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JPH0628143B2 - Ion beam device - Google Patents
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JPH0628143B2 - Ion beam device - Google Patents

Ion beam device

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Publication number
JPH0628143B2
JPH0628143B2 JP62051574A JP5157487A JPH0628143B2 JP H0628143 B2 JPH0628143 B2 JP H0628143B2 JP 62051574 A JP62051574 A JP 62051574A JP 5157487 A JP5157487 A JP 5157487A JP H0628143 B2 JPH0628143 B2 JP H0628143B2
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JP
Japan
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signal
circuit
ion beam
extraction
output signal
Prior art date
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JP62051574A
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八郎 島山
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Jeol Ltd
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Nihon Denshi KK
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はイオンビームを発生させて被描画材料に照射す
るイオンビーム装置に関する。
The present invention relates to an ion beam apparatus for generating an ion beam and irradiating a material to be drawn with the ion beam.

[従来の技術] ガスフェイズイオン源を備えたイオンビーム装置におい
ては、エミッタ先端近傍にイオン種となるガスを導入
し、エミッタ先端の電界によりガスをイオン化してイオ
ンビームを引き出している。第4図はこのようなイオン
ビーム装置の従来例を示すもので、図中1はガスフェイ
ズイオン源のエミッタ、2は引出電極、3はエミッショ
ンされたイオンの電流を検出するためのイオンビーム電
流検出器、4は集束レンズ、5は対物レンズ、6は被描
画材料、7は加速電源、8aは引出電源、8bは引出電
源8aの出力電圧を制御するための制御回路、9は増幅
器、10は負帰還制御を行なうための差動増幅器、11
はリミット回路、12は加算増幅器、13はエミッタ1
よりエミッションされるイオンビーム電流量の目標値を
設定するためのイオンビーム電流指定信号発生回路、1
4は引出電圧の目標値を設定するための引出電圧指定信
号発生回路である。上記リミット回路11は2個の逆極
性に接続されたツェナーダイオードを主要な要素として
構成され、第5図の特性線イに示すような入出力特性を
有する。即ち、入力信号Xが−ΔX以上+ΔX以上の場
合には、その入力信号値を線形変換した−ΔYから+Δ
Yまでの信号Yを出力し、入力信号Xが−ΔXより小さ
い場合には値−ΔYの信号を出力すると共に、入力信号
が+ΔXより大きい場合には値+ΔYの信号を出力す
る。
[Prior Art] In an ion beam apparatus equipped with a gas phase ion source, a gas serving as an ion species is introduced in the vicinity of the tip of the emitter, and the gas is ionized by an electric field at the tip of the emitter to extract an ion beam. FIG. 4 shows a conventional example of such an ion beam apparatus. In the figure, 1 is an emitter of a gas phase ion source, 2 is an extraction electrode, and 3 is an ion beam current for detecting a current of emitted ions. Detector, 4 is a focusing lens, 5 is an objective lens, 6 is a material to be drawn, 7 is an accelerating power source, 8a is a drawing power source, 8b is a control circuit for controlling the output voltage of the drawing power source 8a, 9 is an amplifier, 10 Is a differential amplifier for performing negative feedback control, 11
Is a limit circuit, 12 is a summing amplifier, 13 is an emitter 1.
Ion beam current designation signal generation circuit for setting a target value of the amount of ion beam current emitted more, 1
Reference numeral 4 denotes an extraction voltage designation signal generating circuit for setting a target value of the extraction voltage. The limit circuit 11 is mainly composed of two Zener diodes connected in opposite polarities, and has an input / output characteristic as shown by the characteristic line (a) in FIG. That is, when the input signal X is −ΔX or more and + ΔX or more, the input signal value is linearly converted from −ΔY to + ΔX.
The signals Y up to Y are output, and when the input signal X is smaller than -ΔX, the signal of the value -ΔY is output, and when the input signal is larger than + ΔX, the signal of the value + ΔY is output.

