JPH0758744B2 - Method for manufacturing substrate for mounting semiconductor tower - Google Patents
Method for manufacturing substrate for mounting semiconductor towerInfo
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- JPH0758744B2 JPH0758744B2 JP62081826A JP8182687A JPH0758744B2 JP H0758744 B2 JPH0758744 B2 JP H0758744B2 JP 62081826 A JP62081826 A JP 62081826A JP 8182687 A JP8182687 A JP 8182687A JP H0758744 B2 JPH0758744 B2 JP H0758744B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体搭載用基板の製造方法に係り、特にそ
の側面に高密度の電極端子を有するパッケージ基板の製
造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor mounting substrate, and more particularly to a method for manufacturing a package substrate having high density electrode terminals on its side surface.
(従来の技術) 近年、セラミックまたはプラスチック基板から作られ
る、リード付またはリードレスチップキャリアが使用さ
れてきた。これらチップキャリアの共通な問題点とし
て、外部接続端子の高密度化が困難であったことがあげ
られる。(Prior Art) In recent years, leaded or leadless chip carriers made from ceramic or plastic substrates have been used. A common problem with these chip carriers is that it was difficult to increase the density of external connection terminals.
特開昭57−130454号公報、及び特開昭59−125641号公報
には、第7図及び第8図に示すようなセラミック製リー
ドレスチップキャリア、また特開昭60−249355号公報に
は第9図に示すようなプラスチック製リード付チップキ
ャリアが紹介されている。Japanese Unexamined Patent Publication No. 57-130454 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-125641 disclose a ceramic leadless chip carrier as shown in FIGS. 7 and 8, and Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-249355. A plastic chip carrier with leads as shown in FIG. 9 is introduced.
しかしながら、セラミック製リードレスチップキャリア
の側面に形成されるハンダ接続用導体端子は、穴明加工
されたスルーホール内壁にメッキまたは印刷により析出
または塗布された導体によるものであった。これらの製
造方法では、穴明の径に限界があり、また穴と穴との間
に存在する絶縁体も極端に薄くすることができず、従っ
て、側面導体端子のピッチは、1.27mm、内径は0.8mmと
するのが一般的であり、端子ピッチを0.6mm以下とする
ことは極めて困難であった。However, the solder-connecting conductor terminals formed on the side surfaces of the ceramic leadless chip carrier are made of conductors deposited or applied by plating or printing on the inner wall of the through-hole that has been drilled. With these manufacturing methods, there is a limit to the diameter of the holes, and the insulator existing between the holes cannot be extremely thinned.Therefore, the pitch of the side conductor terminals is 1.27 mm, the inner diameter is Was generally 0.8 mm, and it was extremely difficult to set the terminal pitch to 0.6 mm or less.
一方、プラスチック製リード付チップキャリアは打抜
き、または化学的ミーリングにより作られたリードフレ
ームを使用し、プラスチック基板に樹脂接着により固定
するか、リードフレーム上に半導体素子を搭載した後、
前記リードフレームの外部端子部分を除く全体を樹脂成
形する方法がとられてきた。これらリード付チップキャ
リアでは、リードフレーム用金属板を極端に薄くするこ
とは接着強度またはモールドにおける剛性を劣化させる
こととなり、これを避けるため、比較的厚いものが使用
される。従ってその端子ピッチは0.6mm程度が限界であ
り、加えてこのリード付チップキャリア外部リードが位
置される部分が滑らかであるために、外部リードがすべ
りやすく横方向の外力により容易に変形を起こすという
問題があった。On the other hand, the plastic chip carrier with leads uses a lead frame made by punching or chemical milling, and is fixed to the plastic substrate by resin bonding, or after mounting the semiconductor element on the lead frame,
A method of resin-molding the entire lead frame except for external terminal portions has been used. In these leaded chip carriers, if the lead frame metal plate is made extremely thin, the adhesive strength or the rigidity in the mold deteriorates. To avoid this, a relatively thick one is used. Therefore, the terminal pitch is limited to about 0.6 mm, and in addition, since the part where this chip carrier external lead is located is smooth, the external lead easily slips and is easily deformed by lateral external force. There was a problem.
このような問題を解決する手段としては、例えば、特開
昭61−285740号公報に開示されているように、第10図の
如く、パッケージ本体の外周縁部上にスペーサを備え、
基材表面の導体回路をこのスペーサの表面にも引き回
し、スペーサ表面の導体回路を外部電極とすることが考
えられる。また、このようなパッケージを製造する方法
としては、例えば、特開昭60−64454号公報に開示され
ているように、第11図の如く、パッケージ本体の表面に
配設される部分の導体回路と、スペーサの表面に引き回
される部分の導体回路とを、めっきによって予め形成し
ておき、この導体回路にパッケージ本体を貼着し、導体
回路をパッケージ本体の側面方向に折り曲げて外部端子
を形成することが考えられる。ここで、導体回路をめっ
きによって形成するため、細密な外部端子とすることが
できる。As means for solving such a problem, for example, as disclosed in JP-A-61-285740, as shown in FIG. 10, a spacer is provided on the outer peripheral edge of the package body,
It is conceivable that the conductor circuit on the surface of the base material is also routed to the surface of the spacer to use the conductor circuit on the surface of the spacer as an external electrode. As a method of manufacturing such a package, for example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 60-64454, as shown in FIG. 11, a conductor circuit of a portion provided on the surface of the package body is used. And a part of the conductor circuit that is routed to the surface of the spacer are formed in advance by plating, the package body is attached to this conductor circuit, and the conductor circuit is bent in the side direction of the package body to form the external terminals. It is possible to form. Here, since the conductor circuit is formed by plating, a fine external terminal can be obtained.
しかしながら、前述の如き製造方法にあっては、導体回
路を形成するために、めっき処理及びこれに付随するめ
っき前処理等の煩雑な工程を必要とするという問題があ
った。However, the manufacturing method as described above has a problem that complicated steps such as a plating process and an accompanying plating pretreatment are required to form the conductor circuit.
また、前述の如き製造方法によっては、パッケージ本体
の上面の導体回路(第10図における30A)をパッケージ
本体の側面からスペーサ表面へと引き回すことができる
が、パッケージ本体の下面の導体回路を(第10図におけ
る30B)パッケージ本体とスペーサとの間からスペーサ
の表面へと引き回すことができず、製造可能なパッケー
ジの形状が限られるという問題があった。Depending on the manufacturing method as described above, the conductor circuit (30A in FIG. 10) on the upper surface of the package body can be routed from the side surface of the package body to the spacer surface, but the conductor circuit on the lower surface of the package body ( 30B in FIG. 10) There is a problem that the shape of the package that can be manufactured is limited because it cannot be routed between the package body and the spacer to the surface of the spacer.
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、このような実状を鑑みてなされたものであ
り、信頼性を低下させることなく高密度化が可能で外部
接続端子の増加にも充分対処できる多様な形状の半導体
搭載用基板を、容易に製造することができる技術を提供
することを目的とする。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to achieve high density without lowering reliability and sufficiently cope with an increase in external connection terminals. It is an object of the present invention to provide a technique capable of easily manufacturing semiconductor mounting substrates having various shapes.
(問題点を解決するための手段) 以上のような問題点を解決するために本発明が採った手
段は、 半導体素子を搭載する基材と、この基材上に接着された
外部接続端子用の枠体と、銅箔から形成され前記基材と
前記枠体との間に配設されるとともに枠体の表面に沿っ
て接着されて一部によって外部端子を構成する導体回路
とを有する半導体搭載用基板の製造方法であって、 下記(1)〜(7)の各工程を含むことを特徴とする半
導体搭載用基板の製造方法、 (1)積層板の基材面に接着剤を塗布する工程; (2)前記積層板に形成される基材の外周に沿って積層
板を切断し、貫通溝部を形成する工程; (3)前記積層板の接着剤面に銅箔を貼着する工程; (4)前記銅箔をエッチングすることによって、前記基
材表面に導体回路を形成するとともに、前記貫通溝部に
も外部接続用導体リードを形成する工程; (5)予め形成された枠体に接着剤を塗布した後、前記
基材の外周に沿って前記枠体を接着する工程; (6)前記貫通溝部に形成された外部端子用導体リード
を前記貫通溝部の外周に沿って切断する工程; (7)このようにして切断された外部端子用導体リード
を前記枠体の表面に沿って接着することにより、外部端
子を形成する工程、 をその要旨とする。(Means for Solving Problems) Means adopted by the present invention for solving the above problems include a base material on which a semiconductor element is mounted and an external connection terminal bonded on the base material. And a conductor circuit which is formed of copper foil and is disposed between the base material and the frame body and which is adhered along the surface of the frame body and partially constitutes an external terminal. A method of manufacturing a mounting substrate, comprising: (1) to (7) below, a method of manufacturing a semiconductor mounting substrate, (1) applying an adhesive to a base material surface of a laminate. (2) Cutting the laminated plate along the outer periphery of the base material formed on the laminated plate to form a through groove portion; (3) Attaching a copper foil to the adhesive surface of the laminated plate Step; (4) A conductor circuit is formed on the surface of the base material by etching the copper foil. At the same time, a step of forming a conductor lead for external connection also in the through groove portion; (5) a step of applying an adhesive to a frame body formed in advance and then bonding the frame body along the outer periphery of the base material; (6) A step of cutting the external terminal conductor lead formed in the through groove portion along the outer periphery of the through groove portion; (7) The external terminal conductor lead thus cut is formed on the surface of the frame body. A process of forming an external terminal by adhering along is the gist thereof.
次に、図面を参照して本発明を詳細に説明する。Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図に示したように、本発明の製造方法により製造さ
れる半導体搭載用基板にあっては、基材(3)上に枠体
(8)が接着されており、この基材(3)上に枠体
(8)の外部に突出し得る長さに形成された導体回路
(7)が基材(3)と枠体(8)との間を通って、枠体
(8)の側面及び下面にまで接着されており、この導体
回路(7)の一部が外部端子(9)を形成している。As shown in FIG. 1, in the semiconductor mounting substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention, the frame body (8) is bonded onto the base material (3). ) A conductor circuit (7) having a length capable of protruding to the outside of the frame body (8) passes between the base material (3) and the frame body (8), and a side surface of the frame body (8). And the lower surface is also adhered, and a part of this conductor circuit (7) forms an external terminal (9).
第2図は、枠体(8)の縦断面を示しており、枠体
(8)の形状は実装される基板の配線パターンに応じて
選択することができ、第3図に示すように枠体(8)を
基材(3)の外周より大きくし、この枠体(8)の内周
縁部が基材(3)と重なり合うようにしてもよい。FIG. 2 shows a vertical cross section of the frame body (8). The shape of the frame body (8) can be selected according to the wiring pattern of the board to be mounted, and as shown in FIG. The body (8) may be larger than the outer circumference of the base material (3) so that the inner peripheral edge of the frame body (8) overlaps the base material (3).
第4図は、放熱効果をより一層高めるために、基材
(3)の半導体素子搭載部裏面に金属板(11)を貼着さ
せた構造を示したものであり、特に第5図は基材(3)
自体を金属板(11)により形成したものである。FIG. 4 shows a structure in which a metal plate (11) is attached to the rear surface of the semiconductor element mounting portion of the base material (3) in order to further enhance the heat dissipation effect. Material (3)
It is itself formed of a metal plate (11).
第6図(a)〜(g)は、本発明に係る半導体搭載用基
板の製造方法をチップキャリア縦断面図により示したも
のである。次に、この図に基づいて本発明に係る製造方
法を説明する。6 (a) to 6 (g) show a method of manufacturing a semiconductor mounting substrate according to the present invention by a vertical cross-sectional view of a chip carrier. Next, a manufacturing method according to the present invention will be described based on this drawing.
第6図(a)の積層板(2)は、ガラスエポキシ、トリ
アジンあるいはポリイミド等のプラスチック材料、ある
いはアルミニウム、銅、鉄、またはそれらの合金金属板
等の表面を絶縁膜で覆った金属材料であってもよい。The laminated plate (2) shown in FIG. 6 (a) is made of a plastic material such as glass epoxy, triazine or polyimide, or a metal material such as aluminum, copper, iron, or an alloy metal plate thereof whose surface is covered with an insulating film. It may be.
第6図(a)の接着剤は、エポキシ樹脂とエポキシアク
リレート樹脂、あるいはエポキシ樹脂と合成ゴムとの混
合物であり、加熱時の樹脂流動性を低く抑えたものであ
る。The adhesive shown in FIG. 6 (a) is a mixture of an epoxy resin and an epoxy acrylate resin, or an epoxy resin and a synthetic rubber, and has low resin fluidity during heating.
第6図(b)の貫通溝部(5)は、金型またはルーター
加工により形成する。The through groove portion (5) in FIG. 6 (b) is formed by a die or router process.
第6図(d)における導体回路(7)及び外部端子用導
体リード(6)は、適当なエッチング液によって形成す
る。The conductor circuit (7) and the conductor lead (6) for external terminals in FIG. 6 (d) are formed by an appropriate etching solution.
第6図(e)の枠体(8)は、実装される配線板の材質
に応じて自由に選ぶことができる。例えば、実装される
配線板がガラスエポキシ材であれば、ガラスエポキシ材
をルーターまたは打抜き加工により成型したものや、ポ
リエチレンまたはポリスルフォンなどのモールド成型
体、あるいは実装される配線板がセラミック材であれ
ば、セラミックスの成型体を前記枠体(8)として使用
可能である。すなわち、実装される配線板材料の線膨張
係数に応じて前記枠体(8)の材質を決定できるので、
端子部の接続信頼性が大きく向上できる。The frame body (8) of FIG. 6 (e) can be freely selected according to the material of the wiring board to be mounted. For example, if the wiring board to be mounted is a glass epoxy material, it may be a glass epoxy material molded by a router or a stamping process, a molded body such as polyethylene or polysulfone, or the wiring board to be mounted may be a ceramic material. For example, a ceramic molded body can be used as the frame body (8). That is, since the material of the frame body (8) can be determined according to the linear expansion coefficient of the wiring board material to be mounted,
The connection reliability of the terminal portion can be greatly improved.
第6図(e)の接着剤(12)は、エポキシ樹脂とエポキ
シアクリレート樹脂との混合物、あるいはエポキシ樹脂
と合成ゴムとの混合物など、半硬化状態となりうる合成
樹脂であり、枠体(8)を基材(3)に接合するにあた
り、一旦溶融接着するが半硬化状態であり、さらに第6
図(f)に示す外部端子用導体リード(6)を前記枠体
(8)に沿って折り曲げ加工した後、加熱により完全硬
化させる。The adhesive (12) of FIG. 6 (e) is a synthetic resin that can be in a semi-cured state, such as a mixture of an epoxy resin and an epoxy acrylate resin, or a mixture of an epoxy resin and a synthetic rubber, and the frame body (8). When joining the base material (3) to the base material (3), it is melt-bonded once but in a semi-cured state.
The conductor lead (6) for external terminal shown in FIG. 6 (f) is bent along the frame (8) and then completely cured by heating.
第6図(f)に示される外部端子導体リード(6)及び
外部端子部(9)は、第6図(d)の回路形成段階で予
め端部を積層板(2)より切り離した状態で作るか、第
6図(g)の折り曲げ加工時に切断するかの2つの方法
がとられるが、特に高密度微細回路においては、折り曲
げ加工(第6図(g))の直前で切断するのが望まし
い。The external terminal conductor lead (6) and the external terminal portion (9) shown in FIG. 6 (f) are cut off from the laminated plate (2) at the end in advance at the circuit forming stage of FIG. 6 (d). There are two methods of making or cutting at the time of bending in Fig. 6 ( g ). Especially in a high-density fine circuit, cutting immediately before bending (Fig. 6 ( g )) is performed. desirable.
(実施例) 次に本発明を実施例により具体的に説明するが本発明は
以下の実施例に限定されるものではない。(Examples) Next, the present invention will be specifically described by way of examples, but the present invention is not limited to the following examples.
・実施例1 第6図(a)に示した半導体素子搭載用基板に片面銅張
ガラスエポキシ基材を使用した。また、第6図(e)に
示した外部端子用枠体(8)には射出成型により第2図
(b)に示した形状にポリスルフォンを使用した。第6
図(d)に示した導体回路(7)用銅箔として厚みが35
μmの圧延銅箔(日鉱グールドフォイル(株)製)を使
用した。Example 1 A single-sided copper-clad glass epoxy base material was used for the semiconductor element mounting substrate shown in FIG. 6 (a). Polysulfone was used for the external terminal frame (8) shown in FIG. 6 (e) by injection molding in the shape shown in FIG. 2 (b). Sixth
The copper foil for the conductor circuit (7) shown in FIG.
A rolled copper foil having a thickness of μm (manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) was used.
次に、導体回路銅箔貼着用及び枠体接着用に使用される
接着剤の組成を示す。また、以下の組成において「部」
とあるのは全て「重量部」を意味する。Next, the composition of the adhesive used for attaching the conductor circuit copper foil and adhering the frame is shown. In the following composition, "part"
The term "all" means "parts by weight".
ビスフェノールA型エポキシメタクリレート樹脂(平均
分子量1000、日本ユピカ(株)製商品名ネオポール810
4)を100部、共重合性架橋剤としてジアリルフタレート
(大阪曹達(株)製)を75部、ラジカル重合開始剤とし
て過酸化ベンゾイル1.8部混合した組成物を(I)とす
る。また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(平均分子
量380、油化シェル(株)製商品名E−828)100部、硬
化剤としてジシアンジアミド4.0部を混合した組成物を
(II)とし、前記組成物(I)と(II)を2:1で混合し
た後、三本ロールミルにより混練し接着剤とした。Bisphenol A type epoxy methacrylate resin (average molecular weight 1000, manufactured by Nippon Yupica Co., Ltd., trade name Neopol 810)
(I) is a composition prepared by mixing 100 parts of 4), 75 parts of diallyl phthalate (manufactured by Osaka Soda Co., Ltd.) as a copolymerizable cross-linking agent, and 1.8 parts of benzoyl peroxide as a radical polymerization initiator. Further, a composition prepared by mixing 100 parts of a bisphenol A type epoxy resin (average molecular weight 380, trade name E-828 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) and 4.0 parts of dicyandiamide as a curing agent is referred to as (II), and the composition (I ) And (II) were mixed at a ratio of 2: 1 and then kneaded by a three-roll mill to obtain an adhesive.
・実施例2 第6図(a)に示した半導体素子搭載用基板に片面銅張
ポリイミド基材を、第6図(e)に示した外部端子用枠
体(8)には射出成型により第2図(b)に示した形状
に加工したポリエーテルイミドを使用した。また、第6
図(d)に示した導体回路(7)用銅箔として厚みが18
μmの両面粗化箔(日鉱グールドフォイル(株)製)を
使用した以外は実施例1と同様とした。Example 2 A semiconductor element mounting substrate shown in FIG. 6 (a) is provided with a single-sided copper clad polyimide base material, and an external terminal frame body (8) shown in FIG. 6 (e) is formed by injection molding. Polyetherimide processed into the shape shown in FIG. 2 (b) was used. Also, the sixth
The copper foil for the conductor circuit (7) shown in FIG.
Same as Example 1 except that a double-sided roughened foil having a thickness of μm (manufactured by Nikko Gould Foil Co., Ltd.) was used.
・実施例3 第6図(a)に示した半導体素子搭載用基板に表面を絶
縁膜で覆ったアルミニウム板を使用した以外は実施例1
と同様とした。Example 3 Example 1 was repeated except that an aluminum plate having a surface covered with an insulating film was used for the semiconductor element mounting substrate shown in FIG. 6 (a).
Same as.
・比較例1 第7図に示したセラミック製リードレスチップキャリ
ア。Comparative Example 1 The ceramic leadless chip carrier shown in FIG.
・比較例2 第9図に示したプラスチック製リード付チップキャリ
ア。Comparative Example 2 The plastic chip carrier with leads shown in FIG.
上記実施例1,2,3及び比較例1,2の導体幅、外部端子ピッ
チ並びに接続信頼性について評価した結果を表に示し
た。なお、接続信頼性の評価は以下の方法で行った。The results of evaluation of the conductor width, the external terminal pitch, and the connection reliability of the above Examples 1, 2, 3 and Comparative Examples 1, 2 are shown in the table. The connection reliability was evaluated by the following method.
−65℃・15分、放置2分、125℃・15分の熱衝撃試験100
サイクル後の導通抵抗を測定し断線の有無を評価した。-65 ℃ ・ 15 minutes, 2 minutes left, 125 ℃ ・ 15 minutes thermal shock test 100
The conduction resistance after the cycle was measured to evaluate the presence or absence of disconnection.
(発明の効果) (1)導体回路及び外部端子用導体リードの回路形成を
薄い銅箔をエッチングすることによって行えるため、導
体幅0.06mm程度の微細加工が可能であり、外部端子ピッ
チも0.12mm程度まで可能となる。 (Effects of the Invention) (1) Since the conductor circuit and the conductor lead for external terminals can be formed by etching a thin copper foil, fine processing with a conductor width of about 0.06 mm is possible, and the external terminal pitch is 0.12 mm. It is possible to some extent.
(2)積層板の選定が自由であり、金属板等の高放熱基
板、耐熱性のよいセラミック基板等を任意に選択するこ
とができる。(2) The laminated plate can be freely selected, and a high heat dissipation substrate such as a metal plate or a ceramic substrate having good heat resistance can be arbitrarily selected.
(3)枠体の構造及び材質が自由に選択できるため、外
部端子が多数あるパッケージをプリント配線板に半田接
合により実装する場合に、その実装技術に応じて任意の
外部端子ピッチに設計でき、かつプリント配線板の線膨
張係数に一致させることができる。(3) Since the structure and material of the frame can be freely selected, when mounting a package having a large number of external terminals on a printed wiring board by soldering, the external terminal pitch can be designed according to the mounting technology, In addition, the coefficient of linear expansion of the printed wiring board can be matched.
(4)放熱板を半導体素子搭載部裏面に簡単に取り付け
ることが可能となる。(4) The heat sink can be easily attached to the back surface of the semiconductor element mounting portion.
(5)外部端子リードは接着剤によって堅固に固定され
ており、外部リードの変形は皆無である。(5) The external terminal leads are firmly fixed with an adhesive, and the external leads are not deformed at all.
(6)銅箔をエッチングすることによって導体回路及び
外部端子用導体リードを形成することができるため、め
っき処理及びめっき前処理といった煩雑な工程を必要と
せず、簡単な工程によって形成することができる。(6) Since the conductor circuit and the conductor lead for the external terminal can be formed by etching the copper foil, it is possible to form the conductor circuit by a simple process without requiring complicated processes such as plating and pretreatment. .
(7)導体回路を、基材と枠体との間から枠体の表面に
引き回すことができるばかりでなく、基材の側面から枠
体の表面に引き回すことができ、多様な半導体搭載用基
板に対応することができる。(7) A variety of semiconductor-mounting substrates, in which the conductor circuit can be drawn not only between the base material and the frame body to the surface of the frame body but also from the side surface of the base material to the surface of the frame body. Can correspond to.
第1図は本発明の製造方法によって製造されるチップキ
ャリアを示す斜視図、第2図は枠体を示す縦断面図、第
3図は本発明の製造方法によって製造される別のチップ
キャリアを示す縦断面図、第4図及び第5図は放熱板付
チップキャリアを示す縦断面図、第6図は本発明に係る
半導体搭載用基板の製造方法の各工程を示す縦断面図、
第7図は従来のセラミック製リードレスチップキャリア
を示す斜視図、第8図は従来のヒートシンク付セラミッ
ク製チップキャリアを示す斜視図、第9図は従来のプラ
スチック製リード付チップキャリアを示す斜視図、第10
図は従来のパッケージを示す縦断面図、第11図は従来の
製造方法を示す縦断面図である。 符号の説明 1……銅箔、2……積層板、3……基材、4……接着
剤、5……貫通溝部、6……外部端子用導体リード、7
……導体回路、8……枠体、9……外部端子、10……半
導体素子、11……金属板、12……接着剤、21……基材、
22……チップ、23……外部端子、24……チップ端子、25
……ワイヤーボンディングパッド、26……ヒートシン
ク、27……モールド樹脂、28……パッケージ、29……パ
ッケージ本体、30、30(A)、30(B)……導体回路、
31……スペーサ。1 is a perspective view showing a chip carrier manufactured by the manufacturing method of the present invention, FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a frame body, and FIG. 3 is another chip carrier manufactured by the manufacturing method of the present invention. FIGS. 4 and 5 are vertical sectional views showing a chip carrier with a heat sink, and FIG. 6 is a vertical sectional view showing each step of the method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to the present invention.
FIG. 7 is a perspective view showing a conventional ceramic leadless chip carrier, FIG. 8 is a perspective view showing a conventional ceramic chip carrier with a heat sink, and FIG. 9 is a perspective view showing a conventional plastic chip carrier with leads. , Tenth
FIG. 11 is a vertical sectional view showing a conventional package, and FIG. 11 is a vertical sectional view showing a conventional manufacturing method. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Copper foil, 2 ... Laminated plate, 3 ... Base material, 4 ... Adhesive, 5 ... Through groove, 6 ... Conductor lead for external terminal, 7
... Conductor circuit, 8 ... Frame, 9 ... External terminal, 10 ... Semiconductor element, 11 ... Metal plate, 12 ... Adhesive, 21 ... Base material,
22 …… chip, 23 …… external terminal, 24 …… chip terminal, 25
...... Wire bonding pad, 26 ...... Heat sink, 27 ...... Mold resin, 28 ...... Package, 29 ...... Package body, 30, 30 (A), 30 (B) ...... Conductor circuit,
31 …… Spacer.
Claims (6)
に接着された外部接続端子用の枠体と、銅箔から形成さ
れ前記基材と前記枠体との間に配設されるとともに枠体
の表面に沿って接着されて一部によって外部端子を構成
する導体回路とを有する半導体搭載用基板の製造方法で
あって、 下記(1)〜(7)の各工程を含むことを特徴とする半
導体搭載用基板の製造方法、 (1)積層板の基材面に接着剤を塗布する工程; (2)前記積層板に形成される基材の外周に沿って積層
板を切断し、貫通溝部を形成する工程; (3)前記積層板の接着剤面に銅箔を貼着する工程; (4)前記銅箔をエッチングすることによって、前記基
材表面に導体回路を形成するとともに、前記貫通溝部に
も外部接続用導体リードを形成する工程; (5)予め形成された枠体に接着剤を塗布した後、前記
基材の外周に沿って前記枠体を接着する工程; (6)前記貫通溝部に形成された外部端子用導体リード
を前記貫通溝部の外周に沿って切断する工程; (7)このようにして切断された外部端子用導体リード
を前記枠体の表面に沿って接着することにより、外部端
子を形成する工程。1. A base material on which a semiconductor element is mounted, a frame body for external connection terminals which is adhered onto the base material, and which is formed of copper foil and is arranged between the base material and the frame body. A method for manufacturing a semiconductor mounting substrate having a conductor circuit which is adhered along the surface of a frame and partially constitutes an external terminal, and includes the following steps (1) to (7): A method for manufacturing a semiconductor mounting substrate, including: (1) a step of applying an adhesive to the base material surface of the laminate; (2) cutting the laminate along the outer periphery of the base material formed on the laminate. And (3) a step of adhering a copper foil to the adhesive surface of the laminated plate; (4) a conductor circuit is formed on the surface of the base material by etching the copper foil. At the same time, a step of forming a conductor lead for external connection also in the through groove portion; A step of applying an adhesive to the formed frame body and then adhering the frame body along the outer periphery of the base material; (6) The external terminal conductor lead formed in the through groove portion is provided on the outer periphery of the through groove portion. (7) A step of forming external terminals by adhering the conductor leads for external terminals thus cut along the surface of the frame body.
脂とエポキシアクリレート樹脂との混合物とすることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の半導体搭載用
基板の製造方法。2. The method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to claim 1, wherein the adhesive applied to the frame is a mixture of an epoxy resin and an epoxy acrylate resin.
に接着することを特徴とする特許請求の範囲第1項ある
いは第2項に記載の半導体搭載用基板の製造方法。3. The method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to claim 1, wherein the conductor circuit is bonded to the side surface and the lower surface of the frame body.
れる側が広く、その反対側が狭くなった台形形状に加工
されたものとすることを特徴とする特許請求の範囲第1
項〜第3項のいづれかに記載の半導体搭載用基板の製造
方法。4. The frame body is processed into a trapezoidal shape whose longitudinal section is wide on the side bonded to the base material and narrow on the opposite side.
Item 5. A method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to any one of items 3 to 3.
かつ前記枠体の内周縁部が前記基材と重なり合うものと
することを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第4項の
いづれかに記載の半導体搭載用基板の製造方法。5. The frame is larger than the outer periphery of the base material,
The method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein an inner peripheral edge portion of the frame body overlaps with the base material.
工程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第
5項のいづれかに記載の半導体搭載用基板の製造方法。6. The method for manufacturing a semiconductor mounting substrate according to claim 1, further comprising the step of attaching a metal plate to the back surface of the semiconductor element mounting portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081826A JPH0758744B2 (en) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | Method for manufacturing substrate for mounting semiconductor tower |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081826A JPH0758744B2 (en) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | Method for manufacturing substrate for mounting semiconductor tower |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63246852A JPS63246852A (en) | 1988-10-13 |
| JPH0758744B2 true JPH0758744B2 (en) | 1995-06-21 |
Family
ID=13757278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62081826A Expired - Lifetime JPH0758744B2 (en) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | Method for manufacturing substrate for mounting semiconductor tower |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758744B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0810744B2 (en) * | 1989-08-28 | 1996-01-31 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064454A (en) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Yamamoto Seisakusho:Kk | Chip carrier and manufacture thereof |
| JPS61285740A (en) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | High-density mounting type ceramic ic package |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP62081826A patent/JPH0758744B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63246852A (en) | 1988-10-13 |
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