JPH0652751B2 - Method for testing semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Method for testing semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- JPH0652751B2 JPH0652751B2 JP58062191A JP6219183A JPH0652751B2 JP H0652751 B2 JPH0652751 B2 JP H0652751B2 JP 58062191 A JP58062191 A JP 58062191A JP 6219183 A JP6219183 A JP 6219183A JP H0652751 B2 JPH0652751 B2 JP H0652751B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は半導体集積回路装置、特にテスト機能を有す
るものに関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to one having a test function.
一般に半導体集積回路装置は、その内部回路が高集積化
するほど、また大規模化あるいは複雑化するほど、その
内部回路の機能テストの必要性が強くなってくる。例え
ば大規模論理LSIなどでは、その内部論理の全てある
いは主要な機能をテストするための機能が要求される。
また、内部回路にフリップフロップのごとき信号保持回
路が含まれる場合は、その信号保持回路を強制的にセッ
トあるいはリセットしてテストを行なう機能が必要にな
ることが多い。Generally, in a semiconductor integrated circuit device, the more highly integrated the internal circuit becomes, and the larger or more complicated the internal circuit becomes, the stronger the necessity of the functional test of the internal circuit becomes. For example, in a large-scale logic LSI, a function for testing all or major functions of its internal logic is required.
When the internal circuit includes a signal holding circuit such as a flip-flop, it is often necessary to have a function of forcibly setting or resetting the signal holding circuit to perform a test.
このために、従来のこの種の半導体集積回路装置では、
通常の機能端子のほかに、テストを行なうためだけの端
子を設けたものがあった。しかし、通常の機能端子のほ
かにテストのためだけの端子をさらに設けることは、端
子パッドの占める面積がやたらに大きくなって、半導体
集積回路装置の効率的な構成を著しく妨げる。しかも、
テスト機能の必要性は、半導体集積回路装置が大規模化
あるいは複雑化するほど高くなるが、このような大規模
あるいは高度に複雑化された半導体集積回路装置ほどた
くさんの機能端子を必要とする場合が多い。この場合、
その機能端子以外にさらにテスト用の端子を設ける余裕
はほとんどなく、結局、テスト機能の必要性が高くなる
ほど、そのテスト機能を設けることが難しくなるという
ジレンマに陥っていた。Therefore, in the conventional semiconductor integrated circuit device of this type,
In addition to the normal function terminals, there were terminals that were provided only for testing. However, in addition to the normal function terminals, providing terminals only for testing causes the area occupied by the terminal pads to become so large that the efficient construction of the semiconductor integrated circuit device is significantly hindered. Moreover,
The necessity of the test function becomes higher as the size and complexity of the semiconductor integrated circuit device increase. However, in the case where such a large scale or highly complicated semiconductor integrated circuit device requires more functional terminals. There are many. in this case,
There is almost no room to provide a test terminal other than the functional terminal, and as a result, the higher the necessity of the test function, the more difficult it becomes to provide the test function.
テスト機能のための端子を通常の機能端子と時分割で共
用するという手段も考えられるが、これとても、その時
分割の管理が複雑かつ面倒になりやすいという欠点を伴
う。It is conceivable to share the terminals for the test function with the normal function terminals in a time-sharing manner, but this has a drawback that the management of the time-sharing is complicated and easily troublesome.
この発明は以上のような背景を鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、大きな面積を占めるテスト用
の端子パッドや面倒かつ複雑な時分割によらずに、簡単
かつ小さな面積を割当てるだけでもって、必要なテスト
機能を備えることができるようにした半導体集積回路装
置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above background,
The purpose is to make it possible to provide the necessary test functions simply by allocating a small area, without relying on the terminal pads for testing that occupy a large area or the troublesome and complicated time division. It is to provide a semiconductor integrated circuit device.
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。The outline of a typical one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
すなわち、半導体集積回路装置の内部回路が形成される
領域に、該内部回路とともに、外部から与えられる光に
感応する光電変換素子を形成し、さらに上記光電変換素
子によって上記内部回路の機能テストを行なうためのテ
スト信号発生部を構成し、これにより大きな面積を占め
るテスト用の端子パッドや面倒かつ複雑な時分割によら
ずに、簡単かつ小さな面積を割当てるだけでもって、必
要なテスト機能を備えることができるようにするという
目的を達成するものである。That is, in the area where the internal circuit of the semiconductor integrated circuit device is formed, together with the internal circuit, a photoelectric conversion element sensitive to light given from the outside is formed, and further the functional test of the internal circuit is performed by the photoelectric conversion element. A test signal generator to provide a necessary test function by simply and allocating a small area without using a terminal pad for testing that occupies a large area or complicated and time-sharing. It achieves the purpose of being able to.
