JPH0758396B2 - Photo etching mask - Google Patents
Photo etching maskInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、リードフレーム用フォトエッチングマスクに
関し、さらに詳しくは、微細で、多ピン形状を有するリ
ードフレーム用フォトエッチングマスクに関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photoetching mask for lead frames, and more particularly to a photoetching mask for lead frames having a fine and multi-pin shape.
＜従来の技術＞ 近年、半導体集積回路は高密度化、高集積化が進められ
ている。それに伴い、このような半導体集積回路に使用
されるリードフレームも、特に論理素子用を中心に多ピ
ン化が進められている。<Prior Art> In recent years, semiconductor integrated circuits have been highly integrated and highly integrated. Along with this, the lead frames used in such semiconductor integrated circuits are also being increased in number of pins, especially for logic elements.
リードフレームの製造方法には、プレス法とエッチング
法とがあるが、特に100ピン級以上の多ピンリードフレ
ームの製造には、微細加工に適したエッチング法、特に
フォトエッチング法が用いられている。There are a press method and an etching method as a lead frame manufacturing method. Particularly, an etching method suitable for microfabrication, particularly a photo-etching method is used for manufacturing a multi-pin lead frame of 100 pins or more. .
フォトエッチング法によるリードフレームの製造方法は
次の通りである。まず、素材となる金属薄板にフォトレ
ジスト液を塗布、乾燥する。その後、所定パターンのフ
ォトエッチングマスクを用いて露光・現像し、所定パタ
ーン形状のフォトレジスト層を形成する。次いで、前記
フォトレジスト層をマスクとしてエッチング液を吹き付
け、不要部の素材金属を溶解除去し、所定のパターンの
リードフレームを形成し、最後に、不要となったフォト
レジスト層を剥離除去する。The method of manufacturing the lead frame by the photo etching method is as follows. First, a photoresist solution is applied to a thin metal plate as a material and dried. After that, exposure and development are performed using a photo-etching mask having a predetermined pattern to form a photoresist layer having a predetermined pattern shape. Then, an etching solution is sprayed using the photoresist layer as a mask to dissolve and remove the material metal in unnecessary portions to form a lead frame having a predetermined pattern, and finally, the unnecessary photoresist layer is peeled and removed.
そして、このような方法で製造されるリードフレームに
おいては、半導体素子と結線されるインナーリード部
は、通常、素子配設部に対向し、矩形の片持梁状に形成
される。In the lead frame manufactured by such a method, the inner lead portion connected to the semiconductor element is usually formed in a rectangular cantilever shape so as to face the element arrangement portion.
ところが、このようなフォトエッチング法よってリード
フレームを製造すると、フォトレジスト層は素材金属の
上面のみであるために、インナーリード先端部はサイド
エッチを受け、細く、すなわち面積が小さくなってしま
う。However, when a lead frame is manufactured by such a photo-etching method, since the photoresist layer is only on the upper surface of the material metal, the tip of the inner lead is subjected to side etching, and becomes thin, that is, the area becomes small.
リードフレームのインナーリード先端部は、半導体（I
C）素子の電極とワイヤーで接続するために、幅を広く
する必要がある。すなわち、充分なボンディング面積が
確保されていなければならない。The tip of the inner lead of the lead frame is
C) It is necessary to widen the width in order to connect with the electrodes of the device with wires. That is, a sufficient bonding area must be secured.
そこで、インナーリード先端部の寸法、形状を所望の通
りとするために、インナーリード先端部に対応する部分
の形状を工夫したフォトエッチングマスクが提案されて
いる。Therefore, in order to obtain the desired size and shape of the inner lead tip, a photoetching mask is proposed in which the shape of the portion corresponding to the inner lead tip is devised.
＜発明が解決しようとする課題＞ 第３図および第４図に示すように、従来のポジレジスト
用のフォトエッチングマスクには、インナーリード先端
に対応する部分１を、2aのように幅広くしたり、あるい
は2bのように角状の突起を設けたものがある。<Problems to be Solved by the Invention> As shown in FIG. 3 and FIG. 4, in a conventional photo-etching mask for a positive resist, a portion 1 corresponding to the tip of the inner lead is widened like 2a. , Or 2b, which has angular protrusions.
このような形状のフォトエッチングマスクを用いて金属
板上にフォトレジスト層を形成したものをエッチングす
ると、インナーリード先端部のエッチング（化学的溶
解）速度が遅くなるので、インナーリード先端は角形に
なり、充分なボンディング面積が確保されるはずであ
る。If the photoresist layer formed on the metal plate is etched using the photo-etching mask with such a shape, the etching (chemical dissolution) rate of the tip of the inner lead becomes slower, resulting in a square tip of the inner lead. , A sufficient bonding area should be secured.
しかし、2aおよび2bの大きさが小さい場合には、インナ
ーリード先端が丸くなり、ボンディング面積が確保され
ない。一方、2aおよび2bの大きさが大きい場合には、イ
ンナーリード先端のエッチングが充分行われず、インナ
ーリード同士が繋り、短絡が発生することがある。即
ち、従来のフォトエッチングマスクを用い、エッチング
によりリードフレームを製造すると、充分な機能を有す
るリードフレームは得られなかった。However, when the sizes of 2a and 2b are small, the tips of the inner leads are rounded and the bonding area cannot be secured. On the other hand, when the sizes of 2a and 2b are large, the tips of the inner leads are not sufficiently etched, the inner leads may be connected to each other, and a short circuit may occur. That is, when a lead frame was manufactured by etching using a conventional photo etching mask, a lead frame having a sufficient function could not be obtained.
本発明は、上記の事実に鑑みてなされたものであり、微
細で、多ピン形状を有するリードフレーム用のフォトエ
ッチングマスクであって、インナーリード先端部に充分
なボンディング面積が確保され、かつ、インナーリード
同士の繋りのないリードフレームを提供するフォトエッ
チングマスクの提供を目的とする。The present invention has been made in view of the above facts, and is a photoetching mask for a lead frame having a fine, multi-pin shape, in which a sufficient bonding area is secured at the inner lead tip portion, and An object of the present invention is to provide a photoetching mask that provides a lead frame in which inner leads are not connected to each other.
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、リードフレーム用フォトエッチングマスクで
あって、リードフレームのインナーリード先端部に対応
する部分の形状が該先端部を全体的に大きくした六角形
をなし、さらにリードフレームのインナリード先端部の
前方に各インナリードと共通する島部を有するようにフ
ォトレジスト層を形成させる形状部分を有してなること
を特徴とするリードフレーム用フォトエッチングマスク
を提供するものである。<Means for Solving the Problems> The present invention is a photoetching mask for a lead frame, wherein the shape of the portion of the lead frame corresponding to the inner lead tip portion is a hexagon in which the tip portion is enlarged as a whole. Further, there is provided a photoetching mask for a lead frame, further comprising a shape portion for forming a photoresist layer so as to have an island portion common to each inner lead, in front of the inner lead tip portion of the lead frame. To do.
以下に、本発明のフォトエッチングマスクを、添付図面
に示す好適実施例に基づいて詳細に説明する。Hereinafter, the photoetching mask of the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
第１図および第２図は、本発明のフォトエッチングマス
クの一例を示す平面図である。なお、これらはポジレジ
スト用マスクである。第１図および第２図に示すよう
に、本発明のフォトエッチングマスクは、インナーリー
ド先端部に対応する部分１の形状が該先端部を全体的に
大きくした六角形をなし、さらに、リードフレームのイ
ンナーリード先端部の前方に各インナーリードに共通す
る島部５を有するようにフォトレジスト層を形成させる
形状部分を有してなる。1 and 2 are plan views showing an example of the photoetching mask of the present invention. These are positive resist masks. As shown in FIGS. 1 and 2, in the photoetching mask of the present invention, the shape of the portion 1 corresponding to the tip of the inner lead is a hexagon in which the tip is enlarged as a whole. In front of the tip of the inner lead, there is a shaped portion for forming a photoresist layer so as to have an island portion 5 common to each inner lead.
このような形状の本発明のフォトエッチングマスクを用
い、フォトエッチング法によってリードフレームを製造
すると、六角形部４の三角状突起７と島部５により、イ
ンナーリード先端部のエッチング速度が他の部分（例え
ばアウターリード、外枠等）より遅くなるので、第５図
に示すように、インナーリード先端の幅が広く、充分な
ボンディング面積を有するリードフレームが得られる。When a lead frame is manufactured by the photo-etching method using the photo-etching mask of the present invention having such a shape, the triangular protrusions 7 of the hexagonal portion 4 and the island portion 5 cause the etching rate of the inner lead tip portion to be different from that of other portions. Since it is slower than (for example, outer lead, outer frame, etc.), a lead frame having a wide tip of the inner lead and a sufficient bonding area can be obtained as shown in FIG.
さらに、スリット３の先端部において、六角形部４の三
角状突起７同士は、第１図に示すように、点として接続
しているか、または、第２図に示すように微小スリット
６を挟んで離れているので、エッチング後にインナーリ
ード同士が繋ることはない。Furthermore, at the tip of the slit 3, the triangular protrusions 7 of the hexagonal portion 4 are connected as points as shown in FIG. 1, or the minute slits 6 are sandwiched as shown in FIG. The inner leads are not connected to each other after etching because they are separated by.
なお、ここではポジレジスト用マスクについて説明した
が、本発明のフォトエッチングマスクには、ネガレジス
ト用も含み、ネガレジスト用の場合は、前記ポジレジス
ト用マスクで説明した六角形部および島部が開口部とな
る。Although the positive resist mask has been described here, the photoetching mask of the present invention also includes a negative resist. In the case of a negative resist, the hexagonal portion and the island portion described in the positive resist mask are used. It becomes an opening.
本発明のフォトエッチングマスクは、アルカリ金属含量
が極く少ないガラス、合成石英ガラス等の通常使用され
ている基板材料に、白、黒が明瞭に出る乳剤を塗布し
た、いわゆるガラス製写真乾板を用い、写真化学的な方
法で製造される。The photoetching mask of the present invention uses a so-called glass photographic dry plate obtained by coating a commonly used substrate material such as glass having a very low alkali metal content or synthetic quartz glass with an emulsion that clearly shows white and black. , Manufactured by photochemical methods.
＜実施例＞ 本発明を、実施例に基づき具体的に説明する。<Examples> The present invention will be specifically described based on Examples.
（実施例１） 第１図に示すフォトエッチングマスクを用意し、フォト
エッチング法による100〜200ピンのリードフレームの製
造に供した。Example 1 The photoetching mask shown in FIG. 1 was prepared and used for manufacturing a lead frame having 100 to 200 pins by the photoetching method.
フォトエッチングマスクの寸法は、L1＝60μｍ、L2＝40
μｍ、L3＝150μｍ、L4＝30μｍとした。The dimensions of the photoetching mask are L 1 = 60 μm, L 2 = 40
μm, L 3 = 150 μm, and L 4 = 30 μm.
製造方法は以下の通りである。The manufacturing method is as follows.
厚さ0.15mmのFe−Ni−Co系合金、Fe−Ni系合金およびCu
系合金製の各金属板に、フォトレジストをスピンコート
により塗布し、乾燥した。次いで、フォトエッチングマ
スクを通して前記のフォトレジストを露光し、温水を用
いて余分なフォトレジストを溶解除去（現像）し、所定
のパターンのレジスト層を形成した。Fe-Ni-Co alloy, Fe-Ni alloy and Cu with a thickness of 0.15 mm
A photoresist was applied to each metal plate made of a system alloy by spin coating and dried. Then, the photoresist was exposed through a photoetching mask, and excess photoresist was dissolved and removed (developed) using warm water to form a resist layer having a predetermined pattern.
その後、エッチング液として塩化第２鉄溶液を用いてエ
ッチング処理を行い、不要部分の金属を溶解除去した。Then, an etching treatment was carried out using a ferric chloride solution as an etching solution to dissolve and remove unnecessary portions of the metal.
エッチング処理終了後、フォトレジスト層を剥離除去
し、リードフレームを得た。After the etching process was completed, the photoresist layer was peeled and removed to obtain a lead frame.
得られたリードフレームは、いずれも、第５図に示すよ
うに、インナーリード先端のコーナー部は角ばってお
り、インナーリード同士の繋りがなく、充分なボンディ
ング面積を有するものであった。As shown in FIG. 5, each of the obtained lead frames had a corner portion at the tip of the inner lead which was angular, the inner leads were not connected to each other, and had a sufficient bonding area.
（実施例２） 第２図に示すフォトエッチグマスクを用意し、フォトエ
ッチング法による200ピンのリードフレームの製造に供
した。(Example 2) The photo-etching mask shown in FIG. 2 was prepared and used for manufacturing a 200-pin lead frame by a photo-etching method.
フォトエッチングマスクの寸法は、L1＝50μｍ、L2＝40
μｍ、L3＝150μｍ、L5＝10μｍとした。The dimensions of the photoetching mask are L 1 = 50 μm, L 2 = 40
μm, L 3 = 150 μm, and L 5 = 10 μm.
製造方法は以下の通りである。The manufacturing method is as follows.
厚さ0.15mmのFe−Ni系合金製の金属板に、フォトレジス
トをスピンコートにより塗布し、乾燥した。Photoresist was applied by spin coating to a metal plate made of Fe-Ni alloy having a thickness of 0.15 mm and dried.
次いで、フォトエッチングマスクを通して前記のフォト
レジストを露光し、温水を用いて余分なフォトレジスト
を溶解除去（現像）し、所定のパターンのレジスト層を
形成した。Then, the photoresist was exposed through a photoetching mask, and excess photoresist was dissolved and removed (developed) using warm water to form a resist layer having a predetermined pattern.
その後、エッチング液として塩化第２鉄溶液を用いてエ
ッチング処理を行い、不要部分の金属を溶解除去した。Then, an etching treatment was carried out using a ferric chloride solution as an etching solution to dissolve and remove unnecessary portions of the metal.
エッチング処理終了後、フォトレジスト層を剥離除去
し、リードフレームを得た。After the etching process was completed, the photoresist layer was peeled and removed to obtain a lead frame.
得られたリードフレームは、第５図に示すように、イン
ナーリード先端のコーナー部は角ばっており、インナー
リード同士の繋りがなく、充分なボンディング面積を有
するものであった。As shown in FIG. 5, the obtained lead frame had angular corners at the tips of the inner leads, and there was no connection between the inner leads, and had a sufficient bonding area.
＜発明の効果＞ 本発明に示したフォトエッチングマスクを使用すること
により、微細で、多ピン形状を有するリードフレームを
フォトエッチング法で製造しても、インナーリード先端
に充分なボンディング面積があり、かつ、インナーリー
ド同士の繋りのないリードフレームが第３図および第４
図に示す従来技術の場合よりも容易に得られる。<Effects of the Invention> By using the photoetching mask shown in the present invention, even if a fine lead frame having a multi-pin shape is manufactured by the photoetching method, the inner lead tip has a sufficient bonding area, Moreover, the lead frame in which the inner leads are not connected to each other is shown in FIGS.
It is easier to obtain than the prior art shown.
本発明により、リードフレームのエッチング効率は大幅
に上昇し、また、リードフレームの性能も向上する。According to the present invention, the etching efficiency of the lead frame is significantly increased, and the performance of the lead frame is also improved.
第１図および第２図は、本発明のフォトエッチングマス
クの一例を示す平面図である。 第３図および第４図は、従来のフォトエッチングマスク
を示す平面図である。 第５図は、本発明のフォトエッチングマスクを用いて製
造したリードフレームのインナーリード先端部を示す平
面図である。 符号の説明 １……インナーリード先端に対応する部分、 ３……スリット、 ４……六角形部、 ５……島部、 ６……微小スリット、 ７……三角状突起1 and 2 are plan views showing an example of the photoetching mask of the present invention. 3 and 4 are plan views showing a conventional photoetching mask. FIG. 5 is a plan view showing an inner lead tip portion of a lead frame manufactured using the photoetching mask of the present invention. Explanation of reference numerals 1 ... A portion corresponding to the tip of the inner lead, 3 ... Slit, 4 ... Hexagonal portion, 5 ... Island portion, 6 ... Micro slit, 7 ... Triangular protrusion
Claims (1)
であって、リードフレームのインナーリード先端部に対
応する部分の形状が該先端部を全体的に大きくした六角
形をなし、さらにリードフレームのインナーリード先端
部の前方に各インナーリードに共通する島部を有するよ
うにフォトレジスト層を形成させる形状部分を有してな
ることを特徴とするリードフレーム用フォトエッチング
マスク。1. A photoetching mask for a lead frame, wherein the shape of a portion of the lead frame corresponding to the inner lead tip portion is a hexagon in which the tip portion is enlarged as a whole, and the inner lead tip of the lead frame is further formed. A photoetching mask for a lead frame, characterized in that it has a shape part for forming a photoresist layer so as to have an island part common to each inner lead in front of the part.
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|---|---|---|---|
| JP26100488A JPH0758396B2 (en) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Photo etching mask |
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| JPH02106744A JPH02106744A (en) | 1990-04-18 |
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|---|---|---|---|
| JP26100488A Expired - Fee Related JPH0758396B2 (en) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Photo etching mask |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0438354Y2 (en) * | 1986-03-18 | 1992-09-08 |
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1988
- 1988-10-17 JP JP26100488A patent/JPH0758396B2/en not_active Expired - Fee Related
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