JPH079964B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH079964B2 JPH079964B2 JP4001890A JP4001890A JPH079964B2 JP H079964 B2 JPH079964 B2 JP H079964B2 JP 4001890 A JP4001890 A JP 4001890A JP 4001890 A JP4001890 A JP 4001890A JP H079964 B2 JPH079964 B2 JP H079964B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- microcomputer chip
- microcomputer
- chip
- integrated circuit
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は集積回路基板にチップ型のEPROM内蔵マイクロ
コンピュータを実装してなるEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータ搭載型の混成集積回路装置に関する。
コンピュータを実装してなるEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータ搭載型の混成集積回路装置に関する。
(ロ)従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEPRO
M内蔵のマイクロコンピュータ素子は各種電子機器に好
んで用いられている。このEPROM内蔵マイクロコンピュ
ータは、制御用あるいは駆動用集積回路と共に現在、そ
の殆んどがプリント配線板に実装されている。各種電子
機器で小型軽量化が要求される機器は、チップ・オン・
ボードと称される技法によってプリント配線板に半導体
集積回路(IC)チップが直接搭載され、所要の配線が施
された後この配線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂
によって被覆され、極めて小型軽量化が達成されてい
る。
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEPRO
M内蔵のマイクロコンピュータ素子は各種電子機器に好
んで用いられている。このEPROM内蔵マイクロコンピュ
ータは、制御用あるいは駆動用集積回路と共に現在、そ
の殆んどがプリント配線板に実装されている。各種電子
機器で小型軽量化が要求される機器は、チップ・オン・
ボードと称される技法によってプリント配線板に半導体
集積回路(IC)チップが直接搭載され、所要の配線が施
された後この配線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂
によって被覆され、極めて小型軽量化が達成されてい
る。
斯る従来のEPROM内蔵マイクロコンピュータの実装構造
を第13図に従って説明すると、第11図は従来のEPROM内
蔵マイクロコンピュータの一部断面を有する斜視図であ
って、主表面上に導電性配線パターン(41)が形成され
たガラス・エポキシ樹脂などから構成された絶縁性基板
(42)のスルーホール(43)にサーディップ型パッケー
ジに組込まれたEPROM内蔵マイクロコンピュータ(44)
が搭載されている。このEPROM内蔵マイクロコンピュー
タ(44)はヘッダー(45)およびキャップ(46)を有
し、前記ヘッダー(45)はセラミック基材(47)に外部
導出リード(48)か低融点ガラス材で接着されている。
またこのヘッダー(45)はガラスに金粉が多量に混入し
たいわゆる金ペーストを焼結した素子搭載部(50)が前
記低融点ガラス材上あるいはセラミック基材(47)上に
接着されており、この素子搭載部(50)にEPROM内蔵マ
イクロコンピュータチップ(51)が装着され、このチッ
プ(51)の電極と前記外部導出リード(48)とが金属細
線(52)によって接続されている。このキャップ(46)
は低融点ガラスによってヘッダー(45)に配置されたEP
ROM内蔵マイクロコンピュータチップ(51)を密封して
いる。この様にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップ
(51)を密封したEPROM内蔵マイクロコンピュータ(4
4)は、前記絶縁性基板(42)のスルーホール(43)に
外部導出リード(48)を挿通させ半田によって固定され
る。このスルーホール(43)は導電性配線パターン(4
1)によって所要の配線引回しが施され、前記絶縁性基
板の端部に設けられた雄型コネクタ端子部(55)から図
示しない雌型コネクタへと接続される。
を第13図に従って説明すると、第11図は従来のEPROM内
蔵マイクロコンピュータの一部断面を有する斜視図であ
って、主表面上に導電性配線パターン(41)が形成され
たガラス・エポキシ樹脂などから構成された絶縁性基板
(42)のスルーホール(43)にサーディップ型パッケー
ジに組込まれたEPROM内蔵マイクロコンピュータ(44)
が搭載されている。このEPROM内蔵マイクロコンピュー
タ(44)はヘッダー(45)およびキャップ(46)を有
し、前記ヘッダー(45)はセラミック基材(47)に外部
導出リード(48)か低融点ガラス材で接着されている。
またこのヘッダー(45)はガラスに金粉が多量に混入し
たいわゆる金ペーストを焼結した素子搭載部(50)が前
記低融点ガラス材上あるいはセラミック基材(47)上に
接着されており、この素子搭載部(50)にEPROM内蔵マ
イクロコンピュータチップ(51)が装着され、このチッ
プ(51)の電極と前記外部導出リード(48)とが金属細
線(52)によって接続されている。このキャップ(46)
は低融点ガラスによってヘッダー(45)に配置されたEP
ROM内蔵マイクロコンピュータチップ(51)を密封して
いる。この様にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップ
(51)を密封したEPROM内蔵マイクロコンピュータ(4
4)は、前記絶縁性基板(42)のスルーホール(43)に
外部導出リード(48)を挿通させ半田によって固定され
る。このスルーホール(43)は導電性配線パターン(4
1)によって所要の配線引回しが施され、前記絶縁性基
板の端部に設けられた雄型コネクタ端子部(55)から図
示しない雌型コネクタへと接続される。
さて、斯る従来のEPROM内蔵マイクロコンピュータ素子
の実装構造は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ
(51)に比べパッケージ外形が極めて大きく、平面占有
率もさることながら三次元、つまり高さもチップの高さ
の数倍となり、薄型化に極めて不利である。更にスルー
ホール(43)に外部導出リードを挿通した後、半田など
で固定する必要も生ずる。更に特筆すべき大きな欠点
は、絶縁性基板への実装に先立ってEPROM内蔵マイクロ
コンピュータ素子を一旦パッケージに組立てることであ
る。
の実装構造は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ
(51)に比べパッケージ外形が極めて大きく、平面占有
率もさることながら三次元、つまり高さもチップの高さ
の数倍となり、薄型化に極めて不利である。更にスルー
ホール(43)に外部導出リードを挿通した後、半田など
で固定する必要も生ずる。更に特筆すべき大きな欠点
は、絶縁性基板への実装に先立ってEPROM内蔵マイクロ
コンピュータ素子を一旦パッケージに組立てることであ
る。
ここではサーディップパッケージタイプのEPROM内蔵マ
イクロコンピュータ素子について述べたが樹脂封止型パ
ッケージについても上述した問題は発生する。
イクロコンピュータ素子について述べたが樹脂封止型パ
ッケージについても上述した問題は発生する。
斯る問題を解決するために第12図に示した実装構造が既
に使用されている。
に使用されている。
以下に第12図に示したEPROM内蔵マイクロコンピュータ
実装構造について説明する。
実装構造について説明する。
主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形成され
たガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(60)上に
は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ(61)を載
置するチップ搭載エリア(60c)を有し、前記配線パタ
ーン(60b)は、このエリア近傍から主表面(60a)上を
引回されて図示しない雄型コネクタ端子部に接続されて
いる。前記エリア(60c)には、EPROM内蔵マイクロコン
ピュータチップ(61)が搭載され、このチップ(61)の
表面電極と前記配線パターン(60b)とが金属細線(6
2)により接続されている。勿論金属細線(62)の1本
は前記チップ(61)のサブストレートと接続する為に、
このチップ(61)が搭載された配線パターン(60b)と
ワイヤリングされている。
たガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(60)上に
は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ(61)を載
置するチップ搭載エリア(60c)を有し、前記配線パタ
ーン(60b)は、このエリア近傍から主表面(60a)上を
引回されて図示しない雄型コネクタ端子部に接続されて
いる。前記エリア(60c)には、EPROM内蔵マイクロコン
ピュータチップ(61)が搭載され、このチップ(61)の
表面電極と前記配線パターン(60b)とが金属細線(6
2)により接続されている。勿論金属細線(62)の1本
は前記チップ(61)のサブストレートと接続する為に、
このチップ(61)が搭載された配線パターン(60b)と
ワイヤリングされている。
上述した様にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを
直接基板上に搭載することが既に周知技術として知られ
ている。
直接基板上に搭載することが既に周知技術として知られ
ている。
(ハ)発明が解決しようとする課題 第12図で示したEPROM内蔵マイクロコンピュータ実装構
造ではEPROM内蔵マイクロコンピュータのチップをプリ
ント基板上にダイボンディングしているため、小型化と
なることはいうまでもない。しかしながら、ここでいう
小型化はあくまでEPROM内蔵マイクロコンピュータ自体
の小型化である。即ち、第12図からは明らかにされてい
ないがEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺に固着さ
れているその周辺回路素子はディスクリート等の電子部
品で構成されているために、EPROM内蔵マイクロコンピ
ュータを搭載したプリント基板用の集積回路としてのシ
ステム全体を見た場合何んら小型化とはならず従来通り
プリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型化にな
る問題がある。
造ではEPROM内蔵マイクロコンピュータのチップをプリ
ント基板上にダイボンディングしているため、小型化と
なることはいうまでもない。しかしながら、ここでいう
小型化はあくまでEPROM内蔵マイクロコンピュータ自体
の小型化である。即ち、第12図からは明らかにされてい
ないがEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺に固着さ
れているその周辺回路素子はディスクリート等の電子部
品で構成されているために、EPROM内蔵マイクロコンピ
ュータを搭載したプリント基板用の集積回路としてのシ
ステム全体を見た場合何んら小型化とはならず従来通り
プリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型化にな
る問題がある。
また、第11図に示した実装構造においても第12図と同様
にEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺の回路、即ちL
SI,IC等の回路素子がディスクリート等の電子部品で構
成されているため、プリント基板の大型化、即ちシステ
ム全体が大型化となりユーザが要求される軽薄短小のEP
ROM内蔵マイクロコンピュータ搭載の集積回路を提供す
ることができない大きな問題がある。
にEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺の回路、即ちL
SI,IC等の回路素子がディスクリート等の電子部品で構
成されているため、プリント基板の大型化、即ちシステ
ム全体が大型化となりユーザが要求される軽薄短小のEP
ROM内蔵マイクロコンピュータ搭載の集積回路を提供す
ることができない大きな問題がある。
更に第11図および第12図で示したEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータ実装構造では、上述した様にシステム全体が
大型化になると共にEPROM内蔵マイクロコンピュータお
よびその周辺の回路素子を互いに接続する導電パターン
が露出されているため信頼性が低下する問題がある。
ンピュータ実装構造では、上述した様にシステム全体が
大型化になると共にEPROM内蔵マイクロコンピュータお
よびその周辺の回路素子を互いに接続する導電パターン
が露出されているため信頼性が低下する問題がある。
更に第11図および第12図で示したEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータ実装構造ではEPROM内蔵マイクロコンピュー
タと、その周辺のIC,LSI等の回路素子が露出されている
ため、基板上面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低
下する問題がある。
ンピュータ実装構造ではEPROM内蔵マイクロコンピュー
タと、その周辺のIC,LSI等の回路素子が露出されている
ため、基板上面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低
下する問題がある。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板上にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを搭載す
ると共にそのEPROM内蔵マイクロコンピュータチップと
接続されるその周辺の回路素子を基板上に搭載し、且
つ、ケース材と基板とで形成された封止空間にEPROM内
蔵マイクロコンピュータチップと関連する周辺の回路素
子全てが密封封止されEPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップのみがケース材の周辺の所定位置より突出した基
板上に設けられた構造を有することを特徴とする。
板上にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを搭載す
ると共にそのEPROM内蔵マイクロコンピュータチップと
接続されるその周辺の回路素子を基板上に搭載し、且
つ、ケース材と基板とで形成された封止空間にEPROM内
蔵マイクロコンピュータチップと関連する周辺の回路素
子全てが密封封止されEPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップのみがケース材の周辺の所定位置より突出した基
板上に設けられた構造を有することを特徴とする。
従ってEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを搭載し
た混成集積回路を極めて小型化に行える。
た混成集積回路を極めて小型化に行える。
(ホ)作用 この様に本発明に依れば、ケース材の周辺に拡張した基
板上にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを接続し
ているのでEPROM内蔵マイクロコンピュータチップの載
置位置をケース材の周辺の任意に設定できるので、内蔵
される周辺回路素子のEPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップともっとも関連深い回路素子との電気的接続を考
慮して、効率良くEPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プともっとも関連深い回路素子とを接続することがで
き、信号線即ち導電路の引回し線を不要にすることがで
きる。
板上にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを接続し
ているのでEPROM内蔵マイクロコンピュータチップの載
置位置をケース材の周辺の任意に設定できるので、内蔵
される周辺回路素子のEPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップともっとも関連深い回路素子との電気的接続を考
慮して、効率良くEPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プともっとも関連深い回路素子とを接続することがで
き、信号線即ち導電路の引回し線を不要にすることがで
きる。
更にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップの隣接する
基板の周辺にもっとも関連の深い回路素子を配置でき、
EPROM内蔵マイクロコンピュータチップともっとも関連
深い回路素子とのデータのやりとりを行うデータ線を最
短距離あるいは最小距離で実現でき、データ線の引回し
による実装密度のロスを最小限に抑制することになり、
高密度の実装が行える。
基板の周辺にもっとも関連の深い回路素子を配置でき、
EPROM内蔵マイクロコンピュータチップともっとも関連
深い回路素子とのデータのやりとりを行うデータ線を最
短距離あるいは最小距離で実現でき、データ線の引回し
による実装密度のロスを最小限に抑制することになり、
高密度の実装が行える。
更に本発明ではEPROM内蔵マイクロコンピュータチップ
以外の全ての素子がチップ状で且つケース材と基板で形
成された封止空間内に収納されるため小型化でしかも取
り扱い性の優れた混成集積回路装置を提供することがで
きる。
以外の全ての素子がチップ状で且つケース材と基板で形
成された封止空間内に収納されるため小型化でしかも取
り扱い性の優れた混成集積回路装置を提供することがで
きる。
(ヘ)実施例 以下に第1図乃至第10図に示した実施例に基づいて本発
明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられインバータエ
アコン等の幅広いインバータモータの分野で機能を独立
して有する集積回路として用いられる。
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられインバータエ
アコン等の幅広いインバータモータの分野で機能を独立
して有する集積回路として用いられる。
この混成集積回路装置(1)は第1図および第2図に示
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2)上
に形成された所望形状の導電路(3)と、ケース材
(8)より突出した突出基板(2a)上の導電路(3)と
接続され樹脂モールドされたEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータチップ(4)(以下EPマイコンチップという)
と、EPマイコンチップ(4)からデータを供給され且つ
基板(2)上の導電路(3)と接続されたその周辺回路
素子(6)と、基板(2)に一体化され且つ突出基板
(2a)を露出するケース材(8)とをから構成されてい
る。
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2)上
に形成された所望形状の導電路(3)と、ケース材
(8)より突出した突出基板(2a)上の導電路(3)と
接続され樹脂モールドされたEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータチップ(4)(以下EPマイコンチップという)
と、EPマイコンチップ(4)からデータを供給され且つ
基板(2)上の導電路(3)と接続されたその周辺回路
素子(6)と、基板(2)に一体化され且つ突出基板
(2a)を露出するケース材(8)とをから構成されてい
る。
集積回路基板(2)はセラミックス、ガラスエポキシあ
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。
金属基板としては例えば0.5〜1.0mm厚のアルミニウム基
板を用いる。その基板(2)の表面には第4図に示す如
く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜(9)
(アルマイト層)が形成され、その一主面側に10〜70μ
厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹脂層(10)
が貼着される。更に絶縁樹脂層(10)上には10〜70μ厚
の銅箔(11)が絶縁樹脂層(10)と同時にローラーある
いはホットプレス等の手段により貼着されている。
板を用いる。その基板(2)の表面には第4図に示す如
く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜(9)
(アルマイト層)が形成され、その一主面側に10〜70μ
厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹脂層(10)
が貼着される。更に絶縁樹脂層(10)上には10〜70μ厚
の銅箔(11)が絶縁樹脂層(10)と同時にローラーある
いはホットプレス等の手段により貼着されている。
基板(2)の一主面上に設けられた銅箔(11)表面上に
はスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出して
レジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メッキ
層が銅箔(11)表面にメッキされる。然る後、レジスト
を除去して貴金属メッキ層をマスクとして銅箔(11)の
エッチングを行い所望の導電路(3)が形成される。こ
こでスクリーン印刷による導電路(3)の細さは0.5mm
が限界であるため、極細配線パターンを必要とするとき
は周知の写真蝕刻技術に依り約2μまでの極細導電路
(3)の形成が可能となる。
はスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出して
レジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メッキ
層が銅箔(11)表面にメッキされる。然る後、レジスト
を除去して貴金属メッキ層をマスクとして銅箔(11)の
エッチングを行い所望の導電路(3)が形成される。こ
こでスクリーン印刷による導電路(3)の細さは0.5mm
が限界であるため、極細配線パターンを必要とするとき
は周知の写真蝕刻技術に依り約2μまでの極細導電路
(3)の形成が可能となる。
突出基板(2a)の導電路(3)上の所定の位置にはEPマ
イコンチップ(4)が搭載され、そのEPマイコンチップ
(4)の近傍にはEPマイコンチップ(4)からデータを
供給されるもっとも関連深い回路素子(6)が搭載され
導電路(3)と接続されている。導電路(3)は基板
(2)の略全面に延在形成され、基板(2)の周端部に
延在される導電路(3)の先端部はリード固着パッドが
形成され、そのパッドには外部リード端子(12)が固着
されている。その外部リード(12)は取付け基板に取付
けるために略直角に折曲げ形成されている。
イコンチップ(4)が搭載され、そのEPマイコンチップ
(4)の近傍にはEPマイコンチップ(4)からデータを
供給されるもっとも関連深い回路素子(6)が搭載され
導電路(3)と接続されている。導電路(3)は基板
(2)の略全面に延在形成され、基板(2)の周端部に
延在される導電路(3)の先端部はリード固着パッドが
形成され、そのパッドには外部リード端子(12)が固着
されている。その外部リード(12)は取付け基板に取付
けるために略直角に折曲げ形成されている。
EPマイコンチップ(4)は周知の如く、プログラムプロ
セッサ(CPU)を中心にプログラムメモリにRAM,EPROM,
周辺装置に入出力インターフェイスを組合せている素子
である。EPマイコンチップ(4)は市販されているもの
であり、ここではEPマイコンチップ(4)の説明を省略
する。
セッサ(CPU)を中心にプログラムメモリにRAM,EPROM,
周辺装置に入出力インターフェイスを組合せている素子
である。EPマイコンチップ(4)は市販されているもの
であり、ここではEPマイコンチップ(4)の説明を省略
する。
EPマイコンチップ(6)のプログラム・データを選択し
て供給されるその周辺回路素子(6)のIC、トランジス
タ、チップ抵抗およびチップコンデンサー等はチップ状
態で所望の導電路(3)上に半田付けあるいはAgペース
ト等のろう材によって付着され、それらの回路素子
(6)は近傍の導電路(3)にボンディングされてい
る。更に導電路(3)間にはスクリーン印刷によるカー
ボン抵抗体およびニッケルメッキによるニッケルメッキ
抵抗体が夫々抵抗素子として形成されている。
て供給されるその周辺回路素子(6)のIC、トランジス
タ、チップ抵抗およびチップコンデンサー等はチップ状
態で所望の導電路(3)上に半田付けあるいはAgペース
ト等のろう材によって付着され、それらの回路素子
(6)は近傍の導電路(3)にボンディングされてい
る。更に導電路(3)間にはスクリーン印刷によるカー
ボン抵抗体およびニッケルメッキによるニッケルメッキ
抵抗体が夫々抵抗素子として形成されている。
一方、ケース材(8)は絶縁部材としての熱可塑性樹脂
から形成され、基板(2)と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その箱状のケース材
(8)の周端部は基板(2)の略周端部に配置されて接
着性を有したシール剤(Jシート:商品名)によって基
板(2)と強固に固着一体化される。この結果、基板
(2)とケース材(8)間に所定の封止空間部(14)が
形成されることになる。更に本実施例のケース材(8)
から突出基板(2a)が露出し、この突出基板(2a)はEP
マイコンチップ(4)が載置できる大きさに形成されて
いる。なおこの突出基板(2a)は基板(2)の4辺のど
の位置にも設けられることができ、EPマイコンチップ
(4)ともっとも関連深い回路素子(6)との関係でそ
の位置が決定される。
から形成され、基板(2)と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その箱状のケース材
(8)の周端部は基板(2)の略周端部に配置されて接
着性を有したシール剤(Jシート:商品名)によって基
板(2)と強固に固着一体化される。この結果、基板
(2)とケース材(8)間に所定の封止空間部(14)が
形成されることになる。更に本実施例のケース材(8)
から突出基板(2a)が露出し、この突出基板(2a)はEP
マイコンチップ(4)が載置できる大きさに形成されて
いる。なおこの突出基板(2a)は基板(2)の4辺のど
の位置にも設けられることができ、EPマイコンチップ
(4)ともっとも関連深い回路素子(6)との関係でそ
の位置が決定される。
ケース材(8)から露出し突出基板(2a)上にはEPマイ
コンチップ(4)と固着接続される複数の導電路(3)
の一端が延在形成され、その導電路(3)の先端部にEP
マイコンチップ(4)が固着される。EPマイコンチップ
(4)が固着された導電路(3)の他端はEPマイコンチ
ップ(4)ともっとも関連する回路素子(6)の近傍に
効率よく引回しされチップ状のマイクロコンピュータ
(5)とボンディングワイヤで電気に接続される。
コンチップ(4)と固着接続される複数の導電路(3)
の一端が延在形成され、その導電路(3)の先端部にEP
マイコンチップ(4)が固着される。EPマイコンチップ
(4)が固着された導電路(3)の他端はEPマイコンチ
ップ(4)ともっとも関連する回路素子(6)の近傍に
効率よく引回しされチップ状のマイクロコンピュータ
(5)とボンディングワイヤで電気に接続される。
ここでEPマイコンチップ(4)ともっとも関連深い回路
素子(6)との位置関係について述べる。EPマイコンチ
ップ(4)とチップ状の回路素子(6)とは多数本の導
電路(3)を介して接続されるため、その導電路(3)
の引回しを短くするためにEPマイコンチップ(4)とも
っとも関連深い回路素子(6)は夫々、隣接する位置か
あるいはできるだけ近傍に位置する様に配置される。従
ってEPマイコンチップ(4)ともっとも関連深い回路素
子(6)との導電路(3)の引回しは最短距離で形成で
き基板上の実装面積を有効に使用することができる。ま
た、EPマイコンチップ(4)とその近傍あるいは隣接し
た位置に配置されたチップ状の回路素子(6)は夫々の
近傍に延在された導電路(3)の先端部とワイヤ線によ
ってボンディング接続されEPマイコンチップ(4)と電
気的に接続される。
素子(6)との位置関係について述べる。EPマイコンチ
ップ(4)とチップ状の回路素子(6)とは多数本の導
電路(3)を介して接続されるため、その導電路(3)
の引回しを短くするためにEPマイコンチップ(4)とも
っとも関連深い回路素子(6)は夫々、隣接する位置か
あるいはできるだけ近傍に位置する様に配置される。従
ってEPマイコンチップ(4)ともっとも関連深い回路素
子(6)との導電路(3)の引回しは最短距離で形成で
き基板上の実装面積を有効に使用することができる。ま
た、EPマイコンチップ(4)とその近傍あるいは隣接し
た位置に配置されたチップ状の回路素子(6)は夫々の
近傍に延在された導電路(3)の先端部とワイヤ線によ
ってボンディング接続されEPマイコンチップ(4)と電
気的に接続される。
EPマイコンチップは第1図および第2図から明らかな如
く、ケース材(8)より突出した突出基板(2a)上に搭
載される。突出基板(2a)上にはEPマイコンチップ
(4)とそのEPマイコンチップ(4)と近傍の導電路
(3)とを接続するワイヤ線が配置されることになる。
く、ケース材(8)より突出した突出基板(2a)上に搭
載される。突出基板(2a)上にはEPマイコンチップ
(4)とそのEPマイコンチップ(4)と近傍の導電路
(3)とを接続するワイヤ線が配置されることになる。
更に突出基板(2a)上には1層以上の樹脂が被覆され、
EPマイコンチップ(4)およびワイヤ線がその樹脂層に
よって完全に被覆される。EPマイコンチップ(4)上に
直接被覆される第1層目の樹脂はEPマイコンチップ
(4)のデータを消去する際に紫外線を透過する必要が
あるために紫外線透過性樹脂(21a)が用いられる。紫
外線透過性樹脂(21a)は非芳香族系であれば限定され
ず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリコンゲル
が用いられる。
EPマイコンチップ(4)およびワイヤ線がその樹脂層に
よって完全に被覆される。EPマイコンチップ(4)上に
直接被覆される第1層目の樹脂はEPマイコンチップ
(4)のデータを消去する際に紫外線を透過する必要が
あるために紫外線透過性樹脂(21a)が用いられる。紫
外線透過性樹脂(21a)は非芳香族系であれば限定され
ず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリコンゲル
が用いられる。
本実施例では第1層目の樹脂層(21a)上に第2層目の
樹脂層(21b)が充填されている。第2層目の樹脂層は
第1層目とは異なりEPマイコンチップ(4)の誤消去を
防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性樹脂
(21b)が用いられる。この樹脂層(21b)は芳香環(ベ
ンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定されず、例えばエ
ポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用いられる。
樹脂層(21b)が充填されている。第2層目の樹脂層は
第1層目とは異なりEPマイコンチップ(4)の誤消去を
防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性樹脂
(21b)が用いられる。この樹脂層(21b)は芳香環(ベ
ンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定されず、例えばエ
ポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用いられる。
従ってEPマイコンチップ(4)だけが突出基板(2a)上
に搭載され且つ2層の樹脂で被覆され、その他の回路素
子(6)は基板(2)とケース材(8)とで形成される
封止空間(14)内に配置されることになる。
に搭載され且つ2層の樹脂で被覆され、その他の回路素
子(6)は基板(2)とケース材(8)とで形成される
封止空間(14)内に配置されることになる。
上述の如く、EPマイコンチップ(4)と接続される周辺
の回路素子(6)は基板(2)とケース材(8)で形成
された封止空間部(14)に配置する様に設定されてい
る。即ち、チップ状の電子部品および印刷抵抗、メッキ
抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(14)内に
設けられている。
の回路素子(6)は基板(2)とケース材(8)で形成
された封止空間部(14)に配置する様に設定されてい
る。即ち、チップ状の電子部品および印刷抵抗、メッキ
抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(14)内に
設けられている。
本実施例でEPマイコンチップ(4)のデータ消去を行う
場合は紫外線不透過性樹脂(21b)を剥離して紫外線を
照射し、再書き込みをする場合はEPマイコンチップ
(4)上の紫外線透過性樹脂(21a)も剥してボンディ
ングされている近傍の導電路(3)にブローブ等の端子
を当接させ、書き込み装置よりデータを書き込む。この
とき、紫外線透過性樹脂(21a)を剥す場合、樹脂(21
a)はあまり接着力が強くないためにワイヤ線が切断す
ることはない。
場合は紫外線不透過性樹脂(21b)を剥離して紫外線を
照射し、再書き込みをする場合はEPマイコンチップ
(4)上の紫外線透過性樹脂(21a)も剥してボンディ
ングされている近傍の導電路(3)にブローブ等の端子
を当接させ、書き込み装置よりデータを書き込む。この
とき、紫外線透過性樹脂(21a)を剥す場合、樹脂(21
a)はあまり接着力が強くないためにワイヤ線が切断す
ることはない。
以下に本発明を用いたモータ駆動用のインバータの混成
集積回路装置の具体例を示す。
集積回路装置の具体例を示す。
モータ駆動用インバータとは、一般的に直流電源から任
意の交流電源を作り、例えば三相モータの回転数を任意
にコントロールするものである。即ち、商用交流電源を
整流回路を用いて整流した直流電源を電源として用い
る。その入力直流電源をインバータ主回路と呼び、三相
ブリッジ構成されたスイッチ素子を用いて所定のコント
ロール信号のもとでチョッピングして疑似交流を負荷に
出力する。コントロール信号を変化させることにより出
力交流の電圧、周波数を可変にすることができモータの
回転数やトルクを可変に調整することができる。
意の交流電源を作り、例えば三相モータの回転数を任意
にコントロールするものである。即ち、商用交流電源を
整流回路を用いて整流した直流電源を電源として用い
る。その入力直流電源をインバータ主回路と呼び、三相
ブリッジ構成されたスイッチ素子を用いて所定のコント
ロール信号のもとでチョッピングして疑似交流を負荷に
出力する。コントロール信号を変化させることにより出
力交流の電圧、周波数を可変にすることができモータの
回転数やトルクを可変に調整することができる。
第4図に示したブロック図に基づいてモータ駆動用イン
バータを簡単に説明する。
バータを簡単に説明する。
第4図は集積回路基板(2)上にモータ駆動用インバー
タを搭載したときのブロック図である。
タを搭載したときのブロック図である。
モータ駆動用インバータは、交流電源を入力し直流に変
換する整流回路(21)と、その整流回路(21)から出力
された直流電源を所定の間隔でチョッピングし負荷(モ
ータ)に疑似交流を供給するインバータ主回路(22)
と、インバータ主回路(22)を所定間隔でチョッピング
させる出力信号および他の装置の動作を行わせる出力信
号を供給するEPROM内蔵マイクロコンピュータ(4)
(以下EPマイコンチップと称する)と、EPマイコンチッ
プ(4)から出力された出力信号を所望に増幅させるバ
ッファ(23)と、バッファ(23)により増幅された信号
を電位の異なるベースアンプ(25)に伝達する第1のイ
ンターフェイス(24)と、第1のインターフェイス(2
4)から伝達された信号をインバータ主回路(22)に増
幅して供給するベースアンプ(25)と、整流回路(21)
からインバータ主回路(22)に供給される電流を検出す
ると共にインバータ主回路(22)の発熱を検出して第1
のインターフェイス(24)を介してEPマイコンチップ
(4)に所定の信号をフィードバックさせてインバータ
主回路(22)および周辺回路を保護する保護回路(26)
と、マイコン(4)に電位の異なる信号を入出力する第
2のインターフェイス(27)と、EPマイコンチップ
(4)から出力される出力信号を外部装置に供給するた
めに増幅させる出力バッファ(28)とから構成されてい
る。以下に上述した各構成について簡単に説明する。
換する整流回路(21)と、その整流回路(21)から出力
された直流電源を所定の間隔でチョッピングし負荷(モ
ータ)に疑似交流を供給するインバータ主回路(22)
と、インバータ主回路(22)を所定間隔でチョッピング
させる出力信号および他の装置の動作を行わせる出力信
号を供給するEPROM内蔵マイクロコンピュータ(4)
(以下EPマイコンチップと称する)と、EPマイコンチッ
プ(4)から出力された出力信号を所望に増幅させるバ
ッファ(23)と、バッファ(23)により増幅された信号
を電位の異なるベースアンプ(25)に伝達する第1のイ
ンターフェイス(24)と、第1のインターフェイス(2
4)から伝達された信号をインバータ主回路(22)に増
幅して供給するベースアンプ(25)と、整流回路(21)
からインバータ主回路(22)に供給される電流を検出す
ると共にインバータ主回路(22)の発熱を検出して第1
のインターフェイス(24)を介してEPマイコンチップ
(4)に所定の信号をフィードバックさせてインバータ
主回路(22)および周辺回路を保護する保護回路(26)
と、マイコン(4)に電位の異なる信号を入出力する第
2のインターフェイス(27)と、EPマイコンチップ
(4)から出力される出力信号を外部装置に供給するた
めに増幅させる出力バッファ(28)とから構成されてい
る。以下に上述した各構成について簡単に説明する。
先ず整流回路は周知のダイオードのブリッジ回路で構成
され、商用交流を直流に順変換するものである。本実施
例において、整流回路は基板上にチップ部品で構成され
ているが、整流回路のみを外付によって構成する場合も
使用目的によって発生するが本発明には何んら支障はな
い。
され、商用交流を直流に順変換するものである。本実施
例において、整流回路は基板上にチップ部品で構成され
ているが、整流回路のみを外付によって構成する場合も
使用目的によって発生するが本発明には何んら支障はな
い。
次にインバータ主回路(22)は第5図に示す如く、直列
接続された2個のスイッチング素子(22a)(トランジ
スタ、MOSFET、IGBT等)を夫々並列接続(ブリッジ接
続)されている。本実施例においてはトランジスタ素子
を用いて説明するものとする。以下に説明をつづける。
インバータ主回路(22)の夫々のトランジスタのコレク
タ−エミッタ間にはフライホイル用のダイオードが接続
されると共に夫々の直列接続された各トランジスタ間と
負荷とを結ぶための出力端子(U,V,W)が設けられてい
る。また、(22b)は入力用の入力端子である。
接続された2個のスイッチング素子(22a)(トランジ
スタ、MOSFET、IGBT等)を夫々並列接続(ブリッジ接
続)されている。本実施例においてはトランジスタ素子
を用いて説明するものとする。以下に説明をつづける。
インバータ主回路(22)の夫々のトランジスタのコレク
タ−エミッタ間にはフライホイル用のダイオードが接続
されると共に夫々の直列接続された各トランジスタ間と
負荷とを結ぶための出力端子(U,V,W)が設けられてい
る。また、(22b)は入力用の入力端子である。
次にEPマイコンチップ(4)は例えば、LM8051P(三洋
製)のICチップ化されたものが用いられている。
製)のICチップ化されたものが用いられている。
第6図はマイコンの基本構成を示すブロック図であり、
命令の取出しと実行を行うCPUと、所定のプログラム・
データが記憶されているメモリー部(4b)と外部装置と
のデータの入出力を行うためのI/Oポート部(4c)から
構成されている。EPマイコンチップ(4)自体には新規
なところがないため、ここでは詳細に説明しないものと
する。このEPマイコンチップ(4)によってインバータ
主回路(22)および所望の外部装置はコントロールされ
る。
命令の取出しと実行を行うCPUと、所定のプログラム・
データが記憶されているメモリー部(4b)と外部装置と
のデータの入出力を行うためのI/Oポート部(4c)から
構成されている。EPマイコンチップ(4)自体には新規
なところがないため、ここでは詳細に説明しないものと
する。このEPマイコンチップ(4)によってインバータ
主回路(22)および所望の外部装置はコントロールされ
る。
次にバッファ(23)はLC4049B(三洋製)等のICチップ
化されたものが用いられる。このバッファ(23)はEPマ
イコンチップ(4)からの出力信号を所定に増幅させる
ものである。
化されたものが用いられる。このバッファ(23)はEPマ
イコンチップ(4)からの出力信号を所定に増幅させる
ものである。
次に第1のインターフェイス(24)は複数のフォトカプ
ラから構成され、例えば、PC817(シャープ製)等のIC
チップにより構成されている。第1のインターフェイス
(24)は上述した如く、バッファ(23)から出力された
出力信号を光でベースアンプ(25)に伝達させるもので
ある。
ラから構成され、例えば、PC817(シャープ製)等のIC
チップにより構成されている。第1のインターフェイス
(24)は上述した如く、バッファ(23)から出力された
出力信号を光でベースアンプ(25)に伝達させるもので
ある。
次にベースアンプ(25)は第7図に示す如く、第1のイ
ンターフェイス(24)から出力された信号が入力される
信号入力端子(25a)と、入力端子(25a)から入力され
た信号が供給されON,OFFされる第1および第3のトラン
ジスタ(Tr1)(Tr3)と、第3のトランジスタ(Tr3)
のコレクタとそのベースが接続された第1のトランジス
タ(Tr1)とマイナスライン間に接続された第2のトラ
ンジスタ(Tr2)と、電源ライン間に接続された抵抗お
よびダイオードと、ダイオードと並列に接続されたコン
デンサーとから構成されている。また、第1および第2
のトランジスタ間とインバータ主回路の各トランジスタ
のベースとエミッタとを接続する出力端子(25b)が設
けられている。例えば、ベースアンプ(25)の信号入力
端子(25a)にON信号が入力されると第1のトランジス
タ(Tr1)と第3のトランジスタ(Tr3)がONし、第2の
トランジスタ(Tr2)がOFFする。すると、電源VDから第
1のトランジスタ(Tr1)、制御抵抗R1を介してインバ
ータ主回路(22)のベースに所望の電流が供給される。
また、信号OFF時には第1のトランジスタ(Tr1)および
第3のトランジスタ(Tr3)がOFFし、第2のトランジス
タ(Tr2)をONさせる。そしてダイオードとコンデンサ
ーより作られた電源からインバータ主回路(22)のオフ
を早くさせるものである。
ンターフェイス(24)から出力された信号が入力される
信号入力端子(25a)と、入力端子(25a)から入力され
た信号が供給されON,OFFされる第1および第3のトラン
ジスタ(Tr1)(Tr3)と、第3のトランジスタ(Tr3)
のコレクタとそのベースが接続された第1のトランジス
タ(Tr1)とマイナスライン間に接続された第2のトラ
ンジスタ(Tr2)と、電源ライン間に接続された抵抗お
よびダイオードと、ダイオードと並列に接続されたコン
デンサーとから構成されている。また、第1および第2
のトランジスタ間とインバータ主回路の各トランジスタ
のベースとエミッタとを接続する出力端子(25b)が設
けられている。例えば、ベースアンプ(25)の信号入力
端子(25a)にON信号が入力されると第1のトランジス
タ(Tr1)と第3のトランジスタ(Tr3)がONし、第2の
トランジスタ(Tr2)がOFFする。すると、電源VDから第
1のトランジスタ(Tr1)、制御抵抗R1を介してインバ
ータ主回路(22)のベースに所望の電流が供給される。
また、信号OFF時には第1のトランジスタ(Tr1)および
第3のトランジスタ(Tr3)がOFFし、第2のトランジス
タ(Tr2)をONさせる。そしてダイオードとコンデンサ
ーより作られた電源からインバータ主回路(22)のオフ
を早くさせるものである。
次に保護回路(26)は第8図に示す如く、インバータ主
回路(22)の近傍に設けられインバータ主回路(22)の
発熱による温度上昇を検出するダイオード等より構成さ
れる温度検出部(26a)と、整流回路(21)からインバ
ータ主回路(22)に供給される電流を検出する抵抗より
構成される電流検出部(26b)と、内部基準電圧を形成
する基準電圧部(26c)と、夫々の検出部(26a)(26
b)からの出力信号と基準電圧部(26c)から出力される
信号を比較する電圧比較部(26d)と、電圧比較部(26
d)からの信号をEPマイコンチップ(4)にフィードバ
ックさせる保護、制御信号出力部(26e)とから構成さ
れている。
回路(22)の近傍に設けられインバータ主回路(22)の
発熱による温度上昇を検出するダイオード等より構成さ
れる温度検出部(26a)と、整流回路(21)からインバ
ータ主回路(22)に供給される電流を検出する抵抗より
構成される電流検出部(26b)と、内部基準電圧を形成
する基準電圧部(26c)と、夫々の検出部(26a)(26
b)からの出力信号と基準電圧部(26c)から出力される
信号を比較する電圧比較部(26d)と、電圧比較部(26
d)からの信号をEPマイコンチップ(4)にフィードバ
ックさせる保護、制御信号出力部(26e)とから構成さ
れている。
次に第2のインターフェイス(27)は第1のインターフ
ェイス(24)と同様に複数個のフォトカプラから構成さ
れ、EPマイコンチップ(4)と入出力端子S0,S1から入
出力される信号をEPマイコンチップ(4)に伝達するも
のである。
ェイス(24)と同様に複数個のフォトカプラから構成さ
れ、EPマイコンチップ(4)と入出力端子S0,S1から入
出力される信号をEPマイコンチップ(4)に伝達するも
のである。
最後に出力バッファ(28)はバッファ(23)と同様にLC
4049B(三洋製)等のICチップ化されたものが用いら
れ、EPマイコンチップ(4)からの信号を増幅し、出力
端子PO0〜PO9に信号を出力するものである。
4049B(三洋製)等のICチップ化されたものが用いら
れ、EPマイコンチップ(4)からの信号を増幅し、出力
端子PO0〜PO9に信号を出力するものである。
以下にモータ駆動用インバータの動作について簡単に説
明する。
明する。
商用交流が端子(21X)から入力されると、上述した様
に整流回路(21)によって直流に変換される。その変換
された直流電流はインバータ主回路(22)に供給され
る。インバータ主回路(22)の出力端子(U,V,W)は負
荷(モータ)に接続され負荷に所望の電流を供給する。
に整流回路(21)によって直流に変換される。その変換
された直流電流はインバータ主回路(22)に供給され
る。インバータ主回路(22)の出力端子(U,V,W)は負
荷(モータ)に接続され負荷に所望の電流を供給する。
入出力端子S0,S1、デジタル入力端子D0〜D5、アナログ
入力端子A0〜A8の各入力端子から所定の制御あるいは指
令信号が入力されるとEPマイコンチップ(4)はその入
力信号に基づいて動作する。即ち、入力信号に基づい
て、EPマイコンチップ(4)内に記憶されているメモリ
ー内のプログラム・データに基づいた所定の処理が実行
されるコントロール信号を出力する。そのコントロール
信号はバッファ(23)により増幅され第1のインターフ
ェイス(24)を介してベースアンプ(25)に供給され
る。
入力端子A0〜A8の各入力端子から所定の制御あるいは指
令信号が入力されるとEPマイコンチップ(4)はその入
力信号に基づいて動作する。即ち、入力信号に基づい
て、EPマイコンチップ(4)内に記憶されているメモリ
ー内のプログラム・データに基づいた所定の処理が実行
されるコントロール信号を出力する。そのコントロール
信号はバッファ(23)により増幅され第1のインターフ
ェイス(24)を介してベースアンプ(25)に供給され
る。
ベースアンプ(25)に供給された信号はインバータ主回
路(22)の各トランジスタ素子のベースに供給され、イ
ンバータ主回路(22)の各トランジスタ素子をON,OFFさ
せて直流をチョッピングして疑似交流を形成し、出力端
子(U,V,W)を介して負荷へ交流を供給させて負荷を所
定の回転数で回転させる。
路(22)の各トランジスタ素子のベースに供給され、イ
ンバータ主回路(22)の各トランジスタ素子をON,OFFさ
せて直流をチョッピングして疑似交流を形成し、出力端
子(U,V,W)を介して負荷へ交流を供給させて負荷を所
定の回転数で回転させる。
即ち、EPマイコンチップ(4)内の所定のプログラム・
データに基づいてインバータ主回路(22)で直流をチョ
ッピングして交流に変換されている。また、ベースアン
プ(25)には別電源がVD1〜VD4端子を介して常時印加さ
れている。
データに基づいてインバータ主回路(22)で直流をチョ
ッピングして交流に変換されている。また、ベースアン
プ(25)には別電源がVD1〜VD4端子を介して常時印加さ
れている。
上述したEPマイコンチップ(4)内のプログラム・デー
タを変換すると、即ち別のマイコンに変換すればそのEP
マイコンチップ内に内蔵されたプログラム・データに応
じた回転にコントロールすることができる。
タを変換すると、即ち別のマイコンに変換すればそのEP
マイコンチップ内に内蔵されたプログラム・データに応
じた回転にコントロールすることができる。
出力端子PO0〜PO9から出力される信号はEPマイコンチッ
プ(4)に入力される入力指令に基づいてEPマイコンチ
ップ(4)が所定の信号処理を行った結果に基づいた信
号を出力する。出力端子PO0〜PO9から出力される出力信
号は外部の機器あるいは装置をコントロールする。例え
ばインバータエアコンであれば電磁リレー、冷媒調整す
る弁等を室内の温度変化に対応して所定にコントロール
する。
プ(4)に入力される入力指令に基づいてEPマイコンチ
ップ(4)が所定の信号処理を行った結果に基づいた信
号を出力する。出力端子PO0〜PO9から出力される出力信
号は外部の機器あるいは装置をコントロールする。例え
ばインバータエアコンであれば電磁リレー、冷媒調整す
る弁等を室内の温度変化に対応して所定にコントロール
する。
上述したインバータ動作を行っている際にはインバータ
システム、即ち、基板(2)上の温度は定格最大温度以
下になる様に設計されているが、システム自体を異常な
環境下(高温、高湿下)での使用、あるいは放熱が正常
に行われない場合にはインバータ主回路(22)や周辺の
温度が異常に上昇し、システムあるいはセットを破壊す
る恐れはあるが、本実施例では保護回路(26)の温度検
出部(26a)によって異常温度を検出してインバータの
動作を止めてインバータの発熱をおさえてセットあるい
はシステムを保護するものである。また、インバータ主
回路(22)には負荷が接続されているが、この負荷内部
の配線の異常による短絡、出力端子(U,V,W)の短絡、
あるいは外部ノイズによるEPマイコンチップ(4)の誤
動作でインバータ主回路(22)の直列された素子が同時
ONしたりすると異常な大電流がインバータ主回路(22)
に流れるが、この場合においても、保護回路(26)内の
電流検出部(26b)でその大電流を検出しただちに動作
を停止させて保護する。
システム、即ち、基板(2)上の温度は定格最大温度以
下になる様に設計されているが、システム自体を異常な
環境下(高温、高湿下)での使用、あるいは放熱が正常
に行われない場合にはインバータ主回路(22)や周辺の
温度が異常に上昇し、システムあるいはセットを破壊す
る恐れはあるが、本実施例では保護回路(26)の温度検
出部(26a)によって異常温度を検出してインバータの
動作を止めてインバータの発熱をおさえてセットあるい
はシステムを保護するものである。また、インバータ主
回路(22)には負荷が接続されているが、この負荷内部
の配線の異常による短絡、出力端子(U,V,W)の短絡、
あるいは外部ノイズによるEPマイコンチップ(4)の誤
動作でインバータ主回路(22)の直列された素子が同時
ONしたりすると異常な大電流がインバータ主回路(22)
に流れるが、この場合においても、保護回路(26)内の
電流検出部(26b)でその大電流を検出しただちに動作
を停止させて保護する。
上述した動作を行うことでモータ駆動用インバータの動
作が行われて負荷(モータ)の回転コントロールおよび
外部機器の動作を所定にコントロールして例えば、イン
バータエアコン等の制御を正常に動作させる。
作が行われて負荷(モータ)の回転コントロールおよび
外部機器の動作を所定にコントロールして例えば、イン
バータエアコン等の制御を正常に動作させる。
第9図は第4図で示したモータ駆動用インバータ回路を
本実施例の基板(2)上に実装した場合を示す平面図で
あり、実装される各回路素子の符号は第4図のブロック
図で示した符号と同一にしてある。尚、複数の各回路素
子を接続する導電路は煩雑となるため矢印にて示すもの
とする。
本実施例の基板(2)上に実装した場合を示す平面図で
あり、実装される各回路素子の符号は第4図のブロック
図で示した符号と同一にしてある。尚、複数の各回路素
子を接続する導電路は煩雑となるため矢印にて示すもの
とする。
第9図に示す如く、基板(2)の周端部には外部リード
端子(12)が固着される複数の固着用パッド(3a)が設
けられている。固着パッド(3a)から延在される導電路
(3)上の封止空間(14)となる所定位置には複数の回
路素子が、突出基板(2a)上にはEPマイコンチップ
(4)が固着されている。即ち、突出基板(2a)を除く
基板(2)上にはEPマイコンチップ(4)を除く複数の
回路素子(6)が固着されており、(21)は整流回路、
(25)はベースアンプ、(23)はバッファ、(24)は第
1のインターフェイス、(27)は第2のインターフェイ
ス、(28)は出力バッファ、(26)は保護回路である。
端子(12)が固着される複数の固着用パッド(3a)が設
けられている。固着パッド(3a)から延在される導電路
(3)上の封止空間(14)となる所定位置には複数の回
路素子が、突出基板(2a)上にはEPマイコンチップ
(4)が固着されている。即ち、突出基板(2a)を除く
基板(2)上にはEPマイコンチップ(4)を除く複数の
回路素子(6)が固着されており、(21)は整流回路、
(25)はベースアンプ、(23)はバッファ、(24)は第
1のインターフェイス、(27)は第2のインターフェイ
ス、(28)は出力バッファ、(26)は保護回路である。
第9図から明らかな如く、EPマイコンチップ(4)と一
番関連深い回路素子の近傍(ここではバッファ、出力バ
ッファ)に隣接する位置に設けられた突出基板(2a)上
にEPマイコンチップ(4)が固着される。
番関連深い回路素子の近傍(ここではバッファ、出力バ
ッファ)に隣接する位置に設けられた突出基板(2a)上
にEPマイコンチップ(4)が固着される。
EPマイコンチップ(4)ともっとも関連する回路素子
(6)をEPマイコンチップ(4)の近傍に配置すること
により、両者を接続させる導電路(3)の引回し線の距
離を最短でしかも最小で配置形成でき、その結果、他の
実装パターンを有効に使用できると共に高密度実装が行
える。また、一点鎖線で囲まれた領域は接着シートでケ
ース材(8)が固着される固着領域であることを示す。
(6)をEPマイコンチップ(4)の近傍に配置すること
により、両者を接続させる導電路(3)の引回し線の距
離を最短でしかも最小で配置形成でき、その結果、他の
実装パターンを有効に使用できると共に高密度実装が行
える。また、一点鎖線で囲まれた領域は接着シートでケ
ース材(8)が固着される固着領域であることを示す。
第10図は第9図で示した基板(2)上にケース材(8)
を固着したときのインバータ用の混成集積回路装置の完
成品の平面図であり、ケース材(8)の周端辺の突出基
板(2a)上にはEPマイコンチップ(4)が樹脂被覆され
た状態となる。即ち、EPマイコンチップ(4)以外の他
の素子は全てケース材(8)と基板(2)とで形成され
た封止空間(14)内に封止される。
を固着したときのインバータ用の混成集積回路装置の完
成品の平面図であり、ケース材(8)の周端辺の突出基
板(2a)上にはEPマイコンチップ(4)が樹脂被覆され
た状態となる。即ち、EPマイコンチップ(4)以外の他
の素子は全てケース材(8)と基板(2)とで形成され
た封止空間(14)内に封止される。
斯る本発明に依れば、基板(2)の所望位置に突出基板
(2a)を設け、その突出基板(2a)上の導電路(3)に
EPマイコンチップ(4)を接続し、基板(2)とケース
材(8)とで形成された封止空間(14)に他の回路素子
(6)を固着することにより、混成集積回路とEPマイコ
ンチップ(4)の一体化した装置が極めて小型化に提供
することができる。
(2a)を設け、その突出基板(2a)上の導電路(3)に
EPマイコンチップ(4)を接続し、基板(2)とケース
材(8)とで形成された封止空間(14)に他の回路素子
(6)を固着することにより、混成集積回路とEPマイコ
ンチップ(4)の一体化した装置が極めて小型化に提供
することができる。
(ト)発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1に基板
(2)の任意の周端辺に突出基板(2a)を設け、その突
出基板(2a)上の導電路(3)にEPマイコンチップ
(4)を接続しているので、EPマイコンチップ(4)の
載置位置の周辺の任意に選定できる利点を有する。この
ため内蔵するもっとも関連深い回路素子との電気的接続
を考慮して、効率良くEPマイコンチップ(4)ともっと
も関連深い回路素子(6)とを接続できデータ線の引回
しを不要にできる。更に詳述すると、EPマイコンチップ
(4)の隣接する位置にもっとも関連の深い回路素子
(6)を配置でき、その結果EPマイコンチップ(4)と
回路素子(6)間のデータのやりとりを行うデータ線を
最短距離あるいはもっとも設計容易なレイアウトで実現
でき、データ線の引回しによる実装密度のロスを最小限
に抑制できる。
(2)の任意の周端辺に突出基板(2a)を設け、その突
出基板(2a)上の導電路(3)にEPマイコンチップ
(4)を接続しているので、EPマイコンチップ(4)の
載置位置の周辺の任意に選定できる利点を有する。この
ため内蔵するもっとも関連深い回路素子との電気的接続
を考慮して、効率良くEPマイコンチップ(4)ともっと
も関連深い回路素子(6)とを接続できデータ線の引回
しを不要にできる。更に詳述すると、EPマイコンチップ
(4)の隣接する位置にもっとも関連の深い回路素子
(6)を配置でき、その結果EPマイコンチップ(4)と
回路素子(6)間のデータのやりとりを行うデータ線を
最短距離あるいはもっとも設計容易なレイアウトで実現
でき、データ線の引回しによる実装密度のロスを最小限
に抑制できる。
第2に基板(2)の周端部に設けた突出基板(2a)にEP
マイコンチップ(4)を配置しているので、一体化した
小型の混成集積回路装置として取り扱える利点を有す
る。更に集積回路基板(2)上の組み込むその周辺回路
素子の実装密度を向上することにより、従来必要とされ
たプリント基板を廃止することができる。
マイコンチップ(4)を配置しているので、一体化した
小型の混成集積回路装置として取り扱える利点を有す
る。更に集積回路基板(2)上の組み込むその周辺回路
素子の実装密度を向上することにより、従来必要とされ
たプリント基板を廃止することができる。
第3に両集積回路基板(2)として金属基板を用いるこ
とにより、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に
向上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電
路(3)として銅箔(11)を用いることにより、導電路
(3)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき、実
装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる。
とにより、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に
向上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電
路(3)として銅箔(11)を用いることにより、導電路
(3)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき、実
装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる。
第4にEPマイコンチップ(4)と接続されるその周辺回
路素子(6)はケース材(8)と集積回路基板(2)と
で形成される封止空間(14)にダイ形状あるいはチップ
形状で組み込まれるので、従来のプリント基板の様に樹
脂モールドしたものに比較して極めて占有面積が小さく
なり、実装密度の大幅に向上できる利点を有する。
路素子(6)はケース材(8)と集積回路基板(2)と
で形成される封止空間(14)にダイ形状あるいはチップ
形状で組み込まれるので、従来のプリント基板の様に樹
脂モールドしたものに比較して極めて占有面積が小さく
なり、実装密度の大幅に向上できる利点を有する。
第5にケース材(8)と集積回路基板(2)の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)のほ
ぼ全面を封止空間(14)として利用でき、実装密度の向
上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を実
現できる。
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)のほ
ぼ全面を封止空間(14)として利用でき、実装密度の向
上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を実
現できる。
第6に突出基板(2a)上にEPマイコンチップ(4)を設
けることにより、EPマイコンチップ(4)の着脱を自在
に行なえ、EPマイコンチップ(4)の交換や消去および
再書き込みを自由に行える利点を有する。
けることにより、EPマイコンチップ(4)の着脱を自在
に行なえ、EPマイコンチップ(4)の交換や消去および
再書き込みを自由に行える利点を有する。
第7に集積回路基板(2)の一辺あるいは相対向する辺
から外部リード(12)を導出でき、極めて多ピンの混成
集積回路装置を実現できる利点を有する。
から外部リード(12)を導出でき、極めて多ピンの混成
集積回路装置を実現できる利点を有する。
第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は本実施例で用いる基板の断面図、第
4図は本実施例で用いたモータ駆動用インバータを示す
ブロック図、第5図は第4図で示したインバータの主回
路を示す回路図、第6図は第4図で示したインバータの
マイコンを示すブロック図、第7図は第4図で示したイ
ンバータのベースアンプを示す回路図、第8図は第4図
で示したインバータの保護回路を示すブロック図、第9
図は第4図で示したブロック図を基板上に実装したとき
の平面図、第10図は第9図に示した基板上にケース材を
固着したときの平面図、第11図および第12図は従来のマ
イコン実装構造を示す斜視図である。 (1)…混成集積回路装置、(2)…集積回路基板、
(2a)…突出基板、(3)…導電路、(4)…EPマイコ
ンチップ、(5)…マイクロコンピュータ、(6)…回
路素子、(8)…ケース材、(21a)…紫外線透過性樹
脂、(21b)…紫外線不透過性樹脂。
I断面図、第3図は本実施例で用いる基板の断面図、第
4図は本実施例で用いたモータ駆動用インバータを示す
ブロック図、第5図は第4図で示したインバータの主回
路を示す回路図、第6図は第4図で示したインバータの
マイコンを示すブロック図、第7図は第4図で示したイ
ンバータのベースアンプを示す回路図、第8図は第4図
で示したインバータの保護回路を示すブロック図、第9
図は第4図で示したブロック図を基板上に実装したとき
の平面図、第10図は第9図に示した基板上にケース材を
固着したときの平面図、第11図および第12図は従来のマ
イコン実装構造を示す斜視図である。 (1)…混成集積回路装置、(2)…集積回路基板、
(2a)…突出基板、(3)…導電路、(4)…EPマイコ
ンチップ、(5)…マイクロコンピュータ、(6)…回
路素子、(8)…ケース材、(21a)…紫外線透過性樹
脂、(21b)…紫外線不透過性樹脂。
Claims (6)
- 【請求項1】集積回路基板と 前記基板上に形成された所望のパターンを有する導電路
と 前記導電路に接続され且つ所望のプログラム・データを
内蔵したEPROM内蔵マイクロコンピュータチップと 前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチップの前記デー
タが供給され且つ前記基板上の導電路と接続されたその
周辺回路素子と 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、 前記ケース材より突出した前記基板上の前記導電路に前
記マイクロコンピュータチップを固着し、前記EPROM内
蔵マイクロコンピュータチップの電極と所望の前記導電
路をボンディングワイヤで接続し前記EPROM内蔵マイク
ロコンピュータチップおよび前記ボンディングワイヤを
樹脂で封止し、前記基板と前記ケースで形成された封止
空間に前記周辺回路素子を配置したことを特徴とする混
成集積回路装置。 - 【請求項2】前記集積回路基板として表面を絶縁した金
属基板を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集
積回路装置。 - 【請求項3】前記導電路として銅箔を用いたことを特徴
とする請求項1記載の混成集積回路装置。 - 【請求項4】前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チッ
プコンデンサーを用いていることを特徴とする請求項1
記載の混成集積回路装置。 - 【請求項5】前記ケース材の周端部を前記基板の周端部
とほぼ一致させたことを特徴とする請求項1記載の混成
集積回路装置。 - 【請求項6】前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プを被覆樹脂として紫外線を透過する樹脂を用いたこと
を特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4001890A JPH079964B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4001890A JPH079964B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03242964A JPH03242964A (ja) | 1991-10-29 |
| JPH079964B2 true JPH079964B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=12569169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4001890A Expired - Lifetime JPH079964B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079964B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10333173B2 (en) | 2014-11-14 | 2019-06-25 | Medtronic, Inc. | Composite separator and electrolyte for solid state batteries |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP4001890A patent/JPH079964B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03242964A (ja) | 1991-10-29 |
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