さて、ガスフェイズイオン源の場合、第6図における特
性線イ又はロに示すように、エミッションされたイオン
ビーム電流Iは引出電圧Vに対して極大点を有する。取
り出すイオンビーム量は多いことが望まれるため、極大
値に近いイオンビーム電流量をイオン源より取り出そう
とする際には、以下のように前記指定信号を設定する。
即ち、例えば、第6図における点Pに対応するイオン
ビーム電流値Iを指定する信号をイオンビーム電流指
定信号発生回路13より発生させると共に、引出電圧V
に対応する信号を引出電圧指定信号発生回路14より
発生させる。そして、イオンビーム電流検出器3よりの
出力信号とイオンビーム電流指定信号発生回路13より
のイオンビーム電流指定信号との偏差を増幅した信号が
差動増幅器10より出力される。この信号は前記変換特
性に従ってリミット回路11により変換された後、加算
増幅器12に送られる。リミット回路11よりの出力信
号と前記引出電圧指定信号発生回路14よりの出力信号
は加算増幅器12において加算され、加算増幅器12の
出力信号は前記制御回路8bに送られるため、引出電源
8aは前記点Pに対応した引出電圧を発生するように
制御される。
Now, in the case of the gas phase ion source, the emitted ion beam current I has a maximum point with respect to the extraction voltage V, as shown by the characteristic line A or B in FIG. Since it is desired that the ion beam amount to be extracted is large, when the ion beam current amount close to the maximum value is to be extracted from the ion source, the designation signal is set as follows.
That is, for example, a signal for designating the ion beam current value I 0 corresponding to the point P 0 in FIG.
A signal corresponding to 0 is generated by the extraction voltage designating signal generation circuit 14. Then, a signal obtained by amplifying the deviation between the output signal from the ion beam current detector 3 and the ion beam current designation signal from the ion beam current designation signal generation circuit 13 is output from the differential amplifier 10. This signal is converted by the limit circuit 11 according to the conversion characteristic and then sent to the summing amplifier 12. The output signal from the limit circuit 11 and the output signal from the extraction voltage designating signal generation circuit 14 are added in the addition amplifier 12, and the output signal of the addition amplifier 12 is sent to the control circuit 8b. It is controlled to generate an extraction voltage corresponding to P 0 .

リミット回路11が存在しない場合、負帰還制御の最中
に何等かの原因で引出電圧がピーク値Ip に相当する電
圧Vp より右側にずれることが有る。このような場合、
前記負帰還制御系においては引出電圧が不足していると
判定され、引出電源8aが引出電圧の最大値を引出電極
2に印加してしまう。そのため、イオンビーム電流を益
々低下させることにより、負帰還ループが外れてしま
う。リミット回路11はこのような問題を解決するため
に設けられたもので、リミット回路11により加算増幅
器12への入力信号の範囲が限定されるため、上述した
ような事態が生ぜず、負帰還ループが外れることはな
い。
If the limit circuit 11 does not exist, the extraction voltage may shift to the right of the voltage Vp corresponding to the peak value Ip for some reason during the negative feedback control. In such cases,
In the negative feedback control system, it is determined that the extraction voltage is insufficient, and the extraction power source 8a applies the maximum value of the extraction voltage to the extraction electrode 2. Therefore, the negative feedback loop is broken by further decreasing the ion beam current. The limit circuit 11 is provided to solve such a problem. Since the range of the input signal to the summing amplifier 12 is limited by the limit circuit 11, the above situation does not occur, and the negative feedback loop is not generated. Does not come off.

[発明が解決しようとする問題点] ところで、第6図におけるイで示す特性を予測して引出
電圧指定信号発生回路14より第6図のVに対応する
信号を発生させ、ビーム電流指定信号発生回路13より
第6図のIに対応する信号を発生させても、イオンビ
ーム電流Iと引出電圧Vの関係を与える特性は、イオン
化されるガスの供給量、エミッタ近傍の温度等によって
変化する。そのため、実際の特性が第6図においてロで
示すようなものとなる場合、イオン電流がIとなる特
性曲線上の点はリミット回路11による制御範囲内(V
+ΔV〜V−ΔV)に存在しないため、増幅器10
より偏差を増幅した信号を制御回路8bに送っても所望
の電流Iを実現できない。そのため従来においては、
このような場合、試行錯誤で引出電圧指定信号発生回路
14の出力信号を手動操作にて調整し直しており、操作
が繁雑であった。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, by predicting the characteristic indicated by B in FIG. 6, a signal corresponding to V 0 in FIG. 6 is generated from the extraction voltage designation signal generation circuit 14, and the beam current designation signal is generated. Even if the signal corresponding to I 0 in FIG. 6 is generated from the generation circuit 13, the characteristic that gives the relation between the ion beam current I and the extraction voltage V changes depending on the supply amount of ionized gas, the temperature near the emitter, and the like. To do. Therefore, when the actual characteristic is as shown by B in FIG. 6, the point on the characteristic curve where the ion current is I 0 is within the control range (V
0 + ΔV to V 0 −ΔV), the amplifier 10
The desired current I 0 cannot be realized even if a signal with more amplified deviation is sent to the control circuit 8b. Therefore, in the past,
In such a case, the output signal of the extraction voltage designating signal generating circuit 14 was readjusted by trial and error by manual operation, and the operation was complicated.

本発明はこのような従来の欠点を解決し、ガスフェイズ
イオン源の電圧電流特性が予想されるものからずれ、そ
のため、引出電圧とイオンビーム電流指定信号の最初の
設定によっては、所望とするイオンビーム電流を維持す
るための制御を行ない得ない場合に、自動的に引出電圧
指定信号の設定値を適切な量シフトすることのできる装
置を提供することを目的としている。
The present invention solves such a conventional drawback, and the voltage-current characteristic of the gas phase ion source deviates from the expected one. Therefore, depending on the initial setting of the extraction voltage and the ion beam current designation signal, desired ion An object of the present invention is to provide a device capable of automatically shifting the set value of the extraction voltage designating signal by an appropriate amount when the control for maintaining the beam current cannot be performed.

[問題点を解決するための手段] そのため本発明は、ガスフェイズイオン源のエミッタと
引出電極間に引出電圧を印加するための引出電源と、該
エミッタより発生するイオンビーム電流量を検出するた
めの検出手段と、該検出手段よりの出力信号とイオンビ
ーム電流量の設定値を表わす信号との偏差を増幅するた
めの増幅器と、該増幅器の出力信号値の範囲を所定幅内
に限定して出力するためのリミット回路と、前記引出電
極の出力電圧を指定するための信号を発生する引出電圧
指定信号発生回路と、該リミット回路の出力信号と該引
出電圧指定信号発生回路の出力信号に基づいて前記引出
電源の出力電圧を制御するための手段とを備えた装置に
おいて、前記増幅器の出力信号が前記リミット回路の限
定範囲を逸脱することを検出する回路と、該検出回路よ
りの信号に基づいて前記増幅器の出力信号が前記リミッ
ト回路の限定範囲を逸脱しないように前記引出電圧指定
信号発生回路よりの指定信号を自動的にシフトさせるた
めの制御回路を備えたことを特徴としている。
[Means for Solving Problems] Therefore, according to the present invention, an extraction power source for applying an extraction voltage between an emitter and an extraction electrode of a gas phase ion source, and an ion beam current amount generated from the emitter are detected. Detecting means, an amplifier for amplifying the deviation between the output signal from the detecting means and the signal representing the set value of the ion beam current amount, and the range of the output signal value of the amplifier is limited within a predetermined width. A limit circuit for outputting, an extraction voltage designation signal generation circuit for generating a signal for designating the output voltage of the extraction electrode, an output signal of the limit circuit and an output signal of the extraction voltage designation signal generation circuit And a circuit for detecting that the output signal of the amplifier deviates from the limit range of the limit circuit. A control circuit for automatically shifting the designation signal from the extraction voltage designation signal generating circuit based on the signal from the detection circuit so that the output signal of the amplifier does not deviate from the limited range of the limit circuit. It is characterized by that.

[実施例] 以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示すための図であり、第1
図においては第4図と同一の構成要素に対しては同一符
号を付している。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
In the figure, the same components as those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals.

第1図において、15はロータリーエンコーダであり、
16はアップダウンパルス発生回路、17,18はオア
回路、19,20はアンド回路、21はアップダウンカ
ウンタ、22はDA変換器であり、DA変換器22の出
力信号は引出電圧指定信号として前記加算増幅器12に
送られている。23,24は比較器であり、比較器2
3,24には各々第1,第2の基準信号発生器25,2
6より基準信号が送られている。比較器23,24の出
力信号は各々第1,第2のパルス発生回路27,28に
送られている。これら第1,第2のパルス発生回路2
7,28の出力信号は各々前記アンド回路19,20に
送られている。アンド回路19,20にはゲート信号発
生回路29よりゲート信号が送り得るようになってい
る。
In FIG. 1, 15 is a rotary encoder,
Reference numeral 16 is an up / down pulse generating circuit, 17 and 18 are OR circuits, 19 and 20 are AND circuits, 21 is an up / down counter, 22 is a DA converter, and the output signal of the DA converter 22 is the extraction voltage designating signal. It is sent to the summing amplifier 12. Reference numerals 23 and 24 are comparators, and the comparator 2
3 and 24 have first and second reference signal generators 25 and 2 respectively.
The reference signal is sent from 6. The output signals of the comparators 23 and 24 are sent to the first and second pulse generating circuits 27 and 28, respectively. These first and second pulse generation circuits 2
The output signals of 7 and 28 are sent to the AND circuits 19 and 20, respectively. A gate signal can be sent from the gate signal generating circuit 29 to the AND circuits 19 and 20.

このような構成において、第1の基準信号発生器25よ
り第5図のレベルΔYよりやや小さい第5図においてS
1 で示す信号が発生するように発生器25を調整すると
共に、第2の基準信号発生器26より第5図のレベル−
ΔYよりやや大きい同図においてS2 で示す信号が発生
するように発生器26を調整する。
In such a configuration, S in FIG. 5 is slightly smaller than the level ΔY in FIG. 5 from the first reference signal generator 25.
The generator 25 is adjusted so that the signal indicated by 1 is generated, and the level of FIG.
The generator 26 is adjusted so that the signal indicated by S2 in FIG.

次に、操作者がロータリーエンコーダ15を回転させる
と、エンコーダ15よりのパルスはアップダウンカウン
タ21に送られ、アップダウンカウンタ21の計数値を
増減させる。アップダウンカウンタ21の出力信号はD
A変換器22によりアナログ信号に変換されて引出電圧
指定信号として前記加算増幅器12に送られる。そこ
で、第2図のイに示す特性曲線を予想して操作者がロー
タリーエンコーダ15を回転させ、第2図のVに対応
する引出電圧指定信号をDA変換器22より発生させる
と共に、前記ビーム電流指定信号発生回路13より第2
図のIに対応する信号を発生させたものとする。一
方、イオンビーム電流Iと引出電圧Vの実際の特性は第
2図のロで示すようなものであるとする。
Next, when the operator rotates the rotary encoder 15, the pulse from the encoder 15 is sent to the up-down counter 21, and the count value of the up-down counter 21 is increased or decreased. The output signal of the up / down counter 21 is D
It is converted into an analog signal by the A converter 22 and sent to the summing amplifier 12 as an extraction voltage designating signal. Therefore, the operator rotates the rotary encoder 15 in anticipation of the characteristic curve shown in A of FIG. 2 so that the extraction voltage designating signal corresponding to V 0 of FIG. Second from the current designation signal generation circuit 13
It is assumed that a signal corresponding to I 0 in the figure is generated. On the other hand, it is assumed that the actual characteristics of the ion beam current I and the extraction voltage V are as shown by B in FIG.

このような場合、増幅器10の出力信号Xは目標とする
ビーム電流Iを実現しようとして徐々に増加して行
き、遂には第5図における信号S1 のレベルを越える。
その結果、比較器23よりそれまでのローレベル信号に
代えてハイレベル信号が出力される。比較器23よりハ
イレベル信号が送られると、パルス発生回路27は増幅
器10の出力信号XがS1 を越えなくなるまでパルスを
発生し続ける。このパルスはオア回路17を介してアッ
プダウンカウンタ21に送られるため、アップダウンカ
ウンタ21はアップカウントして行く。そのため、引出
電圧指定信号であるDA変換器22の出力信号に基づい
て引出電圧は第2図のVからV1 −ΔV程度まで増加
して行く。その結果、イオンビーム電流検出器3に基づ
く検出信号は基準信号発生器25よりの基準信号より小
さくなるため、比較器23の出力信号はローレベルとな
る。パルス発生回路27は比較器23の出力信号がロー
レベルに変化した後、更に予め設定されている個数のパ
ルスを発生した後、パルスの発生を終了する。この予め
設定されているパルスは第2図のΔVの大きさに対応し
ており、その結果、DA変換器22の出力信号に基づい
て引出電圧は第2図のV1 の値までシフトする。このシ
フトが終了した段階においては、引出電圧はV1 を中心
としてリミット回路11により2ΔVの幅内で制限され
るが、この範囲内に特性線ロにおけるI=Iの点P1
が存在するため、増幅器10の出力信号に基づいてイオ
ンビーム電流をIに維持するための負帰還制御を行な
うことができる。従って、手動による引出電圧指定信号
の繁雑な再調整無しに、最初に設定した電流Iのイオ
ンビームをエミッタ1より発生させて材料6の描画を行
なうことができる。尚、特性線ロが特性線イと逆側にシ
フトする場合には、比較器24よりハイレベル信号が発
生して、前述と同様の硬化を達成することができる。
In such a case, the output signal X of the amplifier 10 gradually increases in order to realize the target beam current I 0 , and finally exceeds the level of the signal S1 in FIG.
As a result, the comparator 23 outputs a high-level signal instead of the low-level signal up to that point. When a high level signal is sent from the comparator 23, the pulse generating circuit 27 continues to generate pulses until the output signal X of the amplifier 10 does not exceed S1. Since this pulse is sent to the up / down counter 21 via the OR circuit 17, the up / down counter 21 counts up. Therefore, the extraction voltage increases from V 0 in FIG. 2 to about V 1 -ΔV based on the output signal of the DA converter 22 which is the extraction voltage designating signal. As a result, the detection signal based on the ion beam current detector 3 becomes smaller than the reference signal from the reference signal generator 25, so that the output signal of the comparator 23 becomes low level. After the output signal of the comparator 23 changes to the low level, the pulse generation circuit 27 further generates a preset number of pulses and then terminates the generation of pulses. This preset pulse corresponds to the magnitude of ΔV in FIG. 2, and as a result, the extraction voltage shifts to the value of V1 in FIG. 2 based on the output signal of the DA converter 22. At the stage where this shift is completed, the extraction voltage is limited within the width of 2ΔV by the limit circuit 11 centering on V1, but within this range, the point P1 of I = I 0 on the characteristic line B
Is present, negative feedback control for maintaining the ion beam current at I 0 can be performed based on the output signal of the amplifier 10. Therefore, without complicated readjustment of the extraction voltage designating signal by hand, the ion beam having the initially set current I 0 can be generated from the emitter 1 to draw the material 6. When the characteristic line (b) shifts to the side opposite to the characteristic line (b), a high level signal is generated from the comparator 24, and the same curing as described above can be achieved.

又、エミッタのフラッシング時や、イオンビームが発生
していない時には、ゲート信号発生回路29よりゲート
信号を発生させないようにすれば良い。
Further, the gate signal may not be generated by the gate signal generation circuit 29 when the emitter is flushed or when the ion beam is not generated.

上述した実施例は本発明の一実施例に過ぎず、本発明は
変形して実施することができる。
The above-described embodiment is only one embodiment of the present invention, and the present invention can be modified and implemented.

例えば上述した実施例においては、リミット回路11の
特性を第3図に示すように、Xの−側の範囲を+の側の
例えば2倍の広さに設定すると共に、それに応じて基準
信号発生器26よりの出力信号の絶対値を基準信号発生
器25の出力信号の絶対値の2倍になるようにしても良
い。
For example, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 3, the characteristic of the limit circuit 11 is such that the range of the − side of X is set to, for example, twice as wide as the + side, and the reference signal is generated accordingly. The absolute value of the output signal from the generator 26 may be double the absolute value of the output signal from the reference signal generator 25.

又、上述した実施例においては、エミッタ1より発生す
る電流をイオンビーム光路中に配置された絞り状の検出
器を用いて検出するようにしたが、加速電源8aとエミ
ッタ1との間に抵抗素子を配置し、この抵抗素子を流れ
る電流を取り出すことによりイオンビーム電流を検出す
るようにしても良い。
Further, in the above-described embodiment, the electric current generated from the emitter 1 is detected by using the diaphragm-shaped detector arranged in the optical path of the ion beam, but a resistance is provided between the acceleration power source 8a and the emitter 1. The ion beam current may be detected by disposing an element and extracting the current flowing through the resistance element.

更に又、引出電源を2個の電流に分割し、一方の電源の
出力電圧を引出電圧指定信号発生回路の出力信号に基づ
いて制御すると共に、他方の電源の出力電圧をイオンビ
ーム電流指定信号発生回路の出力信号に基づいて制御
し、両電源の出力電圧の加算電圧を引出電圧とすること
により、加算増幅器を省くこともできる。
Furthermore, the extraction power supply is divided into two currents, the output voltage of one power supply is controlled based on the output signal of the extraction voltage designating signal generating circuit, and the output voltage of the other power supply is generated by the ion beam current designating signal. It is also possible to omit the summing amplifier by controlling based on the output signal of the circuit and setting the added voltage of the output voltages of both power supplies as the extraction voltage.

[発明の効果] 上述した説明から明らかなように、本発明に基づく装置
においては、前記増幅器の出力信号が前記リミット回路
の限定範囲を逸脱することを検出する回路と、該検出回
路よりの信号に基づいて前記増幅器の出力信号が前記リ
ミット回路の限定範囲を逸脱しないように前記引出電圧
指定信号発生回路よりの指定信号を自動的にシフトさせ
るための制御回路を備えているため、ガスフェイズイオ
ン源の電圧電流特性が予想されるものからずれ、そのた
め、引出電圧とイオンビーム電流の最初の指定によって
は、所望とするイオンビーム電流を得ることのできない
場合に、自動的に引出電圧指定信号の設定値を適切な値
までシフトさせ、設定したイオンビーム電流を取り出す
ための負帰還制御を行なうことができ、操作性を向上さ
せたイオンビーム装置が提供される。
[Effects of the Invention] As is apparent from the above description, in the device according to the present invention, a circuit for detecting that the output signal of the amplifier deviates from the limit range of the limit circuit, and a signal from the detection circuit. Based on the above, since the output signal of the amplifier does not deviate from the limited range of the limit circuit, a control circuit for automatically shifting the designation signal from the extraction voltage designation signal generating circuit is provided, so that the gas phase ion The voltage-current characteristics of the source deviate from what is expected, so that if the desired ion beam current cannot be obtained by the initial specification of the extraction voltage and the ion beam current, the extraction voltage specification signal It is possible to shift the set value to an appropriate value and perform negative feedback control to extract the set ion beam current, improving operability. An ion beam device is provided.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を示すための図、第2図はガ
スフェイズイオン源の電圧電流特性の変化と上記一実施
例装置の動作を説明するための図、第3図はリミット回
路の特性の変形例を示すための図、第4図は従来装置を
示すための図、第5図はリミット回路の特性と基準信号
発生器により設定された基準信号を示すための図、第6
図は従来の欠点を示すための図である。 1:エミッタ、2:引出電極 3:イオンビーム電流検出器 4:集束レンズ、5:対物レンズ 6:被描画材料、7:加速電極 8a:引出電源、8b:制御回路 9:増幅器、10:差動増幅器 11:リミット回路、12:加算増幅器 13:ビーム電流指定信号発生回路 14:引出電圧指定信号発生回路 15:ロータリーエンコーダ 16:アップダウンパルス発生回路 17,18:オア回路 19,20:アンド回路 21:アップダウンカウンタ 22:DA変換器、23,24:比較器 25,26:基準信号発生回路 27,28:パルス発生回路 29:ゲート信号発生回路
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining changes in the voltage-current characteristics of a gas phase ion source and the operation of the above-mentioned embodiment device. FIG. 3 is a diagram showing a modification of the characteristic of the limit circuit, FIG. 4 is a diagram showing a conventional device, and FIG. 5 is a characteristic of the limit circuit and a reference signal set by a reference signal generator. Figure 6 to show
The figure is a figure for showing the conventional fault. 1: Emitter, 2: Extraction electrode 3: Ion beam current detector 4: Focusing lens, 5: Objective lens 6: Drawing material, 7: Accelerating electrode 8a: Extraction power supply, 8b: Control circuit 9: Amplifier, 10: Difference Dynamic amplifier 11: Limit circuit, 12: Addition amplifier 13: Beam current designation signal generation circuit 14: Extraction voltage designation signal generation circuit 15: Rotary encoder 16: Up / down pulse generation circuit 17, 18: OR circuit 19, 20: AND circuit 21: Up-down counter 22: DA converter, 23, 24: Comparator 25, 26: Reference signal generation circuit 27, 28: Pulse generation circuit 29: Gate signal generation circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ガスフェイズイオン源のエミッタと引出電
極間に引出電圧を印加するための引出電源と、該エミッ
タより発生するイオンビーム電流量を検出するための検
出手段と、該検出手段よりの出力信号とイオンビーム電
流量の設定値を表わす信号との偏差を増幅するための増
幅器と、該増幅器の出力信号値の範囲を所定幅内に限定
して出力するためのリミット回路と、前記引出電源の出
力電圧を指定するための信号を発生する引出電圧指定信
号発生回路と、該リミット回路の出力信号と該引出電圧
指定信号発生回路の出力信号に基づいて前記引出電源の
出力電圧を制御するための手段とを備えた装置におい
て、前記増幅器の出力信号が前記リミット回路の限定範
囲を逸脱することを検出する回路と、該検出回路よりの
信号に基づいて前記増幅器の出力信号が前記リミット回
路の限定範囲を逸脱しないように前記引出電圧指定信号
発生回路よりの指定信号を自動的にシフトさせるための
制御回路を備えたことを特徴とするイオンビーム装置。
1. An extraction power source for applying an extraction voltage between an emitter and an extraction electrode of a gas phase ion source, a detection means for detecting the amount of ion beam current generated by the emitter, and a detection means for detecting the ion beam current amount. An amplifier for amplifying a deviation between the output signal and a signal representing the set value of the ion beam current amount, a limit circuit for limiting and outputting the output signal value range of the amplifier within a predetermined width, and the drawer. An extraction voltage designating signal generation circuit that generates a signal for designating an output voltage of the power supply, and an output voltage of the extraction power supply is controlled based on the output signal of the limit circuit and the output signal of the extraction voltage designating signal generation circuit. A device for detecting that the output signal of the amplifier deviates from the limited range of the limit circuit, and the circuit based on the signal from the detection circuit. Ion beam and wherein the output signal of the wide unit has a control circuit for automatically shifting the designation signal from the extraction voltage designation signal generating circuit so as not to deviate from the limit range of the limiter circuit.
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