以下、この発明の代表的な実施例を図面を参照しながら
説明する。Hereinafter, representative embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
なお、図面において同一あるいは相当する部分は同一符
号で示す。In the drawings, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals.
第1図、第2図、第3図は、この発明による半導体集積
回路装置の一実施例を示す。1, 2 and 3 show an embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.
先ず、第1図および第3図において、この実施例による
半導体集積回路装置10は、フリップフロップなどの信
号保持回路F/Fを含む比較的大規模な論理回路が内部
回路12として形成されている。この内部回路12は、
入出力バッファ16を介して、外部接続のための端子パ
ッド14と接続している。この端子パッド14は、内部
回路12を通常の実使用にて動作させるための機能端子
を構成するものであって、テスト用の端子としての機能
は持たされていない。First, referring to FIGS. 1 and 3, in a semiconductor integrated circuit device 10 according to this embodiment, a relatively large-scale logic circuit including a signal holding circuit F / F such as a flip-flop is formed as an internal circuit 12. . This internal circuit 12 is
It is connected to the terminal pad 14 for external connection via the input / output buffer 16. The terminal pad 14 constitutes a functional terminal for operating the internal circuit 12 in a normal actual use, and does not have a function as a test terminal.
上記内部回路12が形成されている領域には、第2図に
示すように、外部から与えられる光に感応する光電変換
素子PSが形成されている。この光電変換素子PSは、
例ば半導体集積回路装置10の半導体基体上にPN接合
を形成することにより、簡単に構成することができる。
この光電変換素子PSは、例えば抵抗Rと共に電源電圧
Vcc,Vbb間に直列に接続されることにより、該光
電変換素子PSの光感応状態に応じた論理信号を発生す
る回路を構成する。この回路はテスト信号発生部Tとし
て機能させられるようになっている。すなわち、このテ
スト信号発生部Tから発生される信号は、第1図あるい
は第2図に示すように、上記内部回路12の機能テストを
行なうためのテスト信号として、該内部回路12の各部
に与えられるようになっている。例えば、第2図に示す
部分では、光電変換素子PSと抵抗Rの接続点から、2
組のC−MOSトランジスタQ1−Q2,Q3−Q4か
らなる信号保持装置回路F/Fの保持状態をいずれか一
方に強制的にセット(あるいはリセット)させるテスト
信号を与える。In the region where the internal circuit 12 is formed, as shown in FIG. 2, a photoelectric conversion element PS that is sensitive to light applied from the outside is formed. This photoelectric conversion element PS is
For example, by forming a PN junction on the semiconductor substrate of the semiconductor integrated circuit device 10, the semiconductor integrated circuit device 10 can be easily configured.
The photoelectric conversion element PS is connected in series between the power supply voltages Vcc and Vbb together with the resistor R, for example, to form a circuit that generates a logic signal according to the photosensitive state of the photoelectric conversion element PS. This circuit is made to function as a test signal generator T. That is, the signal generated from the test signal generating section T is given to each section of the internal circuit 12 as a test signal for performing a functional test of the internal circuit 12, as shown in FIG. 1 or 2. It is designed to be used. For example, in the portion shown in FIG. 2, from the connection point of the photoelectric conversion element PS and the resistor R, 2
A test signal for forcibly setting (or resetting) the holding state of the signal holding device circuit F / F including the pair of C-MOS transistors Q1-Q2 and Q3-Q4 is given.
さらに、上記テスト信号発生部Tは、ここから発生され
るテスト信号の注入を受ける被テスト回路部毎に該回路
部に近接して形成されている。また、そのテスト信号発
生部Tは、必ずしも独立して構成される必要はなく、こ
のテスト信号発生部Tからのテスト信号の注入を受ける
被テスト回路部に組込まれた状態で構成されてもよい。
具体的には被テスト回路部の一部を上記光電変換素子P
Sで構成してもよい。Further, the test signal generating section T is formed in the vicinity of each circuit section to be tested to which the test signal generated therefrom is injected. Further, the test signal generating section T does not necessarily have to be configured independently, and may be configured in a state of being incorporated in a circuit section to be tested which receives the injection of the test signal from the test signal generating section T. .
Specifically, a part of the circuit under test is connected to the photoelectric conversion element P.
You may comprise S.
以上のようなテスト信号発生部Tを半導体集積回路装置
10の内部回路12の各部にそれぞれ設けることによ
り、半導体集積回路装置10には、第3図に示すような
多数のテストポイントT1,T2,T3…Tnが各テス
ト信号発生部T毎に配置されるようになる。By providing the test signal generating section T as described above in each section of the internal circuit 12 of the semiconductor integrated circuit device 10, the semiconductor integrated circuit device 10 has a large number of test points T1, T2 and T2 as shown in FIG. T3 ... Tn are arranged for each test signal generating section T.
そこで、第4図に示すように、例えばレーザー発振器2
0と光偏向器22とによって上記テストポイントT1〜
Tnを標的として選択的に光ビームLを照射する装置を
使用し、上記半導体集積回路装置10の外部端子として
の端子パッド14に端子プローブ24を当ててモニター
を行ないながら、任意のテストポイントTxに光ビーム
Lを照射することにより、テスト用の端子パッドを使用
せずに、機能テスト必要なテスト信号を各テストポイン
トT1〜Tn毎に与えて内部回路12の全体あるいは主
要部分の機能テストを行なうことができる。Therefore, for example, as shown in FIG.
0 and the optical deflector 22 cause the test points T1 to
A device for selectively irradiating the light beam L with Tn as a target is used, and a terminal probe 24 is applied to the terminal pad 14 as an external terminal of the semiconductor integrated circuit device 10 for monitoring, and at any test point Tx. By irradiating the light beam L, a test signal required for a functional test is applied to each of the test points T1 to Tn without using a test terminal pad to perform a functional test of the entire internal circuit 12 or a main part thereof. be able to.
ここで、上記テスト信号発生部Tの主要部分である光電
変換素子PSは僅かの面積でも形成することができ、ま
たこの光電変換素子PSを被テスト回路部に近接して設
けるか、あるいはその一部に組込むことにより、テスト
信号を外部から与えるための端子パッドを不要にできる
ことはもちろんのこと、そのテスト信号を送るための配
線さえもほとんど不要にすることができる。これによ
り、端子パッドに余裕のない大規模あるいは複雑な内部
回路を有する半導体集積回路装置でも、半導体基体の面
積サイズを大きくしたりすることなく、あるいは面倒か
つ複雑な時分割によらずとも、簡単に必要なテスト機能
を備えることができるようになる。そして、実使用時に
は、例えばパッケージなどに納められることにより、外
部からの光による影響は全く心配しないですむようにな
る。Here, the photoelectric conversion element PS, which is a main part of the test signal generating section T, can be formed with a small area, and the photoelectric conversion element PS is provided in the vicinity of the circuit section to be tested or one thereof. By incorporating it into the unit, not only the terminal pad for applying the test signal from the outside can be eliminated, but also the wiring for transmitting the test signal can be almost eliminated. As a result, even in a semiconductor integrated circuit device having a large-scale or complicated internal circuit with no margin in the terminal pad, it is easy to perform without increasing the area size of the semiconductor substrate, or without troublesome and complicated time division. Will be able to provide the necessary test functions for. And, when it is actually used, it is stored in a package, for example, so that it is not necessary to worry about the influence of light from the outside.
以上のように、この発明による半導体集積回路装置で
は、大きな面積を占めるテスト用の端子パッドや面倒か
つ複雑な時分割によらずに、簡単かつ小さな面積を割当
てるだけでもって、必要なテスト機能を備えることがで
きる。As described above, in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, a necessary test function can be obtained simply by allocating a small area without relying on a test terminal pad occupying a large area or a troublesome and complicated time division. Can be prepared.
また、本発明では光偏向器を用いて各テストポイントに
光ビームを選択的に照射するようにしているため、レー
ザー発振器を一つ設けるだけでよいので測定装置が複雑
にならないという効果がある。特に、被測定物たる半導
体集積回路装置は年々大型化される傾向にあり、本発明
は大規模化された半導体集積回路装置をテストする場合
にも装置をコンパクトに構成できるとともに、被測定物
が変ったりテスト信号入力用の光電変換素子の数が多く
なっても光偏向器により光ビーム照射位置を変えるだけ
つまりコンピュータ制御ではソフトウェアの変更だけで
対応できるという効果を有する。Further, in the present invention, since each test point is selectively irradiated with the light beam by using the optical deflector, it is sufficient to provide only one laser oscillator, so that the measuring apparatus is not complicated. In particular, the semiconductor integrated circuit device as the DUT tends to increase in size year by year, and the present invention makes it possible to configure the device compactly even when testing a large-scaled semiconductor integrated circuit device. Even if it changes or the number of photoelectric conversion elements for inputting the test signal increases, it is possible to cope with the change of the light beam irradiation position by the light deflector, that is, the computer control by only changing the software.
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、上記光電変
換素子PSによるテスト信号発生部Tは分散して設けて
もよいが、半導体基体の空いている部分に集中的に配列
させるようにしてもよい。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Nor. For example, the test signal generating sections T by the photoelectric conversion elements PS may be provided in a dispersed manner, but they may be arranged in a concentrated manner in a vacant portion of the semiconductor substrate.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である大規模論理LSIに
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、例
えば、メモリLSIなどにも適用できる。In the above description, the invention made by the present inventor was mainly described for a large-scale logic LSI which is a field of application which is the background of the invention, but the invention is not limited to this and can be applied to, for example, a memory LSI.
第1図はこの発明による半導体集積回路装置の一実施例
を示す回路図である。 第2図は第1図の一部分を示す回路図である。 第3図は上記半導体集積回路装置を表面から見た状態を
示す図である。 第4図はこの発明の実施例による半導体集積回路装置の
機能テストを行なっている状態の一例を示す側面図であ
る。 10……半導体集積回路装置、12……内部回路、14
……端子パッド、14……入出力バッファ、20……レ
ーザー発振器、22……光偏向器、24……端子プロー
ブ、F/F……信号保持回路(被テスト回路部)、T…
…テスト信号発生部、PS……光電変換素子、R……抵
抗、T1〜Tn,Tx……テストポイント、L……光ビ
ーム。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing a part of FIG. FIG. 3 is a view showing the semiconductor integrated circuit device viewed from the front side. FIG. 4 is a side view showing an example of a state in which a function test of the semiconductor integrated circuit device according to the embodiment of the present invention is being performed. 10 ... Semiconductor integrated circuit device, 12 ... Internal circuit, 14
...... Terminal pad, 14 ...... Input / output buffer, 20 ...... Laser oscillator, 22 ...... Optical deflector, 24 ...... Terminal probe, F / F ...... Signal holding circuit (circuit under test), T ...
... Test signal generator, PS ... Photoelectric conversion element, R ... Resistance, T1 to Tn, Tx ... Test point, L ... Light beam.
Claims (1)
上記端子パッドと内部回路とは入出力バッファを介して
接続されているとともに、上記内部回路に複数個の信号
保持回路を含んでなる半導体集積回路装置に、上記各信
号保持回路に対応してそれぞれ外部から与えられる光に
感応する光電変換素子とこれと直列形態で接続された抵
抗素子とからなり上記光電変換素子が受光したときにそ
れらの素子の接続点に上記内部回路の機能をテストする
信号を発生するテスト信号発生部とを予め形成してお
き、上記端子パッドのうち出力用端子パッドにテスト用
の端子プローブを接触させながら、上記内部回路内の所
望の信号保持回路に対応する光電変換素子に外部から1
つのレーザー生成手段より発生されたレーザー光を光偏
向手段によって偏向させて順次照射し、対応する信号保
持回路を強制的にセットまたはリセット状態にさせて上
記出力用端子パッドの電気信号をモニターすることで内
部回路の機能テストを行なうようにしたことを特徴とす
る半導体集積回路装置のテスト方法。1. A plurality of terminal pads and an internal circuit are provided,
The terminal pad and the internal circuit are connected via an input / output buffer, and a semiconductor integrated circuit device including a plurality of signal holding circuits in the internal circuit is provided for each of the signal holding circuits. A signal for testing the function of the internal circuit at the connection point between the photoelectric conversion element and a resistance element connected in series with the photoelectric conversion element that is sensitive to light given from the outside when the photoelectric conversion element receives the light. And a test signal generating unit for generating a test signal are generated in advance, and photoelectric conversion corresponding to a desired signal holding circuit in the internal circuit is performed while a test terminal probe is brought into contact with the output terminal pad of the terminal pads. External to the element 1
The laser light generated by the one laser generating means is deflected by the light deflecting means and sequentially irradiated, and the corresponding signal holding circuit is forcibly set or reset to monitor the electric signal of the output terminal pad. A method for testing a semiconductor integrated circuit device, wherein a function test of an internal circuit is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062191A JPH0652751B2 (en) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | Method for testing semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062191A JPH0652751B2 (en) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | Method for testing semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188929A JPS59188929A (en) | 1984-10-26 |
| JPH0652751B2 true JPH0652751B2 (en) | 1994-07-06 |
Family
ID=13193002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58062191A Expired - Lifetime JPH0652751B2 (en) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | Method for testing semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652751B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002207068A (en) * | 2000-09-28 | 2002-07-26 | Schlumberger Technol Inc | On-chip optically driven latch for integrated circuit device inspection |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2727799B2 (en) * | 1991-07-11 | 1998-03-18 | 日本電気株式会社 | Semiconductor integrated circuit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114347A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-08 | Telmec Co Ltd | Probe card |
| JPS5721832A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Toshiba Corp | Measuring apparatus for semiconductor |
-
1983
- 1983-04-11 JP JP58062191A patent/JPH0652751B2/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JP2002207068A (en) * | 2000-09-28 | 2002-07-26 | Schlumberger Technol Inc | On-chip optically driven latch for integrated circuit device inspection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59188929A (en) | 1984-10-26 |
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