグネツトポンプを用いた。使用した化学銅
めつき液および補給薬液の組成は次のとおりであ
る。
の化学銅めつき液を70℃に加熱して試験した。
めつき液には、めつき負荷1dm2／のプリント
回路基板を浸漬して15時間のめつき操作を行なつ
た。めつき液の循環ポンプは15／分の流量を有
するマグネツトポンプを用いた。使用した化学銅
めつき液および補給薬液の組成は次のとおりであ
る。
化学銅めつき液
CuSO4・5H2O 12ｇ
EDTA−2Na（エチレンジアミン四酢酸塩） 42ｇ
NaOH PH12.3とする量
37％ホルマリン ３ml
α，α′−ジピリジル 30ml
ポリエチレングリコールステアリルアミン 100ml
水 １とする量
Cu2+イオンの補給薬液
CuSO4・5H2O 200ｇ
水 １とする量
OH-イオンの補給薬液
NaOH 200ｇ
水 １とする量
ホルマリンの補給薬液
37％ホルマリン 500ml
水 １とする量
本発明の実施例ならびに従来技術による比較例
において用いた実験用のプリント回路基板は、両
面銅張り積層板に穴あけして、穴の内面に触媒処
理を施した後、周知の方法であるテンテイング法
によつて回路を形成した。
において用いた実験用のプリント回路基板は、両
面銅張り積層板に穴あけして、穴の内面に触媒処
理を施した後、周知の方法であるテンテイング法
によつて回路を形成した。
実施例 １
第１図は本発明の一実施例である化学銅めつき
装置の構成を示す説明図で、化学銅めつき槽１に
は３系統の循環路を設け、それぞれに循環ポンプ
３，３′，３″、およびフイルタ４，４′，４″が設
けられていて、化学銅めつき液２は循環されめつ
き槽１に還流される。
装置の構成を示す説明図で、化学銅めつき槽１に
は３系統の循環路を設け、それぞれに循環ポンプ
３，３′，３″、およびフイルタ４，４′，４″が設
けられていて、化学銅めつき液２は循環されめつ
き槽１に還流される。
化学銅めつき液２の循環流路の一つには熱交換
器５を設けてめつき液２を加熱する。めつき反応
によつて消費されためつき液２の成分は、Cu2+
イオンの補給薬液６である硫黄銅、OH-イオン
の補給薬液７である水酸化ナトリウムおよび還元
剤であるホルマリンの補給薬液８は、それぞれの
補給薬液タンクより薬液補給ポンプ９，９′，
９″を介してめつき液２の循環流路に注入される。
本発明の特徴の一つは、補給薬液の注入口をそれ
ぞれのめつき液２の循環流路における循環ポンプ
３，３′，３″の上流に設けたことであり、注入さ
れた高濃度の補給薬液６，７，８が循環ポンプ
３，３′，３″の機械的撹拌によつて速やかに混合
され溶解される構造になつていることである。
器５を設けてめつき液２を加熱する。めつき反応
によつて消費されためつき液２の成分は、Cu2+
イオンの補給薬液６である硫黄銅、OH-イオン
の補給薬液７である水酸化ナトリウムおよび還元
剤であるホルマリンの補給薬液８は、それぞれの
補給薬液タンクより薬液補給ポンプ９，９′，
９″を介してめつき液２の循環流路に注入される。
本発明の特徴の一つは、補給薬液の注入口をそれ
ぞれのめつき液２の循環流路における循環ポンプ
３，３′，３″の上流に設けたことであり、注入さ
れた高濃度の補給薬液６，７，８が循環ポンプ
３，３′，３″の機械的撹拌によつて速やかに混合
され溶解される構造になつていることである。
本実施例における化学銅めつき液自動管理装置
１０は、薬液ポンプ９，９′，９″の駆動を自動化
するために、化学銅めつき液２中のCu2+イオン、
PH、ホルマリ濃度を自動的に検出し、不足しため
つき液２の成分を、薬液補給ポンプ９，９′，
９″の駆動信号として出力する機能を有するもの
であればいかなる種類あるいは形式のものであつ
てもよく、また、このような機能を人的に代行さ
せることも可能である。
１０は、薬液ポンプ９，９′，９″の駆動を自動化
するために、化学銅めつき液２中のCu2+イオン、
PH、ホルマリ濃度を自動的に検出し、不足しため
つき液２の成分を、薬液補給ポンプ９，９′，
９″の駆動信号として出力する機能を有するもの
であればいかなる種類あるいは形式のものであつ
てもよく、また、このような機能を人的に代行さ
せることも可能である。
本実施例における化学銅めつき装置によつて、
プリント回路基板に化学銅めつきを施した結果、
めつき槽１、配管、フイルタ４，４′，４″、循環
ポンプ３，３′，３″にはもちろんのこと、プリン
ト回路基板の回路間にも不要な銅の析出は全く認
められなかつた。そして、析出した銅被膜は金属
光沢を有する機械的性質の良好なものであつて、
本発明による効果が著しく優れていることを確認
した。
プリント回路基板に化学銅めつきを施した結果、
めつき槽１、配管、フイルタ４，４′，４″、循環
ポンプ３，３′，３″にはもちろんのこと、プリン
ト回路基板の回路間にも不要な銅の析出は全く認
められなかつた。そして、析出した銅被膜は金属
光沢を有する機械的性質の良好なものであつて、
本発明による効果が著しく優れていることを確認
した。
実施例 ２
本実施例においては、本発明の効果をより簡単
な化学銅めつき装置で得られた場合の一例を示す
ものであつて、その化学銅めつき装置の構成を第
２図に示す。この実施例では、化学銅めつき液２
の循環流路を２経路とすることによつて、循環ポ
ンプ３，３′の使用台数を減らすことができる一
例である。２経路の化学銅めつき液２の循環流路
において、一方の流路の循環ポンプ３の上流に
Cu2+イオンの補給薬液６を注入し、他方の流路
の循環ポンプ３′の上流にOH-イオンの補給薬液
７を注入するが、残るホルマリンの補給薬液８
は、循環ポンプ３′の下流に注入する方式である。
この場合に、Cu2+イオンおよびOH-イオンはそ
れぞれの循環ポンプ３，３′によつて十分に化学
銅めつき液２に混合撹拌されてしまうので、ホル
マリンの補給薬液８によつて化学銅めつき液の安
全性が損なわれることはなかつた。
な化学銅めつき装置で得られた場合の一例を示す
ものであつて、その化学銅めつき装置の構成を第
２図に示す。この実施例では、化学銅めつき液２
の循環流路を２経路とすることによつて、循環ポ
ンプ３，３′の使用台数を減らすことができる一
例である。２経路の化学銅めつき液２の循環流路
において、一方の流路の循環ポンプ３の上流に
Cu2+イオンの補給薬液６を注入し、他方の流路
の循環ポンプ３′の上流にOH-イオンの補給薬液
７を注入するが、残るホルマリンの補給薬液８
は、循環ポンプ３′の下流に注入する方式である。
この場合に、Cu2+イオンおよびOH-イオンはそ
れぞれの循環ポンプ３，３′によつて十分に化学
銅めつき液２に混合撹拌されてしまうので、ホル
マリンの補給薬液８によつて化学銅めつき液の安
全性が損なわれることはなかつた。
本実施例においても、上記実施例１と同様に、
プリント回路基板上に不要な銅の析出は全く認め
られなかつた。そして、本発明による効果を得る
ためには、少なくとも３成分の補給薬液の注入位
置を分離すべきであること、さらに、少なくとも
２成分の補給薬液はそれぞれの循環ポンプで強制
的に撹拌して溶解させる必要があることを確認し
た。
プリント回路基板上に不要な銅の析出は全く認め
られなかつた。そして、本発明による効果を得る
ためには、少なくとも３成分の補給薬液の注入位
置を分離すべきであること、さらに、少なくとも
２成分の補給薬液はそれぞれの循環ポンプで強制
的に撹拌して溶解させる必要があることを確認し
た。
実施例 ３
本実施例においては、第３図に示すごとく、本
発明による化学銅めつき装置において補給薬液の
循環ポンプによる強制撹拌機能を強化した場合の
一例であつて、３経路のめつき液循環流路のう
ち、２経路には補給薬液を強制混合する撹拌ポン
プ１１，１１′を備え、実施例１で示した本発明
の化学銅めつき装置よりもさらに混合、溶解能力
を増加させたケースである。本実施例におけるめ
つき装置を用いて化学銅めつきを行なつた結果、
上述の実施例１および２と同様にプリント回路間
には銅の析出は全く認められず、本発明の目的を
十分に達成することができた。さらに注目すべき
ことは、化学銅めつき速度を、通常の２倍以上に
した場合に、めつき液の不足成分の補給薬液量が
２倍以上になるにもかかわらず、プリント回路間
には銅の析出が全く見られなかつた。このよう
に、本発明は特に高速で化学銅めつきを行なう場
合においても、その効果を十分に発揮できること
を確認した。
発明による化学銅めつき装置において補給薬液の
循環ポンプによる強制撹拌機能を強化した場合の
一例であつて、３経路のめつき液循環流路のう
ち、２経路には補給薬液を強制混合する撹拌ポン
プ１１，１１′を備え、実施例１で示した本発明
の化学銅めつき装置よりもさらに混合、溶解能力
を増加させたケースである。本実施例におけるめ
つき装置を用いて化学銅めつきを行なつた結果、
上述の実施例１および２と同様にプリント回路間
には銅の析出は全く認められず、本発明の目的を
十分に達成することができた。さらに注目すべき
ことは、化学銅めつき速度を、通常の２倍以上に
した場合に、めつき液の不足成分の補給薬液量が
２倍以上になるにもかかわらず、プリント回路間
には銅の析出が全く見られなかつた。このよう
に、本発明は特に高速で化学銅めつきを行なう場
合においても、その効果を十分に発揮できること
を確認した。
比較例 １
従来技術である本比較例においては、第４図に
示すごとく、化学銅めつき液２の循環流路におい
て本発明の薬液補給構造を採用せず、従来一般的
に用いられている薬液補給部であるミキサ１２を
使用し、プリント回路基板に化学銅めつきを施し
た場合の一例である。この場合は、３成分の補給
薬液を循環流路の一部に設けたミキサ１２に注入
しめつき槽に補給する方式である。このミキサ１
２は単に配管のみの場合もあるし、流体混合用の
スタテイツクミキサを内装して薬液を混合する場
合もあり、本比較例においては後者のミキサ１２
を用いた。この化学銅めつき装置を使用してプリ
ント回路基板にめつきを施したところ、回路間や
めつき槽の内壁の一部に銅が析出した。また、析
出した銅の被膜は光沢がなく、粗雑な銅めつき膜
であつた。この原因は上述したごとく、補給薬液
成分の混合不足によるものと考えられる。さらに
高級なミキサ部品を用いても本発明と同等あるい
はそれ以上の混合溶解能力を得ることができない
ことを確認した。
示すごとく、化学銅めつき液２の循環流路におい
て本発明の薬液補給構造を採用せず、従来一般的
に用いられている薬液補給部であるミキサ１２を
使用し、プリント回路基板に化学銅めつきを施し
た場合の一例である。この場合は、３成分の補給
薬液を循環流路の一部に設けたミキサ１２に注入
しめつき槽に補給する方式である。このミキサ１
２は単に配管のみの場合もあるし、流体混合用の
スタテイツクミキサを内装して薬液を混合する場
合もあり、本比較例においては後者のミキサ１２
を用いた。この化学銅めつき装置を使用してプリ
ント回路基板にめつきを施したところ、回路間や
めつき槽の内壁の一部に銅が析出した。また、析
出した銅の被膜は光沢がなく、粗雑な銅めつき膜
であつた。この原因は上述したごとく、補給薬液
成分の混合不足によるものと考えられる。さらに
高級なミキサ部品を用いても本発明と同等あるい
はそれ以上の混合溶解能力を得ることができない
ことを確認した。
比較例 ２
本比較例においては、本発明による薬液補給構
造を採用せず、第５図に示すごとく、補給薬液成
分６，７，８を直接に化学銅めつき槽１内に注入
し、めつきを行なつた場合の一例である。この場
合には、プリント回路基板の回路にとどまらず、
めつき槽１の壁面、循環ポンプ３、フイルタ４、
熱交換器５や配管の内部にまで多量の銅の析出が
認められ、化学銅めつき液は事実上分解した。
造を採用せず、第５図に示すごとく、補給薬液成
分６，７，８を直接に化学銅めつき槽１内に注入
し、めつきを行なつた場合の一例である。この場
合には、プリント回路基板の回路にとどまらず、
めつき槽１の壁面、循環ポンプ３、フイルタ４、
熱交換器５や配管の内部にまで多量の銅の析出が
認められ、化学銅めつき液は事実上分解した。
以上詳細に説明したごとく、本発明による薬液
補給構造を設けた化学銅めつき装置においては、
簡単な構造の、かつ安価な装置で、めつき液の不
足成分である補給薬液を効率よく十分に混合、溶
解することができ、光沢ある機械的性質の優れた
良質の化学銅めつきを安定して行なうことができ
るので、プリント回路基板あるいはプリント配線
基板等の大幅な生産性の向上をはかることが可能
であり、本発明の工業的利用における技術的、経
済的効果は極めて大きい。
補給構造を設けた化学銅めつき装置においては、
簡単な構造の、かつ安価な装置で、めつき液の不
足成分である補給薬液を効率よく十分に混合、溶
解することができ、光沢ある機械的性質の優れた
良質の化学銅めつきを安定して行なうことができ
るので、プリント回路基板あるいはプリント配線
基板等の大幅な生産性の向上をはかることが可能
であり、本発明の工業的利用における技術的、経
済的効果は極めて大きい。
第１図は本発明の実施例１に用いた化学銅めつ
き装置の構成を示す説明図、第２図は本発明の実
施例２に用いた化学銅めつき装置の構成を示す説
明図、第３図は本発明の実施例３に用いた化学銅
めつき装置の構成を示す説明図、第４図は比較例
１に用いた従来の化学銅めつき装置の構成を示す
説明図、第５図は比較例２に用いた従来の化学銅
めつき装置の構成を示す説明図である。 １……化学銅めつき槽、２……化学銅めつき
液、３，３′，３″……循環ポンプ、４，４′，
４″……フイルタ、５……熱交換器、６……Cu2+
イオンの補給薬液、７……OH-イオンの補給薬
液、８……ホルマリンの補給薬液、９，９′，
９″……薬液補給ポンプ、１０……めつき液自動
管理装置、１１，１１′……撹拌ポンプ、１２…
…ミキサ。
き装置の構成を示す説明図、第２図は本発明の実
施例２に用いた化学銅めつき装置の構成を示す説
明図、第３図は本発明の実施例３に用いた化学銅
めつき装置の構成を示す説明図、第４図は比較例
１に用いた従来の化学銅めつき装置の構成を示す
説明図、第５図は比較例２に用いた従来の化学銅
めつき装置の構成を示す説明図である。 １……化学銅めつき槽、２……化学銅めつき
液、３，３′，３″……循環ポンプ、４，４′，
４″……フイルタ、５……熱交換器、６……Cu2+
イオンの補給薬液、７……OH-イオンの補給薬
液、８……ホルマリンの補給薬液、９，９′，
９″……薬液補給ポンプ、１０……めつき液自動
管理装置、１１，１１′……撹拌ポンプ、１２…
…ミキサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 化学銅めつき槽と、該化学銅めつき槽内の化
学銅めつき液を循環ポンプによつて還流させる上
記化学銅めつき液の循環流路と、上記化学銅めつ
き液にめつき反応により消費されためつき液成分
を供給する薬液補給部とを備えた化学銅めつき装
置において、 上記化学銅めつき液の循環流路が少なくとも２
経路あり、かつ上記薬液補給部が少なくとも２経
路あつて、 上記循環流路のそれぞれに設けられている循環
ポンプもしくは攪拌ポンプの上流側に薬液が各々
個別に注入される薬液補給構造を有することを特
徴とする化学銅めつき装置。 ２ 上記化学銅めつき液の循環流路が少なくとも
２経路あり、かつ上記薬液補給部が少なくとも３
経路あつて、 該薬液補給部から供給される薬液は、上記循環
流路のそれぞれに設けられている循環ポンプもし
くは攪拌ポンプの上流側に薬液が各々個別に注入
され、 かつ残余の薬液補給部から供給される薬液は、
上記循環流路のそれぞれに設けられている循環ポ
ンプもしくは攪拌ポンプの下流側に各々個別に注
入され、 補給される薬液が互いに接触しない薬液補給構
造を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の化学銅めつき装置。 ３ 上記化学銅めつき液の循環ポンプを有する循
環流路が少なくとも２経路あり、かつ上記薬液補
給部が少なくとも２経路あつて、 上記複数の循環流路の少なくとも１経路には、
供給される薬液を混合する攪拌ポンプを少なくと
も１個備えることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の化学銅めつき装置。 ４ 上記化学銅めつき液の循環流路が２経路あつ
て、 上記薬液補給部から供給されるCu2+イオン、
OH-イオン、ホルマリンの薬液の中から選ばれ
たいずれか２種を、上記循環ポンプもしくは攪拌
ポンプの上流側に各々個別に注入する薬液補給構
造を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項または第３項記載の化学銅めつき装
置。 ５ 上記化学銅めつき液の循環流路が３経路あつ
て、 上記薬液補給部から供給されるCu2+イオン、
OH-イオン、ホルマリンの薬液を、上記循環ポ
ンプもしくは攪拌ポンプの上流側に各々個別に注
入する薬液補給構造を有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
項記載の化学銅めつき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238785A JPS61243181A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 化学銅めつき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238785A JPS61243181A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 化学銅めつき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243181A JPS61243181A (ja) | 1986-10-29 |
| JPH0568550B2 true JPH0568550B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=13773169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8238785A Granted JPS61243181A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 化学銅めつき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243181A (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3770464A (en) * | 1971-10-12 | 1973-11-06 | Shipley Co | Dry replenishment of electroless copper solutions |
| JPS589148B2 (ja) * | 1980-01-11 | 1983-02-19 | 日立化成工業株式会社 | 無電解メツキ装置 |
| JPS56169764A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-26 | Hitachi Chem Co Ltd | Device for electroless copper plating |
| JPS58123865A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Hitachi Ltd | 化学めつき装置 |
| JPS5993863A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めつき液の銅イオン供給方法 |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP8238785A patent/JPS61243181A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61243181A (ja) | 1986-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100226178B1 (ko) | 비금속성 기판에 금속 도금막을 적용하는 방법 | |
| US5454930A (en) | Electrolytic copper plating using a reducing agent | |
| CN102534576B (zh) | 化学镀催化剂和方法 | |
| JP5959823B2 (ja) | 無電解めっきのための安定なナノ粒子 | |
| CN113802158B (zh) | 一种电镀液及其应用、镀铜工艺及镀件 | |
| US5803957A (en) | Electroless gold plating bath | |
| KR20120066607A (ko) | 도금 촉매 및 방법 | |
| KR20050105280A (ko) | 고 어스펙트비의 구멍을 가지는 작업물의 전기도금 방법 | |
| CN107740105A (zh) | 一种碱性蚀刻液及其制备方法 | |
| JP2004238731A (ja) | 無電解めっき用触媒の活性化方法 | |
| JPH0568550B2 (ja) | ||
| CN114207185A (zh) | 化学镀的预处理方法和化学镀的预处理液 | |
| TW577936B (en) | Electroless copper plating machine thereof, and multi-layer printed wiring board | |
| JP2874088B2 (ja) | 無電解金めっき浴 | |
| TW201910565A (zh) | 電解鍍銅用陽極及使用其之電解鍍銅裝置 | |
| US4967690A (en) | Electroless plating with bi-level control of dissolved oxygen, with specific location of chemical maintenance means | |
| JP3091582B2 (ja) | 無電解めっき方法及び装置 | |
| CN111118482A (zh) | 一种化学镀银液及应用 | |
| CN120844087B (zh) | 一种ic载板去悬铜液及其制备方法和去悬铜方法 | |
| JPS6358227B2 (ja) | ||
| JPS594503B2 (ja) | メッキ処理装置 | |
| JP3188859B2 (ja) | 無電解銅めっき液への銅イオン供給方法 | |
| CN115478267A (zh) | 一种应用于pcb的化学镀铜溶液智能制备工艺 | |
| US4338355A (en) | Process using activated electroless plating catalysts | |
| JPS58123865A (ja) | 化学めつき装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |