JPH0783072B2 - 半導体装置用容器 - Google Patents
半導体装置用容器Info
- Publication number
- JPH0783072B2 JPH0783072B2 JP61221296A JP22129686A JPH0783072B2 JP H0783072 B2 JPH0783072 B2 JP H0783072B2 JP 61221296 A JP61221296 A JP 61221296A JP 22129686 A JP22129686 A JP 22129686A JP H0783072 B2 JPH0783072 B2 JP H0783072B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor layer
- container
- semiconductor device
- insulating substrate
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用容器に関し、特に超高周波用トラ
ンジスタを搭載して収容するための半導体装置用容器に
関する。
ンジスタを搭載して収容するための半導体装置用容器に
関する。
従来の半導体装置用容器のうち、容器の内部に整合用コ
ンデンサ等を含んで超高周波用トランジスタを搭載する
ための容器は、第４図に例示するような構造のものが用
いられている。第４図は、超高周波電力用トランジスタ
と整合用コンデンサとを搭載して収容した半導体装置用
容器の斜視図である。
ンデンサ等を含んで超高周波用トランジスタを搭載する
ための容器は、第４図に例示するような構造のものが用
いられている。第４図は、超高周波電力用トランジスタ
と整合用コンデンサとを搭載して収容した半導体装置用
容器の斜視図である。
一般に超高周波トランジスタでは、外部線路（一般には
50Ω）との整合をとって使用するが、不整合による損失
を少なくするために、可能な限りトランジスタの近くで
整合をとることが必要であり、このため第４図に例示す
るように、同一の容器内に整合用コンデンサ８とトラン
ジスタ７とを搭載するような構成としている。また接地
インダクタンスを低減するため、トランジスタのエミッ
タの配線用金属19の細線は、同一エミッタ電極について
複数本を接続している。このため、ブリッジ用の金属ブ
リッジ10を容器内にろう付等の手段を用いて取付けてい
る。
50Ω）との整合をとって使用するが、不整合による損失
を少なくするために、可能な限りトランジスタの近くで
整合をとることが必要であり、このため第４図に例示す
るように、同一の容器内に整合用コンデンサ８とトラン
ジスタ７とを搭載するような構成としている。また接地
インダクタンスを低減するため、トランジスタのエミッ
タの配線用金属19の細線は、同一エミッタ電極について
複数本を接続している。このため、ブリッジ用の金属ブ
リッジ10を容器内にろう付等の手段を用いて取付けてい
る。
従来の超高周波トランジスタを搭載するための半導体装
置用容器は、上述のように金属ブリッジ10を絶縁基板11
にろう付等で固着しているため、信号導出用導体層１と
の間に空間を設けて絶縁する必要があり、このためある
程度の金属ブリッジ10の高さ（1mm程度）が必要であ
る。更に金属ブリッジ10の機械的強度を保つためにも、
その形状も大きくする必要がある。従って従来の半導体
装置用容器は、その形状が大きくなり、また製造コスト
も高くなるという欠点がある。
置用容器は、上述のように金属ブリッジ10を絶縁基板11
にろう付等で固着しているため、信号導出用導体層１と
の間に空間を設けて絶縁する必要があり、このためある
程度の金属ブリッジ10の高さ（1mm程度）が必要であ
る。更に金属ブリッジ10の機械的強度を保つためにも、
その形状も大きくする必要がある。従って従来の半導体
装置用容器は、その形状が大きくなり、また製造コスト
も高くなるという欠点がある。
本発明の目的は、上述のような従来の半導体装置用容器
の欠点を除去して、形状が小さくまた製造コストを低減
できる半導体装置用容器を提供することにある。
の欠点を除去して、形状が小さくまた製造コストを低減
できる半導体装置用容器を提供することにある。
本発明の半導体装置用容器は、信号導入用導体層と、前
記信号導入用導体層とは絶縁されていて半導体素子を搭
載するための信号導出用導体層と、前記信号導入用導体
層と前記信号導出用導体層との間に互いに絶縁されて設
けられていてコンデンサを搭載するための第一の接地導
体層とを上面に有し、第二の接地導体層を下面に有する
絶縁基板と、 前記絶縁基板上に搭載され上面に第三の接地導体層を有
する第二絶縁体とを備え、 前記第一および第二および第三接地導体層をスルーホー
ル導体または金属化層によって電気的に導通するように
接続したものである。
記信号導入用導体層とは絶縁されていて半導体素子を搭
載するための信号導出用導体層と、前記信号導入用導体
層と前記信号導出用導体層との間に互いに絶縁されて設
けられていてコンデンサを搭載するための第一の接地導
体層とを上面に有し、第二の接地導体層を下面に有する
絶縁基板と、 前記絶縁基板上に搭載され上面に第三の接地導体層を有
する第二絶縁体とを備え、 前記第一および第二および第三接地導体層をスルーホー
ル導体または金属化層によって電気的に導通するように
接続したものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の第一の実施例の平
面図および側面図である。
面図および側面図である。
第１図において参照符号１は絶縁基板、２は絶縁基板１
上に設けられている第二絶縁体であり、絶縁基板１の上
下面に設けられている接地導体層3a・3bと第二絶縁体２
の上面に設けられている接地導体層3cとは、絶縁基板１
と第二絶縁体２とを貫通するスルーホール４によって導
通されている。電力用トランジスタのように熱消費が大
きいトランジスタを搭載する場合は、絶縁基板１として
はベリリアのような熱伝導度の大きい材料が選ばれる
が、第二絶縁体２は、アルミナのような安価な材料でよ
い。絶縁基板１の上面には、接地用導体層3aと絶縁され
た信号導入用導体層５および信号導出用導体層６が設け
られている。信号導入用導体層５と信号導出用導体層６
も絶縁されている。
上に設けられている第二絶縁体であり、絶縁基板１の上
下面に設けられている接地導体層3a・3bと第二絶縁体２
の上面に設けられている接地導体層3cとは、絶縁基板１
と第二絶縁体２とを貫通するスルーホール４によって導
通されている。電力用トランジスタのように熱消費が大
きいトランジスタを搭載する場合は、絶縁基板１として
はベリリアのような熱伝導度の大きい材料が選ばれる
が、第二絶縁体２は、アルミナのような安価な材料でよ
い。絶縁基板１の上面には、接地用導体層3aと絶縁され
た信号導入用導体層５および信号導出用導体層６が設け
られている。信号導入用導体層５と信号導出用導体層６
も絶縁されている。
第２図は第１図の実施例にトランジスタ７と、整合用コ
ンデンサ８とを搭載した状態を示す平面図である。
ンデンサ８とを搭載した状態を示す平面図である。
トランジスタ７は信号導出用導体層６上に、整合用コン
デンサ８は接地用導体層3a上に搭載し、トランジスタ７
の接地用端子は配線用金属９によって接地導体層3cまた
は3aと接続する。これによって従来のように金属ブリッ
ジを使用せずに所望の接続を行うことができる。
デンサ８は接地用導体層3a上に搭載し、トランジスタ７
の接地用端子は配線用金属９によって接地導体層3cまた
は3aと接続する。これによって従来のように金属ブリッ
ジを使用せずに所望の接続を行うことができる。
第３図は本発明の第二の実施例を示す平面図である。
本実施例は絶縁基板21の上面または下面の接地導体層と
第二絶縁体22の上面の接地導体層との接続を、スルーホ
ールの代りにそれらの側面に被着させた金属化層23によ
って行ったものである。
第二絶縁体22の上面の接地導体層との接続を、スルーホ
ールの代りにそれらの側面に被着させた金属化層23によ
って行ったものである。
なお、上記の各実施例は、トランジスタや整合コンデン
サ等の電子部品搭載部が露出された構成の容器の場合の
例であるが、本発明は、キャップによって搭載した電子
部品を封止する構成の容器の場合にも適用できる。
サ等の電子部品搭載部が露出された構成の容器の場合の
例であるが、本発明は、キャップによって搭載した電子
部品を封止する構成の容器の場合にも適用できる。
以上説明したように、本発明は従来トランジスタの設置
のため用いていた金属ブリッジの代りに導体層を表面に
被着した第二絶縁体を用い、第二絶縁体を絶縁基板上に
直接搭載することによって小形で安価な半導体装置用容
器が得られるという効果がある。
のため用いていた金属ブリッジの代りに導体層を表面に
被着した第二絶縁体を用い、第二絶縁体を絶縁基板上に
直接搭載することによって小形で安価な半導体装置用容
器が得られるという効果がある。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の第一の実施例の平
面図および側面図、第２図は第１図の実施例にトランジ
スタを搭載した状態を示す平面図、第３図は本発明の第
二の実施例を示す平面図、第４図は従来の半導体容器の
一例にトランジスタを搭載した状態を示す斜視図であ
る。 １、11、21……絶縁基板、２、22……第二絶縁体、3a・
3b……接地導体層、４……スルーホール、５・15……信
号導入用導体層、６・16……信号導出用導体層、７……
トランジスタ、８……整合用コンデンサ、９・19……配
線用金属、10……金属ブリッジ、11……絶縁基板。
面図および側面図、第２図は第１図の実施例にトランジ
スタを搭載した状態を示す平面図、第３図は本発明の第
二の実施例を示す平面図、第４図は従来の半導体容器の
一例にトランジスタを搭載した状態を示す斜視図であ
る。 １、11、21……絶縁基板、２、22……第二絶縁体、3a・
3b……接地導体層、４……スルーホール、５・15……信
号導入用導体層、６・16……信号導出用導体層、７……
トランジスタ、８……整合用コンデンサ、９・19……配
線用金属、10……金属ブリッジ、11……絶縁基板。
Claims (1)
- 【請求項１】信号導入用導体層と前記信号導入用導体層
とは絶縁されていて半導体素子を搭載するための信号導
出用導体層と前記信号導入用導体層と前記信号導出用導
体層との間に互いに絶縁されて設けられていてコンデン
サを搭載するための第一の接地導体層とを上面に有し、
第二の接地導体層を下面に有する絶縁基板と、 前記絶縁基板上に搭載され上面に第三の接地導体層を有
する第二絶縁体とを備え、 前記第一および第二および第三接地導体層をスルーホー
ル導体または金属化層によって電気的に導通するように
接続したことを特徴とする半導体装置用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221296A JPH0783072B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221296A JPH0783072B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置用容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376355A JPS6376355A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH0783072B2 true JPH0783072B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=16764563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221296A Expired - Fee Related JPH0783072B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783072B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126654A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-21 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61221296A patent/JPH0783072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6376355A (ja) | 1988-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5237204A (en) | Electric potential distribution device and an electronic component case incorporating such a device | |
| US4755910A (en) | Housing for encapsulating an electronic circuit | |
| US5227583A (en) | Ceramic package and method for making same | |
| US4992851A (en) | Characteristic impedance-correct chip carrier for microwave semiconductor components | |
| JPS6139551A (ja) | 電位分配デバイス及び該デバイスを包含した電子的構成要素用ケ−ス | |
| JPH0783072B2 (ja) | 半導体装置用容器 | |
| US3710202A (en) | High frequency power transistor support | |
| JPS5914894B2 (ja) | セラミツクパツケ−ジ | |
| JPH02234501A (ja) | ストリップ線路と同軸コネクタの接続構造 | |
| JP3836367B2 (ja) | 高周波モジュール | |
| JPH0720919Y2 (ja) | マイクロ波集積回路用パツケ−ジ | |
| JPS6146975B2 (ja) | ||
| JP2587011B2 (ja) | 高周波用信号線路形成部材 | |
| JPH0744023Y2 (ja) | マイクロ波集積回路用パツケ−ジ | |
| JPS6236290Y2 (ja) | ||
| JPH021857Y2 (ja) | ||
| GB2172440A (en) | Packages for electronic circuits | |
| JPS605055B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03256351A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01185998A (ja) | 高周波回路基板装置 | |
| JPH0543537Y2 (ja) | ||
| JPH0119395Y2 (ja) | ||
| JPH04116830A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06112337A (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
| JPH0191443A (ja) | マイクロ波集積回路用パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |