JPH0795510B2 - Method for manufacturing mask for X-ray exposure - Google Patents
Method for manufacturing mask for X-ray exposureInfo
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばＸ線リソグラフィ等に用いられるＸ
線露光用マスクの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to X-ray lithography used in X-ray lithography and the like.
The present invention relates to a method of manufacturing a line exposure mask.
〔従来の技術〕 第３図は、Ｘ線露光用マスクの製造工程の一例を示す図
である。[Prior Art] FIG. 3 is a view showing an example of a manufacturing process of an X-ray exposure mask.
まず、例えばシリコン単結晶基板から成るマスク支持体
２を用意し（同図（Ａ））、その上にＸ線透過性支持体
４をCVD法、PVD法等によって形成する（同図（Ｂ））。
このＸ線透過性支持体４としては、放熱の観点から熱伝
導率が、かつ変形防止の観点から硬度がそれぞれ高いも
のが好ましく、従来は通常、窒化ホウ素（BN）膜または
窒化シリコン（SiNx）膜が用いられている。そしてその
上に、例えばAu、Ta、Ｗ等から成るＸ線吸収体６をCVD
法、PVD法等によって形成する（同図（Ｃ））。これに
よって、パターニング等の加工をする前のマスク（マス
クブランクス）７が得られる。First, a mask support 2 made of, for example, a silicon single crystal substrate is prepared (FIG. 3A), and an X-ray transparent support 4 is formed thereon by a CVD method, a PVD method or the like (FIG. 2B). ).
It is preferable that the X-ray transparent support 4 has a high thermal conductivity from the viewpoint of heat dissipation and a high hardness from the viewpoint of prevention of deformation. Conventionally, a boron nitride (BN) film or a silicon nitride (SiNx) is usually used. Membranes are used. Then, the X-ray absorber 6 made of, for example, Au, Ta, W, etc.
Method, PVD method, etc. (Fig. (C)). As a result, a mask (mask blanks) 7 before being subjected to processing such as patterning is obtained.
その後は例えば、Ｘ線吸収体６の上にレジストパターン
８を形成した後（同図（Ｄ））、Ｘ線吸収体６をイオン
エッチング等によってパターニングし（同図（Ｅ））、
最後にウエットエッチング等によってＸ線透過性支持体
４をエッチング停止層としてマスク支持体２に窓あけを
行うと、最終的に加工されたＸ線露光用マスク10が得ら
れる（同図（Ｆ））。After that, for example, after forming the resist pattern 8 on the X-ray absorber 6 (FIG. 3D), the X-ray absorber 6 is patterned by ion etching or the like (FIG. 2E).
Finally, a window is opened in the mask support 2 by using the X-ray transparent support 4 as an etching stop layer by wet etching or the like to obtain a finally processed X-ray exposure mask 10 (FIG. 6 (F)). ).
上記Ｘ線透過性支持体４に従来用いられている窒化ホウ
素膜は、六方晶窒化ホウ素（ｈ−BN）から成るものであ
るため、ある程度の熱伝導率および硬度を有しているも
のの、それらはまだ十分ではなく、そのためＸ線照射時
にＸ線吸収体６の変形を招く恐れがあった。Since the boron nitride film conventionally used for the X-ray transparent support 4 is made of hexagonal boron nitride (h-BN), it has a certain degree of thermal conductivity and hardness. Is not yet sufficient, and therefore there is a risk that the X-ray absorber 6 may be deformed during X-ray irradiation.
即ち、Ｘ線照射時にＸ線吸収体６はＸ線の吸収によって
発熱し、その熱がＸ線透過性支持体４に伝わるが、当該
Ｘ線透過性支持体４の熱伝導率や硬度が不十分だと、そ
の熱によってＸ線透過性支持体４がたわむ等して変形
し、それに伴ってその上のＸ線吸収体６も変形し、その
結果正確なパターン転写が行えなくなる。That is, the X-ray absorber 6 generates heat by absorbing X-rays during X-ray irradiation, and the heat is transmitted to the X-ray transparent support 4, but the thermal conductivity and hardness of the X-ray transparent support 4 are unsatisfactory. If sufficient, the heat causes the X-ray permeable support body 4 to be deformed, for example, to be deformed, and the X-ray absorber 6 thereon is also deformed, and as a result, accurate pattern transfer cannot be performed.
同様の問題は、上記窒化シリコン膜の場合にも存在す
る。The same problem exists in the case of the above silicon nitride film.
そこでこの発明は、このような問題点を解決したＸ線露
光用マスクの製造方法を提供することを主たる目的とす
る。Therefore, it is a main object of the present invention to provide a method for manufacturing an X-ray exposure mask that solves such problems.
この発明の製造方法は、真空中でマスク支持体に対し
て、炭素の蒸着と、水素を含む有機化合物系ガス、水素
ガスおよび炭化水素系ガスの内の少なくとも一種をイオ
ン化して得られたイオンビームの照射とを行うことによ
って、マスク支持体上に、ダイヤモンド結晶を含む炭素
系膜から成るＸ線透過性支持体を形成することを特徴と
する。The production method of the present invention is an ion obtained by vapor-depositing carbon on a mask support in a vacuum and ionizing at least one of an organic compound gas containing hydrogen, a hydrogen gas and a hydrocarbon gas. By irradiating with a beam, an X-ray transparent support made of a carbon-based film containing diamond crystals is formed on the mask support.
この発明の製造方法によれば、照射イオンが、マスク支
持体に蒸着されたグラファイト構造の炭素をダイヤモン
ドに結晶成長させるための核形成エネルギー供給源とし
て作用し、それによってダイヤモンド結晶を含む炭素系
膜が、Ｘ線透過性支持体としてマスク支持体上に形成さ
れる。According to the manufacturing method of the present invention, the irradiated ions act as a nucleation energy supply source for crystallizing the carbon of the graphite structure deposited on the mask support into diamond, whereby a carbon-based film containing diamond crystals. Are formed on the mask support as an X-ray transparent support.
第１図は、この発明に係る製造方法によって得られるＸ
線露光用マスクの一例を示す概略断面図である。FIG. 1 shows X obtained by the manufacturing method according to the present invention.
It is a schematic sectional drawing which shows an example of the mask for line exposure.
このＸ線露光用マスク12は、例えば前述したようなＸ線
吸収体６と、それを支持するＸ線透過性支持体14と、そ
れを支持する例えば前述したようなマスク支持体２とを
有しており、Ｘ線透過性支持体14は、ダイヤモンド結晶
を含む炭素系膜から成る。尚、図示例ではＸ線吸収体６
あるいはマスク支持体２はパターニングあるいは窓あけ
等の加工が成されていないものを示すが、それらは例え
ば第３図（Ｄ）〜（Ｆ）のような工程を経る等して適宜
加工される。This X-ray exposure mask 12 has, for example, the X-ray absorber 6 as described above, an X-ray transmissive support 14 that supports it, and the mask support 2 that supports it, for example, as described above. Therefore, the X-ray transparent support 14 is made of a carbon-based film containing diamond crystals. In the illustrated example, the X-ray absorber 6
Alternatively, the mask support 2 is shown to be unprocessed such as patterning or windowing, but these are appropriately processed, for example, through the steps shown in FIGS. 3D to 3F.
上記Ｘ線透過性支持体14は、ダイヤモンド結晶を含むた
め、従来の窒化ホウ素膜や窒化シリコン膜よりも硬度お
よび熱伝導率が高い。例えば、従来の窒化ホウ素膜を構
成する六方晶窒化ホウ素窒化はシリコンよりも熱伝導率
が高いがそれでも約0.8W/cmK程度であるのに対して、ダ
イヤモンドの熱伝導率は約20W/cmK程度もある。Since the X-ray transparent support 14 contains diamond crystals, it has higher hardness and higher thermal conductivity than the conventional boron nitride film or silicon nitride film. For example, while the hexagonal boron nitride nitride forming the conventional boron nitride film has a higher thermal conductivity than silicon, it is still about 0.8 W / cmK, whereas the thermal conductivity of diamond is about 20 W / cmK. There is also.
勿論上記Ｘ線透過性支持体14はＸ線透過性も良く、例え
ば膜厚が４μｍの場合の波長10ÅのＸ線に対する透過率
は70％以上であった。Of course, the X-ray transparent support 14 also has a good X-ray transparency, and for example, when the film thickness is 4 μm, the transmittance for X-rays having a wavelength of 10Å is 70% or more.
従って上記のようなＸ線透過性支持体14を有するＸ線露
光用マスク12においては、Ｘ線透過性支持体14が高硬度
かつ高熱伝導率であるため、Ｘ線照射時の当該Ｘ線透過
性支持体14の温度上昇やそれに伴うたわみ、反り等の変
形が抑えられる。その結果、Ｘ線透過性支持体14上のＸ
線吸収体６の変形も抑えられ、正確なパターン転写が可
能となる。Therefore, in the X-ray exposure mask 12 having the X-ray transparent support 14 as described above, since the X-ray transparent support 14 has high hardness and high thermal conductivity, the X-ray transmission during X-ray irradiation is high. It is possible to suppress the temperature rise of the flexible support 14 and the accompanying deformation such as bending and warping. As a result, X on the X-ray transparent support 14
Deformation of the line absorber 6 is also suppressed, and accurate pattern transfer is possible.
次に、上記のようなＸ線露光用マスク12の製造方法の例
を、そのＸ線透過性支持体14の形成工程を主体に説明す
る。Next, an example of a method of manufacturing the X-ray exposure mask 12 as described above will be described mainly with respect to the step of forming the X-ray transparent support 14.
第２図は、この発明に係る製造方法を実施する装置の一
例を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing an example of an apparatus for carrying out the manufacturing method according to the present invention.
真空容器（図示省略）内に、前述したようなマスク支持
体２をホルダ24に取り付けて収納しており、当該マスク
支持体２に向けて蒸発源16およびイオン源26を配置して
いる。The mask support 2 as described above is attached and housed in the holder 24 in a vacuum container (not shown), and the evaporation source 16 and the ion source 26 are arranged toward the mask support 2.
蒸発源16は、この例では電子ビーム蒸発源であり、蒸発
材料18として炭素ペレットを有しており、それを電子ビ
ームによって加熱蒸気化して得られる炭素20をマスク支
持体２の表面に蒸着させることができる。もっとも、こ
のような電子ビーム蒸発源の代わりに、炭素ターゲット
をスパッタさせる方式の蒸発源、あるいは炭素カソード
における真空アーク放電によって炭素を蒸発させる方式
の蒸発源等を用いることもできる。The evaporation source 16 is an electron beam evaporation source in this example, and has carbon pellets as the evaporation material 18, and carbon 20 obtained by heating and vaporizing it with an electron beam is deposited on the surface of the mask support 2. be able to. However, instead of such an electron beam evaporation source, an evaporation source of a method of sputtering a carbon target or an evaporation source of a method of evaporating carbon by vacuum arc discharge in a carbon cathode can be used.
マスク支持体２に対する炭素20の蒸着速度あるいはマス
ク支持体２上に形成される膜の膜厚は、膜厚モニタ22に
よって計測することができる。The deposition rate of carbon 20 on the mask support 2 or the film thickness of the film formed on the mask support 2 can be measured by the film thickness monitor 22.
イオン源26は、この例ではプラズマ閉じ込めに多極磁場
を用いるバケット型イオン源であり、供給されたガスＧ
をイオン化して均一で大面積のイオンビーム28をマスク
支持体２の表面に向けて照射することができる。もっと
も、このようなバケット型イオン源の代わりに、他のタ
イプのイオン源を用いることもできる。The ion source 26 is a bucket type ion source that uses a multipole magnetic field for plasma confinement in this example, and the supplied gas G
Can be ionized to irradiate the surface of the mask support 2 with a uniform and large-area ion beam 28. However, instead of such a bucket type ion source, another type of ion source can be used.
この場合のイオン源26に供給するガスＧとしては、後述
するような理由から、水素ガス、炭化水素系ガス（例え
ばメタンガス、エタンガス等）、水素を含む有機化合物
系ガス（例えばアセトン等）の内の少なくとも一種、即
ちこれらの単一ガスまたは混合ガスを用いる。In this case, as the gas G to be supplied to the ion source 26, hydrogen gas, hydrocarbon-based gas (eg, methane gas, ethane gas, etc.), or organic compound-based gas containing hydrogen (eg, acetone, etc.) is selected for the reason described below. At least one of them, that is, a single gas or a mixed gas thereof is used.
処理に際しては、真空容器内を例えば10-5〜10-7Torr程
度まで排気した後、蒸発源16からの炭素20をマスク支持
体２上に蒸着させるのと同時に、またはそれと交互に、
イオン源26からのイオンビーム28をマスク支持体２に向
けて照射する。At the time of processing, after evacuation of the vacuum vessel to, for example, about 10 −5 to 10 −7 Torr, carbon 20 from the evaporation source 16 is vapor-deposited on the mask support 2, or at the same time, alternately.
An ion beam 28 from an ion source 26 is directed toward the mask support 2.
その際、マスク支持体２に蒸着させる炭素量に対する照
射イオン量の割合、即ちイオン／炭素は、例えば0.1％
〜100％程度の範囲内にする。At that time, the ratio of the amount of irradiated ions to the amount of carbon vapor-deposited on the mask support 2, that is, ion / carbon is, for example, 0.1%.
~ Within 100% range.
上記処理の結果、マスク支持体２の表面に、前述したよ
うなダイヤモンド結晶を含む炭素系膜から成るＸ線透過
性支持体14（第１図参照）が形成される。これは、照射
イオンが、マスク支持体２に蒸着されたグラファイト構
造の炭素をダイヤモンドに結晶成長させるための核形成
エネルギー供給源として作用するためであると考えられ
る。ちなみにその後は、例えば前述したような公知のCV
D法、PVD法等によって、当該Ｘ線透過性支持体14上に前
述したようなＸ線吸収体６を形成すれば良い。その結
果、第１図に示したようなＸ線露光用マスク12が得られ
る。As a result of the above treatment, the X-ray transparent support 14 (see FIG. 1) made of a carbon-based film containing diamond crystals as described above is formed on the surface of the mask support 2. It is considered that this is because the irradiation ions act as a nucleation energy supply source for crystallizing the carbon of the graphite structure deposited on the mask support 2 into diamond. By the way, after that, for example, known CV as described above
The X-ray absorber 6 as described above may be formed on the X-ray transparent support 14 by the D method, PVD method or the like. As a result, the X-ray exposure mask 12 as shown in FIG. 1 is obtained.
上記処理の場合、ガスＧに前述したような種類のものを
用いるのは、水素ガスを用いれば、イオンビーム28とし
て照射された水素が、蒸着炭素中のグラファイトをメタ
ン、エタン等の炭化水素系のガスとして取り除く作用を
するので、ダイヤモンド結晶の含有率の高いより良質の
炭素系膜、即ちＸ線透過性支持体14を形成することがで
きるからである。また、水素を含む有機化合物系ガスや
炭化水素系ガスを用いれば、蒸着炭素にそれと同系
の、即ち炭素系のイオンが照射されるため、それによっ
て蒸着炭素をより励起し易くなり、しかも照射イオン
ビーム中には、イオン源において既に励起された炭素が
含まれており、この励起された炭素も膜形成に寄与し、
更に照射イオンビーム中には水素が含まれているた
め、それによって上述したグラファイト除去作用も行わ
れ、このような作用からダイヤモンド結晶がより効果的
に形成されるからである。またこれらの混合ガスを用い
れば、上記のような各作用を併合した結果を得ることが
できるからである。In the case of the above treatment, the gas G of the above-mentioned type is used. When hydrogen gas is used, hydrogen irradiated as the ion beam 28 causes graphite in vapor-deposited carbon to be a hydrocarbon system such as methane or ethane. This is because it has a function of removing it as a gas, and thus a higher quality carbon-based film having a high diamond crystal content, that is, the X-ray transparent support 14 can be formed. If an organic compound-based gas containing hydrogen or a hydrocarbon-based gas is used, vapor-deposited carbon is irradiated with ions of the same type, that is, carbon-based ions, which makes it easier to excite the vapor-deposited carbon, and the irradiation ions Carbon already excited in the ion source is contained in the beam, and this excited carbon also contributes to film formation,
Further, since the irradiation ion beam contains hydrogen, the above-mentioned graphite removing action is also carried out, and the diamond crystal is more effectively formed by such action. Further, if these mixed gases are used, it is possible to obtain the result of combining the above-mentioned actions.
また、ガスＧとして、上記のような単一ガスまたは混合
ガスに、ケイ素系ガス（例えばモノシランガス、ジシラ
ンガス等）を混合したガスを用いても良く、そのように
すれば、イオンビーム28として照射されたケイ素はSP3
混成軌道しか取らず、蒸着炭素中におけるグラファイト
の析出を抑制すると共にダイヤモンド形成に有効に作用
するため、ダイヤモンド結晶がより効果的に形成される
ようになる。Further, as the gas G, a gas obtained by mixing a silicon-based gas (for example, monosilane gas, disilane gas, etc.) with the above-mentioned single gas or mixed gas may be used, and in this case, the ion beam 28 is irradiated. Silicon is SP 3
Since it takes only a hybrid orbit and suppresses the precipitation of graphite in vapor-deposited carbon and effectively acts on diamond formation, diamond crystals are formed more effectively.
尚、上記イオンビーム28の加速エネルギーは、その照射
によって膜、即ちＸ線透過性支持体14の内部にダメージ
（欠陥部）が発生したりスパッタ作用によってその表面
が荒れたりするのを極力少なくする観点から、10KeV程
度以下の低エネルギー、より好ましくは数百eV程度以下
にするのが良く、またその下限は特にないが、イオン源
26からイオンビーム28を引き出せる限度から、現実的に
は10eV程度になる。The acceleration energy of the ion beam 28 minimizes damage (defects) inside the film, that is, the inside of the X-ray transparent support 14 due to the irradiation, and roughening of the surface due to the sputtering action. From the viewpoint, low energy of about 10 KeV or less, more preferably about several hundred eV or less, and the lower limit is not particularly limited.
Due to the limit of extracting the ion beam 28 from 26, it is practically about 10 eV.
また、マスク支持体２表面の垂線に対するイオンビーム
28の入射角θは、それによる蒸着炭素20のスパッタ防止
等の観点から、０゜〜60゜程度の範囲内にするのが好ま
しい。In addition, the ion beam with respect to the vertical line on the surface of the mask support 2
The incident angle θ of 28 is preferably in the range of about 0 ° to 60 ° from the viewpoint of preventing spattering of the deposited carbon 20.
また、処理の際のマスク支持体２の温度は、室温程度で
も良いし、熱励起による反応促進のためやイオンビーム
28の照射に伴って膜中に発生する欠陥部除去等のため
に、必要に応じて数百℃程度に加熱しても良い。Further, the temperature of the mask support 2 at the time of processing may be about room temperature, or to accelerate the reaction by thermal excitation or to use an ion beam.
If necessary, it may be heated to about several hundreds of degrees Celsius in order to remove defects generated in the film due to irradiation with 28.
尚、基体上に、ダイヤモンド結晶を含む炭素系膜を形成
する手段としては、従来、炭化水素や有機化合物系のガ
スを用いたプラズマCVD法、光CVD法等の化学気相成長法
が採られていたが、これには、基体を800℃〜1000℃
程度の高温に加熱する必要があるため使用できる基体の
材質が大幅に限定される、基体に対する膜の密着性が
良くない、等の問題があった。これに対してこの発明に
係る方法の特徴を列挙すれば次の通りである。Incidentally, as a means for forming a carbon-based film containing diamond crystals on the substrate, conventionally, a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method using a hydrocarbon or an organic compound-based gas, an optical CVD method or the like is adopted. However, for this, the substrate is 800 ℃ ~ 1000 ℃
Since it is necessary to heat the substrate to a high temperature, there are problems that the material of the substrate that can be used is greatly limited, the adhesion of the film to the substrate is poor, and the like. On the other hand, the features of the method according to the present invention are listed below.
熱励起を主体としていないため、低温処理が可能で
あり、その結果、基体であるマスク支持体２として使用
できる材質の範囲が大幅に広がる。Since thermal excitation is not the main component, low-temperature treatment is possible, and as a result, the range of materials that can be used as the mask support 2 that is the base is greatly expanded.
イオンビーム照射を併用するため、イオンの押込み
（ノックオン）作用によってマスク支持体２とＸ線透過
性支持体14との界面付近に両者の構成物質から成る混合
層（ミキシング層）を形成することができ、これが言わ
ば楔のような作用をするので、マスク支持体２に対する
密着性の良いＸ線透過性支持体14が得られる。Since ion beam irradiation is also used, it is possible to form a mixed layer (mixing layer) composed of both constituents near the interface between the mask support 2 and the X-ray transparent support 14 by the action of pushing ions (knock-on). As a result, it acts like a wedge, so to speak, so that the X-ray transparent support 14 having good adhesion to the mask support 2 can be obtained.
この例のように低エネルギーのイオンビーム28を用
いれば、表面が非常に平滑でしかも内部に欠陥部の少な
いより良質のＸ線透過性支持体14を得ることができる。By using the low energy ion beam 28 as in this example, it is possible to obtain a better quality X-ray transmissive support 14 having a very smooth surface and few defects inside.
この発明に係る製造方法によれば、次のような効果を奏
する。The manufacturing method according to the present invention has the following effects.
熱励起を主体としていないため、低温処理が可能で
あり、その結果、基体であるマスク支持体として使用で
きる材質の範囲が大幅に広がる イオンビーム照射を併用するため、イオンの押込み
（ノックオン）作用によってマスク支持体とＸ線透過性
支持体との界面付近に両者の構成物質から成る混合層
（ミキシング層）を形成することができ、これが言わば
楔のような作用をするので、マスク支持体に対する密着
性の良いＸ線透過性支持体が得られる。Since it is not mainly subjected to thermal excitation, it can be processed at low temperature. As a result, the range of materials that can be used as a mask support, which is the base, is greatly expanded. A mixed layer (mixing layer) composed of the constituent materials of both can be formed in the vicinity of the interface between the mask support and the X-ray transmissive support, and this acts like a wedge, so that it adheres to the mask support. An X-ray transparent support having good properties can be obtained.
照射イオンビームは、水素を含む有機化合物系ガ
ス、水素ガスおよび炭化水素系ガスの内の少なくとも一
種をイオン化して得られたイオンビームであり、このよ
うなイオンビームを用いれば、照射イオンが、マスク支
持体に蒸着されたグラファイト構造の炭素をダイヤモン
ドに結晶成長させるための核形成エネルギー供給源とし
て作用するだけでなく、更に次のような格別の作用効果
を奏する。The irradiation ion beam is an ion beam obtained by ionizing at least one of an organic compound-based gas containing hydrogen, hydrogen gas and a hydrocarbon-based gas, and by using such an ion beam, irradiation ions are In addition to acting as a nucleation energy supply source for crystallizing the carbon of the graphite structure vapor-deposited on the mask support to diamond, it also exhibits the following special effect.
即ち、水素ガスを用いれば、イオンビームとして照射さ
れた水素が蒸着炭素中のグラファイトを、メタン、エタ
ン等の炭化水素系のガスとして取り除く作用をするの
で、ダイヤモンド結晶の含有率の高いより良質の炭素系
膜、即ちＸ線透過性支持体を形成することができる。そ
の結果、このようなＸ線透過性支持体は、硬度および熱
伝導率に優れているので、Ｘ線照射時の温度上昇やそれ
に伴う変形が少なく、ひいては当該Ｘ線透過性支持体上
のＸ線吸収体の変形も抑えられ、正確なパターン転写が
可能なＸ線露光用マスクを得ることができる。That is, when hydrogen gas is used, hydrogen irradiated as an ion beam has a function of removing graphite in vapor-deposited carbon as a hydrocarbon-based gas such as methane and ethane. A carbon-based film, that is, an X-ray transparent support can be formed. As a result, since such an X-ray transmissive support is excellent in hardness and thermal conductivity, there is little increase in temperature during X-ray irradiation and deformation associated therewith, and thus the X-ray transmissive support is not affected. It is possible to obtain an X-ray exposure mask in which deformation of the line absorber is suppressed and accurate pattern transfer is possible.
また、水素を含む有機化合物系ガスや炭化水素系ガスを
用いれば、蒸着炭素にそれと同系の、即ち炭素系のイオ
ンが照射されるため、それによって蒸着炭素をより励起
し易くなり、ダイヤモンド結晶がより効果的に形成され
る。また、照射イオンビーム中には、イオン源において
既に励起された炭素が含まれており、この励起された炭
素も膜形成に寄与するので、この意味からもダイヤモン
ド結晶がより効果的に形成される。しかも、照射イオン
ビーム中には水素が含まれているため、それによって上
述したグラファイト除去作用も行われる。これらの結
果、ダイヤモンド結晶の含有率の高いより良質の炭素系
膜、即ちＸ線透過性支持体を形成することができる。そ
の結果、このようなＸ線透過性支持体は、硬度および熱
伝導率に優れているので、Ｘ線照射時の温度上昇やそれ
に伴う変形が少なく、ひいては当該Ｘ線透過性支持体上
のＸ線吸収体の変形も抑えられ、正確なパターン転写が
可能なＸ線露光用マスクを得ることができる。Further, if an organic compound-based gas or a hydrocarbon-based gas containing hydrogen is used, vapor-deposited carbon is irradiated with the same type of ions, that is, carbon-based ions, so that the vapor-deposited carbon is more easily excited and diamond crystals are formed. Formed more effectively. Further, the irradiation ion beam contains carbon that has already been excited in the ion source, and this excited carbon also contributes to the film formation. From this sense as well, diamond crystals are formed more effectively. . Moreover, since the irradiation ion beam contains hydrogen, the above-described graphite removing action is also performed. As a result, a higher quality carbon-based film having a high diamond crystal content, that is, an X-ray transparent support can be formed. As a result, since such an X-ray transmissive support is excellent in hardness and thermal conductivity, there is little increase in temperature during X-ray irradiation and deformation associated therewith, and thus the X-ray transmissive support on the X-ray transmissive support is reduced. It is possible to obtain an X-ray exposure mask in which deformation of the line absorber is suppressed and accurate pattern transfer is possible.
更に、水素ガス、水素を含む有機化合物系ガスおよび炭
化水素系ガスの混合ガスを用いれば、各ガスによる上述
した各作用効果を併合した作用効果を奏することができ
る。Furthermore, by using a mixed gas of hydrogen gas, an organic compound-based gas containing hydrogen, and a hydrocarbon-based gas, it is possible to achieve the combined effects of the above-described effects of each gas.
第１図は、この発明に係る製造方法によって得られるＸ
線露光用マスクの一例を示す概略断面図である。第２図
は、この発明に係る製造方法を実施する装置の一例を示
す概略図である。第３図は、Ｘ線露光用マスクの製造工
程の一例を示す図である。 ２……マスク支持体、６……Ｘ線吸収体、12……Ｘ線露
光用マスク、14……Ｘ線透過性支持体、16……蒸発源、
20……炭素、26……イオン源、28……イオンビーム。FIG. 1 shows X obtained by the manufacturing method according to the present invention.
It is a schematic sectional drawing which shows an example of the mask for line exposure. FIG. 2 is a schematic view showing an example of an apparatus for carrying out the manufacturing method according to the present invention. FIG. 3 is a diagram showing an example of a manufacturing process of an X-ray exposure mask. 2 ... Mask support, 6 ... X-ray absorber, 12 ... X-ray exposure mask, 14 ... X-ray transparent support, 16 ... Evaporation source,
20 …… Carbon, 26 …… Ion source, 28 …… Ion beam.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上條 栄治 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−128031（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−204534（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−32425（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−185929（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−255346（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Eiji Kamijo 47 Umezu Takaune-cho, Ukyo-ku, Kyoto Prefecture Nissin Electric Co., Ltd. (56) Reference JP 57-128031 (JP, A) JP 58 -204534 (JP, A) JP 61-32425 (JP, A) JP 61-185929 (JP, A) JP 61-255346 (JP, A)
Claims (1)
支持体と、それを支持するマスク支持体とを有するＸ線
露光用マスクを製造する方法において、真空中でマスク
支持体に対して、炭素の蒸着と、水素を含む有機化合物
系ガス、水素ガスおよび炭化水素系ガスの内の少なくと
も一種をイオン化して得られたイオンビームの照射とを
行うことによって、マスク支持体上に、ダイヤモンド結
晶を含む炭素系膜から成るＸ線透過性支持体を形成する
ことを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法。1. A method for producing an X-ray exposure mask having an X-ray absorber, an X-ray transparent support that supports the X-ray absorber, and a mask support that supports the X-ray absorber, wherein the mask support is in vacuum. On the other hand, by performing carbon vapor deposition and irradiation with an ion beam obtained by ionizing at least one of an organic compound-based gas containing hydrogen, hydrogen gas and hydrocarbon-based gas, A method for manufacturing an X-ray exposure mask, which comprises forming an X-ray transparent support comprising a carbon-based film containing diamond crystals.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8958687A JPH0795510B2 (en) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | Method for manufacturing mask for X-ray exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8958687A JPH0795510B2 (en) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | Method for manufacturing mask for X-ray exposure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254727A JPS63254727A (en) | 1988-10-21 |
| JPH0795510B2 true JPH0795510B2 (en) | 1995-10-11 |
Family
ID=13974887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8958687A Expired - Lifetime JPH0795510B2 (en) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | Method for manufacturing mask for X-ray exposure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795510B2 (en) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JP6295517B2 (en) * | 2013-05-15 | 2018-03-20 | 凸版印刷株式会社 | Reflective mask blank and reflective mask |
Family Cites Families (5)
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| JPS57128031A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Exposure mask |
| JPS58204534A (en) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Hitachi Ltd | Mask for X-ray lithography |
| JPS6132425A (en) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Nec Corp | Mask for x-ray exposure |
| JPS61185929A (en) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Nec Corp | X-ray exposure mask |
| JPS61255346A (en) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Hitachi Metals Ltd | Mask for x-ray exposing |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8958687A patent/JPH0795510B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63254727A (en) | 1988-10-21 |
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