JPH0648642B2 - 電圧非直線磁器組成物とその製造方法 - Google Patents
電圧非直線磁器組成物とその製造方法Info
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- JPH0648642B2 JPH0648642B2 JP2076770A JP7677090A JPH0648642B2 JP H0648642 B2 JPH0648642 B2 JP H0648642B2 JP 2076770 A JP2076770 A JP 2076770A JP 7677090 A JP7677090 A JP 7677090A JP H0648642 B2 JPH0648642 B2 JP H0648642B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電圧非直線磁器組成物｛非直線的な電圧−電流
特性を有し、電圧非直線抵抗体（バリスタ）の素体を形
成する磁器組成物｝、特に酸化亜鉛を主成分とする電圧
非直線磁器組成物に関するものである。
特性を有し、電圧非直線抵抗体（バリスタ）の素体を形
成する磁器組成物｝、特に酸化亜鉛を主成分とする電圧
非直線磁器組成物に関するものである。
［従来の技術］ 酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線磁器組成物として
は、ＺｎＯ粉末に、例えばＢｉ，Ｓｂ等の各種金属酸化
物粉末を添加して混合し、これらを例えばディスク形状
に成形した後、酸化性雰囲気中において１２００℃程度
の温度で焼結したものが知られている。
は、ＺｎＯ粉末に、例えばＢｉ，Ｓｂ等の各種金属酸化
物粉末を添加して混合し、これらを例えばディスク形状
に成形した後、酸化性雰囲気中において１２００℃程度
の温度で焼結したものが知られている。
この例の電圧非直線磁器組成物では、焼結によって、電
圧非直線磁器組成物中にＺｎＯからなる半導体粒子と、
この半導体粒子の粒界に形成されたＢｉ２Ｏ３等の金属
酸化物の粒界相と、Ｚｎ２Ｓｂ３Ｏ４等からなるスピネ
ル相とが形成される。
圧非直線磁器組成物中にＺｎＯからなる半導体粒子と、
この半導体粒子の粒界に形成されたＢｉ２Ｏ３等の金属
酸化物の粒界相と、Ｚｎ２Ｓｂ３Ｏ４等からなるスピネ
ル相とが形成される。
電圧非直線磁器組成物の非直線的な電圧−電流特性は、
このＺｎＯからなる半導体粒子とＢｉ２Ｏ３等の金属酸
化物の粒界相との界面によって生ずるものである。
このＺｎＯからなる半導体粒子とＢｉ２Ｏ３等の金属酸
化物の粒界相との界面によって生ずるものである。
ところで、電圧非直線磁器組成物の非直線的な電圧−電
流特性は、バリスタ電圧Ｖと非直線係数αで評価され
る。
流特性は、バリスタ電圧Ｖと非直線係数αで評価され
る。
ここで、バリスタ電圧Ｖは、電気抵抗が急激に減少する
ようになる電圧であり、非直線係数αは電圧非直線磁器
組成物中を流れる電流Ｉの電圧Ｖ対する変化を次式で近
似したときに得られる数値である。
ようになる電圧であり、非直線係数αは電圧非直線磁器
組成物中を流れる電流Ｉの電圧Ｖ対する変化を次式で近
似したときに得られる数値である。
Ｉ＝ＫＶα （但し、Ｉは電圧非直線磁器組成物中を流れる電流、Ｖ
は印加電圧、Ｋは定数） そして、酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線磁器組成物
は、非直線係数αが５０程度と大きいので、異常高電圧
（サージ）に対する応答性の点で特に優れている。
は印加電圧、Ｋは定数） そして、酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線磁器組成物
は、非直線係数αが５０程度と大きいので、異常高電圧
（サージ）に対する応答性の点で特に優れている。
また、この酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線磁器組成
物は、原料のＺｎＯが安いので、安く製造することがで
きるものである。
物は、原料のＺｎＯが安いので、安く製造することがで
きるものである。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、この酸化亜鉛を主成分とする従来の電圧非直線
磁器組成物は、バリスタ電圧Ｖが２００Ｖ程度と高いの
で、各種小型モータのような低電圧を使用する電気機器
から発生するノイズ除去用としては使用できなかった。
磁器組成物は、バリスタ電圧Ｖが２００Ｖ程度と高いの
で、各種小型モータのような低電圧を使用する電気機器
から発生するノイズ除去用としては使用できなかった。
本発明は、コストの安いＺｎＯ系の材料を使用して、バ
リスタ電圧の低い電圧非直線磁器組成物を得ることを目
的とするものである。
リスタ電圧の低い電圧非直線磁器組成物を得ることを目
的とするものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係る電圧非直線磁器組成物は、酸化亜鉛を主成
分とし、副成分として少なくとも１種以上の金属酸化物
を含有する組成物を焼成してなる焼結体であって、この
焼結体は、還元されて半導体の状態にある半導体部と、
この半導体部の上に所定の厚さで層状に被覆形成された
酸化層とからなる。
分とし、副成分として少なくとも１種以上の金属酸化物
を含有する組成物を焼成してなる焼結体であって、この
焼結体は、還元されて半導体の状態にある半導体部と、
この半導体部の上に所定の厚さで層状に被覆形成された
酸化層とからなる。
ここで、副成分としては、Ｂｉ，Ｓｂ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ｍｇ，ＡｌおよびＳｉから選択された１種ま
たは種以上の金属の酸化物を挙げることができる。
ｉ，Ｃｒ，Ｍｇ，ＡｌおよびＳｉから選択された１種ま
たは種以上の金属の酸化物を挙げることができる。
この電圧非直線磁器組成物は、酸化亜鉛を主成分とし、
副成分として少なくとも１種以上の金属酸化物を含有す
る上記組成物を所定形状に成型した後、還元性雰囲気中
において加熱して半導体化させ、次に酸化性雰囲気中に
おいて加熱して表面を酸化させることにより製造するこ
とができる。
副成分として少なくとも１種以上の金属酸化物を含有す
る上記組成物を所定形状に成型した後、還元性雰囲気中
において加熱して半導体化させ、次に酸化性雰囲気中に
おいて加熱して表面を酸化させることにより製造するこ
とができる。
ここで、還元性雰囲気中における加熱温度としては、１
１００〜１３００℃の範囲が好ましい。加熱温度が１１
００℃未満では焼結が不充分になり、１３００℃を越え
るとＢｉ２Ｏ３のような低融点の含成分が抜け、特性に
悪影響を及ぼすが、１１００〜１３００℃の範囲ではこ
のようなことがないからである。
１００〜１３００℃の範囲が好ましい。加熱温度が１１
００℃未満では焼結が不充分になり、１３００℃を越え
るとＢｉ２Ｏ３のような低融点の含成分が抜け、特性に
悪影響を及ぼすが、１１００〜１３００℃の範囲ではこ
のようなことがないからである。
また、酸化性雰囲気中における加熱温度としては６００
〜７５０℃の範囲が好ましい。加熱温度が６００℃未満
ではバリスタ電圧Ｖが低くなり過ぎたり、非直線係数α
が小さくなり過ぎ、また７５０℃を越えるとバリスタ電
圧Ｖが高くなり過ぎるが、６００〜７５０℃の範囲では
バリスタ電圧Ｖや非直線係数αが適当な値になるからで
ある。
〜７５０℃の範囲が好ましい。加熱温度が６００℃未満
ではバリスタ電圧Ｖが低くなり過ぎたり、非直線係数α
が小さくなり過ぎ、また７５０℃を越えるとバリスタ電
圧Ｖが高くなり過ぎるが、６００〜７５０℃の範囲では
バリスタ電圧Ｖや非直線係数αが適当な値になるからで
ある。
また、この電圧非直線磁器組成物は、酸化亜鉛を主成分
とし、副成分として少なくとも１種以上の金属酸化物を
含有する上記組成物を所定形状に成型した後、酸化性雰
囲気中において加熱して酸化させ、次に還元性雰囲気中
において加熱して還元させ、次に酸化性雰囲気中におい
て加熱して表面を再酸化させることによっても製造する
ことができる。
とし、副成分として少なくとも１種以上の金属酸化物を
含有する上記組成物を所定形状に成型した後、酸化性雰
囲気中において加熱して酸化させ、次に還元性雰囲気中
において加熱して還元させ、次に酸化性雰囲気中におい
て加熱して表面を再酸化させることによっても製造する
ことができる。
ここで、先の酸化性雰囲気中における加熱温度として
は、１１００〜１３００℃の範囲が好ましい。加熱温度
が１１００℃未満では焼結が不充分になり、１３００℃
を越えるとＢｉ２Ｏ３のような低融点の副成分が抜け、
特性に悪影響を及ぼすが、１１００〜１３００℃の範囲
ではこのようなことがないからである。
は、１１００〜１３００℃の範囲が好ましい。加熱温度
が１１００℃未満では焼結が不充分になり、１３００℃
を越えるとＢｉ２Ｏ３のような低融点の副成分が抜け、
特性に悪影響を及ぼすが、１１００〜１３００℃の範囲
ではこのようなことがないからである。
また、還元性雰囲気中における加熱温度としては７００
〜１１００℃の範囲が好ましい。加熱温度が７００℃未
満では還元が不充分で、完全にバリスタ特性を除くこと
ができず、１１００℃を越えると粒子成長が進み初期の
特性が悪くなるが、７００〜１１００℃の範囲ではこの
ようなことがないからである。
〜１１００℃の範囲が好ましい。加熱温度が７００℃未
満では還元が不充分で、完全にバリスタ特性を除くこと
ができず、１１００℃を越えると粒子成長が進み初期の
特性が悪くなるが、７００〜１１００℃の範囲ではこの
ようなことがないからである。
更に、後の酸化性雰囲気中における加熱温度としては６
００〜７５０℃の範囲が好ましい。加熱温度が６００℃
未満ではバリスタ電圧Ｖが低くなり過ぎたり、非直線係
数αが小さくなり過ぎ、また７５０℃を越えるとバリス
タ電圧Ｖが高くなり過ぎるが、６００〜７５０℃の範囲
ではバリスタ電圧Ｖや非直線係数αが適当な値になるか
らである。
００〜７５０℃の範囲が好ましい。加熱温度が６００℃
未満ではバリスタ電圧Ｖが低くなり過ぎたり、非直線係
数αが小さくなり過ぎ、また７５０℃を越えるとバリス
タ電圧Ｖが高くなり過ぎるが、６００〜７５０℃の範囲
ではバリスタ電圧Ｖや非直線係数αが適当な値になるか
らである。
［実施例］ 実験１ ＺｎＯ粉末にＢｉ，Ｓｂ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｇ，ＡｌまたはＳｉから選択された元素の酸化物を、第
１表の試料No３，１５，２７に示す割合で添加し、これ
らを充分に混合した後、７２０℃で２時間仮焼した。
ｇ，ＡｌまたはＳｉから選択された元素の酸化物を、第
１表の試料No３，１５，２７に示す割合で添加し、これ
らを充分に混合した後、７２０℃で２時間仮焼した。
次に、この仮焼して得られたものを充分に粉砕し、この
粉砕したものを金型で成型して、外径１２．２５ｍｍ、
内径７．７５ｍｍのリング状の成形体を複数個製造し
た。
粉砕したものを金型で成型して、外径１２．２５ｍｍ、
内径７．７５ｍｍのリング状の成形体を複数個製造し
た。
次に、このリング状の成形体をＨ２２．０％＋Ｎ２９８
％の還元性雰囲気中において、１１５０℃で２時間焼成
し、その後、空気中において６５０℃で酸化焼成した。
％の還元性雰囲気中において、１１５０℃で２時間焼成
し、その後、空気中において６５０℃で酸化焼成した。
次に、この酸化焼成したものに銀電極を各々焼き付けて
バリスタを形成し、２５℃におけるバリスタ電圧Ｖ10mA
と、非直線係数αを求めた。
バリスタを形成し、２５℃におけるバリスタ電圧Ｖ10mA
と、非直線係数αを求めた。
結果は第１表に示す通りとなった。
実験２ 次に、添加成分を第１表の試料No３７，３８，３９に示
すようにしたこと、および成形体を酸化性雰囲気中にお
いて加熱温度１１５０℃で１回だけ加熱して酸化焼成し
たこと以外は実験１と同様にして従来例としてのバリス
タを形成し、２５℃におけるバリスタ電圧Ｖ10mAと、非
直線係数αを求めた。
すようにしたこと、および成形体を酸化性雰囲気中にお
いて加熱温度１１５０℃で１回だけ加熱して酸化焼成し
たこと以外は実験１と同様にして従来例としてのバリス
タを形成し、２５℃におけるバリスタ電圧Ｖ10mAと、非
直線係数αを求めた。
結果は第１表に示す通りとなった。
実験１によれば、バリスタ電圧Ｖ10mAは５〜３５Ｖとな
った。これは実験２の結果、すなわち従来例と比較して
大巾に低下していることがわかる。
った。これは実験２の結果、すなわち従来例と比較して
大巾に低下していることがわかる。
実験１のバリスタ電圧Ｖ10mAが、実験２のバリスタ電圧
Ｖ10mAよりも大幅に低くなったのは、実験２で得られた
電圧非直線磁器組成物がＢＬ構造になっているのに対し
て、実験１で得られた電圧非直線磁器組成物が表面再酸
化型の構造になっているためと考えられる。
Ｖ10mAよりも大幅に低くなったのは、実験２で得られた
電圧非直線磁器組成物がＢＬ構造になっているのに対し
て、実験１で得られた電圧非直線磁器組成物が表面再酸
化型の構造になっているためと考えられる。
実験３ 次に、第２表の試料No１〜６，１３〜１８，２５〜３０
に示す組成の成形体を空気中において５５０〜８００℃
の範囲で酸化焼成した以外は実験１と同様にして、２５
℃におけるバリスタ電圧Ｖ10mAと、非直線係数αを求め
た。
に示す組成の成形体を空気中において５５０〜８００℃
の範囲で酸化焼成した以外は実験１と同様にして、２５
℃におけるバリスタ電圧Ｖ10mAと、非直線係数αを求め
た。
結果は第２表に示す通りとなった。
実験３の結果から、空気中における酸化焼成において、
加熱温度が５５０℃では、バリスタ電圧Ｖ10mAが０．１
〜０．５Ｖ程度、非直線係数αも１程度となって、満足
できる電気的特性のものは得られなかった。
加熱温度が５５０℃では、バリスタ電圧Ｖ10mAが０．１
〜０．５Ｖ程度、非直線係数αも１程度となって、満足
できる電気的特性のものは得られなかった。
また、空気中における酸化焼成において、加熱温度が８
００℃では、バリスタ電圧Ｖ10mAが３００Ｖ付近と高く
なり過ぎ、満足できる電気的特性のものは得られなかっ
た。
００℃では、バリスタ電圧Ｖ10mAが３００Ｖ付近と高く
なり過ぎ、満足できる電気的特性のものは得られなかっ
た。
従って、空気中における酸化焼成において、加熱温度は
６００〜７５０℃の範囲が好ましい。
６００〜７５０℃の範囲が好ましい。
実験４ 第３表の試料No７〜１２，１９〜２４，３１〜３６に示
す組成の成形体を先に酸化性雰囲気中において１１５０
℃で加熱して酸化焼成した以外は実験１と同様にして電
圧非直線磁器組成物を形成し、この電圧非直線磁器組成
物の２５℃におけるバリスタ電圧と非直線係数αを求め
た。
す組成の成形体を先に酸化性雰囲気中において１１５０
℃で加熱して酸化焼成した以外は実験１と同様にして電
圧非直線磁器組成物を形成し、この電圧非直線磁器組成
物の２５℃におけるバリスタ電圧と非直線係数αを求め
た。
結果は第３表に示す通りとなった。
上記の結果は、実験１および実験３とほぼ同等になって
おり、成形体を還元焼成させる前にあらかじめ酸化させ
ておいても同様の結果が得られることがわかる。
おり、成形体を還元焼成させる前にあらかじめ酸化させ
ておいても同様の結果が得られることがわかる。
［発明の効果］ 本発明によれば、コストの安い酸化亜鉛系の材料を使用
して、バリスタ電圧の低い電圧非直線磁器組成物を得る
ことができるという効果がある。
して、バリスタ電圧の低い電圧非直線磁器組成物を得る
ことができるという効果がある。
Claims (3)
- 【請求項１】酸化亜鉛を主成分とし、副成分として少な
くとも１種以上の金属酸化物を含有する組成物を焼成し
てなる焼結体であって、この焼結体は、還元されて半導
体の状態にある半導体部と、この半導体部の上に所定の
厚さで被覆形成された酸化層とからなる電圧非直線磁器
組成物。 - 【請求項２】酸化亜鉛を主成分とし、副成分として少な
くとも１種以上の金属酸化物を含有する組成物を、還元
性雰囲気中において加熱して半導体化させ、次に酸化性
雰囲気中において加熱して表面を酸化させることを特徴
とする電圧非直線磁器組成物の製造方法。 - 【請求項３】酸化亜鉛を主成分とし、副成分として少な
くとも１種以上の金属酸化物を含有する組成物を、酸化
性雰囲気中において加熱して酸化させ、次に、還元性雰
囲気中において加熱して半導体化させ、次に酸化性雰囲
気中において加熱して表面を再酸化させることを特徴と
する電圧非直線磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076770A JPH0648642B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電圧非直線磁器組成物とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076770A JPH0648642B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電圧非直線磁器組成物とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03278402A JPH03278402A (ja) | 1991-12-10 |
| JPH0648642B2 true JPH0648642B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=13614827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2076770A Expired - Fee Related JPH0648642B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 電圧非直線磁器組成物とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648642B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5830715B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2015-12-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタ及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2076770A patent/JPH0648642B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03278402A (ja) | 1991-12-10 |
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